電光裝置的制造方法、電光裝置以及電子設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電光裝置的制造方法、電光裝置以及電子設(shè)備。形成有反射鏡和端子的第一晶片和密封用的第二晶片重疊粘結(jié)之后，通過切割而制造電光裝置(100)。此時，在第二晶片的第二表面預(yù)先形成與反射鏡在俯視下重疊的凹部，同時預(yù)先形成與端子在俯視下重疊的槽。因此，在使第二晶片用切割刀片(82)從第二晶片的第三表面進入并沿槽切割時，能夠防止第二晶片用切割刀片接觸端子。
【專利說明】
電光裝置的制造方法、電光裝置以及電子設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及具備反射鏡的電光裝置的制造方法、電光裝置以及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]作為電子設(shè)備，已知例如投射型顯示裝置等，其在利用稱為DMD(數(shù)字反射鏡器件)的電光裝置的多個反射鏡(微反射鏡)對從光源射出的光進行調(diào)制之后，通過利用投射光學(xué)系統(tǒng)將調(diào)制光放大投射而在屏幕顯示圖像。用于所述投射型顯示裝置等的電光裝置如圖11(d)所示具有在一個表面Is側(cè)具備反射鏡50以及設(shè)置于在俯視下與反射鏡50相鄰的位置的端子17的元件基板I。另外，元件基板I由墊片61和板狀透光性蓋71密封，墊片61粘結(jié)在元件基板I的一個表面I s側(cè)使得在俯視下包圍反射鏡50，板狀透光性蓋71被支撐于墊片61的與元件基板I相反一側(cè)的端部的。
[0003]另外，對于制造圖11(d)所示的電光裝置提出例如在下面說明的制造方法(參照專利文獻I)。首先，如圖11(a)所示，形成在一個表面1s側(cè)具備反射鏡50以及端子17的第一晶片10，另一方面，將形成有貫通孔66的墊片用晶片60和透光性晶片70重疊粘結(jié)形成第二晶片20。結(jié)果，貫通孔66變成有底的凹部21。接著，如圖11 (b)所示，粘結(jié)第一晶片1和第二晶片20，使凹部21與反射鏡50在俯視下重疊。接著，如圖11(c)所示，使第二晶片用切割刀片(夕''彳W夕''文V— K )82從與第一晶片10相反一側(cè)進入第二晶片20，對第二晶片20進行切割的同時，使端子17露出。接著，如圖11(d)所示，用第一晶片用切割刀片81對第一晶片10進行切割，得到多個電光裝置100。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1:美國專利US6856014B1

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明需要解決的課題
[0008]然而，在圖11(a)至圖11(d)所示的制造方法中，如圖11(b)所示，以第二晶片20接觸端子17的狀態(tài)重疊。因而，在圖11(c)所示的工序中，對第二晶片20進行切割時，存在第二晶片用切割刀片82接觸端子17而使端子17損傷的問題。
[0009]鑒于以上問題點，本發(fā)明的課題目的在于提供即使在對重疊粘結(jié)的晶片進行切割而使端子露出的情況下，也能夠防止端子的損傷的電光裝置的制造方法、電光裝置以及電子設(shè)備。
[0010]用于解決課題的方法
[0011]為了解決上述課題，本發(fā)明所涉及的電光裝置的制造方法的一個形態(tài)的特征在于具有以下工序:準備第一晶片的第一晶片準備工序，該第一晶片在第一表面?zhèn)染邆涞谝环瓷溏R、設(shè)置于在俯視下與所述第一反射鏡相鄰的位置并與驅(qū)動所述第一反射鏡的第一驅(qū)動元件電連接的第一端子、相對于所述第一端子位于所述第一反射鏡的相反側(cè)的第二反射鏡以及設(shè)置于所述第一端子和所述第二反射鏡之間并且與驅(qū)動所述第二反射鏡的第二驅(qū)動元件電連接的第二端子;形成第二晶片的第二晶片形成工序，該第二晶片在第二表面設(shè)置有底部具有透光性的第一凹部、底部具有透光性的第二凹部以及所述第一凹部和所述第二凹部之間的槽;將所述第一晶片的所述第一表面和所述第二晶片的所述第二表面粘結(jié)的粘結(jié)工序，使所述第一凹部在俯視下與所述第一反射鏡重疊，使所述第二凹部在俯視下與所述第二反射鏡重疊，使所述槽在俯視下與所述第一端子、所述第二端子以及夾在所述第一端子和所述第二端子之間的區(qū)域重疊;第二晶片切割工序，使第一切割刀片從所述第二晶片的在所述第二表面的相反側(cè)的第三表面進入，沿所述槽對所述第二晶片進行切割;第一晶片切割工序，用第二切割刀片在所述第一端子和所述第二端子之間對所述第一晶片進行切割。
[0012]在本發(fā)明中，在粘結(jié)第一晶片和密封用的第二晶片之后，對第一晶片以及第二晶片進行切割，制造多個電光裝置。此時，在第二晶片，除了與第一反射鏡重疊的第一凹部以及與第一反射鏡重疊的第二凹部之外，還預(yù)先形成與第一端子、第二端子以及夾在第一端子和第二端子之間的區(qū)域在俯視下重疊的槽。因此，在第一晶片和第二晶片的粘結(jié)狀態(tài)下，第二晶片遠離第一端子以及第二端子。因此，第一端子以及第二端子不與第二晶片粘結(jié)。另夕卜，在第二晶片切割工序中，在第二晶片用切割刀片接近第一端子以及第二端子之前第二晶片被切割。因而，不容易使第二晶片用切割刀片與第一端子以及第二端子接觸而損傷第一端子以及第二端子。因此，能夠提高電光裝置的成品率。
