顯示基板、顯示設備及區(qū)域補償方法
【專利摘要】一種顯示基板、顯示設備及區(qū)域補償方法，該顯示基板包括：像素陣列、公共陰極電流檢測電路和數(shù)據(jù)信號補償電路。公共陰極電流檢測電路被配置為可采集流過每個公共陰極的總電流；數(shù)據(jù)信號補償電路被配置為接收每個第一子像素的像素發(fā)光電流，接收公共陰極的總電流，以及根據(jù)每個第一子像素的像素發(fā)光電流和公共陰極的總電流計算每個子像素的補償數(shù)據(jù)。該顯示基板通過采集周期性設置的第一子像素中有機發(fā)光二極管的像素發(fā)光電流以及公共陰極的總電流獲取每個子像素的補償數(shù)據(jù)，不需使用具有補償功能的子像素，即可實現(xiàn)閾值電壓補償。這種設置壓縮了每個子像素占用面板的面積，從而有助于提高顯示基板的物理分辨率。
【專利說明】
顯示基板、顯示設備及區(qū)域補償方法
技術領域
[0001]本公開的實施例涉及一種顯示基板、顯示設備及區(qū)域補償方法。
【背景技術】
[0002]在顯示領域，有機發(fā)光二極管(OLED)顯示基板具有自發(fā)光、對比度高、能耗低、視角廣、響應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、制造簡單等特點，具有廣闊的發(fā)展前景。
[0003]由于上述特點，有機發(fā)光二極管(OLED)顯示基板可以適用于手機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相機、儀器儀表等具有顯示功能的裝置。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本公開的實施例提供一種顯示基板，包括:像素陣列、公共陰極電流檢測電路和數(shù)據(jù)信號補償電路，其中，所述像素陣列包括矩陣排布的多個子像素，每個所述子像素包括有機發(fā)光二極管，每個所述有機發(fā)光二極管包括陽極、有機發(fā)光層和陰極，所述多個子像素包括第一子像素和第二子像素，所述第一子像素包括像素電流采集電路，所述像素電流采集電路被配置為采集所述第一子像素中的有機發(fā)光二極管的像素發(fā)光電流;所述像素陣列劃分為多個陰極共用區(qū)，每個所述陰極共用區(qū)包括M個補償區(qū)，每個所述補償區(qū)包括N個子像素，并且所述N個子像素中包括一個第一子像素，同一個所述陰極共用區(qū)中的MXN個子像素的有機發(fā)光二極管共用一個公共陰極，均為大于I的自然數(shù);所述公共陰極電流檢測電路被配置為可檢測流過每個所述公共陰極的總電流;所述數(shù)據(jù)信號補償電路被配置為接收所述M個補償區(qū)中每個第一子像素的像素發(fā)光電流，接收所述公共陰極的總電流，以及根據(jù)所述M個補償區(qū)中每個的第一子像素的像素發(fā)光電流和所述公共陰極的總電流計算每個所述子像素的補償數(shù)據(jù)。
[0005]例如，在本公開實施例提供的顯示基板中，所述數(shù)據(jù)信號補償電路還被配置為在所述顯示基板正常顯示時將所述補償數(shù)據(jù)疊加到所述子像素的顯示數(shù)據(jù)中以得到更新顯示數(shù)據(jù)，并向所述子像素發(fā)送所述更新顯示數(shù)據(jù)。
[0006]例如，在本公開實施例提供的顯示基板中，根據(jù)所述M個補償區(qū)中每個的第一子像素的像素發(fā)光電流和所述公共陰極的總電流計算每個所述子像素的補償數(shù)據(jù)包括:根據(jù)每個所述陰極共用區(qū)的公共陰極的總電流計算所述陰極共用區(qū)的平均發(fā)光電流；以及在第一子像素被施加的原始數(shù)據(jù)上疊加補償數(shù)據(jù)，使所述像素發(fā)光電流等于所述平均電流。。
[0007]例如，本公開實施例提供的顯示基板，還包括存儲器，所述存儲器被配置為存儲每個所述子像素的補償數(shù)據(jù)。
[0008]例如，在本公開實施例提供的顯示基板中，所述多個所述陰極共用區(qū)為矩形并呈矩陣排布。
[0009]例如，在本公開實施例提供的顯示基板中，M= 4，N=9。
[0010]例如，在本公開實施例提供的顯示基板中，所述第一子像素還包括驅(qū)動晶體管、發(fā)光控制晶體管、數(shù)據(jù)寫入晶體管、采集控制晶體管和存儲電容。
