本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、近年來，要求能夠形成具有較高品質(zhì)的圖像的電子照相設(shè)備，并且期望提供在其反復使用時輸出的圖像的品質(zhì)穩(wěn)定性高的設(shè)備。

2、在用于電子照相法的電子照相感光構(gòu)件中，已知涉及以下的技術(shù)：在支承體和感光層之間配置包含電子輸送物質(zhì)的底涂層，以抑制從支承體側(cè)到感光層側(cè)的電荷注入，從而抑制諸如黑點等的圖像不良的發(fā)生。

3、在日本專利申請?zhí)亻_no.2014-029479中，描述了含有組合物的固化產(chǎn)物的底涂層，所述組合物包含：具有聚合性官能團的電子輸送物質(zhì)；交聯(lián)劑；和樹脂。此外，在日本專利申請?zhí)亻_no.h11-228675號中，描述了包含通過聚合聯(lián)苯醌衍生物獲得的聚合物的中間層。此外，在日本專利申請?zhí)亻_no.2012-032458中，描述了用于形成中間層的水性涂布液，該涂布液包含含有以下的組合物：具有羧基的電子輸送物質(zhì)；分散劑；和樹脂。

4、近年來，要求電子照相法來實現(xiàn)大量打印和高速打印。通過本發(fā)明的發(fā)明人進行的研究，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在日本專利申請?zhí)亻_no.2014-029479、日本專利申請?zhí)亻_no.h11-228675和日本專利申請?zhí)亻_no.2012-032458中的每一個中描述的電子照相感光構(gòu)件中，當進行大量打印和高速打印時，電位波動可能變得較大。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、因此，本發(fā)明的目的是提供能夠抑制電位波動的電子照相感光構(gòu)件。

2、通過下面描述的本發(fā)明實現(xiàn)上述目的。即，根據(jù)本發(fā)明，提供一種電子照相感光構(gòu)件，其依次包括：支承體；底涂層；和感光層，其中所述底涂層包括選自由具有下式(1)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物和具有下式(2)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物組成的組中的至少一種聚合物：

3、

4、式(1)和(2)中，α、β和γ分別表示下式(α)、(β)和(γ)所示的結(jié)構(gòu)，以及r11、r12、r13、r14、r15、r16、r17、r18、r21、r22、r23和r24各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、硝基、氰基、三氟甲基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的硫醇基、取代或未取代的氨基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的炔基、或者取代或未取代的芳基：

5、

6、

7、式(α)、(β)和(γ)中，r60、r61、r70、r71、r80和r81各自獨立地表示氫原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基，za、zb和zc各自獨立地表示單鍵、亞氨基、氧原子或硫原子，la、lb和lc各自獨立地表示0以上的整數(shù)，ma表示1以上的整數(shù)，mb和mc各自獨立地表示0以上的整數(shù)，當za表示單鍵時，r60表示取代或未取代的烷基，當za表示亞氨基或硫原子時，r60表示氫原子或者取代或未取代的烷基，當za表示氧原子并且r60表示氫原子時，ma表示2以上的整數(shù)，以及當za表示氧原子并且r60表示取代或未取代的烷基時，ma表示1以上的整數(shù)。

8、參照附圖從下面示例性實施方案的描述中，本發(fā)明的進一步特征將變得顯而易見。

技術(shù)特征：

1.一種電子照相感光構(gòu)件，其依次包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中相對于所述底涂層的總質(zhì)量，選自由具有式(1)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物和具有式(2)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物組成的組中的至少一種聚合物的含量為50質(zhì)量％以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述式(1)中的r11、r12、r13、r14、r15、r16、r17和r18中的至少之一以及所述式(2)中的r21、r22、r23和r24中的至少之一各自獨立地表示鹵素原子、硝基、氰基、三氟甲基、具有20個以下碳原子的取代或未取代的烷氧基、具有20個以下碳原子的取代或未取代的硫醇基、具有20個以下碳原子的取代或未取代的氨基、具有20個以下碳原子的取代或未取代的烷基、具有20個以下碳原子的取代或未取代的炔基或者具有20個以下碳原子的取代或未取代的芳基。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述式(α)中的r60和r61、所述式(β)中的r70和r71以及所述式(γ)中的r80和r81中的至少之一表示具有20個以下碳原子的取代或未取代的烷基或者具有20個以下碳原子的取代或未取代的芳基。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述式(α)中的la、所述式(β)中的lb和所述式(γ)中的lc各自獨立地表示0至10的整數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子照相感光構(gòu)件，

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述式(α)中的r60表示具有20個以下碳原子的取代或未取代的烷基。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子照相感光構(gòu)件，

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子照相感光構(gòu)件，其中選自由具有式(1)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物和具有式(2)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物組成的組中的至少一種聚合物的重均分子量為30,000以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述底涂層的體積電阻率為1×1010ω·cm以上。

11.一種處理盒，包括：

12.一種電子照相設(shè)備，其包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備。提供一種電子照相感光構(gòu)件，其依次包括：支承體；底涂層；和感光層，其中底涂層包括至少一種聚合物，所述聚合物選自由具有下式(1)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物；和具有下式(2)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物組成的組：

技術(shù)研發(fā)人員：丸山晃洋,關(guān)谷道代,西將史,加藤七海,石田知仁,西田孟
受保護的技術(shù)使用者：佳能株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21