[0013]在本發(fā)明中，所述第二切割刀片的厚度比所述第一切割刀片的厚度薄，在所述第一晶片切割工序中，能夠采用使所述第二切割刀片相對于所述第一晶片從所述第二表面?zhèn)冗M入對所述第一晶片進行切割的形態(tài)。根據(jù)所述的構(gòu)成，在第二晶片切割工序之后，在第一晶片切割工序之前不需要使第一晶片和第二晶片的層疊體上下反轉(zhuǎn)的工序。
[0014]在本發(fā)明中，可以采用所述第一切割刀片的厚度比所述槽的寬度厚的形態(tài)。通過所述形態(tài)制造的電光裝置的特征在于，具有:在第一表面?zhèn)染邆浞瓷溏R以及設(shè)置于與所述反射鏡在俯視下相鄰的位置并且與驅(qū)動所述反射鏡的驅(qū)動元件電連接的端子的元件基板、具有粘結(jié)于所述元件基板的所述第一表面?zhèn)炔⑶以诟┮曄掳鼑龇瓷溏R的墊片以及支撐于所述墊片的面對所述元件基板的端部的相反側(cè)的端部并且在俯視下與所述反射鏡重疊的板狀透光性蓋的密封部件，在所述密封部件的側(cè)表面，比第一部分接近所述元件基板的第二部分比所述第一部分更向所述反射鏡的相反側(cè)突出。根據(jù)所述構(gòu)成，容易通過引線接合將設(shè)置于基板的端子與另外的端子連接，此時，因為密封部件和基板的粘結(jié)面積(粘結(jié)寬度)沒有變窄，所以密封部件和基板之間的密封性能沒有降低。
[0015]在本發(fā)明中，可以采用所述第一切割刀片的厚度比所述槽的寬度薄的形態(tài)。通過所述形態(tài)制造的電光裝置的特征在于，具有:在第一表面?zhèn)染邆浞瓷溏R以及設(shè)置于在俯視下與所述反射鏡相鄰的位置并且與驅(qū)動所述反射鏡的驅(qū)動元件電連接的端子的元件基板、具有粘結(jié)于所述元件基板的所述第一表面?zhèn)炔⑶以诟┮曄掳鼑龇瓷溏R的墊片以及支撐于所述墊片的面對所述元件基板的端部的相反側(cè)的端部并且在俯視下與所述反射鏡重疊的板狀的透光性蓋的密封部件，在所述密封部件的側(cè)表面，比第一部分接近所述元件基板的第二部分相對所述第一部分向所述反射鏡側(cè)凹陷。
[0016]在本發(fā)明中，優(yōu)選使用所述第二切割刀片和所述第一切割刀片在厚度方向?qū)盈B的多階刀片、使所述多階刀片相對于所述第一晶片從所述第二晶片側(cè)進入連續(xù)地進行所述第二晶片切割工序和所述第一晶片切割工序。
[0017]在本發(fā)明中，可以采用在所述第二晶片形成工序中進行如下工序的形態(tài):在第三晶片形成第一貫通孔、第二貫通孔以及所述槽的第一工序、在所述第三晶片的所述槽開口一側(cè)的相反側(cè)的表面上重疊具有透光性的第四晶片并粘結(jié)的第二工序。
[0018]在本發(fā)明中，可以采用在所述第二晶片形成工序中進行如下工序的形態(tài):在第三晶片形成第一貫通孔以及第二貫通孔的第一工序、重疊所述第三晶片和具有透光性的第四晶片并粘結(jié)的第二工序、在所述第三晶片的與所述第四晶片粘結(jié)的表面的相反側(cè)的表面上形成所述槽的第三工序。
[0019]適用本發(fā)明的電光裝置可用于各種電子設(shè)備，在此情況下，在電子設(shè)備中設(shè)置向所述反射鏡照射光源光的光源部。另外，在作為電子設(shè)備構(gòu)成投射型顯示裝置時，在電子設(shè)備中還設(shè)置將由所述反射鏡調(diào)制的光投射的投射光學(xué)系統(tǒng)。
【附圖說明】
[0020]圖1是示出作為適用本發(fā)明的電子設(shè)備的投射型顯示裝置的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。
[0021]圖2(a)和圖2(b)是示意性地示出適用本發(fā)明的電光裝置的基本構(gòu)成的說明圖。
[0022]圖3(a)和圖3(b)是示意性地示出適用本發(fā)明的電光裝置的主要部分中的A-A’截面的說明圖。
[0023]圖4是適用本發(fā)明的電光裝置的截面體。
[0024]圖5(a)至圖5(d)是示出適用本發(fā)明的電光裝置的制造方法的工序截面圖。
[0025]圖6(a)至圖6(f)是示出用于適用本發(fā)明的電光裝置的制造的第二晶片等的制造方法的工序圖。
[0026]圖7(a)至圖7(c)是示出在適用本發(fā)明的電光裝置的制造工序中利用基板以及密封樹脂密封基板的工序的工序截面圖。
[0027]圖8(a)和圖8(b)是示出適用本發(fā)明的電光裝置的制造方法的變形例1、2的說明圖。
[0028]圖9(a)和圖9(b)是示出適用本發(fā)明的電光裝置的制造方法的變形例3的說明圖。
[0029]圖10(a)至圖10(d)是示出適用本發(fā)明的電光裝置的制造方法的變形例4的說明圖。
[0030]圖11(a)至圖11(d)是示出本發(fā)明的參考例所涉及的電光裝置的制造方法的工序截面圖。
【具體實施方式】