[0011]例如，在本公開實施例提供的顯示基板中，所述驅(qū)動晶體管的第一極與第一節(jié)點電連接，所述驅(qū)動晶體管的柵極與第二節(jié)點電連接，所述驅(qū)動晶體管的第二極與第三節(jié)點電連接;所述第一節(jié)點與電源線電連接以接收電源電壓;所述發(fā)光控制晶體管的第一極與所述第三節(jié)點電連接，所述發(fā)光控制晶體管的柵極與發(fā)光控制信號線電連接以接收發(fā)光控制信號，所述發(fā)光控制晶體管的第二極與有機發(fā)光二極管的陽極電連接;所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的第一極與數(shù)據(jù)信號線電連接以獲取數(shù)據(jù)信號，所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的柵極與掃描信號線連接以接收掃描信號，所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的第二極與所述第二節(jié)點電連接;所述采集控制晶體管的第一極與所述第三節(jié)點電連接，所述采集控制晶體管的柵極與采集控制信號線電連接以接收采集控制信號，所述采集控制晶體管的第二極與所述像素電流采集電路電連接;所述存儲電容的第一端與所述第一節(jié)點電連接，所述存儲電容的第二端與所述第二節(jié)點電連接;所述有機發(fā)光二極管的陰極為公共陰極，所述公共陰極與所述公共陰極電流檢測電路電連接。
[0012]例如，本公開實施例提供的顯示基板，還包括:掃描驅(qū)動器、數(shù)據(jù)驅(qū)動器、電源、控制器、電源線、發(fā)光控制信號線、數(shù)據(jù)信號線、掃描信號線以及采集控制信號線，其中，所述掃描驅(qū)動器被配置為分別通過所述發(fā)光控制信號線、所述掃描信號線和所述采集控制信號線向所述子像素提供所述發(fā)光控制信號、所述掃描信號和所述采集控制信號;所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器被配置為通過所述數(shù)據(jù)信號線向所述子像素提供所述數(shù)據(jù)信號;所述電源被配置為通過所述電源線向所述子像素提供所述電源電壓;所述控制器被配置為控制所述公共陰極電流檢測電路、所述數(shù)據(jù)信號補償電路、所述像素電流采集電路、所述掃描驅(qū)動器、所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器以及所述電源以使所述顯示基板正常工作。
[0013]本公開的實施例還提供一種顯示設備，包括本公開任一實施例提供的顯示基板。
[0014]本公開的實施例還提供一種用于本公開任一實施例提供的顯示基板的區(qū)域補償方法，包括:向一個陰極共用區(qū)中的MXN個子像素施加相同的原始數(shù)據(jù)信號且驅(qū)動所述MXN個子像素發(fā)光;采集所述陰極共用區(qū)中所述M個補償區(qū)中每個的第一子像素中有機發(fā)光二極管的像素發(fā)光電流;采集流過所述陰極共用區(qū)中公共陰極的總電流;根據(jù)所述像素發(fā)光電流和所述公共陰極的總電流計算每個所述子像素的補償數(shù)據(jù)。
[0015]例如，在本公開實施例提供的區(qū)域補償方法中，在正常顯示時，將每個所述子像素補償數(shù)據(jù)疊加到所述子像素的顯示數(shù)據(jù)中以得到更新顯示數(shù)據(jù)；向所述子像素發(fā)送所述更新顯示數(shù)據(jù)以使所述子像素中的有機發(fā)光二極管發(fā)光。
[0016]例如，在本公開實施例提供的區(qū)域補償方法中，根據(jù)所述像素發(fā)光電流和所述公共陰極的總電流計算每個所述子像素的補償數(shù)據(jù)包括:用所述公共陰極的總電流除以所述陰極共用區(qū)中所述子像素的數(shù)量MXN以得到平均發(fā)光電流;在所述陰極共用區(qū)中第一子像素被施加的原始數(shù)據(jù)上疊加補償數(shù)據(jù)，使所述像素發(fā)光電流等于所述平均發(fā)光電流。
[0017]例如，本公開實施例提供的區(qū)域補償方法，還包括存儲每個所述子像素的補償數(shù)據(jù)。
[0018]例如，在本公開實施例提供的區(qū)域補償方法中，所述陰極共用區(qū)中每個所述補償區(qū)中的N個子像素的補償數(shù)據(jù)相同。
[0019]例如，在本公開實施例提供的區(qū)域補償方法中，所述顯示基板每次開機啟動時執(zhí)行所述區(qū)域補償方法，或者所述顯示基板在工作過程中依照預定時間段周期執(zhí)行所述區(qū)域補償方法。
【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本公開實施例的技術方案，下面將對實施例或相關技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實施例，并非對本公開的限制。
[0021 ]圖1是本公開實施例提供的一種顯示基板的示意圖；
[0022]圖2是本公開實施例提供的一種第一子像素的示意圖；
[0023]圖3是本公開實施例提供的一種第二子像素的示意圖；
