專利名稱：晶圓切割刀具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種切割器具，特別是有關(guān)于一種晶圓切割刀具，其金屬基材鑲嵌磨粒所構(gòu)成的刀片有助于增進切割效率。
背景技術(shù)：
一般半導體晶圓會經(jīng)過一道被分割成晶粒的制 造過程，當欲進行切割晶圓的步驟時，業(yè)者通常是通過一晶圓切割機對應于晶圓的表面進行切割，以將晶圓上所制好的晶粒切割分開，以便后續(xù)的工作。在切割之前晶圓背面會貼附膠膜(tape)而置于一框架上。所述膠膜可固定晶粒，避免在切割時晶粒受力不平均而造成切割品質(zhì)不良，同時切割后膠膜也可確保晶粒在運送過程中不會相互碰撞。前述晶圓切割機主要是利用刀具，配合高速旋轉(zhuǎn)的馬達轉(zhuǎn)軸，進行切割工作。請參考如圖I所不，圖I揭不現(xiàn)有晶圓切割刀具的側(cè)首lJ不意圖，所述刀具包含一盤體9及一刀片8，所述盤體9呈圓盤狀，所述刀片8呈環(huán)圈狀而設(shè)置于所述盤體9的外緣，晶圓切割機的馬達轉(zhuǎn)軸可帶動所述盤體9高速旋轉(zhuǎn)，而利用刀片8對晶圓進行切割工作。進一步參考圖IA所不，圖IA為圖I的刀片8的局部放大圖，所述刀片8包含有I基材80及多個布設(shè)于基材80表面的磨粒81，所述磨粒81有助于所述刀片8在晶圓上進行高速的研磨切割。雖然上述晶圓切割刀具可完成晶圓切割，但是現(xiàn)有晶圓切割刀具的刀片8所使用的基材80為質(zhì)地較軟的樹脂基材，因此，其切割速度(saw speed)通常不宜超過5毫米/秒，若速度過高將會引起基材80變形，而導致刀痕偏斜而無法精準進行切割操作。因此，采用樹脂基材的刀片具有切割速度慢的缺失，使得晶圓切割的產(chǎn)出效率低落，再者采用樹脂基材的刀片亦存在有易磨耗變形的問題，而提高了刀具維修的成本。故，有必要提供一種晶圓切割刀具，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型的主要目的在于提供一種晶圓切割刀具，其不僅可達成切割快速及有效提升產(chǎn)能效率之功效，同時亦可節(jié)省刀具磨耗成本。為達成本實用新型的前述目的，本實用新型提供一種晶圓切割刀具，其包含一盤體，呈圓形，且具有一第一側(cè)面；以及一刀片，設(shè)于所述盤體的第一側(cè)面的外緣，所述刀片包含一環(huán)片狀的金屬基材及多個鑲嵌于所述金屬基材表面的磨粒。在本實用新型的一實施例中，所述盤體的第一側(cè)面具有一第一外徑；所述盤體具有一相對于第一側(cè)面的第二側(cè)面，所述第二側(cè)面具有一第二外徑；所述第二外徑小于第一外徑。在本實用新型的一實施例中，所述盤體為一金屬基材，具有一中央穿孔；所述盤體的第一側(cè)面設(shè)有一連通中央穿孔的第一凹穴，及其第二側(cè)面設(shè)有一連通中央穿孔的第二凹穴。[0012]在本實用新型的一實施例中，所述第一外徑介于50 60毫米之間；所述第二外徑介于40 45毫米之間。在本實用新型的一實施例中，所述盤體為鋁或鋁合金。在本實用新型的一實施例中，所述盤體的中央穿孔具有一內(nèi)徑，所述內(nèi)徑介于15 25毫米之間。在本實用新型的一實施例中，所述磨粒為鉆石顆粒。在本實用新型的一實施例中，所述盤體的厚度介于3 6毫米之間。在本實用新型的一實施例中，所述環(huán)片狀的金屬基材為鎳或鎳合金。

圖I是一現(xiàn)有晶圓切割刀具的側(cè)剖示意圖。圖IA是圖I的局部放大圖。圖2是本實用新型一較佳實施例晶圓切割刀具的側(cè)剖示意圖。圖2A是圖2的局部放大圖。圖2B是本實用新型一較佳實施例晶圓切割刀具的應用示意圖。
具體實施方式
為讓本實用新型上述目的、特征及優(yōu)點更明顯易懂，下文特舉本實用新型較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。再者，本實用新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實用新型，而非用以限制本實用新型。請參照圖2所示，其概要揭示本實用新型一較佳實施例晶圓切割刀具的側(cè)剖示意圖。如圖所示，本實用新型提供一種晶圓切割刀具，其包含一盤體10以及一刀片20。請參照圖2所示，本實用新型第一實施例的所述盤體10是呈圓形，且本實施例中，所述盤體10為一金屬基材，優(yōu)選是鋁或鋁合金，且所述盤體10的厚度優(yōu)選是介于3 6毫米之間。所述盤體10具有一中央穿孔100，所述中央穿孔100具有一內(nèi)徑，所述內(nèi)徑優(yōu)選是介于15 25毫米之間。所述盤體10并具有一第一側(cè)面11及一相對于第一側(cè)面11的第二側(cè)面12，其中所述第一側(cè)面11具有一第一外徑，所述第二側(cè)面12具有一第二外徑；所述第二外徑小于第一外徑，在本實施例中，所述第一外徑優(yōu)選是介于50 60毫米之間；所述第二外徑優(yōu)選是介于40 45毫米之間。