專利名稱：基板及其制造方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板，尤其是涉及使用了氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層的基板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來，作為便攜式電話、便攜式游戲機(jī)等移動型終端設(shè)備和筆記本型個人電腦等各種電子設(shè)備的顯示面板，廣泛使用具有薄且輕量、能夠以低電壓驅(qū)動、并且耗電少的優(yōu)點(diǎn)的液晶顯示裝置。通常，液晶顯示裝置包括相互相對配置的一對基板(即，薄膜晶體管基板和對置基板)；設(shè)置于一對基板之間的液晶層；和密封件，該密封件將一對基板相互粘接并且為了在兩基板之間封入液晶而設(shè)計成框狀。另外，在液晶顯示裝置中，規(guī)定有由多個像素等構(gòu)成且在密封件的內(nèi)側(cè)部分進(jìn)行圖像顯示的顯示區(qū)域，在該顯示區(qū)域的周邊規(guī)定有端子區(qū)域(驅(qū)動電路區(qū)域)。另外，在薄膜晶體管基板中，在作為圖像的最小單位的各像素中，作為開關(guān)元件，設(shè)置有例如薄膜晶體管(Thin Film Transistor，以下也稱為“TFT”))。通常的底柵型的TFT例如包括設(shè)置于絕緣基板上的柵極電極；以覆蓋柵極電極的方式設(shè)置的柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上以與柵極電極重疊的方式設(shè)置成島狀且包含非晶硅的半導(dǎo)體層；和在半導(dǎo)體層上以互相對峙的方式設(shè)置的源極電極與漏極電極。另外，薄膜晶體管基板包括絕緣基板；在顯示區(qū)域中，以互相平行延伸的方式設(shè)置在絕緣基板上的多個掃描配線；和以在與各掃描配線正交的方向互相平行延伸的方式設(shè)置的多個信號配線。而且，在各掃描配線和各信號配線的每個交差部分，即，在每個像素上設(shè)置有上述TFT。另外，信號配線引出至上述端子區(qū)域，在端子區(qū)域中與源極端子連接。另外，同樣地，掃描配線引出至上述端子區(qū)域，在端子區(qū)域與柵極端子連接。這些源極端子和柵極端子包含形成上述半導(dǎo)體層的非晶硅。另外，在端子區(qū)域設(shè)置有與上述源極端子和柵極端子連接的集成電路芯片(或者IC芯片)；和與集成電路芯片連接的用于供給來自外部的信號的驅(qū)動電路基板(柔性印刷基板)。而且，在這種薄膜晶體管基板中，首先，在絕緣基板上形成柵極電極和掃描配線后，在整個絕緣基板上，例如通過CVD法形成柵極絕緣膜。接著，例如通過濺射法在柵極絕緣膜上形成包含非晶硅的半導(dǎo)體膜，通過對半導(dǎo)體膜進(jìn)行光刻、濕式蝕刻等，形成半導(dǎo)體層。這時，還形成包含非晶硅膜的源極端子和柵極端子。然后，通過干蝕刻等在半導(dǎo)體層上形成源極電極和漏極電極從而形成TFT，之后，在整個形成有源極電極和漏極電極的基板上，通過等離子體CVD法形成例如氮化硅膜等，形成覆蓋半導(dǎo)體層、源極電極和漏極電極的層間絕緣膜(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2000-199917號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題在此，近年來，針對薄膜晶體管基板，提出了作為圖像的最小單位的各像素的開關(guān)元件，使用包含能夠獲得高遷移率、低切斷電流之類的良好特性的氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層(以下，也稱為“氧化物半導(dǎo)體層”)來代替上述包含非晶硅的半導(dǎo)體層的技術(shù)。另外，近年來，隨著顯示裝置的小型化、輕量化，連接集成電路芯片的端子(即，源極端子和柵極端子)的窄間距化的要求日益高漲，從提高連接可靠性的觀點(diǎn)考慮，提出了設(shè)置用于保護(hù)以窄間距配置的端子的端子罩的技術(shù)。但是，在使用氧化物半導(dǎo)體作為該端子罩的材料的情況下，在形成包含氧化物半導(dǎo)體的端子罩之后，作為上述干式蝕刻，進(jìn)行了利用等離子體使氣體離子化和自由基化從而進(jìn)行蝕刻的等離子體蝕刻時，由于等離子體的損傷，端子罩的電阻會降低，端子罩會導(dǎo)體化。其結(jié)果是，存在例如在以窄間距配置的端子間產(chǎn)生漏電不良，難以維持端子間的絕緣性之類的問題。因此，本發(fā)明是鑒于以上的問題而完成的，其目的在于，提供基板及其制造方法、顯示裝置，該基板即使在以窄間距配置多個端子，且以覆蓋端子的方式設(shè)置包含氧化物半導(dǎo)體的端子罩的情況下，也能夠防止端子間發(fā)生漏電不良。解決技術(shù)問題的方案為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的基板的特征在于，包括多個端子，該多個端子設(shè)置于絕緣基板上，且包含金屬；和端子罩，其以覆蓋端子各自的一部分的方式設(shè)置，且包含氧化物半導(dǎo)體，在相鄰的端子間的區(qū)域，端子罩被去除。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，例如，在顯示裝置用的基板的制造工序中，即使在包含氧化物半導(dǎo)體的端子罩因等離子體蝕刻等等離子體處理，而導(dǎo)體化的情況下，由于在相鄰端子間的區(qū)域中，端子罩被去除，因此，即使在以窄間距配置多個端子的情況下，也能夠防止端子間發(fā)生漏電不良，能夠維持端子間的絕緣性。另外，在本發(fā)明的基板中，也可以還包括絕緣膜，其設(shè)置于端子和端子罩之間，且形成有使端子的一部分露出的接觸孔；和另一端子罩，其包含導(dǎo)電體，且設(shè)置于端子罩和接觸孔的表面。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，例如，在經(jīng)各向異性的導(dǎo)電薄膜(ACF)等將集成電路芯片與端子連接的情況下，能夠?qū)瑢?dǎo)電體的另一端子罩和各向異性導(dǎo)電薄膜良好地連接，因此，能夠?qū)⒓呻娐沸酒投俗涌煽康仉娺B接。另外，在本發(fā)明的基板中，也可以為在端子間的區(qū)域，另一端子罩被去除，端子間的區(qū)域側(cè)的端子罩的端面和端子間的區(qū)域側(cè)的另一端子罩的端面共面。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于端子間的區(qū)域側(cè)的端子罩的端面與另一端子罩的端面共面，因此，例如，即使在端子罩因突出物等而破損的情況下，也能夠避免因該碎片而產(chǎn)生端子間漏電。