[0024]圖4是本公開實施例提供的一種陰極共用區(qū)的示意圖之一；
[0025]圖5是本公開實施例提供的一種陰極共用區(qū)的示意圖之二；
[0026]圖6A是本公開實施例提供的一種子像素的驅(qū)動時序圖之一；
[0027]圖6B是本公開實施例提供的一種子像素的驅(qū)動時序圖之二；
[0028]圖7是本公開實施例提供的一種顯示設備的示意圖；
[0029]圖8是本公開實施例提供的一種區(qū)域補償方法的流程圖；以及
[0030]圖9是本公開實施例提供的如圖8所示的區(qū)域補償方法中步驟S40—個示例的流程圖。
【具體實施方式】
[0031]下面將結合附圖，對本公開實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述參考在附圖中示出并在以下描述中詳述的非限制性示例實施例，更加全面地說明本公開的示例實施例和它們的多種特征及有利細節(jié)。應注意的是，圖中示出的特征不是必須按照比例繪制。本公開省略了已知材料、組件和工藝技術的描述，從而不使本公開的示例實施例模糊。所給出的示例僅旨在有利于理解本公開示例實施例的實施，以及進一步使本領域技術人員能夠?qū)嵤┦纠龑嵤├?。因而，這些示例不應被理解為對本公開的實施例的范圍的限制。
[0032]除非另外特別定義，本公開使用的技術術語或者科學術語應當為本公開所屬領域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。此外，在本公開各個實施例中，相同或類似的參考標號表示相同或類似的構件。
[0033]在OLED顯示基板中，分辨率主要受制于光刻工藝水平和高精度金屬掩模板(FineMetal Mask，F(xiàn)FM)的尺寸。在光刻工藝水平和高精度金屬掩模板的制造水平達到一定程度的情況下，OLED顯示基板的分辨率很難提高。因此，需要另辟蹊徑以應對高分辨率的問題。
[0034]OLED顯示基板通常采用有源驅(qū)動方式，包括多個排列為陣列的子像素。每個最基本的子像素為2T1C(即包括兩個晶體管以及一個存儲電容)的模式。為了改善整個面板的顯示均一性，則可以采用具有補償功能的子像素，例如6T1C(即包括六個晶體管以及一個存儲電容)的子像素。然而，相比于基本的2T1C的子像素，采用具有補償功能的子像素的OLED顯示基板雖然能夠獲得更好的亮度均一性，但是每個子像素中晶體管的數(shù)量增加導致占據(jù)的面板區(qū)域面積增加，不利于獲得高分辨率OLED顯示基板。
[0035]本公開實施例提供一種顯示基板、顯示設備及區(qū)域補償方法，通過采集周期性設置的第一子像素中有機發(fā)光二極管的像素發(fā)光電流以及公共陰極的總電流獲取每個子像素的補償數(shù)據(jù)，不需使用具有補償功能的子像素，即可實現(xiàn)閾值電壓補償。這種設置壓縮了每個子像素占用面板的面積，從而有助于提高顯示基板的物理分辨率。
[0036]本公開的實施例提供一種顯示基板10，如圖1所示，顯示基板10包括像素陣列、公共陰極電流檢測電路14和數(shù)據(jù)信號補償電路15。像素陣列包括矩陣排布的多個子像素;每個子像素包括有機發(fā)光二極管OLED(圖1中未示出，參見圖2和圖3);每個有機發(fā)光二極管OLED包括陽極、有機發(fā)光層和陰極。這些多個子像素包括第一子像素A和第二子像素B;第一子像素A包括像素電流采集電路13(參見圖2)，而第二子像素B中不包括像素電流采集電路。像素電流采集電路13被配置為檢測第一子像素A中的有機發(fā)光二極管OLED的像素發(fā)光電流Il0
[0037]如圖1所示，像素陣列劃分為多個陰極共用區(qū)11;每個陰極共用區(qū)11包括M個補償區(qū)12(例如，圖1中M = 4，即每個陰極共用區(qū)11包括4個補償區(qū)12);每個補償區(qū)12包括N個子像素(例如，圖1中N = 9，即每個補償區(qū)12包括9個子像素)，并且N個子像素中包括一個第一子像素A(例如，每個補償區(qū)12包括I個第一子像素A和8個第二子像素B)。同一個陰極共用區(qū)11中的M X N個(例如，圖1中4 X 9 = 36個)子像素的有機發(fā)光二極管OLED共用一個公共陰極，其中，均為大于I的自然數(shù)。公共陰極電流檢測電路14被配置為可檢測(例如采集)流過每個公共陰極的總電流12;數(shù)據(jù)信號補償電路15被配置為接收像素電流采集電路13檢測的像素發(fā)光電流Il，接收公共陰極電流檢測電路14檢測的流過每個公共陰極的總電流12，以及根據(jù)像素發(fā)光電流Il和公共陰極的總電流12計算每個子像素的補償數(shù)據(jù)Datal。
