電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的制造方法以及電子設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的制造方法以及電子設(shè)備。在上述電光學(xué)裝置中，對(duì)反射鏡配置透光性蓋，在光通過(guò)透光性蓋對(duì)反射鏡照射時(shí)，由于被照射的光的原因，透光性蓋的溫度將會(huì)上升。這里，電光學(xué)裝置中設(shè)置有與透光性蓋和元件基板相接的第一金屬部。因此，能夠通過(guò)第一金屬部及元件基板1將透光性蓋的熱釋放到基板。
【專利說(shuō)明】
電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的制造方法以及電子設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及具有反射鏡的電光學(xué)裝置的制造方法、電光學(xué)裝置以及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]作為電子設(shè)備，已知例如通過(guò)被稱為DMD(數(shù)字微鏡器件)的電光學(xué)裝置的多個(gè)反射鏡(微鏡)將光源射出的光調(diào)制后，通過(guò)利用投射光學(xué)系統(tǒng)將調(diào)制光放大投射，在熒幕上顯示圖像的投射型顯示裝置等。如圖18所示，用于這種投射型顯示裝置等的電光學(xué)裝置例如，包括:一個(gè)面Is上設(shè)置有反射鏡50的元件基板1、在俯視圖上以包圍反射鏡50的方式與元件基板I的一個(gè)面Is側(cè)粘接的間隔部件28、被間隔部件28的與元件基板I相反的相反側(cè)的端部支撐的板狀的透光性蓋29。而且，電光學(xué)裝置具有例如由側(cè)壁92圍成的形成有凹狀的基板安裝部93的密封基板90，元件基板I被用粘合劑層97固定在基板安裝部93的底部后，被設(shè)置在基板安裝部93的環(huán)氧樹(shù)脂類等密封樹(shù)脂98密封。
[0003]在這樣構(gòu)成的電光學(xué)裝置中，光透過(guò)透光性蓋29入射到反射鏡50，由反射鏡50反射的光透過(guò)透光性蓋29后射出。因此，由于被照射的光的原因，透光性蓋29的溫度上升。這種溫度上升成為使電光學(xué)裝置溫度上升的原因，有可能導(dǎo)致電光學(xué)裝置產(chǎn)生誤動(dòng)作以及壽命降低。
[0004]另一方面，作為提高對(duì)基板安裝的設(shè)備的放熱性的方法，提出了擴(kuò)大設(shè)備與密封樹(shù)脂的接觸面積的技術(shù)(參照專利文獻(xiàn)I)。例如圖18所示，被構(gòu)成為在比密封樹(shù)脂98的表面與密封基板90的側(cè)壁92接觸的位置更高的位置上，密封樹(shù)脂98的表面與透光性蓋29接觸。根據(jù)這種構(gòu)成，能夠提高從透光性蓋29到密封樹(shù)脂98的熱的傳遞效率。
[0005]然而，由于根據(jù)圖18所示的構(gòu)成，即使提高了從透光性蓋29到密封樹(shù)脂98的熱的傳遞效率，密封樹(shù)脂98自身的熱傳遞效率也低，因而存在不能充分抑制元件基板I的溫度上升的問(wèn)題。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:美國(guó)專利US 7,898,724 B2。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的課題在于提供一種能夠有效釋放相對(duì)于反射鏡配置在光照射側(cè)的透光性蓋的熱的電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的制造方法、以及電子設(shè)備。
[0010]為了解決上述課題，本發(fā)明涉及的電光學(xué)裝置的一方面，其特征在于，具有:基板；搭載在上述基板上的元件基板;設(shè)置在上述元件基板的第一面?zhèn)鹊姆瓷溏R；設(shè)置在上述元件基板的上述第一面?zhèn)?，?qū)動(dòng)上述反射鏡的驅(qū)動(dòng)元件;有透光性的透光性蓋，上述透光性蓋被設(shè)置為使上述反射鏡位于上述透光性蓋與上述元件基板之間；與上述元素基板和上述透光性蓋相接的第一金屬部。
[0011]本發(fā)明的“相接”，不僅限于部件之間直接相接的情況，是也包括部件之間通過(guò)粘合劑層等，在導(dǎo)熱這一觀點(diǎn)上大體可以無(wú)視的層而相接的情況在內(nèi)的意思。
[0012]在本發(fā)明涉及的電光學(xué)裝置中，光透過(guò)透光性蓋入射到反射鏡，由反射鏡反射的光透過(guò)透光性蓋后射出。因此，由于被照射的光的原因，透光性蓋的溫度將會(huì)上升。然而，在本發(fā)明涉及的電光學(xué)裝置中，由于設(shè)置有與透光性蓋和元件基板相接的第一金屬部，因此，能夠通過(guò)第一金屬部、元件基板及基板有效地釋放透光性蓋的熱。因此，可以抑制電光學(xué)裝置的溫度上升，抑制電光學(xué)裝置的誤動(dòng)作及壽命降低。
[0013]在本發(fā)明中，優(yōu)選上述第一金屬部被設(shè)置為在俯視中包圍上述反射鏡的周圍的框狀。根據(jù)這種構(gòu)成，能夠通過(guò)第一金屬部、元件基板及基板有效地釋放透光性蓋的熱。
[0014]在本發(fā)明中，優(yōu)選具有與上述基板和上述透光性蓋相接的第二金屬部。根據(jù)這種構(gòu)成，能夠通過(guò)第二金屬部將透光性蓋的熱有效地釋放到基板。因此，可以抑制電光學(xué)裝置的溫度上升，抑制電光學(xué)裝置的誤動(dòng)作及壽命降低。
[0015]在本發(fā)明中，上述第二金屬部可以采用固定在上述透光性蓋和上述基板上的金屬框架方式。
[0016]在本發(fā)明中，優(yōu)選上述第二金屬部進(jìn)一步與上述第一金屬部相接。根據(jù)這種構(gòu)成，可以將熱從第一金屬部釋放到第二金屬部，另一方面，也可以將熱從第二金屬部釋放到第一金屬部。
[0017]在本發(fā)明中，上述第一金屬部可以采用與上述透光性蓋的上述元件基板側(cè)的端部和上述元件基板相接的方式。
[0018]在本發(fā)明中，上述第一金屬部可以采用與上述透光性蓋的側(cè)面和上述元件基板相接的方式。
[0019]在本發(fā)明中，上述第一金屬部也可以采用由覆蓋從上述元件基板的上述第一面突出的樹(shù)脂部的金屬層構(gòu)成的方式。
