一種沖擊波觸發(fā)電路的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種沖擊波觸發(fā)電路，包括觸發(fā)變壓器、電源變壓器、橋式整流器、可控硅、光電耦合器、電阻、電容、可控硅和二極管等，光電耦合器隔離觸發(fā)信號(hào)和后級(jí)高壓部分，觸發(fā)脈沖信號(hào)通過(guò)光電耦合器控制可控硅導(dǎo)通，產(chǎn)生觸發(fā)高壓。與已有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果在于：采用可控硅控制觸發(fā)變壓器，產(chǎn)生觸發(fā)高壓，觸發(fā)脈沖穩(wěn)定可靠，不漏發(fā)，不連發(fā)，電路簡(jiǎn)潔，觸發(fā)穩(wěn)定，用于體外沖擊波碎石機(jī)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種沖擊波觸發(fā)電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種觸發(fā)電路，尤其涉及一種沖擊波觸發(fā)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有沖擊波觸發(fā)電路一般采用電視機(jī)行輸出高壓包，輸出電流小，容易漏觸發(fā);或者采用汽車(chē)點(diǎn)火器，產(chǎn)品體積較大，價(jià)格較高，使用受到限制，但也沒(méi)有更好的解決方案。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]有鑒于此，本實(shí)用新型的目的是提供一種沖擊波觸發(fā)電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的目的是通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0005]—種沖擊波觸發(fā)電路，其中，包括觸發(fā)變壓器、電源變壓器、橋式整流器、可控硅、光電耦合器、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第九電阻、熔斷器、穩(wěn)壓二極管、第一二極管、第二二極管、第一發(fā)光二極管、第二發(fā)光二極管、第一電容、第二電容、第三電容和第四電容；
[0006]所述電源變壓器通過(guò)所述熔斷器連接外部電壓并將外部電壓變壓為低壓部分和高壓部分，所述橋式整流器和所述第一電容設(shè)于所述低壓部分，所述第一二極管設(shè)于所述高壓部分；
[0007]所述第一發(fā)光二極管和所述第二電阻串接后再與所述第二電容并接，所述第一電阻設(shè)于所述第二電阻和所述第二電容之間，所述第一發(fā)光二極管、所述第二電阻、所述第二電容和所述第一電阻設(shè)于所述光電親合器和外部觸發(fā)信號(hào)之間；
[0008]所述光電耦合器通過(guò)所述第五電阻接入所述低壓部分，所述第五電阻、所述第四電容分別通過(guò)所述穩(wěn)壓二極管接地，所述光電耦合器通過(guò)所述第二二極管和所述第四電阻連接所述可控硅；
[0009]所述第二發(fā)光二極管與所述第三電阻串聯(lián)后分別與所述第六電阻、所述第七電阻并聯(lián)后設(shè)于所述可控硅與所述高壓部分之間，所述第三電容和所述第八電阻并聯(lián)后設(shè)于所述高壓部分與所述觸發(fā)變壓器之間。
[0010]上述沖擊波觸發(fā)電路，其中，所述第一電容為電解電容。
[0011]上述沖擊波觸發(fā)電路，其中，所述低壓部分為12V，所述高壓部分為420V。
[0012]與已有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果在于:
[0013]采用可控硅控制觸發(fā)變壓器，產(chǎn)生觸發(fā)高壓，觸發(fā)脈沖穩(wěn)定可靠，不漏發(fā)，不連發(fā)，電路簡(jiǎn)潔，觸發(fā)穩(wěn)定，用于體外沖擊波碎石機(jī)。
【附圖說(shuō)明】
[0014]構(gòu)成本實(shí)用新型的一部分的附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0015]圖1示出了本實(shí)用新型沖擊波觸發(fā)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0017]需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本實(shí)用新型中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0018]參考圖1所示，本實(shí)用新型沖擊波觸發(fā)電路包括觸發(fā)變壓器B22、電源變壓器B11、橋式整流器Zl、可控硅SCRl、光電耦合器Ql、第一電阻Rl、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第六電阻R6、第七電阻R7、第八電阻R8、第九電阻R9、熔斷器F10、穩(wěn)壓二極管DZl、第一二極管Dl、第二二極管D2、第一發(fā)光二極管Ldl、第二發(fā)光二極管Ld2、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3和第四電容C4。
