一種多晶硅片的切片作業(yè)工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別是多晶硅的切片工藝技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]在將多晶硅棒分切成片狀多晶硅片時大多采用鋼絲線進行切割，當(dāng)多晶硅棒在切割至粘膠面時基本硅片形狀已經(jīng)加工完成后，在最后收鋼絲線弓時由于鋼絲線在高速運動過程中與膠摩擦產(chǎn)生高溫導(dǎo)致多晶硅片向多晶硅棒的前后兩端擴張形成一個扇形的形狀，這種形狀的改變會導(dǎo)致多晶硅片崩邊現(xiàn)象增加，直接影響硅棒的成品率。
[0003]為了避免這種情況的發(fā)生，本發(fā)明采用以下方式解決。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明目的在于提出一方便操作、降低崩邊、提高硅棒的成品率的多晶硅的切片方法。
[0005]本發(fā)明提供了一種多晶硅片的切片作業(yè)工藝，其具體工藝步驟如下所示:
[0006](1)、打開電源啟動線切割機；
[0007](2)、檢查線網(wǎng)是否有跳線，檢查導(dǎo)線輪是否損傷，確認放收線輪上的鋼線余量夠切，檢查砂漿供給、噴嘴、工件裝置；
[0008](3)、橫移架的位置是否校正；
[0009](4)、將多晶硅錠固定于截斷設(shè)備上，截除多晶硅錠頂部的雜質(zhì)層；
[0010](5)、從硅錠上截除出硅錠的頂部低少子壽命部分和底部低少子壽命部分；
[0011]￠)、將硅錠固定于開方機臺，對硅錠進行開方，并截除硅錠四周的雜質(zhì)層；
[0012](7)、開方得到的硅塊，經(jīng)過清洗檢測后便是可用于切片的成品硅棒；
[0013](8)、準(zhǔn)備完畢后看是否還有報警信息存在；
[0014](9)、進入主畫面，檢查一遍。
[0015]進一步:在切割過程中觀察機器運行狀況，線張力控制在21N左右，平均進給為0.32mm/min0
[0016]又進一步:在切割過程中控制平均線速范圍540m/min，砂楽流量75L/min，砂楽溫度控制在25°C，砂漿每2刀一循環(huán)(約230KN)，主輥每35/40刀更換一次(約140/160小時)。
[0017]又進一步:步驟(4)和(5)中，利用帶鋸截斷，在截除完頂部雜質(zhì)層之后，分別截除頂部低少子壽命部分和底部低少子壽命部分。
[0018]再進一步:步驟(4)和(5)中，利用線截斷，截除完頂部雜質(zhì)層的同時截除頂部低少子壽命部分和底部低少子壽命部分。
[0019]采用本方法切片，避免了很多不必要的操作，杜絕了這些操作有可能在切割過程中對硅棒造成的負面影響，減少了操作工的操作步驟，有效地提高了切片工作效率。
【具體實施方式】
[0020]本發(fā)明提供了一種多晶硅片的切片作業(yè)工藝，其具體工藝步驟如下所示:
[0021](1)、打開電源啟動線切割機；
[0022](2)、檢查線網(wǎng)是否有跳線，檢查導(dǎo)線輪是否損傷，確認放收線輪上的鋼線余量夠切，檢查砂漿供給、噴嘴、工件裝置；
[0023](3)、橫移架的位置是否校正；
[0024](4)、將多晶硅錠固定于截斷設(shè)備上，截除多晶硅錠頂部的雜質(zhì)層；
[0025](5)、從硅錠上截除出硅錠的頂部低少子壽命部分和底部低少子壽命部分；
[0026](6)、將硅錠固定于開方機臺，對硅錠進行開方，并截除硅錠四周的雜質(zhì)層；
[0027](7)、開方得到的硅塊，經(jīng)過清洗檢測后便是可用于切片的成品硅棒；
[0028](8)、準(zhǔn)備完畢后看是否還有報警信息存在；
[0029](9)、進入主畫面，檢查一遍。
[0030]本發(fā)明在切割過程中觀察機器運行狀況，線張力控制在21N左右，平均進給為