[0020]在本發(fā)明中，可以采用在上述第二金屬部和上述基板之間具有與上述元件基板的側(cè)面及上述透光性蓋的側(cè)面相接的密封樹(shù)脂的方式。根據(jù)這種構(gòu)成，能夠通過(guò)密封樹(shù)脂釋放透光性蓋和元件基板的熱。而且，能夠通過(guò)密封樹(shù)脂抑制水分侵入形成有反射鏡的部分。
[0021]在本發(fā)明中，可以采用下述的方式，即具有:密封樹(shù)脂，其與上述元件基板的側(cè)面及上述透光性蓋的側(cè)面相接；以及，透光性的無(wú)機(jī)材料層，其層疊在上述透光性蓋的與和上述反射鏡相對(duì)的面相反的相反側(cè)的面、及上述密封樹(shù)脂的與和上述基板相對(duì)的面相反的相反側(cè)的面上，并與上述基板相接。根據(jù)這種構(gòu)成，能夠通過(guò)密封樹(shù)脂及無(wú)機(jī)材料層釋放透光性蓋及元件基板的熱。而且，能夠通過(guò)無(wú)機(jī)材料層及密封樹(shù)脂抑制水分的侵入。
[0022]本發(fā)明涉及的電光學(xué)裝置的制造方法的一方面，其特征在于，具有:配置工序，其是對(duì)在第一面上具備反射鏡、及驅(qū)動(dòng)上述反射鏡的驅(qū)動(dòng)元件的元件基板設(shè)置具有透光性的透光性蓋的工序，以上述反射鏡位于上述透光性蓋和上述元件基板之間，第一金屬部與上述透光性蓋和上述元件基板接觸的方式設(shè)置上述透光性蓋；以及搭載工序，其在基板上搭載上述元件基板。
[0023]在本發(fā)明涉及的電光學(xué)裝置的制造方法中，在上述配置工序前，先在上述元件基板上設(shè)置上述第一金屬部，在上述配置工序中，設(shè)置上述透光性蓋時(shí)，可以采用使上述透光性蓋與上述第一金屬部接觸的方式。
[0024]在本發(fā)明涉及的電光學(xué)裝置的制造方法中，在上述配置工序前，先在上述透光性蓋上設(shè)置上述第一金屬部，在上述配置工序中，設(shè)置上述透光性蓋時(shí)，也可以采用使上述元件基板與上述第一金屬部接觸的方式。
[0025]在本發(fā)明涉及的電光學(xué)裝置的制造方法中，優(yōu)選具有形成在上述透光性蓋和上述基板上接觸第二金屬部的狀態(tài)的工序。
[0026]在本發(fā)明涉及的電光學(xué)裝置的制造方法中，也可以在上述配置工序前，先在上述透光性蓋上設(shè)置上述第二金屬部，在上述配置工序中，設(shè)置上述透光性蓋時(shí)，形成上述基板與上述第二金屬部相接的狀態(tài)。
[0027]在本發(fā)明中，優(yōu)選在形成上述基板與上述第二金屬部相接的狀態(tài)時(shí)，上述第一金屬部與上述第二金屬部變?yōu)橄嘟拥臓顟B(tài)。
[0028]適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置可以用于各種電子設(shè)備，這種情況下，在電子設(shè)備上設(shè)置對(duì)上述反射鏡照射光源光的光源部。而且，在作為電子設(shè)備構(gòu)成投射型顯示裝置時(shí)，電子設(shè)備上還設(shè)置用于照射被上述反射鏡調(diào)制后的光的投射光學(xué)系統(tǒng)。
【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1是示出作為適用了本發(fā)明的電子設(shè)備的投射型顯示裝置的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。
[0030]圖2的(a)、圖2的(b)是示意性地示出適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置的基本構(gòu)成的說(shuō)明圖，圖2的(a)是立體圖，圖2的(b)是分解立體圖。
[0031]圖3的(a)、圖3的(b)是示意性地示出適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置的重要部分的A-A’斷面的說(shuō)明圖。
[0032]圖4的(a)、圖4的(b)是本發(fā)明的實(shí)施方式一涉及的電光學(xué)裝置的說(shuō)明圖，圖4的(a)是俯視圖，圖4的(b)是斷面圖。
[0033]圖5的(a)、圖5的(b)、圖5的(C)、圖5的(d)是示出本發(fā)明的實(shí)施方式一涉及的電光學(xué)裝置的制造方法的工序斷面圖。
[0034]圖6是用于本發(fā)明的實(shí)施方式一涉及的電光學(xué)裝置的制造的第一晶片的俯視圖。
[0035]圖7的(a)、圖7的(b)、圖7的(C)是示出了在本發(fā)明的實(shí)施方式一涉及的電光學(xué)裝置的制造方法中，將元件基板安裝在基板上的工序等的工序斷面圖。
[0036]圖8是本發(fā)明的實(shí)施方式二涉及的電光學(xué)裝置的斷面圖。
[0037]圖9的(a)、圖9的(b)、圖9的(C)、圖9的(d)是示出本發(fā)明的實(shí)施方式二涉及的電光學(xué)裝置的制造方法的工序斷面圖。
[0038]圖10的(a)、圖10的(b)、圖10的(C)是示出了在本發(fā)明的實(shí)施方式二涉及的電光學(xué)裝置的制造方法中，將元件基板安裝在基板上的工序等的工序斷面圖。
[0039]圖11的(a)、圖11的(b)、圖11的(C)、圖11的(d)是示出本發(fā)明的實(shí)施方式二涉及的電光學(xué)裝置的其它制造方法的工序斷面圖。
[0040]圖12是本發(fā)明的實(shí)施方式三涉及的電光學(xué)裝置的斷面圖。
[0041]圖13的(a)、圖13的(b)是示出本發(fā)明的實(shí)施方式三涉及的電光學(xué)裝置的制造方法的工序斷面圖。
[0042]圖14的(a)、圖14的(b)、圖14的(C)是示出了在本發(fā)明的實(shí)施方式三涉及的電光學(xué)裝置中，將元件基板安裝在基板上的工序等的工序斷面圖。
[0043]圖15是示出用于本發(fā)明的實(shí)施方式三涉及的電光學(xué)裝置的第一金屬部的其它構(gòu)成例的斷面圖。
[0044]圖16是本發(fā)明的實(shí)施方式四涉及的電光學(xué)裝置的斷面圖。
[0045]圖17是本發(fā)明的實(shí)施方式五涉及的電光學(xué)裝置的斷面圖。
[0046]圖18是本發(fā)明的參考例涉及的電光學(xué)裝置的斷面圖。
[0047]符號(hào)說(shuō)明
[0048]1、元件基板11、基板側(cè)偏壓電極
[0049]17、端子25、透光性蓋
[0050]30、驅(qū)動(dòng)元件32、33、高架地址電極
[0051]35、鉸鏈50、反射鏡
[0052]71、72、73、第一金屬部81、第二金屬部
[0053]85、金屬框架86、端板部
[0054]87、胴部88、無(wú)機(jī)材料層