[0038]例如，在本公開實施例提供的顯示基板10中，數(shù)據(jù)信號補償電路15還可以被配置為在顯示基板10正常顯示時將補償數(shù)據(jù)Datal疊加到子像素的顯示數(shù)據(jù)Data2中以得到更新顯示數(shù)據(jù)Data3，并向子像素發(fā)送更新顯示數(shù)據(jù)Data3。
[0039]例如，在本公開實施例提供的顯示基板10中，根據(jù)M個補償區(qū)中每個的第一子像素的像素發(fā)光電流Il和公共陰極的總電流12計算每個子像素的補償數(shù)據(jù)Datal包括:根據(jù)每個所述陰極共用區(qū)11的公共陰極的總電流12計算所述陰極共用區(qū)的平均發(fā)光電流13，例如，用公共陰極的總電流12除以陰極共用區(qū)11中子像素的數(shù)量(MXN)以得到平均發(fā)光電流13，也就是說13 = I2/(MXN);在第一子像素A被施加的原始數(shù)據(jù)DataO上疊加補償數(shù)據(jù)Datal，使像素發(fā)光電流Il等于平均發(fā)光電流13。
[0040]例如，數(shù)據(jù)信號補償電路15可以通過計算像素發(fā)光電流Il以及平均發(fā)光電流13的差值，通過驅(qū)動晶體管DT的電流電壓模型，利用查表法得到補償數(shù)據(jù)Datal;也可以通過有限次實驗的方法得到補償數(shù)據(jù)Data I。
[0041 ]例如，如圖1所示，本公開實施例提供的顯示基板10還可以包括存儲器20，存儲器20用于存儲補償數(shù)據(jù)Datal。
[0042]例如，存儲器20用于存儲每個子像素的補償數(shù)據(jù)Datal。例如，每個補償區(qū)12中子像素的補償數(shù)據(jù)相同，不同補償區(qū)12中子像素的補償數(shù)據(jù)不同。
[0043]例如，圖1所示的顯示基板10僅僅是本公開實施例的一個示例，顯示基板10中每個陰極共用區(qū)11可以包括其它數(shù)量的補償區(qū)12，每個補償區(qū)12可以包括其它數(shù)量的子像素。例如，如圖4所示，每個陰極共用區(qū)11包括2個補償區(qū)12，每個補償區(qū)12包括25個子像素，25個子像素中包括I個第一子像素A和圍繞子像素A設置的24個第二子像素B。
[0044]例如，在本公開實施例提供的顯示基板10中，如圖1所示，多個陰極共用區(qū)11為矩形。
[0045]例如，在本公開實施例提供的顯示基板10中，如圖1所示，多個陰極共用區(qū)11呈矩陣排布。
[0046]例如，如圖5所示，多個陰極共用區(qū)11也可以為三角形，多個陰極共用區(qū)中的公用陰極通過該三角形的一個側(cè)邊與公共陰極電流檢測電路14電連接。例如，三角形的陰極共用區(qū)11可以便于布線，簡化顯示基板的設計及生產(chǎn)。
[0047]例如，在本公開實施例提供的顯示基板10中，如圖2所示，第一子像素A還包括驅(qū)動晶體管DT、發(fā)光控制晶體管ET、數(shù)據(jù)寫入晶體管ST、采集控制晶體管RT和存儲電容C。
[0048]例如，圖3是本公開實施例提供的一種第二子像素B的示意圖，第二子像素B包括有機發(fā)光二極管0LED、驅(qū)動晶體管DT’、存儲電容C’、數(shù)據(jù)寫入晶體管ST’。第二子像素B中各電路部件的連接方式與第一子像素A類似，具體如下所述。
[0049]例如，在本公開實施例提供的顯示基板10中，如圖2所示，在第一像素A中，驅(qū)動晶體管DT的第一極與第一節(jié)點NI電連接;驅(qū)動晶體管DT的柵極與第二節(jié)點N2電連接;驅(qū)動晶體管DT的第二極與第三節(jié)點N3電連接。第一節(jié)點NI與電源線電連接以接收電源電壓Vdd。發(fā)光控制晶體管ET的第一極與第三節(jié)點N3電連接;發(fā)光控制晶體管ET的柵極與發(fā)光控制信號線電連接以接收發(fā)光控制信號EM;發(fā)光控制晶體管ET的第二極與有機發(fā)光二極管OLED的陽極電連接。數(shù)據(jù)寫入晶體管ST的第一極與數(shù)據(jù)信號線電連接以獲取數(shù)據(jù)信號Data(例如，數(shù)據(jù)信號Data是指通過數(shù)據(jù)信號線向數(shù)據(jù)寫入晶體管ST的第一極施加的任何數(shù)據(jù)信號，包括原始數(shù)據(jù)DataO、顯示數(shù)據(jù)Data2以及更新顯示數(shù)據(jù)Data3等)；數(shù)據(jù)寫入晶體管ST的柵極與掃描信號線連接以接收掃描信號Gate;數(shù)據(jù)寫入晶體管ST的第二極與第二節(jié)點N2電連接。采集控制晶體管RT的第一極與第三節(jié)點N3電連接;采集控制晶體管RT的柵極與采集控制信號線電連接以接收采集控制信號Reset;采集控制晶體管RT的第二極與像素電流采集電路13電連接。例如，當采集控制晶體管RT導通，發(fā)光控制晶體管ET關斷時，像素電流采集電路13可通過采集控制晶體管RT獲取有機發(fā)光二極管OLED的像素發(fā)光電流II。存儲電容C的第一端與第一節(jié)點NI電連接;存儲電容C的第二端與第二節(jié)點N2電連接。有機發(fā)光二極管OLED的陰極為公共陰極，公共陰極與公共陰極電流檢測電路14電連接。例如，當OLED發(fā)光時，電流采集電路14可采集流過每個公共陰極的總電流12。