另外，在本發(fā)明的基板中，端子間間距也可以為5 30iim。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于能夠以窄間距配置多個端子，因此，能夠提供能夠與顯示裝置的小型化、輕量化對應(yīng)的顯示裝置用的基板。另外，在本發(fā)明的基板中，作為氧化物半導(dǎo)體，也可以使用包含選自銦(In)、鎵(Ga)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉿(Hf)和鋅(Zn)中的至少一種的金屬氧化物。另外，在本發(fā)明的基板中，也可以構(gòu)成為使用銦鎵鋅氧化物(IGZO)作為氧化物半導(dǎo)體。另外，在本發(fā)明的基板中，也可以構(gòu)成為還包括具有氧化物半導(dǎo)體層的薄膜晶體管。另外，本發(fā)明的基板具有即使在以窄間距配置多個端子的情況下，也能夠防止端子間發(fā)生漏電不良，能夠維持端子間的絕緣性之類的優(yōu)異的特性。因此，本發(fā)明的基板能夠適用于包括基板、與基板相對配置的另一基板和設(shè)置于基板和另一基板之間的顯示介質(zhì)層的顯示裝置。另外，本發(fā)明的顯示裝置能夠適用于顯示介質(zhì)層為液晶層的顯示裝置。另外，本發(fā)明的基板能夠適用于包括基板和形成于基板上的顯示元件的顯示裝置。另外，本發(fā)明的顯示裝置能夠適用于顯示元件為有機(jī)EL顯示元件的顯示裝置。本發(fā)明的一種基板的制造方法的特征在于，至少包括端子形成工序，在絕緣基板上形成包含金屬的多個端子；絕緣膜形成工序，在絕緣基板上以覆蓋端子的方式形成絕緣膜；端子罩形成工序，在絕緣膜上形成包含氧化物半導(dǎo)體的端子罩；接觸孔形成工序，將端子罩作為掩模，通過對絕緣膜進(jìn)行干蝕刻，在絕緣膜上形成到達(dá)端子的接觸孔；和端子罩去除工序，在端子罩上形成包含導(dǎo)電體的導(dǎo)電膜后，通過對導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻，在端子罩和接觸孔的表面上形成另一端子罩，通過對端子罩進(jìn)行蝕刻，去除在相鄰的端子間的區(qū)域存在的端子罩，在端子間的區(qū)域，去除端子罩。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在顯示裝置用的基板的制造工序中，例如，即使在包含氧化物半導(dǎo)體的端子罩因等離子體蝕刻等等離子體處理而導(dǎo)體化的情況下，由于在相鄰的端子間的區(qū)域，端子罩被去除，因此，即使在以窄間距配置有多個端子的情況下，也能夠防止端子間發(fā)生漏電不良，能夠維持端子間的絕緣性。另外，在本發(fā)明的基板的制造方法中，也可以還包括端子罩保護(hù)層形成工序，在端子罩形成工序后，在端子罩上形成用于保護(hù)該端子罩的端子罩保護(hù)層。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在顯示裝置用的基板的制造工序中，例如，即使在進(jìn)行等離子體蝕刻等等離子體處理的情況下，也能夠有效地抑制等離子體對端子罩的損傷。其結(jié)果是，能夠有效地抑制端子罩的溝道部的漏電。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，即使在以窄間距配置多個端子且以覆蓋各個端子的方式設(shè)置包含氧化物半導(dǎo)體的端子罩的情況下，也能夠防止端子間發(fā)生漏電不良，能夠維持端子間的絕緣性。


圖1是具有本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的液晶顯示裝置的剖視圖。圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的俯視圖。圖3是放大了本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的像素部和端子部的俯視圖。
圖4是沿圖3中的A-A線的薄膜晶體管基板的剖視圖。圖5是沿圖3中的B-B線的薄膜晶體管基板的剖視圖。圖6是用剖面表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造工序的說明圖。圖7是用剖面表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的端子的制造工序的說明圖。圖8是用剖面表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的對置基板的制造工序的說明圖。圖9是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的剖視圖。圖10是用剖面表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造工序的說明圖。圖11是用剖面表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的端子的制造工序的說明圖。圖12是本發(fā)明的變形例的有機(jī)EL顯示裝置的俯視圖。圖13是本發(fā)明的變形例的有機(jī)EL顯示裝置的剖視圖。
具體實(shí)施例方式(第一實(shí)施方式)下面，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。另外，本發(fā)明不僅限于下面的實(shí)施方式。圖1是具有本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的液晶顯示裝置的剖視圖，圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的俯視圖。另外，圖3是放大了本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的像素部和端子部的俯視圖，圖4是沿圖3中的A-A線的薄膜晶體管基板的剖視圖。另外，圖5是沿圖3中的B-B線的薄膜晶體管基板的剖視圖。另夕卜，為了說明的方便，在圖5中省略集成電路芯片的圖示。如圖1所示,液晶顯示裝置50包括薄膜晶體管基板20a,其為液晶顯示裝置用的基板；和對置基板30，其為與薄膜晶體管基板20a相對配置的液晶顯示裝置用的另一基板。另外，液晶顯示裝置50包括液晶層40，其為設(shè)置于薄膜晶體管基板20a和對置基板30間的顯示介質(zhì)層；密封件35，其將薄膜晶體管基板20a和對置基板30相互粘接，并且為了在薄膜晶體管基板20a和對置基板30之間封入液晶層40而設(shè)置成框狀。另外，如圖1所示，在液晶顯示裝置50中，進(jìn)行圖像顯示的顯示區(qū)域D被規(guī)定在密封件35的內(nèi)側(cè)部分，端子區(qū)域T被規(guī)定在薄膜晶體管基板20a的從對置基板30突出的部分。