[0031]參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進行說明。此外，在下面的說明中，將投射型顯示裝置作為適用本發(fā)明的電子設(shè)備進行說明。另外，在下面的說明中參照的附圖中為了使各層或各部件成為在附圖上可識別的程度的大小，對各層或各部件的每一個比例尺不同。附圖所示的反射鏡等數(shù)目為了在附圖上可識別的程度的大小而進行設(shè)定，然而也可以設(shè)置比該附圖所示的數(shù)目多的反射鏡等。
[0032]作為電子設(shè)備的投射型顯示裝置
[0033]圖1是示出作為適用本發(fā)明的電子設(shè)備的投射型顯示裝置的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。圖1所示的投射型顯示裝置1000具有光源部1002、根據(jù)圖像信息對從光源部1002射出的光進行調(diào)制的電光裝置100、將被電光裝置100調(diào)制后的光作為投射圖像向屏幕等被投射物1100投射的投射光學(xué)系統(tǒng)1004。光源部1002具備光源1020以及彩色濾光器1030。光源1020射出白色光，彩色濾光器1030伴隨著旋轉(zhuǎn)射出各色的光，電光裝置100在同步于彩色濾光器1030的旋轉(zhuǎn)的定時調(diào)制射入的光。此外，代替彩色濾光器1030，可以使用將從光源1020射出的光變換為各色的光的熒光體基板。另外，可以針對各色的每種光設(shè)置光源部1002以及電光裝置100。
[0034]電光裝置100的基本構(gòu)成
[0035]圖2(a)和圖2(b)是示意性地示出適用本發(fā)明的電光裝置100的基本構(gòu)成的說明圖，圖2(a)和圖2(b)分別是示出電光裝置100的主要部分的說明圖以及電光裝置100的主要部分的分解立體圖。圖3(a)和圖3(b)是示意性地示出適用本發(fā)明的電光裝置100的主要部分中的A-A’截面的說明圖，圖3(a)和圖3(b)分別是示意性地示出反射鏡向一側(cè)傾斜的狀態(tài)的說明圖以及示意性地示出反射鏡向另一側(cè)傾斜的狀態(tài)的說明圖。
[0036]如圖2(a)和圖2(b)以及圖3(a)和圖3(b)所示，電光裝置100在元件基板I的一個表面Is(第一表面)側(cè)矩陣狀地配置多個反射鏡50，反射鏡50遠離元件基板I。元件基板I例如是娃基板。反射鏡50例如是一邊長度具有10?30μηι的平面尺寸的微反射鏡。反射鏡50例如配置為具有800X600至1028 X 1024的排列，一個反射鏡50對應(yīng)于圖像的一個像素。
[0037]反射鏡50的表面為鋁等反射金屬膜構(gòu)成的反射面。電光裝置100具備包含在元件基板I的一個表面Is上形成的基板側(cè)偏壓電極11以及基板側(cè)地址電極12、13等的第一層部分100a、包含高架地址電極(高架7 K V只電極)32、33以及轉(zhuǎn)軸(hinge)35的第二層部分100b、包含反射鏡50的第三層部分100c。在第一層部分I OOa中在元件基板I上形成有地址指定電路14。地址指定電路14具備用于選擇性控制各反射鏡50的動作的存儲單元或字線、位線的布線15等，具有類似于具備CMOS電路16的RAM(隨機存取存儲器)的電路構(gòu)成。
[0038]第二層部分10b包含高架地址電極32、33、轉(zhuǎn)軸35以及反射鏡支柱51。高架地址電極32、33經(jīng)由電極支柱321、331與基板側(cè)地址電極12、13導(dǎo)通的同時由基板側(cè)地址電極12、
13支撐。轉(zhuǎn)軸臂36、37從轉(zhuǎn)軸35的兩端延伸。轉(zhuǎn)軸臂36、37經(jīng)由臂支柱39與基板側(cè)偏壓電極11導(dǎo)通的同時由基板側(cè)偏壓電極11支撐。反射鏡50經(jīng)由反射鏡支柱51與轉(zhuǎn)軸35導(dǎo)通的同時由轉(zhuǎn)軸35支撐。因而，反射鏡50經(jīng)由反射鏡支柱51、轉(zhuǎn)軸35、轉(zhuǎn)軸臂36、37、臂支柱39與基板側(cè)偏壓電極11導(dǎo)通，從基板側(cè)偏壓電極11施加偏壓。此外，反射鏡50傾斜時抵接在轉(zhuǎn)軸臂36、37的前端，形成有防止反射鏡50和高架地址電極32、33的接觸的限位部(stopper，擋塊)361、362、371、372。
[0039]高架地址電極32、33構(gòu)成在與反射鏡50之間產(chǎn)生靜電力以驅(qū)動反射鏡50使其傾斜的驅(qū)動元件30。另外，存在基板側(cè)地址電極12、13也構(gòu)成為在與反射鏡50之間產(chǎn)生靜電力以驅(qū)動反射鏡50傾斜的情況，此時，驅(qū)動元件30由高架地址電極32、33以及基板側(cè)地址電極
12、13構(gòu)成。在對高架地址電極32、33施加驅(qū)動電壓，如圖3(a)和圖3(b)所示，反射鏡50在被高架地址電極32或者高架地址電極33吸引傾斜時轉(zhuǎn)軸35扭轉(zhuǎn)，并且在對高架地址電極32、33的驅(qū)動電壓的施加停止對反射鏡50的吸引力消失時，產(chǎn)生反射鏡50返回平行于元件基板I的姿勢的力。
