本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制備領(lǐng)域，具體涉及光致抗蝕劑、圖案化薄膜、圖案化基底、半導(dǎo)體器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，業(yè)界對(duì)光致抗蝕劑的性能要求越來(lái)越高。相關(guān)技術(shù)中，由于原材料等原因，光致抗蝕劑出廠時(shí)會(huì)存在少量的殘留酸，易導(dǎo)致光致抗蝕劑發(fā)生老化，降低了光致抗蝕劑的穩(wěn)定性、縮短了光致抗蝕劑的儲(chǔ)存周期，不利于光致抗蝕劑的工業(yè)化應(yīng)用。因此，需要一種抗老化、穩(wěn)定性高以及儲(chǔ)存周期長(zhǎng)的光致抗蝕劑。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光致抗蝕劑、圖案化薄膜、圖案化基底、半導(dǎo)體器件及其制備方法，該光致抗蝕劑中含有抗老化劑，抗老化劑可以與光致抗蝕劑中的殘留酸發(fā)生反應(yīng)，減緩老化進(jìn)程，提高光致抗蝕劑的穩(wěn)定性，延長(zhǎng)光致抗蝕劑的儲(chǔ)存周期。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光致抗蝕劑，所述光致抗蝕劑包括成膜樹(shù)脂、光致酸產(chǎn)生劑、添加劑和溶劑，所述添加劑包括抗老化劑；

3、所述抗老化劑包括結(jié)構(gòu)式為的化合物，其中，r1、r2、r3和r4獨(dú)立地選自氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的烷氧基、-(c=o)-r5或-(c=o)o-r6；

4、r5為鹵素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的環(huán)烷基、或取代或未取代的芳基；

5、r6為取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的環(huán)烷基、或取代或未取代的芳基。

6、可選的，所述r1和所述r2中至少一者，和/或所述r3和所述r4中至少一者選自取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的烷氧基、-(c=o)-r5或-(c=o)o-r6。

7、可選的，所述取代或未取代的烷基、所述取代或未取代的烯基、所述取代或未取代的炔基、所述取代或未取代的環(huán)烷基、所述取代或未取代的烷氧基、所述-(c=o)-r5和所述-(c=o)o-r6的碳原子數(shù)為1-15。

8、可選的，所述取代的烷基、所述取代的烯基、所述取代的炔基、所述取代的環(huán)烷基、所述取代的烷氧基中的取代基包括鹵素原子、羥基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的芳氧基中的一種或多種。

9、可選的，所述抗老化劑包括、、、、、、和中的一種或多種；其中，a、b分別為1-18的整數(shù)。

10、可選的，所述光致抗蝕劑中，所述抗老化劑的質(zhì)量百分比為0.001%-2%。

11、可選的，所述添加劑還包括含氟樹(shù)脂。

12、所述光致抗蝕劑中，所述含氟樹(shù)脂的質(zhì)量百分比為0.05%-2%?？蛇x的，所述光致抗蝕劑中，所述成膜樹(shù)脂的質(zhì)量百分比為2%-20%；和/或，所述光致酸產(chǎn)生劑的質(zhì)量百分比0.1%-10%；和/或，所述添加劑的質(zhì)量百分比為0.1%-10%；和/或，所述溶劑的質(zhì)量百分比為50%-98%。

13、可選的，所述光致抗蝕劑還包括光分解堿；所述光致抗蝕劑中，所述光分解堿的質(zhì)量百分比為0.1%-10%。

14、可選的，所述成膜樹(shù)脂包括丙烯酸酯類(lèi)聚合物。

15、可選的，所述溶劑包括丙二醇甲醚醋酸酯、γ-丁內(nèi)酯、二醇甲醚、乳酸乙酯、環(huán)己酮和二庚酮中的一種或多種。

16、可選的，所述光致抗蝕劑在40℃老化28天的酸殘留濃度小于或等于5×10-3mol/kg。

17、本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓庵驴刮g劑具有抗老化劑，抗老化劑可以與光致抗蝕劑中的殘留酸發(fā)生反應(yīng)，阻止老化反應(yīng)的發(fā)生，提高了光致抗蝕劑的穩(wěn)定性，延長(zhǎng)了光致抗蝕劑的儲(chǔ)存周期，提升了光致抗蝕劑的綜合性能。

18、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N圖案化薄膜，所述圖案化薄膜采用第一方面所述的光致抗蝕劑制得。

19、由于本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓庵驴刮g劑穩(wěn)定性好，制得的圖案化薄膜對(duì)比度強(qiáng)，圖案清晰，結(jié)構(gòu)可靠性高。