該端子區(qū)域T位于顯示區(qū)域D的周邊。如圖2、圖3和圖4所示，薄膜晶體管基板20a包括絕緣基板IOa ;在顯示區(qū)域D中，以互相平行地延伸的方式設(shè)置在絕緣基板IOa上的多個掃描配線Ila ;分別設(shè)置于各掃描配線Ila之間且互相平行地延伸的多個輔助電容配線Ilb ;和以在與各掃描配線Ila正交的方向互相平行地延伸的方式設(shè)置的多個信號配線16a。另外，薄膜晶體管基板20a包括分別設(shè)置在各掃描配線Ila和各信號配線16a的每個交差部分，即每個各像素上的多個TFT5a ；以覆蓋各TFT5a的方式設(shè)置的層間絕緣膜17 ；以覆蓋層間絕緣膜17的方式設(shè)置的平坦化膜18 ;在平坦化膜18上設(shè)置成矩陣狀且分別與各TFT5a連接的多個像素電極19a ；以覆蓋各像素電極19a的方式設(shè)置的取向膜(未圖示)。如圖2和圖3所示，掃描配線Ila被引出至端子區(qū)域T(參照圖1)的柵極端子區(qū)域Tg，在該柵極端子區(qū)域Tg構(gòu)成柵極端子1%。如圖3所示，輔助電容配線Ilb經(jīng)輔助電容干線16c和中繼配線lld，與輔助電容端子19d連接。在此，輔助電容干線16c經(jīng)形成于柵極絕緣膜12的接觸孔Ce與輔助電容配線Ilb連接，并且，經(jīng)形成于柵極絕緣膜12的接觸孔Cd與中繼配線Ild連接。另外，如圖2和圖3所示，中繼配線Ilc被引出到端子區(qū)域T(參照圖1)的源極端子區(qū)域Ts，該中繼配線Ilc在源極端子區(qū)域Ts中構(gòu)成源極端子15。在此，如圖3、圖4所示，信號配線16a經(jīng)形成于柵極絕緣膜12的接觸孔Cb通過透明導(dǎo)電膜27與中繼配線Ilc連接。另外，如圖2、圖3所示，在薄膜晶體管基板20a的源極端子區(qū)域Ts和柵極端子區(qū)域Tg，設(shè)置有作為與源極端子15和柵極端子19b連接的電子零件的集成電路芯片(或驅(qū)動IC芯片)9。而且，該集成電路芯片9例如以玻璃基芯片(COG)方式，經(jīng)各向異性導(dǎo)電薄膜(ACF)等安裝于薄膜晶體管基板20a。另外，如圖2、圖3所示，在薄膜晶體管基板20a的源極端子領(lǐng)域Ts和柵極端子區(qū)域Tg，設(shè)置有連接驅(qū)動電路基板(未圖示)的連接用端子21，該驅(qū)動電路基板為用于供給來自外部的信號的電子零件。該連接用端子21構(gòu)成為經(jīng)配線22與連接有集成電路芯片的連接用端子26連接，經(jīng)這些連接用端子21、26和配線22，從驅(qū)動電路基板向集成電路芯片9輸入用于驅(qū)動集成電路芯片9的信號。TFT5a具有底柵構(gòu)造，如圖3和圖4所示，包括設(shè)置于絕緣基板IOa上的柵極電極Ilaa ;以覆蓋柵極電極Ilaa的方式設(shè)置的柵極絕緣膜12 ;在柵極絕緣膜12上以與柵極電極Ilaa重疊的方式設(shè)置成島狀的具有溝道區(qū)域C的氧化物半導(dǎo)體層13a。另外，TFT5a包括在氧化物半導(dǎo)體層13a上以與柵極電極Ilaa重疊并且以夾著溝道區(qū)域C互相對峙的方式設(shè)置的源極電極16aa和漏極電極16b。在此，在氧化物半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C上，設(shè)置有覆蓋源極電極16aa和漏極電極16b (即，TFT5a)的層間絕緣膜17。而且，如圖3所示，柵極電極Ilaa為向掃描配線Ila的側(cè)面突出的部分。另外，如圖3所不,源極電極16aa為向信號配線16a的側(cè)面突出的部分。另外，如圖3和圖4所示，漏極電極16b經(jīng)形成于層間絕緣膜17和平坦化膜18的層疊膜的接觸孔Ca與像素電極19a連接。另外，漏極電極16b通過經(jīng)柵極絕緣膜12與輔助電容配線Ilb重疊構(gòu)成輔助電容。另外，氧化物半導(dǎo)體層13a例如包含銦鎵鋅氧化物(IGZO)等氧化物半導(dǎo)體。另外，在本實(shí)施方式中，如圖5所示，在源極端子區(qū)域Ts，在源極端子15上設(shè)置有用于保護(hù)源極端子15的保護(hù)罩19c。該保護(hù)罩19c包括形成于絕緣基板IOa上的第一端子罩24和形成于該第一端子罩24上的第二端子罩23。如圖5所示，第一端子罩24以覆蓋多個源極端子15的各自的一部分的方式設(shè)置，與上述氧化物半導(dǎo)體層13a同樣地，例如包含銦鎵鋅氧化物(IGZO)等氧化物半導(dǎo)體。
另外，第二端子罩23例如包含銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、含有氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)、含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物等導(dǎo)電體。另外，多個源極端子15以窄間距排列，如圖3、圖5所示，相鄰的源極端子15的間距P例如被設(shè)定為5 30 ii m。另外，如圖5所示，在源極端子15和第一端子罩24之間設(shè)置有柵極絕緣膜12，在該柵極絕緣膜12上，以源極端子15的一部分露出的方式形成有接觸孔Ce。而且，如圖5所示，構(gòu)成為上述第二端子罩23設(shè)置于第一端子罩24和接觸孔Ce的表面，保護(hù)罩19c經(jīng)形成于柵極絕緣膜12的接觸孔Ce與源極端子15連接。另外，雖省略圖示，但柵極端子1%也與圖5所示的源極端子15同樣構(gòu)成。如后述的圖8 (C)所示，對置基板30包括絕緣基板IOb ;在絕緣基板IOb上設(shè)置成格子狀的黑矩陣31 ;和具有分別設(shè)置在黑矩陣31的各格子間的紅色層、綠色層和藍(lán)色層等著色層32的彩色濾光片。另外，對置基板30包括以覆蓋該彩色濾光片的方式設(shè)置的共用電極33 ;設(shè)置于共用電極33上的感光間隔物34 ;和以覆蓋共用電極33的方式設(shè)置的取向膜(未圖示)。液晶層40例如由具有電光學(xué)特性的向列型液晶材料等構(gòu)成。在上述結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置50中，在各像素中，從柵極驅(qū)動器(即，與柵極端子19b連接的集成電路芯片9)經(jīng)掃描配線I Ia向柵極電極I Iaa發(fā)送柵極信號。而且，在TFT5a成為導(dǎo)通狀態(tài)時，從源極驅(qū)動器(即，與源極端子15連接的集成電路芯片9)經(jīng)信號配線16a向源極電極16aa發(fā)送源極信號。而且，經(jīng)氧化物半導(dǎo)體層13a和漏極電極16b，向像素電極19a寫入規(guī)定的電荷。