[0040]在電光裝置100中，例如，如圖3(a)所示反射鏡50向一側(cè)的高架地址電極32—側(cè)傾斜時變成從光源部1002射出的光被反射鏡50向投射光學(xué)系統(tǒng)1004反射的開啟狀態(tài)。與此相對，如圖3 (b)所示，反射鏡50向另一側(cè)的高架地址電極33側(cè)傾斜時變成從光源部1002射出的光被反射鏡50向光吸收裝置1005反射的關(guān)閉狀態(tài)，在所述關(guān)閉狀態(tài)下，光不向投射光學(xué)系統(tǒng)1004反射。所述驅(qū)動在多個反射鏡50的每一個進行的結(jié)果是從光源部1002射出的光被多個反射鏡50調(diào)制為圖像光并從投射光學(xué)系統(tǒng)1004投射，顯示圖像。
[0041]此外，有時將與基板側(cè)地址電極12、13相對的平板狀的軛(yoke)與轉(zhuǎn)軸35設(shè)置為一體，除高架地址電極32、33和反射鏡50之間發(fā)生的靜電力之外，還利用作用于基板側(cè)地址電極12、13和軛之間的靜電力，驅(qū)動反射鏡50。
[0042]電光裝置100的密封構(gòu)造
[0043]圖4是適用本發(fā)明的電光裝置100的截面圖。如圖4所示，在本實施方式的電光裝置100中，參照圖2(a)和圖2(b)以及圖3(a)和圖3(b)說明的形成多個反射鏡50的元件基板I的一個表面Is在被框狀的墊片61以及具有透光性的平板狀的透光性蓋71構(gòu)成的密封部件75密封之后，被固定在基板90的基板安裝部93，然后被密封樹脂98密封。在基板90，基板安裝部93是被側(cè)板部92包圍的有底的凹部，元件基板I用粘結(jié)劑97固定在基板90的底板部91。
[0044]此處，墊片61的元件基板I側(cè)的端部61e被粘結(jié)于元件基板I的一個表面I s。透光性蓋71被粘結(jié)于墊片61的面對元件基板I的端部的相反側(cè)的端部，即端部61f，被端部61f支撐。在該狀態(tài)下，透光性蓋71相對于反射鏡50在間隔規(guī)定的距離的位置面對反射鏡50的表面。因而，光透過透光性蓋71射入反射鏡50之后，被反射鏡50反射的光透過透光性蓋71被射出。在本實施方式中，透光性蓋71由玻璃制成。墊片61可以由玻璃、硅、金屬、樹脂中的任意一種制成，在本實施方式中，作為墊片61可使用玻璃基板或硅基板。此外，密封部件75不限定于如墊片61和透光性蓋71那樣以獨立(多個部件)形成的情況，可以形成為透光性蓋71與墊片61成為一體。
[0045]在元件基板I的一個表面ls，在不與反射鏡50重疊的端部(比墊片61靠外側(cè))形成有多個端子17。在本實施方式中，端子17配置為反射鏡50夾在中間的兩列。多個端子17的一部分經(jīng)由參照圖2(a)和圖2(b)以及圖3(a)和圖3(b)說明的地址指定電路14、基板側(cè)地址電極12、13與高架地址電極32、33(驅(qū)動元件30)電連接。多個端子17的另外一部分經(jīng)由參照圖2(a)和圖2(b)以及圖3(a)和圖3(b)說明的地址指定電路14、基板側(cè)偏壓電極11以及轉(zhuǎn)軸35與反射鏡50電連接。多個端子17的又一部分與設(shè)置于參照圖2(a)和圖2(b)以及圖3(a)和圖3(b)說明的地址指定電路14的前段中設(shè)置的驅(qū)動電路等電連接。
[0046]此處，因為與元件基板I的相反側(cè)為開放狀態(tài)，所以端子17通過引線接合用的引線99與形成于基板90的底板部91的元件基板I側(cè)的表面91s上的內(nèi)部端子94電連接?；?0的底板部91為多層布線基板，內(nèi)部端子94經(jīng)由形成于底板部91中的貫通孔、布線構(gòu)成的多層布線部95與形成于底板部91的元件基板I的相反側(cè)的外表面91t上的外部端子96導(dǎo)通。
[0047]在所述基板90的側(cè)板部92的內(nèi)側(cè)(凹部)上設(shè)置有密封樹脂98。密封樹脂98覆蓋引線99、引線99和端子17的接合部、引線99和內(nèi)部端子94的接合部、元件基板I的周圍以及墊片61和元件基板I的粘結(jié)部的周圍的同時，覆蓋透光性蓋71的側(cè)表面至厚度方向的中途。
[0048]電光裝置100的制造方法
[0049]參照圖5(a)至圖5(d)、圖6(a)至圖6(f)以及圖7(a)至圖7(c)，說明適用本發(fā)明的電光裝置100的制造方法。圖5(a)至圖5(d)是示出適用本發(fā)明的電光裝置100的制造方法的工序截面圖。圖6(a)至圖6(f)是示出用于適用本發(fā)明的電光裝置100的制造的第二晶片20等的制造方法的工序圖，在圖6(a)至圖6(f)中，示出各工序中的晶片的俯視圖，同時在俯視圖的下方示出切斷端面圖。圖7(a)至圖7(c)是示出適用本發(fā)明的電光裝置100的制造工序中利用基板90以及密封樹脂98密封元件基板I的工序的工序截面圖。圖6(b)中省略了反射鏡的圖示，在圖5(a)至圖5(d)中與圖4相比，減少了反射鏡50的數(shù)目，示出了在一個元件基板I上形成三個反射鏡50。