[0050]例如，在本公開實施例提供的顯示基板10中，各子像素A和B中的驅(qū)動晶體管DT和DT’、發(fā)光控制晶體管ET、數(shù)據(jù)寫入晶體管ST和ST’、采集控制晶體管RT可以均為P型晶體管。例如，采用相同類型的晶體管可以統(tǒng)一制作工藝流程，便于產(chǎn)品生產(chǎn)。
[0051]例如，在本公開實施例提供的顯示基板10中，各子像素A和B中的驅(qū)動晶體管DT和DT’、發(fā)光控制晶體管ET、數(shù)據(jù)寫入晶體管ST和ST’、采集控制晶體管RT可以均為薄膜晶體管。
[0052]需要說明的是，本公開的實施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場效應晶體管或其他特性相同的開關器件。這里采用的晶體管的源極、漏極在結構上可以是對稱的，所以其源極、漏極在結構上可以是沒有區(qū)別的。在本公開的實施例中，為了區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，直接描述了其中一極為第一極，另一極為第二極，所以本公開實施例中全部或部分晶體管的第一極和第二極根據(jù)需要是可以互換的。例如，本公開實施例的晶體管的第一極可以為源極，第二極可以為漏極;或者，晶體管的第一極為漏極，第二極為源極。此夕卜，按照晶體管的特性區(qū)分可以將晶體管分為N型和P型晶體管，本公開的實施例以驅(qū)動晶體管DT、發(fā)光控制晶體管ET、數(shù)據(jù)寫入晶體管ST和采集控制晶體管RT均為P型晶體管為例進行說明?；诒竟_對該實現(xiàn)方式的描述和教導，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下能夠容易想到本公開實施例采用N型晶體管或N型和P型晶體管組合的實現(xiàn)方式，因此，這些實現(xiàn)方式也是在本公開的保護范圍內(nèi)的。
[0053]例如，以下結合圖6A和圖6B描述顯示基板10的工作過程。
[0054]例如，在顯示基板10正常工作之前，向一個陰極共用區(qū)11中的N個子像素施加相同的原始數(shù)據(jù)信號DataO。
[0055]例如，如圖6A所示，在數(shù)據(jù)寫入階段tl，掃描信號Gate為低電平(例如，0V)，數(shù)據(jù)寫入晶體管ST處于導通狀態(tài)，原始數(shù)據(jù)信號DataO通過數(shù)據(jù)寫入晶體管ST傳輸?shù)降诙?jié)點N2(即驅(qū)動晶體管DT的柵極)，存儲電容C將該數(shù)據(jù)信號存儲。在像素電流采集階段t2，發(fā)光控制信號EM為高電平(例如，5V)，發(fā)光控制晶體管ET關斷；采集控制信號Reset為低電平(例如，O V)，采集控制晶體管RT開啟，像素電流采集電路13即可通過采集控制晶體管RT采集有機發(fā)光二極管OLED的發(fā)光電流Il。
[0056]例如，如圖6B所示，在數(shù)據(jù)寫入階段t3，掃描信號Gate為低電平(例如，0V)，數(shù)據(jù)寫入晶體管ST處于導通狀態(tài)，原始數(shù)據(jù)信號DataO通過數(shù)據(jù)寫入晶體管ST傳輸?shù)降诙?jié)點N2(即驅(qū)動晶體管DT的柵極)，存儲電容C將該數(shù)據(jù)信號存儲。在發(fā)光階段t4，發(fā)光控制信號EM為低電平，發(fā)光控制晶體管ET導通;采集控制信號Reset為高電平(例如，5V)，采集控制晶體管RT關斷，有機發(fā)光二極管OLED發(fā)光，電流采集電路14即可采集流過每個公共陰極的總電流12。
[0057]例如，數(shù)據(jù)信號補償電路15接收像素發(fā)光電流II，接收公共陰極的總電流12，并將公共陰極的總電流12除以陰極共用區(qū)11中子像素的數(shù)量(MXN)以得到平均發(fā)光電流13。在第一子像素A被施加的原始數(shù)據(jù)DataO上疊加補償數(shù)據(jù)Datal，使像素發(fā)光電流Il等于平均發(fā)光電流13;以及存儲補償數(shù)據(jù)Datal。