這時，在薄膜晶體管基板20a的各像素電極19a和對置基板30的共用電極33之間產(chǎn)生電位差，向液晶層40即各像素的液晶電容和與該液晶電容并列連接的輔助電容施加規(guī)定的電壓。而且，在液晶顯示裝置50中，在各像素中，根據(jù)向液晶層40施加的電壓的大小改變液晶層40的取向狀態(tài)，由此，調(diào)整液晶層40的光透過率并顯示圖像。在此，本實(shí)施方式的特征在于如圖5所示，在相鄰的源極端子15間的區(qū)域R，第一端子罩24被去除這一點(diǎn)。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，即使在包含氧化物半導(dǎo)體的第一端子罩24因等離子體蝕刻等的等離子體處理而導(dǎo)體化的情況下，由于第一端子罩24在相鄰的源極端子15間的區(qū)域R被去除，因此，也能夠防止以窄間距配置的源極端子15間的漏電不良的發(fā)生。因此，能夠維持以窄間距配置的源極端子15間的絕緣性。即，即使代替非晶硅而由IGZO等氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成源極端子15的情況下，也不會產(chǎn)生漏電不良之類的不良情況，能夠進(jìn)行源極端子15的窄間距化。下面，使用圖6 圖8對本實(shí)施方式的液晶顯示裝置50的制造方法的一個例子進(jìn)行說明。圖6是用剖面表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造工序的說明圖，圖7是用剖面表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的端子的制造工序的說明圖。另外，圖8是用剖面表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的對置基板的制造工序的說明圖。另夕卜，本實(shí)施方式的制造方法包括薄膜晶體管基板制作工序、對置基板制作工序和液晶注入工序。
首先，對薄膜晶體管基板制作工序進(jìn)行說明。<源極端子形成工序>首先，在玻璃基板、硅基板、具有耐熱性的塑料基板等絕緣基板IOa的基板整體上，通過濺射法形成例如鑰膜(厚度150nm程度)等。之后，對該鑰膜進(jìn)行通過使用第一光掩模的光刻實(shí)施的抗蝕劑的圖案化、鑰膜的濕式蝕刻和抗蝕劑的剝離以及清洗，由此，如圖3、圖6(a)、圖7(a)所示，在絕緣基板IOa上形成掃描配線11a、柵極電極llaa、柵極端子19b、輔助電容配線lib、中繼配線Ilc和源極端子15。另外，在本實(shí)施方式中，作為構(gòu)成源極端子15等的金屬膜，例示了單層構(gòu)造的鑰膜，但是，也可以由例如鋁膜、鎢膜、鉭膜、鉻膜、鈦膜、銅膜等金屬膜，或者它們的合金膜和金屬氮化物的膜，形成50nm 300nm厚度的柵極電極Ilaa等。另外，作為形成上述塑料基板的材料，例如能夠使用聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、聚醚砜樹脂、丙烯酸樹脂和聚酰亞胺樹脂。<柵極絕緣膜形成工序>接著，在整個形成有掃描配線11a、柵極電極llaa、輔助電容配線lib、中繼配線Ilc和源極端子15的絕緣基板IOa上，通過CVD法形成例如氮化硅膜(厚度IOOnm 600nm程度)，如圖6 (b)、圖7 (b)所示，在絕緣基板IOa上以覆蓋柵極電極Ilaa、輔助電容配線lib、中繼配線Ilc和源極端子15的方式形成柵極絕緣膜12。另外，也可以構(gòu)成為以兩層的層疊構(gòu)造形成柵極絕緣膜12。在該情況下，除了上述氮化硅膜(SiNx)以外，能夠使用例如氧化硅膜(SiOx)、氧化氮化硅膜(SiOxNy，x > y)、氮化氧化硅膜(SiNxOy、X > y)等。另外，從防止來自絕緣基板IOa的雜質(zhì)等擴(kuò)散的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選構(gòu)成為使用氮化硅膜或氮氧化硅膜作為下層側(cè)的柵極絕緣膜，并且，使用氧化硅膜或氧化氮化硅膜作為上層側(cè)的柵極絕緣膜。例如能夠構(gòu)成為作為下層側(cè)的柵極絕緣膜，將SiH4和NH3作為反應(yīng)氣體形成膜厚50nm 300nm的氮化硅膜，并且，作為上層側(cè)的柵極絕緣膜，將N2CKSiH4作為反應(yīng)氣體形成膜厚50nm IOOnm的氧化娃膜。另外，從利用低的成膜溫度形成柵極漏電電流少的致密的柵極絕緣膜12的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選使反應(yīng)氣體中含有氬氣等稀有氣體并使之混入絕緣膜中。<氧化物半導(dǎo)體層和第一端子罩形成工序>然后，通過濺射法，例如形成IGZO膜(厚度為30nm 150nm程度)。之后，對該IGZO膜進(jìn)行通過使用第二光掩模的光刻實(shí)施的抗蝕劑的圖案化、IGZO膜的濕式蝕刻和抗蝕劑的剝離以及清洗，由此，如圖6 (b)、圖7 (b)所示，在柵極絕緣膜12上形成氧化物半導(dǎo)體層13a和第一端子罩24。<源極漏極形成工序>另外，在整個形成有氧化物半導(dǎo)體層13a的基板上通過濺射法按順序形成例如鈦膜(厚度20nm 150nm)和鋁膜(厚度為50nm 400nm程度)等。之后，進(jìn)行通過使用第三光掩模的光刻實(shí)施的抗蝕劑的圖案化、鈦膜的濕式蝕刻，并且，對鈦膜進(jìn)行干式蝕刻(等離子體蝕刻)以及抗蝕劑的剝離和清洗，由此，如圖6(c)所示，形成源極電極16aa、漏極電極16b、信號配線16a (參照圖3)和輔助電容干線16c (參照圖3)，并且，使氧化物半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C露出。
S卩，在本工序中，在由半導(dǎo)體層形成工序形成的氧化物半導(dǎo)體層13a上，通過蝕刻形成源極電極16aa和漏極電極16b，使氧化物半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C露出。另外，在本實(shí)施方式中，在形成源極電極16aa和漏極電極16b時，通過進(jìn)行過度蝕亥IJ，如圖6(c)、圖7(c)所示，減小氧化物半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C和第一端子罩24的厚度。另外，在本實(shí)施方式中，作為構(gòu)成源極電極16aa和漏極電極16b的金屬膜，例示了層疊構(gòu)造的鈦膜和鋁膜，但是，也可以構(gòu)成為例如利用銅膜、鎢膜、鉭膜、鉻膜等金屬膜、或者它們的合金膜和金屬氮化物的膜，形成源極電極16aa和漏極電極16b。另外，作為導(dǎo)電性材料，也可以構(gòu)成為使用銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、含有氧化娃的銦錫氧化物〔ITS0)、氧化銦(In2O3)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氮化鈦(TiN)等具有透光性的材料。
