本技術涉及單晶硅，尤其涉及一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置。

背景技術：

1、直拉法是一種晶體生產方法，主要用于半導體、金屬、鹽、合成寶石等單晶材料，直拉法通常應用于晶錠、晶棒、單晶硅的生長。

2、在用直拉法制備單晶硅時，晶棒在收尾時由于存在拉料單晶。由于拉料單晶已無法正常使用，需與正常的可使用晶棒部分分開。因此，需將晶棒升至副室上限位后，旋開副室將晶棒尾部降至收集車內，敲掉尾部的拉料單晶后放入取棒車。

3、現有技術中，去除尾部拉料單晶的方法是拉晶員工使用長柄鎢錘進行人工敲擊，由于擊打過程中不能一擊掉落，需反復敲擊，但是反復敲擊過程中會對晶棒尾部造成內部隱裂，在晶棒截斷過程中無法一次識別隱裂長度，造成多次反切，成本增加及工時浪費。

技術實現思路

1、本實用新型提供一種降低單晶硅尾部裂紋的沖擊截斷裝置，用以解決現有技術中人工敲擊晶棒尾部，反復敲擊過程中會對晶棒尾部造成內部隱裂，在晶棒截斷過程中無法一次識別隱裂長度，造成多次反切，成本增加及工時浪費的缺陷，實現一次沖擊完成尾部拉料敲料工作，避免反復擊打，減少隱裂，提高成品率。

2、本實用新型提供一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，包括：

3、棒料收集車體，具有車斗；

4、環(huán)板，設置于所述棒料收集車體的頂部；

5、多個沖擊截斷機構，均勻設置于所述環(huán)板的側壁上，且所述沖擊截斷機構與晶棒尾部對準。

6、根據本實用新型提供的一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，所述沖擊截斷機構包括四個，且每相鄰兩個所述沖擊截斷機構間隔90度。

7、根據本實用新型提供的一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，所述沖擊截斷機構包括沖擊氣缸。

8、根據本實用新型提供的一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，所述沖擊氣缸靠近所述晶棒尾部的端部設置為錐形結構。

9、根據本實用新型提供的一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，還包括氣缸控制器，所述氣缸控制器與多個所述沖擊氣缸均連接。

10、根據本實用新型提供的一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，四個所述沖擊氣缸形成的圓環(huán)直徑較所述晶棒尾部的直徑大于10mm。

11、根據本實用新型提供的一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，還包括：

12、多個支撐桿，垂直水平面設置，所述支撐桿的一端與所述棒料收集車體連接，另一端與所述環(huán)板連接；且多個所述支撐桿均勻分布于所述棒料收集車體的外側壁的頂部。

13、根據本實用新型提供的一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，還包括：

14、多個距離檢測裝置，分別設置于所述環(huán)板的內周側，所述距離檢測裝置用于檢測所述環(huán)板內周側與所述晶棒之間的距離。

15、根據本實用新型提供的一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，所述環(huán)板呈圓環(huán)型。

16、根據本實用新型提供的一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，所述棒料收集車體的側壁上開設有出料口；所述棒料收集車體的底部設置有萬向輪組。

17、本實用新型提供的一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，通過棒料收集車體的車斗收集敲擊下來的棒料；沖擊截斷機構均勻設置于環(huán)板的側壁上，且沖擊截斷機構與晶棒尾部對齊，多個沖擊截斷機構同時在晶棒尾部同一平面的不同部位進行沖擊，均自晶棒尾部的外周側向其中心處沖擊，實現一次沖擊即可完成尾部拉料的敲料工作，能夠避免反復敲打，減少內部隱裂，提高成品率。

技術特征：

1.一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，其特征在于，所述沖擊截斷機構(3)包括四個，且每相鄰兩個所述沖擊截斷機構(3)間隔90度。

3.根據權利要求1所述的降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，其特征在于，所述沖擊截斷機構(3)包括沖擊氣缸。

4.根據權利要求3所述的降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，其特征在于，所述沖擊氣缸靠近所述晶棒尾部的端部設置為錐形結構。

5.根據權利要求3所述的降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，其特征在于，還包括氣缸控制器，所述氣缸控制器與多個所述沖擊氣缸均連接。

6.根據權利要求3所述的降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，其特征在于，四個所述沖擊氣缸形成的圓環(huán)直徑較所述晶棒尾部的直徑大于10mm。

7.根據權利要求1所述的降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，其特征在于，還包括：

8.根據權利要求1所述的降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，其特征在于，還包括：

9.根據權利要求1所述的降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，其特征在于，所述環(huán)板(2)呈圓環(huán)型。

10.根據權利要求1所述的降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，其特征在于，所述棒料收集車體(1)的側壁上開設有出料口(5)；所述棒料收集車體(1)的底部設置有萬向輪組(6)。

技術總結
本技術涉及單晶硅技術領域，提供一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，包括棒料收集車體，具有車斗；環(huán)板，設置于棒料收集車體的頂部；多個沖擊截斷機構，均勻設置于環(huán)板的側壁上，且沖擊截斷機構與晶棒尾部對齊。本技術提供的一種降低單晶硅棒尾部裂紋的沖擊截斷裝置，通過棒料收集車體的車斗收集敲擊下來的棒料；沖擊截斷機構均勻設置于環(huán)板的側壁上，且沖擊截斷機構與晶棒尾部對齊，多個沖擊截斷機構同時在晶棒尾部同一平面的不同部位進行沖擊，均自晶棒尾部的外周側向其中心處沖擊，實現一次沖擊即可完成尾部拉料的敲料工作，能夠避免反復敲打，減少內部隱裂，提高成品率。

技術研發(fā)人員：于榮臻,王承芳
受保護的技術使用者：三一硅能（朔州）有限公司
技術研發(fā)日：20240102
技術公布日：2024/9/29