[0019]電源變壓器Bll通過(guò)熔斷器FlO連接外部電壓220V并將外部電壓變壓為低壓部分和高壓部分，橋式整流器Zl和第一電容Cl設(shè)于低壓部分，第一二極管Dl設(shè)于高壓部分。第一發(fā)光二極管Ldl和第二電阻R2串接后再與第二電容C2并接，第一電阻Rl設(shè)于第二電阻R2和第二電容C2之間，第一發(fā)光二極管Ldl、第二電阻R2、第二電容C2和第一電阻Rl設(shè)于光電耦合器Ql和外部觸發(fā)信號(hào)之間。
[0020]光電耦合器Ql通過(guò)第五電阻R5接入低壓部分，第五電阻R5、第四電容C4分別通過(guò)穩(wěn)壓二極管DZl接地，光電耦合器Ql通過(guò)第二二極管D2和第四電阻R4連接可控硅SCRl。
[0021]第二發(fā)光二極管Ld2與第三電阻R3串聯(lián)后分別與第六電阻R6、第七電阻R7并聯(lián)后設(shè)于可控硅SCRl與高壓部分之間，第三電容C3和第八電阻R8并聯(lián)后設(shè)于高壓部分與觸發(fā)變壓器B22之間，其中第三電阻R3的阻值為200K/2W。
[0022]在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例中，第一電容Cl為電解電容，低壓部分為12V，高壓部分為420V，觸發(fā)變壓器B22輸出觸發(fā)高壓，光電耦合器Ql隔離觸發(fā)信號(hào)和后級(jí)高壓部分，觸發(fā)脈沖信號(hào)通過(guò)光電耦合器Ql控制可控硅SCRl導(dǎo)通，產(chǎn)生觸發(fā)高壓。整個(gè)電路安裝在一塊PCB板上。
[0023]從上述實(shí)施例可以看出，本實(shí)用新型的優(yōu)勢(shì)在于:
[0024]采用可控硅控制觸發(fā)變壓器，產(chǎn)生觸發(fā)高壓，觸發(fā)脈沖穩(wěn)定可靠，不漏發(fā)，不連發(fā)，電路簡(jiǎn)潔，觸發(fā)穩(wěn)定，用于體外沖擊波碎石機(jī)。
[0025]以上對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但本實(shí)用新型并不限制于以上描述的具體實(shí)施例，其只是作為范例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何等同修改和替代也都在本實(shí)用新型的范疇之中。因此，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍下所作出的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種沖擊波觸發(fā)電路，其特征在于，包括觸發(fā)變壓器(B22)、電源變壓器(Bll)、橋式整流器(Zl)、可控硅(SCRl)、光電耦合器(Ql)、第一電阻(Rl)、第二電阻(R2)、第三電阻(尺3)、第四電阻(!?4)、第五電阻(1?5)、第六電阻(1?6)、第七電阻(1?7)、第八電阻(1?8)、第九電阻(R9)、熔斷器(F10)、穩(wěn)壓二極管(DZ1)、第一二極管(D1)、第二二極管(D2)、第一發(fā)光二極管(Ldl)、第二發(fā)光二極管(Ld2)、第一電容(Cl)、第二電容(C2)、第三電容(C3)和第四電容(C4); 所述電源變壓器(Bll)通過(guò)所述熔斷器(FlO)連接外部電壓并將外部電壓變壓為低壓部分和高壓部分，所述橋式整流器(Zl)和所述第一電容(Cl)設(shè)于所述低壓部分，所述第一二極管(Dl)設(shè)于所述高壓部分； 所述第一發(fā)光二極管(Ldl)和所述第二電阻(R2)串接后再與所述第二電容(C2)并接，所述第一電阻(Rl)設(shè)于所述第二電阻(R2)和所述第二電容(C2)之間，所述第一發(fā)光二極管(Ldl)、所述第二電阻(R2)、所述第二電容(C2)和所述第一電阻(Rl)設(shè)于所述光電耦合器(Ql)和外部觸發(fā)信號(hào)之間； 所述光電耦合器(Ql)通過(guò)所述第五電阻(R5)接入所述低壓部分，所述第五電阻(R5)、所述第四電容(C4)分別通過(guò)所述穩(wěn)壓二極管(DZl)接地，所述光電耦合器(Ql)通過(guò)所述第二二極管(D2)和所述第四電阻(R4)連接所述可控硅(SCRl); 所述第二發(fā)光二極管(Ld2)與所述第三電阻(R3)串聯(lián)后分別與所述第六電阻(R6)、所述第七電阻(R7)并聯(lián)后設(shè)于所述可控硅(SCRl)與所述高壓部分之間，所述第三電容(C3)和所述第八電阻(R8)并聯(lián)后設(shè)于所述高壓部分與所述觸發(fā)變壓器(B22)之間。2.如權(quán)利要求1所述沖擊波觸發(fā)電路，其特征在于，所述第一電容(Cl)為電解電容。3.如權(quán)利要求1所述沖擊波觸發(fā)電路，其特征在于，所述低壓部分為12V，所述高壓部分為420V。
【文檔編號(hào)】A61B17/225GK205597975SQ201620310876
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年4月14日
【發(fā)明人】孔慶園
【申請(qǐng)人】上海卡姆南洋醫(yī)療器械股份有限公司