[0055]90、基板94、內(nèi)部電極
[0056]96、外部電極97、101、102、103、104、粘合劑層
[0057]98、密封樹(shù)脂99、引線
[0058]100、電光學(xué)裝置100s、層壓體
[0059]130、層壓體251、框部
[0060]252、平板部256、端部
[0061]257、側(cè)面731、樹(shù)脂部
[0062]732、金屬層860、開(kāi)口部
[0063]1000、投射型顯示裝置1002、光源部
[0064]1004、投射光學(xué)系統(tǒng)1030、彩色濾光片
[0065]1100、被投射物1020、光源。
【具體實(shí)施方式】
[0066]參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在以下的說(shuō)明中，對(duì)作為適用了本發(fā)明的電子設(shè)備的投射型顯示裝置進(jìn)行說(shuō)明。而且，在以下的說(shuō)明所參照的圖中，為使各層及各部件形成附圖上可認(rèn)識(shí)的程度的大小，對(duì)各層及各部件的每一個(gè)均采用不同的比例尺。而且，附圖所示的反射鏡等的數(shù)目設(shè)定為使得其大小為在附圖上可認(rèn)識(shí)的程度，但也可以設(shè)置比該附圖所示的數(shù)目更多的反射鏡等。在以下的方式中，記載為“配置在第一面?zhèn)取钡那闆r可以包括例如，配置為與第一面相接的情況、或通過(guò)其它構(gòu)成物配置在第一面上的情況、或配置為一部分與第一面相接，一部分通過(guò)其它構(gòu)成物配置的情況。
[0067][實(shí)施方式一]
[0068](作為電子設(shè)備的投射型顯示裝置)
[0069]圖1是示出作為適用了本發(fā)明的電子設(shè)備的投射型顯示裝置的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。圖1所示的投射型顯示裝置1000具有光源部1002、基于圖像信息調(diào)制光源部1002射出的光的電光學(xué)裝置100、將電光學(xué)裝置100調(diào)制后的光作為投射圖像對(duì)熒幕等被投射物1100投射的投射光學(xué)系統(tǒng)1004。光源部1002具有光源1020和彩色濾光片1030。光源1020射出白色光，彩色濾光片1030伴隨著旋轉(zhuǎn)射出各種顏色的光，電光學(xué)裝置100在與彩色濾光片1030的旋轉(zhuǎn)同步的定時(shí)，調(diào)制入射來(lái)的光?？梢允褂脤⒐庠?020射出的光轉(zhuǎn)換成各種顏色的光的熒光體基板，以替代彩色濾光片1030。而且，可以對(duì)各種顏色的光設(shè)置光源部1002及電光學(xué)裝置100。
[0070](電光學(xué)裝置100的基本構(gòu)成)
[0071]圖2是示意性地示出適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置100的基本構(gòu)成的說(shuō)明圖，圖2的(a)、圖2的(b)分別是示出電光學(xué)裝置100的重要部分的說(shuō)明圖，以及電光學(xué)裝置100的重要部分的分解立體圖。圖3是示意性地示出了適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置100的重要部分的A-A’斷面的說(shuō)明圖，圖3的(a)、圖3的(b)分別是示出反射鏡向一方側(cè)傾斜的狀態(tài)的說(shuō)明圖，以及示意性地示出反射鏡向另一方側(cè)傾斜的狀態(tài)的說(shuō)明圖。
[0072]如圖2及圖3所示，電光學(xué)裝置100中，多個(gè)反射鏡50以矩陣狀配置在元件基板I的一面Is(第一面)側(cè)，反射鏡50從元件基板I分離。元件基板I是例如硅基板。反射鏡50是具有一個(gè)邊的長(zhǎng)度是例如10?30μπι的平面尺寸的微鏡。反射鏡50被以800X600到1028 X 1024的陣列配置，一個(gè)反射鏡50對(duì)應(yīng)于圖像的一個(gè)像素。
[0073]反射鏡50的表面形成由鋁等反射金屬膜構(gòu)成的反射面。電光學(xué)裝置100具有:包括在元件基板I的一面Is上形成的基板側(cè)偏壓電極11及基板側(cè)地址電極12、13等的一階部分100a、包括高架地址電極32、33及鉸鏈35的二階部分100b、包括反射鏡50的三階部分100c。在一階部分10a中，元件基板I上形成有地址指定電路14。地址指定電路14具備用于選擇性地控制各反射鏡50的動(dòng)作的內(nèi)存單元、以及字線、位線的配線15等，具有類似于具備CMOS電路16的RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的電路構(gòu)成。
[0074]二階部分10b包括高架地址電極32、33、鉸鏈35、以及鏡柱51。高架地址電極32、33通過(guò)電極柱321、331與基板側(cè)地址電極12、13導(dǎo)通，同時(shí)，受到基板側(cè)地址電極12、13的支撐。鉸鏈臂36、37從鉸鏈35的兩端延伸。鉸鏈臂36、37通過(guò)臂柱39與基板側(cè)偏壓電極11導(dǎo)通，同時(shí)，受到基板側(cè)偏壓電極11的支撐。反射鏡50通過(guò)鏡柱51與鉸鏈35導(dǎo)通，同時(shí)，受到鉸鏈35的支撐。因此，反射鏡50通過(guò)鏡柱51、鉸鏈35、鉸鏈臂36、37、臂柱39與基板側(cè)偏壓電極11導(dǎo)通，從基板側(cè)偏壓電極11被施加偏壓電壓。鉸鏈臂36、37的前端在反射鏡50傾斜時(shí)抵接，形成防止反射鏡50與高架地址電極32、33的接觸的擋板361、362、371、372。
[0075]高架地址電極32、33在與反射鏡50之間產(chǎn)生靜電力，為使反射鏡50傾斜而構(gòu)成驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)元件30。而且，基板側(cè)地址電極12、13也有被構(gòu)成為在與反射鏡50之間產(chǎn)生靜電力，為使反射鏡50傾斜而驅(qū)動(dòng)的情況，這種情況下，驅(qū)動(dòng)元件30就由高架地址電極32、33、以及基板側(cè)地址電極12、13構(gòu)成。鉸鏈35在高架地址電極32、33被施加驅(qū)動(dòng)電壓，如圖3所示，反射鏡50在以向高架地址電極32或高架地址電極33被吸引的方式傾斜時(shí)彎曲，在驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)高架地址電極32、33的施加停止，對(duì)反射鏡50的吸引力消失了的時(shí)候，發(fā)出使反射鏡50返回與元件基板I平行的姿勢(shì)的力。