再者，本實施例中，所述盤體10的第一側(cè)面11設(shè)有一連通中央穿孔100的第一凹穴110，其第二側(cè)面12設(shè)有一連通中央穿孔100的第二凹穴 120。請參照圖2所示，所述刀片20是設(shè)于所述盤體10的第一側(cè)面11的外緣，并請進一步參照圖2A所示，所述刀片20包含一環(huán)片狀的金屬基材200及多個磨粒201，所述多個磨粒201鑲嵌布設(shè)于所述金屬基材200的表面，在本實施例中，所述磨粒201優(yōu)選是鉆石顆粒，而所述環(huán)片狀的金屬基材則優(yōu)選是鎳或鎳合金。所述磨粒201的粒徑優(yōu)選介于8至50微米(ii m)之間。請進一步參照圖2B所不，為本實用新型一較佳實施例晶圓切割刀具的應用不意圖。所述盤體10可通過其中央穿孔100組接于一馬達40的轉(zhuǎn)軸，使所述盤體10得以受到馬達40帶動而旋轉(zhuǎn)。當進行切割晶圓時，晶圓切割機會控制盤體10移動至一晶圓32的表面，其中所述晶圓會貼附于一膠膜31上而置于一乘載框架30上；接著通過馬達40轉(zhuǎn)動所述盤體10，使所述刀片20呈高速轉(zhuǎn)動，進而于所述晶圓表面進行研磨切割的動作。由于本實用新型的刀片20是采用金屬基材200，其硬度相對優(yōu)于傳統(tǒng)的樹脂刀片，故切割時不易受阻力影響而導致偏斜，得以提供更快的切割速度(saw speed)，相較于傳統(tǒng)樹脂刀片，可提供30毫米/秒以上的切割速度，因此，晶圓切割的效率可獲得大幅提升，同時刀片20采用金屬基材200的關(guān)系，其較樹脂刀片不易磨耗，具有較長的使用壽命，故可節(jié)省刀具的成本。如上所述，相較于現(xiàn)有晶圓切割刀具存在切割速度不佳導致晶圓切割的效率低落，且采用樹脂刀片易磨耗而提高刀具成本的技術(shù)問題，本實用新型提供了一種晶圓切割刀具，其由表面鑲嵌磨粒的金屬基材構(gòu)成的刀片裝設(shè)于一盤體外緣所組成，其中所述刀片的環(huán)片狀的金屬基材相對于現(xiàn)有樹脂刀片具有較高硬度，可達成切割快速及有效提升產(chǎn)能 效率之功效，同時亦可節(jié)省刀具磨耗成本。本實用新型已由上述相關(guān)實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本實用新型的范例。必需指出的是，已公開的實施例并未限制本實用新型的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本實用新型的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種晶圓切割刀具，其特征在于所述晶圓切割刀具包含 一盤體，呈圓形，且具有一第一側(cè)面；以及 一刀片，設(shè)于所述盤體的第一側(cè)面的外緣，所述刀片包含一環(huán)片狀的金屬基材及多個鑲嵌于所述金屬基材表面的磨粒。
2.如權(quán)利要求I所述的晶圓切割刀具，其特征在于所述盤體的第一側(cè)面具有一第一外徑；所述盤體具有一相對于第一側(cè)面的第二側(cè)面，所述第二側(cè)面具有一第二外徑；所述第二外徑小于第一外徑。
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓切割刀具，其特征在于所述盤體為一金屬基材，具有一中央穿孔；所述盤體的第一側(cè)面設(shè)有一連通中央穿孔的第一凹穴，及其第二側(cè)面設(shè)有一連通中央穿孔的第二凹穴。
4.如權(quán)利要求2所述的晶圓切割刀具,其特征在于所述第一外徑介于50 60毫米 之間；所述第二外徑介于40 45毫米之間。
5.如權(quán)利要求3所述的晶圓切割刀具，其特征在于所述盤體為鋁或鋁合金。
6.如權(quán)利要求3所述的晶圓切割刀具，其特征在于所述盤體的中央穿孔具有一內(nèi)徑，所述內(nèi)徑介于15 25毫米之間。
7.如權(quán)利要求I所述的晶圓切割刀具，其特征在于所述磨粒為鉆石顆粒。
8.如權(quán)利要求I所述的晶圓切割刀具，其特征在于所述盤體的厚度介于3 6毫米之間。
9.如權(quán)利要求I所述的晶圓切割刀具，其特征在于所述環(huán)片狀的金屬基材為鎳或鎳I=I -Wl o
專利摘要本實用新型公開一種晶圓切割刀具，所述晶圓切割刀具包含一盤體，呈圓形，且具有一第一側(cè)面；以及一刀片，設(shè)于所述盤體的第一側(cè)面的外緣，所述刀片包含一環(huán)片狀的金屬基材及多個鑲嵌于所述金屬基材表面的磨粒。所述刀片的環(huán)片狀的金屬基材相對于現(xiàn)有樹脂刀片具有較高硬度，可提供更高的切割速度，進而有利于增進產(chǎn)出效能。
文檔編號B28D5/02GK202491316SQ20122001641
公開日2012年10月17日 申請日期2012年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月12日
發(fā)明者黃俊欽 申請人:日月光半導體制造股份有限公司