另外，作為蝕刻加工，也可以使用上述干式蝕刻或濕式蝕刻中任一種，但是，在處理大面積基板的情況下，優(yōu)選使用干式蝕刻。作為蝕刻氣體，能夠使用cf4、nf3、sf6、chf3等氟系氣體、Cl2, BC13、SiCl4, CCl4等氯系氣體、氧氣等，也可以添加氦和氬等惰性氣體?！磳娱g絕緣膜形成工序〉接著，在整個形成有源極電極16aa、漏極電極16b (即，TFT5a)和信號配線16a的基板上，通過等離子體CVD法，形成例如氮化硅膜、氧化硅膜、氮化氧化硅膜等，如圖6 (d)所示，將覆蓋TFT5a(即，覆蓋氧化物半導(dǎo)體層13a、源極電極16aa和漏極電極16b)的層間絕緣膜17形成為厚300nm程度。另外，層間絕緣膜17不僅限于單層構(gòu)造，也可以是兩層構(gòu)造和三層構(gòu)造?！雌教够ば纬晒ば颉到又?，在整個形成有層間絕緣膜17的基板上，通過旋轉(zhuǎn)涂敷法或狹縫涂敷法涂敷厚度為2.0iim 4.0iim程度的包含感光性丙烯酸樹脂等的感光性有機(jī)絕緣膜。而且，如圖6(e)所示，通過由光刻實(shí)施的有機(jī)絕緣膜的圖案化，在層間絕緣膜17的表面上形成圖案化后的平坦化膜18。〈接觸孔形成工序〉接著，將平坦化膜18作為掩模(第四光掩模)，對柵極絕緣膜12和層間絕緣膜17進(jìn)行干式蝕刻(等離子體蝕刻)，由此，如圖3、圖6(f)所示，在柵極絕緣膜12和層間絕緣膜17上形成到達(dá)漏極電極16b的接觸孔Ca，并且，形成到達(dá)中繼配線Ilc和信號配線16a的接觸孔Cb。另外，在源極端子區(qū)域Ts中，將第一端子罩24作為掩模，對柵極絕緣膜12進(jìn)行干式蝕刻(等離子體蝕刻)，由此，如圖7(d)所示，在柵極絕緣膜12形成到達(dá)源極端子15的接觸孔Ce。另外，這時，包含氧化物半導(dǎo)體的第一端子罩24因上述干式蝕刻(等離子體蝕刻)而導(dǎo)體化。<像素電極形成和端子罩去除工序>接著，如圖6(f)、圖7(d)所示，在整個形成有層間絕緣膜17和平坦化膜18的基板上，通過濺射法形成例如包含銦錫氧化物的ITO膜(厚度50nm 200nm程度)等導(dǎo)電膜36。
之后，通過對該導(dǎo)電膜36進(jìn)行通過使用第五光掩模的光刻實(shí)施的抗蝕劑的圖案化、導(dǎo)電膜36的濕式蝕亥Ij、抗蝕劑的剝離以及清洗，如圖3、圖4所示，形成像素電極19a、透明導(dǎo)電膜27、連接用端子21、26、連接用配線22和輔助電容端子19d。這時，如圖4所示，像素電極19a以覆蓋接觸孔Ca的表面的方式在層間絕緣膜17和平坦化膜18的表面上形成。另外，透明導(dǎo)電膜27以覆蓋接觸孔Cb的表面的方式，在柵極絕緣膜12、層間絕緣膜17和平坦化膜18的表面形成，中繼配線Ilc和信號配線16a通過透明導(dǎo)電膜27連接。另外，同樣，在源極端子區(qū)域Ts中，在第一端子罩24上形成上述導(dǎo)電膜36之后，對該導(dǎo)電膜36進(jìn)行通過使用第五光掩模的光刻實(shí)施的抗蝕劑的圖案化、導(dǎo)電膜36的濕式蝕亥IJ、抗蝕劑的剝離以及清洗，由此，如圖5所示，在第一端子罩24上形成第二端子罩23，且形成保護(hù)罩19c，該保護(hù)罩19c包括形成于絕緣基板IOa上的第一端子罩24和形成于第一端子罩24上的第二端子罩23。這時，如圖7 (d)所示，在接觸孔Ce的表面和源極端子15上也形成上述導(dǎo)電膜36，第二端子罩23以覆蓋接觸孔Ce的表面的方式在柵極絕緣膜12的表面上形成，且源極端子15和保護(hù)罩19c通過第二端子罩23連接。另外，在將抗蝕劑作為掩模進(jìn)行導(dǎo)電膜36的濕式蝕刻時，也同時進(jìn)行第一端子罩24的蝕刻，如圖5所示，去除在相鄰的源極端子15間的區(qū)域R中存在的第一端子罩24，由此在相鄰的源極端子15間的區(qū)域R中，包含氧化物半導(dǎo)體的第一端子罩24被去除。因此，即使在形成第一端子罩24后，第一端子罩24因等離子體處理(在本實(shí)施方式中為上述等離子體蝕刻處理)而導(dǎo)體化的情況下，也能夠防止以窄間距配置的源極端子15間發(fā)生漏電不良。另外，在本實(shí)施方式中，在進(jìn)行導(dǎo)電膜36的濕式蝕刻時，也同時進(jìn)行第一端子罩24的蝕刻，由此，如圖5所示，在源極端子15間的區(qū)域R中，不僅去除第一端子罩24，也去除第二端子罩23，且源極端子15間的區(qū)域R側(cè)的第一端子罩24的端面24a和源極端子15間的區(qū)域R側(cè)的第二端子罩23的端面23a共面。因此，例如，即使在第一端子罩24因突出物等而破損的情況下，也能夠避免因其碎片而產(chǎn)生端子間漏電。另外，作為蝕刻第一端子罩24時的蝕刻液，沒有特別的限定，只要能夠去除構(gòu)成第一端子罩24的氧化物半導(dǎo)體，從而可靠地去除第一端子罩24即可。例如，能夠使用非晶質(zhì)ITO、IZO的通常蝕刻液即含有硝酸的蝕刻液等能夠蝕刻ITO、IZO的蝕刻液。另外，與上述第二端子罩23同樣地，像素電極19a除了上述銦錫氧化物以外，也能夠使用銦鋅氧化物(IZO)、含有氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)、含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物等。如上所述進(jìn)行操作，能夠制作圖4、圖5所示的薄膜晶體管基板20a?！磳χ没逯谱鞴ば颉凳紫?，在整個玻璃基板等絕緣基板IOb的基板上，通過旋轉(zhuǎn)涂敷法或狹縫涂敷法涂敷例如著色為黑色的感光性樹脂后，使該涂敷膜曝光和顯影，由此，如圖8(a)所示，形成厚度1. Oiim左右的黑矩陣31。接著，在整個形成有黑矩陣31的基板上，通過旋轉(zhuǎn)涂敷法或狹縫涂敷法涂敷例如著色為紅色、綠色或藍(lán)色的感光性樹脂后，使該涂敷膜曝光和顯影，由此，如圖8(a)所示，形成厚度2. O U m程度的所選擇的顏色的著色層32 (例如，紅色層)。而且，對于其它兩種顏色也重復(fù)同樣的工序，形成厚度2. O y m左右的其它兩種顏色的著色層32 (例如，綠色層和藍(lán)色層)。另外，在形成有各色著色層32的基板上，通過濺射法層疊例如ITO膜等透明導(dǎo)電膜，由此，如圖8(b)所示，形成厚度50nm 200nm程度的共用電極33。最后，在整個形成有共用電極33的基板上，通過旋轉(zhuǎn)涂敷法或狹縫涂敷法涂敷感光性樹脂后，使該涂敷膜曝光和顯影，由此，如圖8 (c)所示，形成厚度4 程度的感光間隔物34。如上所述進(jìn)行操作，能夠制作對置基板30?！匆壕ё⑷牍ば颉凳紫?