[0076]在電光學(xué)裝置100中，例如，圖3的(a)所示，反射鏡50向一方側(cè)的高架地址電極32的一方傾斜后，成為從光源部1002射出的光通過(guò)反射鏡50向投射光學(xué)系統(tǒng)1004反射的啟動(dòng)狀態(tài)。與此相反，如圖3的(b)所示，反射鏡50向另一方側(cè)的高架地址電極33的一方傾斜后，就成為從光源部1002射出的光通過(guò)反射鏡50向光吸收裝置1005反射的停止?fàn)顟B(tài)，在這種停止?fàn)顟B(tài)下，光不會(huì)被反射到投射光學(xué)系統(tǒng)1004。這種驅(qū)動(dòng)由多個(gè)反射鏡50分別執(zhí)行，其結(jié)果是，從光源部1002射出的光通過(guò)多個(gè)反射鏡50被調(diào)制成圖像光而從投射光學(xué)系統(tǒng)1004投射，顯示出圖像。
[0077]也可能將與基板側(cè)地址電極12、13相對(duì)的平板形的軛架與鉸鏈35設(shè)置成一體，除了利用高架地址電極32、33與反射鏡50之間產(chǎn)生的靜電力以外，也利用在基板側(cè)地址電極
12、13與軛架之間起作用的靜電力來(lái)驅(qū)動(dòng)反射鏡50。
[0078](電光學(xué)裝置100的整體構(gòu)造)
[0079]圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式一涉及的電光學(xué)裝置100的說(shuō)明圖，圖4的(a)、圖4的(b)是電光學(xué)裝置100的俯視圖，以及Al-Al ’斷面圖。
[0080]如圖4所示，在本實(shí)施方式的電光學(xué)裝置100中，在一面Is上形成了多個(gè)參照?qǐng)D2及圖3所說(shuō)明的反射鏡50以及驅(qū)動(dòng)元件30的元件基板I，在一面Is被透光性蓋25密封后，通過(guò)由銀膏等構(gòu)成的粘合劑層97搭載在由陶瓷基板等構(gòu)成的基板90的安裝面908上。具體而言，與元件基板I的一面IS相反一側(cè)的另一面It通過(guò)使用粘合劑層97與基板90的安裝面90s粘接。銀膏由于導(dǎo)熱性高，具有優(yōu)異的從元件基板I向基板90的導(dǎo)熱性。
[0081]在元件基板I的一面Is，在與反射鏡50在俯視圖上不重疊的端部上形成有多個(gè)端子17。本實(shí)施方式中，端子17以?shī)A著反射鏡50的方式被配置成兩列。多個(gè)端子17的一部分通過(guò)參照?qǐng)D2及圖3說(shuō)明的地址指定電路14及基板側(cè)地址電極12、13，與高架地址電極32、33(驅(qū)動(dòng)元件30)電連接。多個(gè)端子17的其它一部分通過(guò)參照?qǐng)D2及圖3說(shuō)明的地址指定電路
14、基板側(cè)偏置電極11以及鉸鏈35與反射鏡50電連接。多個(gè)端子17的另外一部分與設(shè)置在參照?qǐng)D2和圖3說(shuō)明的地址指定電路14的前段的驅(qū)動(dòng)電路等電連接。
[0082]端子17通過(guò)在基板90的安裝面90s的一側(cè)形成的內(nèi)部電極94和引線鍵合用的引線99電連接。基板90是多層配線基板，內(nèi)部電極94通過(guò)由通孔及配線構(gòu)成的多層配線部95，與形成在和安裝面90s相反的面90t上的外部電極96導(dǎo)通。
[0083](透光性蓋25的構(gòu)成)
[0084]具有透光性的透光性蓋25在俯視圖上(例如，從一面Is側(cè)看元件基板I時(shí)的俯視圖)具備包圍反射鏡50和驅(qū)動(dòng)元件(參照?qǐng)D2及圖3)的周圍的框部251(間隔部件)、和平板部252，透光性蓋25中配置有反射鏡50的部分形成凹部21。平板部252在與元件基板I相反一側(cè)與反射鏡50相對(duì)。換言之，平板部252被設(shè)置為使得反射鏡50位于平板部252與元件基板I之間。這種透光性蓋25中，框部251的元件基板I側(cè)的端部256通過(guò)后述的第一金屬部71固定在元件基板I上。這種狀態(tài)下，平板部252在與元件基板I相反一側(cè)在相對(duì)反射鏡50隔著規(guī)定距離的位置上，與反射鏡50的表面相對(duì)。
[0085]在本實(shí)施方式中，透光性蓋25由框部251和平板部252形成一體的透光性部件構(gòu)成。例如，透光性蓋25由框部251和平板部252形成一體的具有透光性的玻璃構(gòu)成。因此，框部251和平板部252連續(xù)地相接，在框部251和平板部252之間不存在界面。
[0086]在如此構(gòu)成的電光學(xué)裝置100中，被照射的光透過(guò)平板部252入射到反射鏡50后，由反射鏡50反射，透過(guò)平板部252射出。在本實(shí)施方式中，透光性蓋25的內(nèi)側(cè)可采用存在空氣的構(gòu)成、以惰性氣體等替代空氣填充的構(gòu)成、或形成真空的構(gòu)成。
[0087](第一金屬部71的構(gòu)成)
[0088]在本實(shí)施方式的電光學(xué)裝置100中，框部251的元件基板I側(cè)的端部256在端子17和反射鏡50之間，通過(guò)第一金屬部71固定在元件基板I上。因此，第一金屬部71與透光性蓋25和元件基板I相接。第一金屬部71沿框部251的端部256跨越全周形成框狀，在俯視圖(例如從一面Is側(cè)看元件基板I時(shí)的俯視圖)上，包圍著配置有反射鏡50的區(qū)域55的周圍。因此，第一金屬部71跨越全周與框部251的端部256和元件基板I相接。圖4的(a)所示的區(qū)域55的外緣表示形成有多個(gè)反射鏡50的區(qū)域的外緣，在區(qū)域55的一部分上也可以無(wú)需形成反射鏡50 ο
[0089]第一金屬部71由例如形成在元件基板I側(cè)的金屬部構(gòu)成，這種情況下，框部251的端部256通過(guò)粘合劑層與第一金屬部71粘接。此外，第一金屬部71也有由形成在框部251的端部256上的金屬部構(gòu)成的情況，這種情況下，元件基板I通過(guò)粘合劑層與第一金屬部71粘接。在本實(shí)施方式中，第一金屬部71由形成在元件基板I側(cè)的金屬部構(gòu)成。作為這種粘合劑層，例如，可以使用銀膏。
[0090](第二金屬部81的構(gòu)成)