[0050]在本實施方式中，從晶片大量獲取多個元件基板I等。因此，在下面的說明中，大量獲取的多個元件基板I中形成于得到一個基板的區(qū)域的反射鏡50以及端子17分別作為第一反射鏡50a以及第一端子17a進行說明等，在各符號后面附上a進行說明。另外，多個元件基板I中形成于與第一反射鏡50a以及第一端子17a形成的區(qū)域相鄰的區(qū)域的反射鏡50以及端子17分別作為第二反射鏡50b以及第二端子17b進行說明等，在各符號后面附上b進行說明。但是，在不必指定哪個元件基板I的時候不附上述a或b進行說明。
[0051]對于制造本實施方式的電光裝置100，如圖5(a)以及圖6(a)和圖6(b)所示，在第一晶片準備工序中，準備第一晶片10，在可大量獲取元件基板I的大型的第一晶片10的一個表面1s(第一表面)上對要分割元件基板I的每個區(qū)域形成反射鏡50，并且在俯視下(例如從第一晶片10的一個表面1s側(cè)觀察時的俯視下)與反射鏡50相鄰的位置形成驅(qū)動反射鏡50的驅(qū)動元件30(參照圖2(a)和圖2(b)以及圖3(a)和圖3(b))電連接的端子17。
[0052]在第一晶片10的一個表面1s上形成第一反射鏡50a，并且在俯視下與第一反射鏡50a相鄰的位置形成有與驅(qū)動第一反射鏡50a的第一驅(qū)動元件30a(參照圖2(a)和圖2(b)以及圖3(a)和圖3(b))電連接的第一端子17a。另外，在第一晶片10的一個表面1s上，相對于第一端子17a在與第一反射鏡50a相反一側(cè)形成第二反射鏡50b，并且在第一端子17a和第二反射鏡50b之間形成與驅(qū)動第二反射鏡50b的第二驅(qū)動元件30b(參照圖2(a)和圖2(b)以及圖3(a)和圖3(b))電連接的第二端子17b。例如，如圖5(a)以及圖6(a)和圖6(b)所示，通過在可大量獲取元件基板I的大型的第一晶片10的一個表面1s上在要分割元件基板I的每個區(qū)域形成反射鏡50，并且在俯視下與反射鏡50相鄰的位置形成與驅(qū)動反射鏡50的驅(qū)動元件30(參照圖2(a)和圖2(b)以及圖3(a)和圖3(b))電連接的端子17，可以準備第一晶片10。
[0053]另外，如圖5(a)所示，在第二晶片形成工序中，準備可大量獲取墊片61以及透光性蓋71的大型第二晶片20。第二晶片20的一個表面構(gòu)成的第二表面20s中，在將分割墊片61以及透光性蓋71的每個區(qū)域形成底部具有透光性的凹部21，并且形成在相互直角交叉的兩個方向延伸并包圍多個凹部21的各個凹部的有底的槽22。多個凹部21中的一個是第一凹部21a，與第一凹部21a相鄰的凹部21為第二凹部21b。因而，在第二晶片20的第二表面20s形成底部具有透光性的第一凹部21a、底部具有透光性的第二凹部21b以及沿第一凹部21a和第二凹部21b之間延伸的有底的槽22。
[0054]當形成所述第二晶片20時，在第二晶片形成工序中，例如進行圖6(c)?(f)所示的工序。首先，如圖6(c)所示，準備可大量獲取透光性蓋71的透光性晶片70(第四晶片)。另外，如圖6(d)所示，在準備可大量獲取墊片61的墊片用晶片60(第三晶片)之后，在第一工序，通過蝕刻等處理，在墊片用晶片60中形成用于構(gòu)成凹部21的貫通孔66。多個貫通孔66的一個是用于構(gòu)成第一凹部2 Ia的第一貫通孔66a，與第一貫通孔66a相鄰的貫通孔66是用于構(gòu)成第二凹部21b的第二貫通孔66b。接著，如圖6(e)所示，通過半蝕刻等處理，形成在相互直角交叉的兩個方向延伸包圍多個凹部21的各個的有底的槽22。此外，在第一工序中，在形成貫通孔66之后，形成了槽22，然而還可以在形成槽22之后形成貫通孔66。在本實施方式中，透光性蓋71是由玻璃制成的。墊片用晶片60可以是由玻璃、硅、金屬、樹脂中的任意一種制成。
[0055]接著，在第二工序中，如圖6(f)所示，在與墊片用晶片60的槽22開口的表面60s相反一側(cè)的表面60t重疊透光性晶片70并粘結(jié)。結(jié)果，形成墊片用晶片60和透光性晶片70層疊的第二晶片20，在所述第二晶片20中，由墊片用晶片60的表面60s構(gòu)成第二晶片20的第二表面20s，由透光性晶片70的與墊片用晶片60相反一側(cè)的表面構(gòu)成第二晶片20的第三表面20t。另外，貫通孔66(第一貫通孔66a以及第二貫通孔66b)的一個開口端被透光性晶片70堵住，變成底部為透光性的凹部21(第一凹部21a以及第二凹部21b)。
[0056]接著，在粘結(jié)工序中，如圖5(b)所示，凹部21在俯視下(例如從一個表面1s側(cè)觀察第一晶片10時的俯視下)與反射鏡50重疊，粘結(jié)第一晶片10的一個表面1s和第二晶片20的第二表面20s，使槽22與端子17重疊。結(jié)果，第一凹部21a與第一反射鏡50a在俯視下重疊，第二凹部21b與第二反射鏡50b在俯視下重疊，共同的槽22與第一端子17a、第二端子17b以及夾在第一端子17a和第二端子17b之間的區(qū)域在俯視下重疊。在該狀態(tài)下，在第二晶片20中，夾在第一凹部2Ia和槽22之間的部分被粘結(jié)于第一反射鏡50a和第一端子17a之間，在第二晶片20中，夾在第二凹部21b和槽22之間的部分被粘結(jié)于第二反射鏡50b和第二端子17b之間。因而，第一端子17a以及第二端子17b不與第二晶片20粘結(jié)。