，向在上述薄膜晶體管基板制作工序中制作的薄膜晶體管基板20a和在上述對置基板制作工序中制作的對置基板30的各表面，通過印刷法涂敷聚酰亞胺的樹脂膜后，通過對該涂敷膜進(jìn)行燒制和摩擦處理，形成取向膜。接著，在例如形成有上述取向膜的對置基板30的表面，將由UV(Ultraviolet)固化和熱固化并用型樹脂等構(gòu)成的密封件印刷成框狀后，向密封件的內(nèi)側(cè)滴下液晶材料。進(jìn)一步，將滴有上述液晶材料的對置基板30和形成有上述取向膜的薄膜晶體管基板20a在減壓下粘合后，將該粘合后的粘合體暴露在大氣壓下，由此，對該粘合體的表面和背面進(jìn)行加壓。而且，在對被上述粘合體挾持的密封件照射UV光后，通過加熱該粘合體使密封件固化。最后，例如通過切割將使上述密封件固化后的粘合體切斷，去除不需要的部分。如上所述進(jìn)行操作，能夠制造本實(shí)施方式的液晶顯示裝置50。在本實(shí)施方式中，在薄膜晶體管基板20的制造工序中，在柵極電極形成工序中使用第一光掩模，在氧化物半導(dǎo)體層和第一端子罩形成工序中使用第二光掩模，在源極漏極形成工序中使用第三光掩模，在接觸孔形成工序中使用第四光掩模，在像素電極形成和端子罩去除工序中使用第五光掩模，使用共計五個光掩模來制造。因此，與現(xiàn)有的五個掩模工藝相比，能夠以窄間距配置，防止包含氧化物半導(dǎo)體的源極端子15間的漏電不良的發(fā)生，而不會增加光掩模的個數(shù)。根據(jù)以上說明的本實(shí)施方式，能夠獲得以下的效果。(I)在本實(shí)施方式中，包括以覆蓋各個源極端子15的一部分的方式設(shè)置且包含氧化物半導(dǎo)體的第一端子罩24。另外，在相鄰的源極端子15間的區(qū)域R中，第一端子罩24被去除。因此，在薄膜晶體管基板20a的制造工序中，即使在包含氧化物半導(dǎo)體的第一端子罩24因等離子體蝕刻等等離子體處理而導(dǎo)體化的情況下，由于在相鄰的源極端子15間的區(qū)域R中，第一端子罩24被去除，所以即使在以窄間距配置多個源極端子15的情況下，也能夠防止源極端子15間發(fā)生漏電不良，能夠維持源極端子15間的絕緣性。(2)在本實(shí)施方式中，將源極端子15間的間距P設(shè)定為5 30pm。因此，由于能夠以窄間距配置多個源極端子15，所以能夠提供能夠與液晶顯示裝置50的小型化、輕量化對應(yīng)的薄膜晶體管基板20a。
(第二實(shí)施方式)接著，對本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖9是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的剖視圖，是與上述圖4相當(dāng)?shù)膱D。另外，在本實(shí)施方式中，對與上述第一實(shí)施方式同樣的構(gòu)成部分標(biāo)注同一附圖標(biāo)記，省略其說明。另外，關(guān)于液晶顯示裝置的整體，與在上述第一實(shí)施方式中說明的同樣，因此，在此省略詳細(xì)的說明。本實(shí)施方式的特征在于在制造薄膜晶體管基板20a時，如后述的圖11所示，在第一端子罩24上設(shè)置用于保護(hù)第一端子罩24的端子罩保護(hù)層29。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在源極漏極形成工序中，通過干式蝕刻進(jìn)行圖案化，在形成源極電極16aa、漏極電極16b時，能夠有效地抑制等離子體對第一端子罩24的損傷，能夠有效地抑制成為溝道層的第一端子罩24的溝道部的漏電。下面，使用圖10、圖11對本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法的一個例子進(jìn)行說明。圖10是用剖面表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造工序的說明圖，圖11是用剖面表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的端子的制造工序的說明圖。首先，在TFT和薄膜晶體管基板制作工序中，與在上述第一實(shí)施方式中說明的圖6(a)、(b)和圖7(a)、(b)同樣，進(jìn)行源極端子形成工序、柵極絕緣膜形成工序以及氧化物半導(dǎo)體層和第一端子罩形成工序。 <端子罩保護(hù)層形成工序>接著，在整個形成有氧化物半導(dǎo)體層13a的基板通過等離子CVD法形成例如氮化硅膜、氧化硅膜、氮化氧化硅膜等。之后，進(jìn)行通過使用第六光掩模的光刻實(shí)施的抗蝕劑的圖案化、對氮化硅膜等進(jìn)行的濕式蝕刻、抗蝕劑的剝離以及清洗，如圖10(a)所示，在氧化物半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C，形成厚度50 200nm程度的用于保護(hù)溝道區(qū)域C的溝道保護(hù)層(蝕刻阻擋層)28。另外，這時，如圖11所示，在源極端子區(qū)域Ts中，在整個形成有第一端子罩24的基板上，通過等離子CVD法形成例如氮化硅膜等。之后，進(jìn)行通過使用第六光掩模的光刻實(shí)施的抗蝕劑的圖案化、對氮化硅膜等進(jìn)行的濕式蝕刻、抗蝕劑的剝離以及清洗，由此，在第一端子罩24上形成厚度50 200nm程度的用于保護(hù)第一端子罩24的端子罩保護(hù)層(蝕刻阻擋層)29。接著，與在上述第一實(shí)施方式中記載的圖6(c)、圖7(c)中所說明的源極漏極形成工序同樣，如圖10(b)所示，形成源極電極16aa和漏極電極16b。這樣一來，在本實(shí)施方式中，在第一端子罩24上設(shè)置有用于保護(hù)該第一端子罩24的端子罩保護(hù)層29，因此，在源極漏極形成工序中，在通過干式蝕刻進(jìn)行圖案化，形成源極電極16aa、漏極電極16b時,能夠有效地抑制等離子對第一端子罩24的損傷。其結(jié)果,能夠有效地抑制第一端子罩24的溝道部的漏電。另外，在氧化物半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C中，設(shè)置有用于保護(hù)該溝道區(qū)域C的溝道保護(hù)層(蝕刻阻擋層)28，因此，在源極漏極形成工序中，通過蝕刻進(jìn)行圖案化從而形成源極電極16aa、漏極電極16b時，能夠進(jìn)行保護(hù)使得不蝕刻氧化物半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C0接著，在去除了形成于第一端子罩24上的端子罩保護(hù)層29后，與在上述第一實(shí)施方式中說明的圖6(d) (f)、圖7(d)同樣，進(jìn)行層間絕緣膜形成工序、平坦化膜形成工序、接觸孔形成工序、像素電極形成和端子罩去除工序，由此，能夠制作圖5、圖9所示的薄膜晶體管基板20a。