[0091]在本實(shí)施方式的電光學(xué)裝置100中，設(shè)置有與基板90和透光性蓋25相接的第二金屬部81。在本實(shí)施方式中，第二金屬部81是通過(guò)粘合劑層101固定在透光性蓋25的平板部252的、與和反射鏡50相對(duì)的面相反的相反側(cè)的面252s(表面)上的金屬框架85。金屬框架85具有與基板90相對(duì)的端板部86、從端板部86的外緣向基板90突出的角形的胴部87，胴部87的基板90側(cè)的端部876通過(guò)粘合劑層與基板90粘接。因此，第二金屬部81(金屬框架85)與基板90相接。作為這種粘合劑層，可以使用例如銀膏。而且，金屬框架85是可伐合金制或銅制。
[0092]在端板部86中，在俯視圖上與透光性蓋25重疊的位置上形成有開(kāi)口部860。因此，端板部86中，開(kāi)口部860側(cè)的端部通過(guò)粘合劑層101與透光性蓋25的端部粘接。因此，透光性蓋25處于從端板部86的開(kāi)口部860露出的狀態(tài)。而且，端板部86在包圍開(kāi)口部860的全周，通過(guò)粘合劑層101與透光性蓋25相接。作為這種粘合劑層101，可以使用例如銀膏。
[0093](本實(shí)施方式的主要效果)
[0094]如上所述，在本實(shí)施方式的電光學(xué)裝置100中，對(duì)反射鏡50在光照射側(cè)配置有透光性蓋25，當(dāng)光通過(guò)透光性蓋25向反射鏡50照射時(shí)，由于被照射的光的原因，透光性蓋25的溫度將上升。然而，本實(shí)施方式的電光學(xué)裝置100中，設(shè)置有與透光性蓋25和元件基板I相接的第一金屬部71。因此，能夠通過(guò)第一金屬部71、元件基板I及基板90有效地釋放透光性蓋25的熱。此外，在電光學(xué)裝置100中，設(shè)置有與基板90和透光性蓋25相接的第二金屬部81。因此，能夠通過(guò)第二金屬部81將透光性蓋25的熱有效地釋放到基板90。因此，能夠抑制電光學(xué)裝置100的溫度上升，從而能夠抑制電光學(xué)裝置100的誤動(dòng)作及壽命降低。
[0095]而且，第一金屬部71跨越全周，與框部251的端部256和元件基板I相接。因此，能夠通過(guò)第一金屬部71有效地釋放透光性蓋25的熱。而且，由于反射鏡50被透光性蓋25、第一金屬部71及元件基板I密封，因此，水分難以侵入配置有反射鏡50的空間。因此，在驅(qū)動(dòng)了反射鏡50的時(shí)候，難以發(fā)生由于水滴，反射鏡50以傾斜的狀態(tài)被周圍的部件吸附而變得不能移動(dòng)等不良情況。
[0096]而且，第二金屬部81是以跨越全周與透光性蓋25及基板90相接的方式粘接的金屬框架85。因此，可以密封住金屬框架85的內(nèi)部。因此，水分難以侵入配置有反射鏡50的空間。而且，在透光性蓋25中，包圍配置有反射鏡50的區(qū)域的周圍的框部251、與反射鏡50相對(duì)的平板部252形成為一體。因此，不會(huì)發(fā)生水分從框部251和平板部252之間侵入這種情況。
[0097](電光學(xué)裝置100的制造方法)
[0098]參照?qǐng)D5、圖6及圖7，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式一涉及的電光學(xué)裝置100的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖5是示出本發(fā)明的實(shí)施方式一涉及的電光學(xué)裝置100的制造方法的工序斷面圖。圖6是用于本發(fā)明的實(shí)施方式一涉及的電光學(xué)裝置100的制造的第一晶片10的俯視圖。圖7是示出在本發(fā)明的實(shí)施方式一涉及的電光學(xué)裝置100的制造方法中，將元件基板I安裝在基板90上的工序等的工序斷面圖。在圖5等中，省略了驅(qū)動(dòng)元件30等的圖示，同時(shí)，示出了與圖4的(b)相比，減少反射鏡50的數(shù)目，2個(gè)反射鏡50形成在一塊元件基板I上的裝置。
[0099]在制造本實(shí)施方式的電光學(xué)裝置100時(shí)，如圖5的(a)及圖6所示，在第一晶片準(zhǔn)備工序中，準(zhǔn)備第一晶片10，其中，在可以制成多個(gè)元件基板I的大型第一晶片10(硅晶片)的一面1s(第一面)上，在元件基板I被分割的每個(gè)區(qū)域均形成反射鏡50及端子17，同時(shí)，在俯視圖上與反射鏡50重疊的位置上形成驅(qū)動(dòng)反射鏡50的驅(qū)動(dòng)元件30(參照?qǐng)D2及圖3)。而且，本實(shí)施方式中，對(duì)于第一晶片1的一面1s，在元件基板I被分割的每個(gè)區(qū)域，框狀地形成由金屬制的凸部構(gòu)成的第一金屬部71。例如，圖5的(a)及圖6所示，對(duì)可以制成多個(gè)元件基板I的大型第一晶片10(硅晶片)的一面10s(第一面)，在元件基板I被分割的每個(gè)區(qū)域均形成反射鏡50及端子17，同時(shí)，在俯視圖上與反射鏡50重疊的位置上形成驅(qū)動(dòng)反射鏡50的驅(qū)動(dòng)元件30(參照?qǐng)D2及圖3)。而且，對(duì)第一晶片10的一面10s，在元件基板I被分割的每個(gè)區(qū)域，框狀地形成由金屬制的凸部構(gòu)成的第一金屬部71。在這種第一金屬部71的形成時(shí)，進(jìn)行例如銅膏等的涂布。
[0100]而且，如圖5的(a)所示，在第二晶片形成工序中，在可制作多個(gè)透光性蓋25的大型的透光性的第二晶片20(玻璃晶片)的一面20s上，對(duì)透光性蓋25被分割的每個(gè)區(qū)域形成凹部21。而且，在相鄰的凹部21之間形成槽22。為了形成這種凹部21及槽22，例如，在第二晶片20的一面20s上形成了抗蝕劑掩膜后的狀態(tài)下，進(jìn)行干法蝕刻，或進(jìn)行使用了氫氧化鉀溶液的濕法蝕刻。
[0101]接下來(lái)，在圖5的(b)所示的粘接工序中，將第一晶片10的一面1s和第二晶片20的一面20s重疊，通過(guò)銀膏等粘接，以使凹部21在俯視圖(例如，從一面1s側(cè)看第一晶片10時(shí)的俯視圖)上與反射鏡50重疊。更具體而言，將第一晶片10的一面1s與形成在第二晶片20上的第一金屬部71粘接，以使凹部21在俯視圖(例如，從一面1s側(cè)看第一晶片10時(shí)的俯視圖)上與反射鏡50重疊。其結(jié)果是，第一金屬部71成為與第一晶片20(元件基板I)和第二晶片20(透光性蓋25)相接的狀態(tài)。而且，反射鏡50變成位于第一晶片(元件基板I)和第二晶片20 (透光性蓋25)之間(配置工序)。
[0102]接下來(lái)，在圖5的(C)、圖5的(d)所示的分割工序中，分割第一晶片10和第二晶片20的層壓體130，得到對(duì)具有反射鏡50的元件基板I重疊并固定透光性蓋25的單品尺寸的層壓體 10s ο