[0057]接著，在第二晶片切割工序中，如圖5(c)所示，使第二晶片用切割刀片82(第一切割刀片)從與第二晶片20的第二表面20s相反一側(cè)的表面構(gòu)成的第三表面20t進入并沿槽22對第二晶片20進行切割。結(jié)果，第二晶片20被分割，第二晶片20中由從透光性晶片70分割的平板部分構(gòu)成透光性蓋71，由從墊片用晶片60分割的框部分構(gòu)成墊片61。在本實施方式中，第二晶片用切割刀片82的厚度W2與槽22的寬WO相同。
[0058]接著，在第一晶片切割工序中，如圖5(d)所示，利用第一晶片用切割刀片81(第二切割刀片)在第一晶片10中沿元件基板I被分割的區(qū)域(夾在第一端子17a和第二端子17b之間的區(qū)域)對第一晶片10進行切割。結(jié)果，第一晶片10在第一端子17a和第二端子17b之間被切割。在本實施方式中，第一晶片用切割刀片81的厚度Wl比第二晶片用切割刀片82的厚度W2薄。因而，在第一晶片切割工序中，使第一晶片用切割刀片81相對于第一晶片1從第二晶片20—側(cè)進入第二晶片20的切斷部位(相鄰的透光性蓋71之間以及相鄰的墊片61之間)對第一晶片10進行切割。
[0059]結(jié)果，制造出形成多個反射鏡50的元件基板I的一個表面Is被墊片61以及透光性蓋71密封的多個電光裝置100。利用基板90以及密封樹脂98如圖4所示進一步密封所述電光裝置100時，進行圖7(a)至圖7(c)所示的工序。
[0060]首先，如圖7(a)所示，在準備基板安裝部93為被側(cè)板部92包圍的凹部的基板90之后，如圖7(b)所示，利用粘結(jié)劑97將元件基板I固定在基板安裝部93的底部。接著，如圖7(c)所示，通過引線接合用的引線99電連接元件基板I的端子17和基板90的內(nèi)部端子94。接著，如圖4所示，在基板90的側(cè)板部92的內(nèi)側(cè)注入密封樹脂98之后，使密封樹脂98固化，利用密封樹脂98密封元件基板I。結(jié)果，能夠得到元件基板I被墊片61、透光性蓋71、基板90以及密封樹脂98密封的電光裝置100。
[0061]本實施方式的主要效果
[0062]如以上說明那樣，在本實施方式中，在第一晶片10與密封用的第二晶片20粘結(jié)之后，對第一晶片10以及第二晶片20進行切割，制造多個電光裝置100。此時，在第二晶片20中預(yù)先形成在俯視下與第一端子17a、第二端子17b以及夾在第一端子17a和第二端子17b之間的區(qū)域重疊的槽22。因而，在本實施方式中，在第一晶片10和第二晶片20的粘結(jié)狀態(tài)下，第二晶片20遠離第一端子17a以及第二端子17b。因此，第一端子17a以及第二端子17b不與第二晶片20粘結(jié)。另外，在第二晶片切割工序中，在第二晶片用切割刀片82接近第一端子17a以及第二端子17b之前，第二晶片20被切割。因而，第二晶片用切割刀片82不容易接觸第一端子17a以及第二端子17b而使第一端子17a以及第二端子17b損傷。因此，能夠提高電光裝置100的成品率。
[0063]另外，在本實施方式中，由于以不同工序進行第一晶片切割工序和第二晶片切割工序，在第一晶片10不容易發(fā)生缺損、裂紋等碎裂。
[0064]本發(fā)明的變形例1、2
[0065]圖8(a)和圖8(b)是示出適用本發(fā)明的電光裝置100的制造方法的變形例1、2的說明圖，圖8 (a)和圖(b)是變形例I所涉及的電光裝置100的截面圖以及變形例2所涉及的電光裝置100的截面圖。在上述實施方式中，由于圖5(a)至圖5(d)所示的第二晶片用切割刀片82的厚度W2與槽22的寬度WO相等，因此，如圖4所示，透光性蓋71的側(cè)表面71w以及墊片61的與反射鏡50相反一側(cè)的外側(cè)表面61w整體上是連續(xù)的平面。
[0066]與此相對，在變形例I中，圖5(a)至圖5(d)所示的第二晶片用切割刀片82的厚度W2比槽22的寬度WO厚。因此，如圖8 (a)所示，在透光性蓋71的側(cè)表面7 Iw以及墊片61的面對反射鏡50的表面的相反側(cè)的表面，即外側(cè)表面6Iw，墊片61的元件基板I側(cè)的端部6Ie變成相對于位于與元件基板I相反一側(cè)的部分向反射鏡50的相反側(cè)突出的凸部61g。換言之，在由墊片61以及透光性蓋71構(gòu)成的密封部件75的側(cè)表面(透光性蓋71的側(cè)表面71w以及墊片61的外側(cè)表面61w)中，比第一部分更靠近元件基板I的第二部分形成相對于第一部分向反射鏡50的相反側(cè)突出的凸部61g。由此，因為端子17的與元件基板I相反一側(cè)開放較大，所以容易進行引線接合。在此情況下，因為墊片61和元件基板I的粘結(jié)面積(粘結(jié)寬度)不變窄，所以墊片61和元件基板I之間的密封性能沒有降低。