0.32mm/min0
[0031]本發(fā)明在切割過程中控制平均線速范圍540m/min，砂漿流量75L/min，砂漿溫度控制在25°C，砂漿每2刀一循環(huán)(約230KN)，主輥每35/40刀更換一次(約140/160小時)。
[0032]上述的步驟(4)和(5)中，利用帶鋸截斷，在截除完頂部雜質(zhì)層之后，分別截除頂部低少子壽命部分和底部低少子壽命部分。
[0033]上述的步驟(4)和(5)中，利用線截斷，截除完頂部雜質(zhì)層的同時截除頂部低少子壽命部分和底部低少子壽命部分。
[0034]采用本方法切片，避免了很多不必要的操作，杜絕了這些操作有可能在切割過程中對硅棒造成的負面影響，減少了操作工的操作步驟，有效地提高了切片工作效率。
【主權(quán)項】
1.一種多晶硅片的切片作業(yè)工藝，其特征是: 具體如下工藝步驟: (1)、打開電源啟動線切割機； (2)、檢查線網(wǎng)是否有跳線，檢查導(dǎo)線輪是否損傷，確認放收線輪上的鋼線余量夠切，檢查砂漿供給、噴嘴、工件裝置； (3)、橫移架的位置是否校正； (4)、將多晶硅錠固定于截斷設(shè)備上，截除多晶硅錠頂部的雜質(zhì)層； (5)、從娃錠上截除出娃錠的頂部低少子壽命部分和底部低少子壽命部分； (6)、將硅錠固定于開方機臺，對硅錠進行開方，并截除硅錠四周的雜質(zhì)層； (7)、開方得到的硅塊，經(jīng)過清洗檢測后便是可用于切片的成品硅棒； (8)、準(zhǔn)備完畢后看是否還有報警信息存在； (9)、進入主畫面，檢查一遍。2.如權(quán)利要求1所述的一種多晶硅片的切片作業(yè)工藝，其特征在于:在切割過程中觀察機器運行狀況，線張力控制在21N左右，平均進給為0.32mm/min。3.如權(quán)利要求1所述的一種多晶硅片的切片作業(yè)工藝，其特征在于:在切割過程中控制平均線速范圍540m/min，砂漿流量75L/min，砂漿溫度控制在25°C，砂漿每2刀一循環(huán)(約230KN)，主輥每35/40刀更換一次(約140/160小時)。4.如權(quán)利要求1所述的一種多晶硅片的切片作業(yè)工藝，其特征在于:步驟(4)和(5)中，利用帶鋸截斷，在截除完頂部雜質(zhì)層之后，分別截除頂部低少子壽命部分和底部低少子壽命部分。5.如權(quán)利要求1所述的一種多晶硅片的切片作業(yè)工藝，其特征在于:步驟(4)和(5)中，利用線截斷，截除完頂部雜質(zhì)層的同時截除頂部低少子壽命部分和底部低少子壽命部分。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種多晶硅片的切片作業(yè)工藝，涉及多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別是多晶硅的切片工藝技術(shù)領(lǐng)域。其具體如下工藝步驟：1.打開電源啟動線切割機；2.檢查線網(wǎng)是否有跳線，檢查導(dǎo)線輪是否損傷，檢查放收線輪上的鋼線余量是否夠切，檢查砂漿供給、噴嘴、工件裝置；4.將多晶硅錠固定于截斷設(shè)備上，截除多晶硅錠頂部的雜質(zhì)層；5.從硅錠上截除出硅錠的頂部低少子壽命部分和底部低少子壽命部分；6.將硅錠固定于開方機臺，對硅錠進行開方，并截除硅錠四周的雜質(zhì)層；7.開方得到的硅塊，經(jīng)過清洗檢測后便是可用于切片的成品硅棒；8.準(zhǔn)備完畢后看是否還有報警信息存在；9.進入主畫面，檢查一遍。
【IPC分類】B28D5/04
【公開號】CN105382949
【申請?zhí)枴緾N201510721011
【發(fā)明人】顧祥寶
【申請人】江蘇耀陽電子有限公司
【公開日】2016年3月9日
【申請日】2015年10月30日