而且，通過進(jìn)行在上述第一實(shí)施方式中說明的對置基板制作工序和液晶注入工序，能夠制造本實(shí)施方式的液晶顯示裝置50。根據(jù)以上說明的本實(shí)施方式，在上述(I) (2)的效果的基礎(chǔ)上，能夠獲得以下的效果。(3)在本實(shí)施方式中，在第一端子罩24上設(shè)置有用于保護(hù)第一端子罩24的端子罩保護(hù)層29。因此，在源極漏極形成工序中，在通過干式蝕刻進(jìn)行圖案化從而形成源極電極16aa、漏極電極16b時，能夠有效地抑制等離子體對第一端子罩24的損傷。其結(jié)果是，能夠 有效地抑制第一端子罩24的溝道部的漏電。(4)在本實(shí)施方式中，在氧化物半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C設(shè)置有保護(hù)溝道區(qū)域C的溝道保護(hù)層28。因此，在形成源極電極16aa和漏極電極16b的工序中，在通過蝕刻進(jìn)行圖案化從而形成源極電極16aa、漏極電極16b時，能夠進(jìn)行保護(hù)使得不蝕刻氧化物半導(dǎo)體層13a的溝道區(qū)域C。另外，上述實(shí)施方式也可以進(jìn)行如下的變更。在上述實(shí)施方式中，在相鄰的源極端子15間的區(qū)域R中，第一端子罩24被去除，自不必說對于源極端子15以外的任一端子，也能夠適用本發(fā)明。例如，將上述輔助電容端子19d、柵極端子19b和連接用端子21、26與源極端子15同樣地以窄間距(5 30i!m)排列，以覆蓋這些端子各自的一部分的方式設(shè)置包含氧化物半導(dǎo)體的端子罩，通過在相鄰的端子間的區(qū)域去除端子罩，能夠適用本發(fā)明。另外，在上述實(shí)施方式中，作為氧化物半導(dǎo)體層13a使用了包含銦鎵鋅氧化物(IGZO)等氧化物半導(dǎo)體的氧化物半導(dǎo)體層，但氧化物半導(dǎo)體層13a不限于此，也可以使用包含含有銦(In)、鎵(G a)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉿(Hf)和鋅〔Zn)中的至少一種的金屬氧化物的材料。由這些材料構(gòu)成的氧化物半導(dǎo)體層13a即使是非晶質(zhì)的，遷移率也高，因此，能夠增大開關(guān)元件的導(dǎo)通電阻。因此，數(shù)據(jù)讀出時的輸出電壓差變大，能夠使S/N比提高。例如，除了 IGZ0(In-G a-Zn-0)之外，還能夠很好地使用 InGaO3(ZnO) 5、MgxZrvx 0, CdxZn1^xO, CdO等。另外，能夠很好地使用 ISZO(In-S1-Zn-O)、IAZO(In-Al-Zn-O)、INiZO(In-N1-Zn-O)、ICuZO(In-Cu-Zn-O)、IHfZO(In-Hf-Zn-O)、IZO(In-Zn-O)等。另外，在上述本實(shí)施方式中，作為顯示裝置以液晶顯示裝置為例進(jìn)行了說明，但是，顯不裝置也可以是有機(jī)EL (organic electroluminescence)、電泳(electrophoretic)、PD(plasma display ；等離子顯不器)、PALC(Plasma addressed liquid crystaldisplay ;等離子體地址液晶顯示器)、無機(jī) EL (inorganiCelectro luminescence)、FED(field emissiondisplay 場發(fā)身寸顯不器)、或 SED (surface-conductionelectron-emitterdisplay ;表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器)等顯示裝置。例如，在圖12、圖13所示的有機(jī)EL顯示裝置60中，能夠使用本發(fā)明。該有機(jī)EL顯示裝置60包括基體層72，該基體層72為由被在室溫下蒸鍍的無色透明的樹脂膜形成的薄膜狀的絕緣基板。作為構(gòu)成基體層72的無色透明的樹脂膜，例如，能夠使用聚對二甲苯系樹脂或丙烯酸系樹脂等有機(jī)材料。該基體層2的厚度能夠?yàn)槔? 10 y m。另外，有機(jī)EL顯示裝置60包括形成于基體層72上的TFI74 ;以覆蓋TFT74的方式設(shè)置的SiO2膜和SiN膜等層間絕緣膜75 ;包含貫通層間絕緣膜75與TFI74電連接的金屬配線76的顯示裝置用基板83。金屬配線76進(jìn)一步在層間絕緣膜75上延長，構(gòu)成有機(jī)EL顯示元件71的第一電極77。另外，在層間絕緣膜75上形成劃分各像素(區(qū)域)80的絕緣膜(或堤岸)79。另外，如圖12所示,有機(jī)EL顯示裝置60包括例如由多個像素等構(gòu)成的顯示區(qū)域62和設(shè)置于顯示區(qū)域62的周邊的周邊電路區(qū)域63。另外，在周邊電路區(qū)域63規(guī)定有設(shè)置有驅(qū)動器的驅(qū)動電路區(qū)域64和設(shè)置有從顯示區(qū)域62引出的多個端子的端子區(qū)域65。而且，在端子區(qū)域65中，與在上述圖2、圖3、圖5中說明的設(shè)置于源極端子區(qū)域Ts的源極端子15同樣，在作為絕緣基板的基體層72上，以窄間距(5 30i!m)排列從顯示區(qū)域62引出的多個端子。而且，以覆蓋這些端子各自的一部分的方式設(shè)置包含氧化物半導(dǎo)體的端子罩，在相鄰的端子間的區(qū)域去除端子罩，由此，即使在有機(jī)EL顯示裝置60中也能夠 使用本發(fā)明。有機(jī)EL顯示裝置60為從第一電極77側(cè)取出發(fā)光的底部發(fā)射型，從提高發(fā)光的取出效率的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選第一電極77包含例如ITO和SnO2等具有高的功函數(shù)且光透過率高的材料的薄膜。在第一電極77上形成有有機(jī)EL層78。有機(jī)EL層78包含空穴輸送層和發(fā)光層?？昭ㄝ斔蛯記]有任何限定，只要空穴注入效率良好即可。作為空穴輸送層的材料，例如，能夠使用三苯胺衍生物、聚對亞苯基亞乙烯基(PPV)衍生物、聚芴衍生物等有機(jī)材料等。發(fā)光層沒有特別的限定,例如可以使用8-輕基喹啉(8-Hydroxyquinolinol)衍生物、噻唑衍生物、苯并惡唑衍生物等。另外，也可以組合這些材料中的兩種以上，也可以組合慘雜劑材料等添加劑。另外，將有機(jī)EL層78制成了空穴輸送層和發(fā)光層兩層構(gòu)造，但是，不局限于這種結(jié)構(gòu)。即，有機(jī)EL層78也可以是僅包含發(fā)光層的單層構(gòu)造。另外，也可以由空穴輸送層、空穴注入層、電子注入層和電子輸送層中的I層或2層以上以及發(fā)光層構(gòu)成有機(jī)EL層78。