[0067]另一方面，在變形例2中，圖5(a)至圖5(d)所示的第二晶片用切割刀片82的厚度W2比槽22的寬度WO薄。因此，如圖8 (b)所示，在透光性蓋71的側(cè)表面71w以及墊片61的與反射鏡50相反一側(cè)的外側(cè)表面61w，墊片61的元件基板I側(cè)的端部61e相對于位于元件基板I的相反側(cè)的部分向反射鏡50側(cè)凹陷的凹部61h。換言之，在墊片61以及透光性蓋71構(gòu)成的密封部件75的側(cè)表面(透光性蓋71的側(cè)表面71w以及墊片61的外側(cè)表面61w)，比第一部分更接近元件基板I的第二部分形成相對于第一部分向反射鏡50側(cè)凹陷的凹部61h。在此情況下，因為墊片61和透光性蓋71的粘結(jié)面積(粘結(jié)寬度)沒有變窄，所以墊片61和透光性蓋71之間的密封性能沒有降低。
[0068]本發(fā)明的變形例3
[0069]圖9(a)和圖9(b)是示出適用本發(fā)明的電光裝置100的制造方法的變形例3的說明圖，圖9(a)和圖9(b)是用于變形例3的切割刀片的說明圖以及示出在變形例3利用切割刀片對第一晶片10以及第二晶片20進行切割的情況的說明圖。
[0070]在本實施方式中，如圖9(a)和圖9(b)所示，圖5(a)至圖5(d)所示的第二晶片切割工序以及第一晶片切割工序中，使用第一晶片用切割刀片81和第二晶片用切割刀片82在厚度方向?qū)盈B為同心狀的多階刀片85。在多階刀片85中，第一晶片用切割刀片81比第二晶片用切割刀片82直徑大，第二晶片用切割刀片82從第一晶片用切割刀片81的兩面突出。因而，第二晶片用切割刀片82的厚度W2比第一晶片用切割刀片81的厚度Wl厚。利用所述多階刀片85能夠使多階刀片85相對于第一晶片10從第二晶片20側(cè)進入并在同一工序中連續(xù)進行第二晶片切割工序和第一晶片切割工序。
[0071]此外，在圖9(b)所示的工序中，第二晶片用切割刀片82的厚度W2比槽22的寬度WO厚，然而第二晶片用切割刀片82的厚度W2也可以比槽22的寬度WO薄。
[0072]本發(fā)明的變形例4
[0073]圖10(a)至圖10(d)是示出適用本發(fā)明的電光裝置100的制造方法的變形例4的說明圖，圖10(a)至圖10(d)是示出用于電光裝置100的制造的第二晶片20等的制造方法的工序圖。此外，在圖10(a)至圖10(d)中，示出各工序中的晶片的俯視圖，同時在俯視圖的下部示出切斷端面視圖。
[0074]在本實施方式中，在形成圖5(a)所示的第二晶片20的第二晶片形成工序中，首先，如圖10(a)所示，準備可大量獲取透光性蓋71的透光性晶片70。另外，如圖10(b)所示，在準備可大量獲取墊片61的墊片用晶片60之后，在第一工序中，通過蝕刻等處理，在墊片用晶片60形成用于構(gòu)成凹部21的貫通孔66。多個貫通孔66的一個是用于構(gòu)成第一凹部2 Ia的第一貫通孔66a，與第一貫通孔66a相鄰的貫通孔66是用于構(gòu)成第二凹部21b的第二貫通孔66b。
[0075]在第二工序中，重疊墊片用晶片60和透光性晶片70并粘結(jié)。結(jié)果，貫通孔66(第一貫通孔66a以及第二貫通孔66b)的一個開口端被透光性晶片70堵住，變成底部具有透光性的凹部21(第一凹部21a以及第二凹部21b)。
[0076]接著，在第三工序中，在墊片用晶片60的與透光性晶片70粘結(jié)的表面相反一側(cè)的表面60s上通過半蝕刻等處理形成在相互直角交叉的兩個方向延伸并包圍多個凹部21的各個的有底的槽22。結(jié)果，形成墊片用晶片60和透光性晶片70層疊的第二晶片20，在所述第二晶片20中，由墊片用晶片60的表面60s構(gòu)成第二晶片20的第二表面20s，由透光性晶片70的與墊片用晶片60相反一側(cè)的表面構(gòu)成第二晶片20的第三表面20t。
[0077]本發(fā)明的變形例5
[0078]在上述實施方式中，通過蝕刻等處理，形成了凹部21(貫通孔66)以及槽22，然而可以通過成形等，形成第二晶片20，該第二晶片20形成有凹部21以及槽22。另外，通過成形等，使用形成有貫通孔66以及槽22的墊片用晶片60可以形成第二晶片20。
[0079]其他實施方式
[0080]在上述實施方式中，使用了圓形形狀的晶片，然而該平面形狀也可以是矩形。
[0081 ] 符號說明
[0082]I…元件基板、Is...元件基板的一個表面(第一表面)、10…第一晶片、1s第一晶片的一個表面(第一表面)、17…端子、17a…第一端子、17b…第二端子、Is...基板的一個表面、20…第二晶片、20s…第二表面、20t…第三表面、21...凹部、21a…第一凹部、21b…第二凹部、22...槽、30...驅(qū)動元件、32、33…高架地址電極、35...轉(zhuǎn)軸、50...反射鏡、50a…第一反射鏡、50b…第二反射鏡、51...反射鏡支柱、60...墊片用晶片(第三晶片)、61…墊片、61e…基板側(cè)的端部、61f…與基板相反一側(cè)的端部、61g…凸部、61h…凹部、61w…墊片的外側(cè)表面、66...貫通孔、66a…第一貫通孔、66b…第二貫通孔、70...透光性晶片(第四晶片)、71…透光性蓋、7hr..透光性蓋的側(cè)表面、75...密封部件、81...第一晶片用切割刀片(第二切割刀片)、82...第二晶片用切割刀片(第一切割刀片)、85…多階刀片、90...基板、9l...底板部、92...側(cè)板部、93...基板安裝部、94...內(nèi)部端子、96外部端子、98...密封樹脂、100…電光裝置、1000...投射型顯不裝置(電子設(shè)備)、1002…光源部、1004投射光學(xué)系統(tǒng)、1030...彩色濾光器、W0...槽的寬度、W1...第一晶片用切割刀片的厚度、W2...第二晶片用切割刀片的厚度。