20、第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N圖案化基底，所述圖案化基底采用第一方面所述的光致抗蝕劑制得。

21、本申請(qǐng)?zhí)峁┑膱D案化基底，圖案清晰，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性好。

22、第四方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件采用第一方面所述的光致抗蝕劑制得。

23、本申請(qǐng)?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體器件精度高、綜合性能優(yōu)異。

24、第五方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：將第一方面所述的光致刻蝕劑涂覆在基底上，以在基底上形成光致抗蝕劑膜層；對(duì)所述光致抗蝕劑膜層經(jīng)掩模、曝光和顯影后得到圖案化薄膜。

25、本申請(qǐng)?zhí)峁┑闹苽浞椒ê?jiǎn)單，制備成本低，有利于其工業(yè)化生產(chǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種光致抗蝕劑，其特征在于，所述光致抗蝕劑包括成膜樹(shù)脂、光致酸產(chǎn)生劑、添加劑和溶劑，所述添加劑包括抗老化劑；

2.如權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑，其特征在于，所述r1和所述r2中至少一者，和/或所述r3和所述r4中至少一者選自取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的烷氧基、-(c=o)-r5或-(c=o)o-r6。

3.如權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑，其特征在于，所述取代或未取代的烷基、所述取代或未取代的烯基、所述取代或未取代的炔基、所述取代或未取代的環(huán)烷基、所述取代或未取代的烷氧基、所述-(c=o)-r5和所述-(c=o)o-r6的碳原子數(shù)為1-15。

4.如權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑，其特征在于，所述取代的烷基、所述取代的烯基、所述取代的炔基、所述取代的環(huán)烷基、所述取代的烷氧基中的取代基包括鹵素原子、羥基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的芳氧基中的一種或多種。

5.如權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑，其特征在于，所述抗老化劑包括、、、、、、和中的一種或多種；

6.如權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑，其特征在于，所述光致抗蝕劑中，所述抗老化劑的質(zhì)量百分比為0.001%-2%。

7.如權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑，其特征在于，所述添加劑還包括含氟樹(shù)脂；

8.如權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑，其特征在于，所述光致抗蝕劑中，所述成膜樹(shù)脂的質(zhì)量百分比為2%-20%；和/或，所述光致酸產(chǎn)生劑的質(zhì)量百分比0.1%-10%；和/或，所述添加劑的質(zhì)量百分比為0.1%-10%；和/或，所述溶劑的質(zhì)量百分比為50%-98%。

9.如權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑，其特征在于，所述光致抗蝕劑還包括光分解堿；所述光致抗蝕劑中，所述光分解堿的質(zhì)量百分比為0.1%-10%。

10.如權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑，其特征在于，所述成膜樹(shù)脂包括丙烯酸酯類(lèi)聚合物；

11.如權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑，其特征在于，所述光致抗蝕劑在40℃老化28天的酸殘留濃度小于或等于5×10-3mol/kg。

12.一種圖案化薄膜，其特征在于，所述圖案化薄膜采用如權(quán)利要求1-11任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑制得。

13.一種圖案化基底，其特征在于，所述圖案化基底采用如權(quán)利要求1-11任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑制得。

14.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件采用如權(quán)利要求1-11任意一項(xiàng)所述的光致抗蝕劑制得。

15.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光致抗蝕劑、圖案化薄膜、圖案化基底、半導(dǎo)體器件及其制備方法，光致抗蝕劑包括成膜樹(shù)脂、光致酸產(chǎn)生劑、添加劑和溶劑，所述添加劑包括抗老化劑；所述抗老化劑包括結(jié)構(gòu)式為的化合物，其中，R<supgt;1</supgt;、R<supgt;2</supgt;、R<supgt;3</supgt;和R<supgt;4</supgt;獨(dú)立地選自氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的烷氧基、?(C=O)?R<supgt;5</supgt;或?(C=O)O?R<supgt;6</supgt;。本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓庵驴刮g劑包含具有環(huán)氧結(jié)構(gòu)的抗老化劑，有利于抑制光致抗蝕劑的老化反應(yīng)，提高光致抗蝕劑的穩(wěn)定性，延長(zhǎng)光致抗蝕劑的儲(chǔ)存周期。

技術(shù)研發(fā)人員：請(qǐng)求不公布姓名,請(qǐng)求不公布姓名,請(qǐng)求不公布姓名,請(qǐng)求不公布姓名
受保護(hù)的技術(shù)使用者：珠?；萍加邢薰?br/>技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21