[0103]在這種分割工序中，首先，在第二晶片切割工序中，使刀片(圖中沒(méi)有示出)從與第一晶片10相反的相反側(cè)至到達(dá)槽22為止進(jìn)入第二晶片20，對(duì)第二晶片20進(jìn)行分割。接下來(lái)，在分割工序中，在第一晶片切割工序中，使刀片(圖中沒(méi)有示出)從第二晶片20的一側(cè)通過(guò)第二晶片20的切斷處進(jìn)入第一晶片10，切割第一晶片10。其結(jié)果是，形成有多個(gè)反射鏡50的元件基板I的一面Is被制造成通過(guò)透光性蓋25密封的層壓體100s。
[0104]接下來(lái)，進(jìn)行圖7所示的工序。首先，如圖7的(a)所示，通過(guò)由銀膏等構(gòu)成的粘合劑層97將元件基板I對(duì)基板90進(jìn)行固定(搭載工序)。接下來(lái)，如圖7的(b)所示，通過(guò)引線鍵合用的引線99使元件基板I的端子17與基板90的內(nèi)部電極94電連接。
[0105]接下來(lái)，如圖7的(C)所示，將構(gòu)成第二金屬部81的金屬框架85覆蓋在基板90上，如圖4所示那樣，通過(guò)由銀膏等構(gòu)成的粘合劑層將金屬框架85的胴部87的端部876與基板90粘接。而且，通過(guò)由銀膏等構(gòu)成的粘合劑層101將透光性蓋25的端部與透光性蓋25的端板部86的開(kāi)口部860的周圍粘接。其結(jié)果是，第二金屬部81(金屬框架85)和基板90與透光性蓋25相接，完成電光學(xué)裝置100的制作。
[0106][實(shí)施方式二]
[0107]圖8是本發(fā)明的實(shí)施方式二涉及的電光學(xué)裝置100的斷面圖。圖9是示出本發(fā)明的實(shí)施方式二涉及的電光學(xué)裝置100的制造方法的工序斷面圖。圖10是示出了在本發(fā)明的實(shí)施方式二涉及的電光學(xué)裝置100的制造方法中，將元件基板I安裝在基板90上的工序等的工序斷面圖。由于本實(shí)施方式的基本構(gòu)成和實(shí)施方式一相同，因此共同的部分采用相同的符號(hào)，并省略對(duì)其的說(shuō)明。
[0108]如圖8所示，本實(shí)施方式的電光學(xué)裝置100也與實(shí)施方式一同樣，在一面Is上形成了多個(gè)反射鏡50等的元件基板I，一面Is被透光性蓋25密封后，通過(guò)由銀膏等構(gòu)成的粘合劑層97被安裝到由陶瓷基板等構(gòu)成的基板90的安裝面90s上。透光性蓋25中，框部251和平板部252被構(gòu)成為一體。
[0109]在由此而構(gòu)成的電光學(xué)裝置100中，透光性蓋25的框部251的端部256與元件基板I粘接。本實(shí)施方式中，在透光性蓋25的框部251與端子17之間以沿著透光性蓋25中位于與反射鏡50相反的相反側(cè)的側(cè)面257(換言之，是連接透光性蓋25的與元件基板I相對(duì)的面25t、和與該面相反的相反側(cè)的面25s的側(cè)面257)而設(shè)置的方式設(shè)置有第一金屬部72。第一金屬部72與透光性蓋25的側(cè)面257中框部251的側(cè)面相接，同時(shí)，與元件基板I的一面Is相接。這里，第一金屬部72沿著透光性蓋25的側(cè)面257跨越全周形成框狀，包圍配置有反射鏡50的區(qū)域的周圍。因此，第一金屬部72跨越全周與透光性蓋25的側(cè)面257和框部251的端部256和元件基板I相接。
[0110]第一金屬部72由例如形成在元件基板I的金屬部構(gòu)成，這種情況下，在第一金屬部72與透光性蓋25的側(cè)面257之間設(shè)置有粘合劑層102。作為相關(guān)的粘合劑層102，可以使用例如銀膏。而且，參照?qǐng)D11如后所述，第一金屬部72也有由形成在透光性蓋25上的金屬部構(gòu)成的情況，這種情況下，元件基板I通過(guò)粘合劑層與第一金屬部72相接。即使是這種情況，在透光性蓋25的側(cè)面257與第一金屬部72之間存在間隙時(shí)，間隙中也設(shè)置粘合劑層102。在本實(shí)施方式中，第一金屬部72由形成在元件基板I上的金屬部構(gòu)成。
[0111]而且，在本實(shí)施方式的電光學(xué)裝置100中，設(shè)置有與基板90和透光性蓋25相接的第二金屬部81。在本實(shí)施方式中，第二金屬部81和實(shí)施方式一同樣，是金屬框架85，胴部87的基板90側(cè)的端部876通過(guò)粘合劑層與基板90粘接。因此，第二金屬部81(金屬框架85)與基板90相接。作為這種粘合劑層，可以使用例如銀膏。
[0112]這里，端板部86的開(kāi)口部860中嵌入有透光性蓋25的平板部252，透光性蓋25的側(cè)面257中平板部252的側(cè)面通過(guò)由銀膏等構(gòu)成的粘合劑層102與開(kāi)口部860的內(nèi)面粘接。因此，第二金屬部81(金屬框架85)與透光性蓋25相接。
[0113]而且，第一金屬部72的與元件基板I相反的相反側(cè)的端部725(通過(guò)粘合劑層102與端板部86的開(kāi)口部860的周圍粘接，第二金屬部81(金屬框架85)也與第一金屬部72相接。
[0114]由于在由此而構(gòu)成的電光學(xué)裝置100中，設(shè)置有與透光性蓋25和元件基板I相接的第一金屬部72，因此，能夠通過(guò)第一金屬部72、元件基板I及基板90有效地釋放透光性蓋25的熱。而且，由于電光學(xué)裝置100中設(shè)置有與基板90和透光性蓋25相接的第二金屬部81，因此，能夠通過(guò)第二金屬部81將透光性蓋25的熱有效地釋放到基板90。而且，由于第二金屬部81 (金屬框架85)也和第一金屬部72相接，因此，能夠?qū)釓牡谝唤饘俨?2釋放到第二金屬部81，另一方面，也能夠?qū)釓牡诙饘俨?1釋放到第一金屬部72。因此，能夠抑制電光學(xué)裝置100的溫度上升，從而抑制電光學(xué)裝置100的誤動(dòng)作和壽命降低。
[0115]而且，反射鏡50通過(guò)透光性蓋25及元件基板I被密封。而且，金屬框架85對(duì)內(nèi)部進(jìn)行密封。此外，透光性蓋25中，框部251和平板部252成為一體。因此，能夠防止水分侵入配置有反射鏡50的空間。
[0116]如圖9的(a)所示，為了制造由此而構(gòu)成的電光學(xué)裝置100，在第一晶片準(zhǔn)備工序，對(duì)能制作多數(shù)個(gè)元件基板I的大型的第一晶片10(硅晶片)的一面ls，在元件基板I被分割的每個(gè)區(qū)域形成反射鏡50及端子17等。而且，在本實(shí)施方式，對(duì)第一晶片10的一面10s，在端子17和反射鏡50之間框狀地形成第一金屬部72。在這種第一金屬部72的形成過(guò)程中，進(jìn)行例如銅膏等的涂布。