【主權(quán)項】
1.一種電光裝置的制造方法，其特征在于， 所述制造方法具有: 準備第一晶片的第一晶片準備工序，所述第一晶片在第一表面?zhèn)染邆涞谝环瓷溏R、設(shè)置在與所述第一反射鏡在俯視下相鄰的位置并與驅(qū)動所述第一反射鏡的第一驅(qū)動元件電連接的第一端子、相對于所述第一端子位于所述第一反射鏡的相反側(cè)的第二反射鏡以及設(shè)置于所述第一端子和所述第二反射鏡之間并且與驅(qū)動所述第二反射鏡的第二驅(qū)動元件電連接的第二端子； 形成第二晶片的第二晶片形成工序，所述第二晶片在第二表面上設(shè)置有底部具有透光性的第一凹部、底部具有透光性的第二凹部以及所述第一凹部和所述第二凹部之間的槽；粘結(jié)所述第一晶片的所述第一表面和所述第二晶片的所述第二表面的粘結(jié)工序，其中，所述第一凹部在俯視下與所述第一反射鏡重疊，所述第二凹部在俯視下與所述第二反射鏡重疊，并且所述槽在俯視下與所述第一端子、所述第二端子以及夾在所述第一端子和所述第二端子之間的區(qū)域重疊； 第二晶片切割工序，使第一切割刀片從所述第二晶片的在所述第二表面的相反側(cè)的第三表面進入并沿所述槽對所述第二晶片進行切割； 第一晶片切割工序，由第二切割刀片在所述第一端子和所述第二端子之間對所述第一晶片進行切割。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 所述第二切割刀片的厚度比所述第一切割刀片的厚度薄， 在所述第一晶片切割工序中，使所述第二切割刀片相對于所述第一晶片從所述第二表面?zhèn)冗M入并對所述第一晶片進行切割。3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 所述第一切割刀片的厚度比所述槽的寬度厚。4.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 所述第一切割刀片的厚度比所述槽的寬度薄。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 使用所述第二切割刀片與所述第一切割刀片在厚度方向?qū)盈B的多階刀片， 使所述多階刀片相對于所述第一晶片從所述第二晶片一側(cè)進入并連續(xù)地進行所述第二晶片切割工序和所述第一晶片切割工序。6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述第二晶片形成工序中進行: 在第三晶片形成第一貫通孔、第二貫通孔以及所述槽的第一工序、 在所述第三晶片的所述槽開口的一側(cè)的相反側(cè)的表面將具有透光性的第四晶片重疊粘結(jié)的第二工序。7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述第二晶片形成工序中進行: 在第三晶片形成第一貫通孔以及第二貫通孔的第一工序、 將所述第三晶片和具有透光性的第四晶片重疊粘結(jié)的第二工序、 在所述第三晶片的粘結(jié)于所述第四晶片的表面的相反側(cè)的表面形成所述槽的第三工序。8.—種電光裝置，其特征在于， 所述電光裝置具有: 元件基板，所述元件基板在第一表面?zhèn)染邆浞瓷溏R以及設(shè)置在與所述反射鏡在俯視下相鄰的位置并且與驅(qū)動所述反射鏡的驅(qū)動元件電連接的端子； 密封部件，所述密封部件具有粘結(jié)于所述元件基板的所述第一表面?zhèn)炔⑶以诟┮曄掳鼑龇瓷溏R的墊片以及支撐在所述墊片的面對所述元件基板的端部的相反側(cè)的端部上并且與所述反射鏡在俯視下重疊的板狀的透光性蓋， 其中，在所述密封部件的側(cè)表面，比第一部分更接近所述元件基板的第二部分相對于所述第一部分向所述反射鏡的相反側(cè)突出。9.一種電光裝置，其特征在于， 所述電光裝置具有: 元件基板，所述元件基板在第一表面?zhèn)染邆浞瓷溏R以及設(shè)置在與所述反射鏡在俯視下相鄰的位置并且與驅(qū)動所述反射鏡的驅(qū)動元件電連接的端子； 密封部件，所述密封部件具有粘結(jié)于所述元件基板的所述第一表面?zhèn)炔⑶以诟┮曄掳鼑龇瓷溏R的墊片以及支撐在所述墊片的面對所述元件基板的端部的相反側(cè)的端部上并且與所述反射鏡在俯視下重疊的板狀的透光性蓋， 其中，在所述密封部件的側(cè)表面，比第一部分更接近所述元件基板的第二部分相對于所述第一部分向所述反射鏡側(cè)凹陷。10.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備根據(jù)權(quán)利要求8或者9所述的電光裝置，并且 具有向所述反射鏡照射光源光的光源部。
【文檔編號】G02B26/08GK106019575SQ201610159373
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月21日
【發(fā)明人】近藤學(xué)
【申請人】精工愛普生株式會社