[0058]例如，當顯示基板10正常顯示時，數(shù)據(jù)信號補償電路15將補償數(shù)據(jù)Datal疊加到該補償區(qū)中子像素的顯示數(shù)據(jù)Data2中以得到更新顯示數(shù)據(jù)Data3，并向該補償區(qū)中的子像素發(fā)送更新顯示數(shù)據(jù)Data3。
[0059]例如，數(shù)據(jù)信號補償電路15通過數(shù)據(jù)驅(qū)動器17將補償數(shù)據(jù)Datal疊加到該補償區(qū)中子像素的顯示數(shù)據(jù)Data2中以得到更新顯示數(shù)據(jù)Data3，并通過數(shù)據(jù)驅(qū)動器17向該補償區(qū)中的子像素發(fā)送更新顯示數(shù)據(jù)Data3。
[0060]例如，在正常顯示時，子像素的驅(qū)動時序可參照圖6B所示的驅(qū)動時序，在此不再贅述。
[0061]需要說明的是，由于顯示基板中相近區(qū)域的工藝特性比較接近，相近區(qū)域的驅(qū)動晶體管的閾值電壓及漂移特性也較為接近。因此，可以利用第一子像素中驅(qū)動晶體管的閾值電壓補償與其處于同一補償區(qū)中的第二子像素中驅(qū)動晶體管的閾值電壓，不需使用具有補償功能的子像素，即可實現(xiàn)閾值電壓補償。這種設置壓縮了每個子像素占用面板的面積，從而有助于提高顯示基板的物理分辨率。
[0062]例如，本公開實施例提供的顯示基板10，如圖1所示，顯示基板10還包括:掃描驅(qū)動器16，數(shù)據(jù)驅(qū)動器17、電源18和控制器19。掃描驅(qū)動器16被配置為向子像素提供發(fā)光控制信號EM、掃描信號Gate和采集控制信號Reset;數(shù)據(jù)驅(qū)動器17被配置為向子像素提供數(shù)據(jù)信號；電源18被配置為向子像素提供電源電壓Vdd;控制器19被配置為控制公共陰極電流檢測電路14、數(shù)據(jù)信號補償電路15、像素電流采集電路13、掃描驅(qū)動器16、數(shù)據(jù)驅(qū)動器17以及電源18以使顯示基板10正常工作。
[0063]例如，本公開實施例提供的顯示基板10，還包括電源線、發(fā)光控制信號線、數(shù)據(jù)信號線、掃描信號線以及采集控制信號線(圖1中未示出)。掃描驅(qū)動器16被配置為分別通過發(fā)光控制信號線、掃描信號線和采集控制信號線向子像素提供發(fā)光控制信號EM、掃描信號Gate和采集控制信號Reset;數(shù)據(jù)驅(qū)動器17被配置為通過數(shù)據(jù)信號線向子像素提供數(shù)據(jù)信號；電源18被配置為通過電源線向子像素提供電源電壓Vdd。
[0064]本公開的實施例還提供一種顯示設備I，如圖7所示，顯示設備I包括本公開任一實施例提供的顯不基板10。
[0065]例如，本公開實施例提供的顯示設備可以包括手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0066]本公開的實施例還提供一種用于本公開任一實施例提供的顯示基板10的區(qū)域補償方法，如圖8所示，該區(qū)域補償方法包括如下步驟:
[0067]步驟SlO:向一個陰極共用區(qū)11中的MX N個子像素施加相同的原始數(shù)據(jù)信號DataO且驅(qū)動M X N個子像素發(fā)光；
[0068]步驟S20:采集陰極共用區(qū)11中所述M個補償區(qū)中每個的第一子像素A中有機發(fā)光二極管OLED的像素發(fā)光電流Il;
[0069]步驟S30:采集流過陰極共用區(qū)11中公共陰極的總電流12;以及
[0070]步驟S40:根據(jù)像素發(fā)光電流Il和公共陰極的總電流12計算每個子像素的補償數(shù)據(jù) Datal ο
[0071 ]例如，如圖8所示，區(qū)域補償方法還包括如下步驟:
[0072]步驟S50:在正常顯示時，將每個子像素的補償數(shù)據(jù)Datal疊加到每個子像素的顯示數(shù)據(jù)Data2中以得到更新顯示數(shù)據(jù)Data3;以及
[0073]步驟S60:向子像素發(fā)送更新顯示數(shù)據(jù)Data3，以使子像素中的有機發(fā)光二極管OLED發(fā)光。
[0074]例如，在本公開實施例提供的區(qū)域補償方法中，如圖9所示，根據(jù)像素發(fā)光電流11和公共陰極的總電流12計算每個子像素的補償數(shù)據(jù)Datal(即上述步驟S40)包括:
[0075]步驟S41:用公共陰極的總電流12除以陰極共用區(qū)11中子像素的數(shù)量(MXN)以得到平均發(fā)光電流13;
[0076]步驟S42:在陰極共用區(qū)11中第一子像素A被施加的原始數(shù)據(jù)DataO上疊加補償數(shù)據(jù)Datal，使像素發(fā)光電流Il等于平均發(fā)光電流13。