[0117]而且，如圖9的(a)所示，在第二晶片形成工序，對(duì)能制作多個(gè)透光性蓋25的大型的透光性的第二晶片20(玻璃晶片)的一面20s形成凹部21及槽22。
[0118]接下來(lái)，在圖9的(b)所示的粘接工序，將第一晶片10的一面1s和第二晶片20的一面20s重疊并粘接，使得凹部21在俯視圖(例如，從一面Is看第一晶片10時(shí)的俯視圖)上與反射鏡50重疊。這時(shí)，使用粘合劑102粘接第一金屬部72和第一晶片10的槽22的側(cè)面。其結(jié)果是，第一金屬部72成為與第一晶片10(元件基板I)和第二晶片20(透光性蓋25)相接的狀態(tài)(配置工序)。
[0119]接下來(lái)，在圖9的(C)、圖9的(d)所示的分割工序，分割第一晶片10和第二晶片20的層壓體130，得到透光性蓋25重疊并固定在具有反射鏡50的元件基板I后的單品尺寸的層壓體 10s ο
[0120]接下來(lái)，如圖10的(a)所示，通過(guò)由銀膏等構(gòu)成的粘合劑層97將元件基板I固定在基板90(搭載工序)上。接下來(lái)，如圖10的(b)所示，通過(guò)引線鍵合用的引線99，將元件基板I的端子17和基板90的內(nèi)部電極94電連接。
[0121 ]在接下來(lái)的工序，如圖10的(c)所示，將構(gòu)成第二金屬部81的金屬框架85覆蓋住基板90，如圖8所示，通過(guò)由銀膏等構(gòu)成的粘合劑層粘接金屬框架85的胴部87的端部876和基板90。而且，通過(guò)由銀膏等構(gòu)成的粘合劑層102將金屬框架85的端板部86的開(kāi)口部860的內(nèi)面與透光性蓋25的側(cè)面257粘接。這時(shí)，通過(guò)粘合劑層102將金屬框架85的端板部86和第一金屬部72的與元件基板I相反的相反側(cè)的端部725粘接。因此，在基板90與第二金屬部81成為相接的狀態(tài)時(shí)，第一金屬部72和第二金屬部81成為相接的狀態(tài)。其結(jié)果是，第二金屬部81(金屬框架85)與基板90、透光性蓋25及第一金屬部72相接，電光學(xué)裝置100完成。
[0122](電光學(xué)裝置100的其它制造方法)
[0123]圖11是示出本發(fā)明的實(shí)施方式二涉及的電光學(xué)裝置100的其它制造方法的工序斷面圖。在實(shí)施方式二中，對(duì)第一晶片10(元件基板I)設(shè)置了第一金屬部72，但也可以對(duì)第二晶片20(透光性蓋25)設(shè)置第一金屬部72。更具體而言，如圖11的(a)所示，在第一晶片準(zhǔn)備工序，對(duì)能制作多個(gè)元件基板I的大型的第一晶片10(元件基板I)的一面10s，在元件基板I被分割的每個(gè)區(qū)域形成反射鏡50和端子17等。
[0124]而且，如圖11的(a)所示，在第二晶片形成工序，對(duì)能制作多個(gè)透光性蓋25的大型的透光性的第二晶片20(透光性蓋25)的一面20s形成凹部21和槽22。此外，在本實(shí)施方式中，在第二晶片20的槽22的內(nèi)面框狀地形成第一金屬部72。在這種第一金屬部72的形成過(guò)程中，進(jìn)行例如銅膏等的涂布等。
[0125]接下來(lái)，在如圖11的(b)所示的粘接工序，以凹部21在俯視圖上與反射鏡50重疊的方式將第一晶片10的一面1s和第二晶片20的一面20s重疊、粘接后，在圖的11(c)、圖的(d)所示的分割工序，將第一晶片10和第二晶片20的層壓體130分割，得到透光性蓋25重疊并固定在具有反射鏡50的元件基板I上的單品尺寸的層壓體100s。然后，如果進(jìn)行和圖10所示的工序同樣的工序，可以得到電光學(xué)裝置100。然而，由于在本實(shí)施方式中，對(duì)第二晶片20(透光性蓋25)的一側(cè)設(shè)置有第一金屬部72，因此，在粘結(jié)工序，可通過(guò)銀膏等粘合劑層粘接第一金屬部72和元件基板I。
[0126][實(shí)施方式三]
[0127]圖12是本發(fā)明的實(shí)施方式三涉及的電光學(xué)裝置100的斷面圖。圖13是示出本發(fā)明的實(shí)施方式三涉及的電光學(xué)裝置100的制造方法的工序斷面圖。圖14是示出了在本發(fā)明的實(shí)施方式三涉及的電光學(xué)裝置100中，將元件基板I安裝在基板90上的工序等的工序斷面圖。由于本實(shí)施方式的基本構(gòu)成和實(shí)施方式一同樣，因此，對(duì)相同的部分米用相同的符號(hào)，并省略對(duì)其的說(shuō)明。
[0128]如圖12所不，即使在本實(shí)施方式的電光學(xué)裝置100中也和實(shí)施方式一同樣，一面Is上形成有多個(gè)反射鏡50的元件基板1，該一面Is被透光性蓋25密封。而且，元件基板I通過(guò)由銀膏等構(gòu)成的粘合劑層97被安裝到由陶瓷基板等構(gòu)成的基板90的安裝面90s。
[0129]在由此而構(gòu)成的電光學(xué)裝置100中，透光性蓋25是板狀，只具有平板部252。而且，在本實(shí)施方式中，對(duì)元件基板I的一面Is，在反射鏡50和端子17之間，以在俯視圖(例如，從一面Is側(cè)看元件基板I時(shí)的俯視圖)上包圍由反射鏡50形成的區(qū)域的周圍的方式設(shè)置了框狀的第一金屬部73，在本實(shí)施方式中，第一金屬部73的與元件基板I相反的相反側(cè)的端部735通過(guò)由銀膏等構(gòu)成的粘合劑層104與透光性蓋25粘接，將透光性蓋25保持在離開(kāi)元件基板I的位置上作為間隔部件起作用。因此，第一金屬部73跨越全周與透光性蓋25和元件基板I相接。
[0130]而且，對(duì)本實(shí)施方式的電光學(xué)裝置100設(shè)置了與基板90和透光性蓋25相接的第二金屬部81。本實(shí)施方式中，第二金屬部81和實(shí)施方式一同樣，是金屬框架85。金屬框架85中，胴部87的基板90側(cè)的端部876通過(guò)粘合劑層與基板90粘接。因此，金屬框架85與基板90相接。作為這種粘合劑層，可以使用例如銀膏。
[0131 ] 這里，端板部86的開(kāi)口部860中嵌入有透光性蓋25，透光性蓋25的側(cè)面257通過(guò)由銀膏等構(gòu)成的粘合劑層103與開(kāi)口部860的內(nèi)面粘接。因此，第二金屬部81 (金屬框架85)與透光性蓋25相接。
[0132]而且，與第一金屬部73的與元件基板I相反的相反側(cè)的端部735通過(guò)粘合劑層104與端板部86的開(kāi)口部860的周圍粘接，第二金屬部81(金屬框架85)也與第一金屬部73相接。