另外，在有機(jī)EL層78和絕緣膜79上形成有第二電極81。第二電極81具有向有機(jī)EL層78注入電子的功能。第二電極81能夠包含例如Mg、L1、Ca、Ag、Al、In、Ce或Cu等薄膜，但不僅限于這些。而且，通過第一電極77、形成于第一電極77上并且具有發(fā)光層的有機(jī)EL層78、形成于有機(jī)EL層78上的第二電極81，構(gòu)成形成于顯示裝置用基板83上的有機(jī)EL顯示元件71。另外，在有機(jī)EL顯示裝置60中，第一電極77具有向有機(jī)EL層78注入空穴的功能，另外，第二電極81具有向有機(jī)EL層78注入電子的功能。而且從第一電極77、第二電極81分別注入的空穴和電子在有機(jī)EL層78上再結(jié)合，由此有機(jī)EL層78發(fā)光。另外，作為基板的基體層72和第一電極77為光透過性,第二電極81為光反射性,發(fā)出的光透過第一電極77和基體層72而從有機(jī)EL層78被取出(底部發(fā)射方式)。另外，在第二電極81上形成有包含丙烯酸樹脂和聚對二甲苯樹脂等的平坦化膜82。另外，平坦化膜82的厚度可以設(shè)定為例如3 8 ii m。
另外，TFT74與在上述實(shí)施方式中說明的TFT5a同樣，為使用氧化物半導(dǎo)體層的TFT，將氧化物半導(dǎo)體作為溝道。這樣，有機(jī)EL顯示裝置60構(gòu)成為在作為薄膜狀的基板的基體層72上形成有作為像素80的開關(guān)元件的TFT74和有機(jī)EL顯示元件71。工業(yè)上的可利用性作為本發(fā)明的活用例，能夠舉出使用了氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層的基板及其制造方法、顯示裝置。附圖標(biāo)記說明5a薄膜晶體管9集成電路芯片(電子零件)IOa絕緣基板Ilaa柵極電極12柵極絕緣膜13a氧化物半導(dǎo)體層15源極端子(端子)16aa源極電極16b漏極電極17層間絕緣膜18平坦化膜19a像素電極19c保護(hù)罩20a薄膜晶體管基板(基板)23第二端子罩(另一端子罩)24第一端子罩〔端子罩)28溝道保護(hù)層29端子罩保護(hù)層3O對直基板(另一基板)36導(dǎo)電膜40液晶層(顯示介質(zhì)層)50液晶顯示裝置60有機(jī)EL顯示裝置71有機(jī)EL顯示元件(顯示元件)72基體層(絕緣基板)83顯不裝直用基板(基板)D顯示區(qū)域P 間距R源極端子間的區(qū)域(端子間的區(qū)域)T端子區(qū)域
權(quán)利要求
1.一種基板，其特征在于，包括多個端子，該多個端子設(shè)置于絕緣基板上，且包含金屬；和端子罩，其以覆蓋所述端子各自的一部分的方式設(shè)置，且包含氧化物半導(dǎo)體，在相鄰的所述端子間的區(qū)域，所述端子罩被去除。
2.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，還包括絕緣膜，其設(shè)置于所述端子和所述端子罩之間，且形成有使所述端子的一部分露出的接觸孔；和另一端子罩，其包含導(dǎo)電體，且設(shè)置于所述端子罩和所述接觸孔的表面。
3.如權(quán)利要求2所述的基板，其特征在于在所述端子間的區(qū)域，所述另一端子罩被去除，所述端子間的區(qū)域側(cè)的所述端子罩的端面和所述端子間的區(qū)域側(cè)的所述另一端子罩的端面共面。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的基板，其特征在于所述端子間的間距為5 30 μ m。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的基板，其特征在于所述氧化物半導(dǎo)體包含金屬氧化物，該金屬氧化物包含選自銦(In)、鎵(G a)、鋁 (Al)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉿(Hf)和鋅(Zn)中的至少一種。
6.如權(quán)利要求5所述的基板，其特征在于所述氧化物半導(dǎo)體為銦鎵鋅氧化物(IGZO)。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的基板，其特征在于所述基板還包括具有氧化物半導(dǎo)體層的薄膜晶體管。
8.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的所述基板；與所述基板相對配置的另一基板；和設(shè)置于所述基板和所述另一基板之間的顯示介質(zhì)層。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示介質(zhì)層為液晶層。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的所述基板；和形成于所述基板上的顯示元件。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示元件為有機(jī)EL顯示元件。
12.—種基板的制造方法，其特征在于，至少包括端子形成工序，在絕緣基板上形成包含金屬的多個端子；絕緣膜形成工序，在所述絕緣基板上以覆蓋所述端子的方式形成絕緣膜；端子罩形成工序，在所述絕緣膜上形成包含氧化物半導(dǎo)體的端子罩；接觸孔形成工序，將所述端子罩作為掩模，通過對所述絕緣膜進(jìn)行干式蝕刻，在所述絕緣膜上形成到達(dá)所述端子的接觸孔；和端子罩去除工序，在所述端子罩上形成包含導(dǎo)電體的導(dǎo)電膜后，通過對所述導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻，在所述端子罩和所述接觸孔的表面上形成另一端子罩，通過對所述端子罩進(jìn)行蝕亥IJ，去除在相鄰的所述端子間的區(qū)域存在的所述端子罩，在所述端子間的區(qū)域，去除所述端子罩。
13.如權(quán)利要求12所述的基板的制造方法，其特征在于所述基板的制造方法還包括端子罩保護(hù)層形成工序，在所述端子罩形成工序后，在所述端子罩上形成用于保護(hù)該端子罩的端子罩保護(hù)層。
全文摘要
薄膜晶體管基板(20a)包括絕緣基板(10a)；設(shè)置于絕緣基板(10a)上的多個源極端子(15)；和以覆蓋源極端子(15)各自的一部分的方式設(shè)置且包含氧化物半導(dǎo)體的第一端子罩(24)。而且，在相鄰的源極端子(15)間的區(qū)域(R)，第一端子罩(24)被去除。
文檔編號G02F1/1368GK103026398SQ20118003556
公開日2013年4月3日 申請日期2011年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月21日
發(fā)明者原義仁, 中田幸伸 申請人:夏普株式會社