[0077]例如，如圖9所示，根據(jù)像素發(fā)光電流Il和公共陰極的總電流12計算每個子像素的補償數(shù)據(jù)Datal (即上述步驟S40)還包括:
[0078]步驟S43:存儲每個子像素的補償數(shù)據(jù)Datal。
[0079]例如，陰極共用區(qū)的每個補償區(qū)中的N個子像素的補償數(shù)據(jù)相同。
[0080]例如，顯示基板每次開機啟動時執(zhí)行區(qū)域補償方法，或者顯示基板在工作過程中依照預定時間段周期執(zhí)行區(qū)域補償方法。
[0081]本公開實施例提供的顯示基板、顯示設備及區(qū)域補償方法，通過采集周期性設置的第一子像素中有機發(fā)光二極管的像素發(fā)光電流以及公共陰極的總電流獲取每個子像素的補償數(shù)據(jù)，不需使用具有補償功能的子像素，即可實現(xiàn)閾值電壓補償。這種設置壓縮了每個子像素占用面板的面積，從而有助于提高顯示基板的物理分辨率。
[0082]雖然上文中已經(jīng)用一般性說明及【具體實施方式】，對本公開作了詳盡的描述，但在本公開實施例基礎上，可以對之作一些修改或改進，這對本領域技術人員而言是顯而易見的。因此，在不偏離本公開精神的基礎上所做的這些修改或改進，均屬于本公開要求保護的范圍。
【主權項】
1.一種顯示基板，包括:像素陣列、公共陰極電流檢測電路和數(shù)據(jù)信號補償電路，其中， 所述像素陣列包括矩陣排布的多個子像素，每個所述子像素包括有機發(fā)光二極管，每個所述有機發(fā)光二極管包括陽極、有機發(fā)光層和陰極，所述多個子像素包括第一子像素和第二子像素，所述第一子像素還包括像素電流采集電路，所述像素電流采集電路被配置為采集所述第一子像素中的有機發(fā)光二極管的像素發(fā)光電流； 所述像素陣列劃分為多個陰極共用區(qū)，每個所述陰極共用區(qū)包括M個補償區(qū)，每個所述補償區(qū)包括N個子像素，并且所述N個子像素中包括一個第一子像素，同一個所述陰極共用區(qū)中的M X N個子像素的有機發(fā)光二極管共用一個公共陰極，M和N均為大于I的自然數(shù)； 所述公共陰極電流檢測電路被配置為可檢測流過每個所述公共陰極的總電流； 所述數(shù)據(jù)信號補償電路被配置為接收所述M個補償區(qū)中每個的第一子像素的像素發(fā)光電流，接收所述公共陰極的總電流，以及根據(jù)所述M個補償區(qū)中每個的第一子像素的像素發(fā)光電流和所述公共陰極的總電流計算每個所述子像素的補償數(shù)據(jù)。2.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板，其中，所述數(shù)據(jù)信號補償電路還被配置為在所述顯示基板正常顯示時將所述補償數(shù)據(jù)疊加到所述子像素的顯示數(shù)據(jù)中以得到更新顯示數(shù)據(jù)，并向所述子像素發(fā)送所述更新顯示數(shù)據(jù)。3.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板，其中，根據(jù)所述M個補償區(qū)中每個第一子像素的像素發(fā)光電流和所述公共陰極的總電流計算每個所述子像素的補償數(shù)據(jù)包括: 根據(jù)所述陰極共用區(qū)的公共陰極的總電流計算所述陰極共用區(qū)的平均發(fā)光電流；以及 在第一子像素被施加的原始數(shù)據(jù)上疊加補償數(shù)據(jù)，使所述像素發(fā)光電流等于所述平均電流。4.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板，還包括存儲器，其中，所述存儲器被配置為存儲每個所述子像素的補償數(shù)據(jù)。5.根據(jù)權利要求1-4任一項所述的顯示基板，其中，所述多個所述陰極共用區(qū)為矩形并呈矩陣排布。6.根據(jù)權利要求1-4任一項所述的顯示基板，其中，M=4，N=9。7.根據(jù)權利要求1-4任一項所述的顯示基板，其中，所述第一子像素還包括驅(qū)動晶體管、發(fā)光控制晶體管、數(shù)據(jù)寫入晶體管、采集控制晶體管和存儲電容。8.根據(jù)權利要求7所述的顯示基板，其中，所述驅(qū)動晶體管的第一極與第一節(jié)點電連接，所述驅(qū)動晶體管的柵極與第二節(jié)點電連接，所述驅(qū)動晶體管的第二極與第三節(jié)點電連接;所述第一節(jié)點與電源線電連接以接收電源電壓;所述發(fā)光控制晶體管的第一極與所述第三節(jié)點電連接，所述發(fā)光控制晶體管的柵極與發(fā)光控制信號線電連接以接收發(fā)光控制信號，所述發(fā)光控制晶體管的第二極與有機發(fā)光二極管的陽極電連接;所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的第一極與數(shù)據(jù)信號線電連接以獲取數(shù)據(jù)信號，所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的柵極與掃描信號線連接以接收掃描信號，所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的第二極與所述第二節(jié)點電連接;所述采集控制晶體管的第一極與所述第三節(jié)點電連接，所述采集控制晶體管的柵極與采集控制信號線電連接以接收采集控制信號，所述采集控制晶體管的第二極與所述像素電流采集電路電連接;所述存儲電容的第一端與所述第一節(jié)點電連接，所述存儲電容的第二端與所述第二節(jié)點電連接;所述有機發(fā)光二極管的陰極為公共陰極，所述公共陰極與所述公共陰極電流檢測電路電連接。9.根據(jù)權利要求1-4任一項所述的顯示基板，還包括: 掃描驅(qū)動器、數(shù)據(jù)驅(qū)動器、電源、控制器、電源線、發(fā)光控制信號線、數(shù)據(jù)信號線、掃描信號線以及采集控制信號線，其中， 所述掃描驅(qū)動器被配置為分別通過所述發(fā)光控制信號線、所述掃描信號線和所述采集控制信號線向所述子像素提供所述發(fā)光控制信號、所述掃描信號和所述采集控制信號； 所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器被配置為通過所述數(shù)據(jù)信號線向所述子像素提供所述數(shù)據(jù)信號； 所述電源被配置為通過所述電源線向所述子像素提供所述電源電壓； 所述控制器被配置為控制所述公共陰極電流檢測電路、所述數(shù)據(jù)信號補償電路、所述像素電流采集電路、所述掃描驅(qū)動器、所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器以及所述電源以使所述顯示基板正常工作。10.—種顯示設備，包括如權利要求1-9任一項所述的顯示基板。11.一種用于如權利要求1-9任一項所述顯示基板的區(qū)域補償方法，包括: 向一個陰極共用區(qū)中的MXN個子像素施加相同的原始數(shù)據(jù)信號且驅(qū)動所述MXN個子像素發(fā)光； 采集所述陰極共用區(qū)中所述M個補償區(qū)中每個的第一子像素中有機發(fā)光二極管的像素發(fā)光電流； 采集流過所述陰極共用區(qū)中公共陰極的總電流； 根據(jù)所述M個補償區(qū)中每個的第一子像素中有機發(fā)光二極管的像素發(fā)光電流和所述公共陰極的總電流計算每個所述子像素的補償數(shù)據(jù)。12.根據(jù)權利要求11所述的區(qū)域補償方法，其中， 在正常顯示時，將每個所述子像素的補償數(shù)據(jù)疊加到所述子像素的顯示數(shù)據(jù)中以得到更新顯示數(shù)據(jù)； 向所述子像素發(fā)送所述更新顯示數(shù)據(jù)以使所述子像素中的有機發(fā)光二極管發(fā)光。13.根據(jù)權利要求11所述的區(qū)域補償方法，其中，根據(jù)所述像素發(fā)光電流和所述公共陰極的總電流計算每個所述子像素的補償數(shù)據(jù)包括: 用所述公共陰極的總電流除以所述陰極共用區(qū)中所述子像素的數(shù)量MXN以得到平均發(fā)光電流； 在所述陰極共用區(qū)中第一子像素被施加的原始數(shù)據(jù)上疊加補償數(shù)據(jù)，使所述像素發(fā)光電流等于所述平均電流。14.根據(jù)權利要求11所述的區(qū)域補償方法，還包括存儲每個所述子像素的補償數(shù)據(jù)，其中，所述陰極共用區(qū)中每個所述補償區(qū)中的N個子像素的補償數(shù)據(jù)相同。15.根據(jù)權利要求11-14任一項所述的區(qū)域補償方法，其中，所述顯示基板每次開機啟動時執(zhí)行所述區(qū)域補償方法，或者所述顯示基板在工作過程中依照預定時間段周期執(zhí)行所述區(qū)域補償方法。
【文檔編號】G09G3/3233GK106097962SQ201610697075
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年8月19日 公開號201610697075.9, CN 106097962 A, CN 106097962A, CN 201610697075, CN-A-106097962, CN106097962 A, CN106097962A, CN201610697075, CN201610697075.9
【發(fā)明人】楊盛際, 董學, 呂敬, 陳小川, 劉冬妮, 王磊, 肖麗, 付杰, 盧鵬程, 岳晗
【申請人】京東方科技集團股份有限公司