[0133]在由此而構(gòu)成的電光學(xué)裝置100中，由于設(shè)置有與透光性蓋25和元件基板I相接的第一金屬部73，因此，能夠通過(guò)第一金屬部73、元件基板I及基板90釋放透光性蓋25的熱。而且，由于電光學(xué)裝置100中設(shè)置有與基板90和透光性蓋25相接的第二金屬部81，因此，能夠通過(guò)第二金屬部81有效地將透光性蓋25的熱釋放到基板90。而且，由于第二金屬部81(金屬框架85)也與第一金屬部73相接，因此，能夠使熱從第一金屬部73釋放到第二金屬部81，另一方面，也能夠使熱從第二金屬部81釋放到第一金屬部73。因此，能夠抑制電光學(xué)裝置100的溫度上升，從而抑制電光學(xué)裝置100的誤動(dòng)作及壽命降低。
[0134]而且，反射鏡50通過(guò)透光性蓋25、第一金屬部73及元件基板I密封。并且，金屬框架85對(duì)內(nèi)部進(jìn)行密封。因此，能夠防止水分侵入配置有反射鏡50的空間。
[0135]為制造由此而構(gòu)成的電光學(xué)裝置100，如圖13的(a)所示，在第一晶片準(zhǔn)備工序，對(duì)能制作多個(gè)元件基板I的大型的第一晶片10(硅晶片)的一面10s，在元件基板I被分割的每個(gè)區(qū)域形成反射鏡50和端子17等。而且，本實(shí)施方式中，對(duì)第一晶片10的一面10s，在端子17和反射鏡50之間框狀地形成第一金屬部73。在這種第一金屬部73的形成時(shí)，進(jìn)行例如銅膏等的涂布等。
[0136]接下來(lái)，如圖13的(b)所示，通過(guò)刀片(圖中沒(méi)有示出)將第一晶片10分割成單品尺寸的元件基板I。
[0137]接下來(lái)，如圖14的(a)所示，通過(guò)由銀膏等構(gòu)成的粘合劑層97將元件基板I固定在基板90上。接下來(lái)，如圖14的(b)所示，通過(guò)引線鍵合用的引線99將元件基板I的端子17和基板90的內(nèi)部電極94電連接(搭載工序)。
[0138]接下來(lái)，如圖14的(C)所示，將通過(guò)粘合劑層103使得與第二金屬部81(金屬框架85)—體化的透光性蓋25覆蓋在基板90上，如圖12所示，通過(guò)由銀膏等構(gòu)成的粘合劑層粘接金屬框架85的胴部87的端部876與基板90。而且，通過(guò)粘合劑層104將透光性蓋25和第一金屬部73的與元件基板I相反的相反側(cè)的端部735進(jìn)行粘接(配置工序)。這時(shí)，通過(guò)粘合劑層104將金屬框架85的端板部86的開(kāi)口部860的周圍和第一金屬部73的與元件基板I相反的相反側(cè)的端部735粘接。因此，當(dāng)基板90與第二金屬部81成為相接狀態(tài)時(shí)，第一金屬部73與第二金屬部81成為相接狀態(tài)。其結(jié)果是，第二金屬部81(金屬框架85)與基板90、透光性蓋25及第一金屬部73相接，電光學(xué)裝置100完成。
[0139](第一金屬部73的其它構(gòu)成例)
[0140]圖15是示出用于本發(fā)明的實(shí)施方式三涉及的電光學(xué)裝置100的第一金屬部73的其它構(gòu)成例的斷面圖。在實(shí)施方式三中，通過(guò)銅膏等的涂布形成了第一金屬部73，但如圖15所示，也可以通過(guò)覆蓋從元件基板I的一面Is突出的樹(shù)脂部731的金屬層732來(lái)構(gòu)成第一金屬部73。這種構(gòu)成可以在形成樹(shù)脂部731后，對(duì)金屬層732進(jìn)行電鍍而形成金屬層732來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0141]圖15所示的構(gòu)成不僅限于實(shí)施方式三中說(shuō)明的第一金屬部73，也可以對(duì)實(shí)施方式一、二中說(shuō)明的第一金屬部71、72米用。
[0142][實(shí)施方式四]
[0143]圖16是本發(fā)明的實(shí)施方式四涉及的電光學(xué)裝置100的斷面圖。由于本實(shí)施方式的基本構(gòu)成和實(shí)施方式一相同，因此，對(duì)相同的部分采用相同的符號(hào)，并省略對(duì)其的說(shuō)明。如圖16所不，本實(shí)施方式和實(shí)施方式一同樣，設(shè)置有第一金屬部71和第二金屬部81 (金屬框架85)。這里，金屬框架85是平板狀，通過(guò)粘合劑層固定在從基板90的底板部91突出的側(cè)壁92上。因此，第二金屬部81 (金屬框架850)與基板90的側(cè)壁92相接。而且，本實(shí)施方式中，在基板90的底板部91和金屬框架85之間設(shè)置有密封樹(shù)脂98，密封樹(shù)脂98包圍透光性蓋25及元件基板I的周圍，與元件基板I的側(cè)面及透光性蓋25的側(cè)面相接。因此，本實(shí)施方式能夠通過(guò)密封樹(shù)脂98將透光性蓋25的熱釋放到基板90，同時(shí)，能夠通過(guò)密封樹(shù)脂98防止水分侵入配置有反射鏡50的空間。本實(shí)施方式在實(shí)施方式一上追加了密封樹(shù)脂98，也可以在實(shí)施方式二、三上追加密封樹(shù)脂。
[0144][實(shí)施方式五]
[0145]圖17是本發(fā)明的實(shí)施方式五涉及的電光學(xué)裝置100的斷面圖。由于本實(shí)施方式的基本構(gòu)成和實(shí)施方式一相同，因此，對(duì)相同的部分采用相同的符號(hào)，并省略對(duì)其的說(shuō)明。如圖17所示，本實(shí)施方式和實(shí)施方式一同樣，在元件基板I安裝在基板90上的同時(shí)，設(shè)置有第一金屬部71。這里，基板90的側(cè)壁92的內(nèi)側(cè)設(shè)置有與元件基板I的側(cè)面及透光性蓋25的側(cè)面相接的密封樹(shù)脂98，同時(shí)，對(duì)透光性蓋25的與和反射鏡50相對(duì)的面相反的相反側(cè)的面252s、以及密封樹(shù)脂98的與和基板90相對(duì)的面相反的相反側(cè)的面層疊與基板90的側(cè)壁92相接的透光性的無(wú)機(jī)材料層88。
[0146]這里，透光性的無(wú)機(jī)材料層88是硅氧化膜及ITO膜等金屬氧化膜，比密封樹(shù)脂98導(dǎo)熱率高。因此，能夠在通過(guò)密封樹(shù)脂98將透光性蓋25的熱釋放到基板90的同時(shí)，通過(guò)無(wú)機(jī)材料層88放熱。
[0147][其它實(shí)施方式]
[0148]實(shí)施方式一、二、三、四使用金屬框架85作為第二金屬部81，也可以例如，像實(shí)施方式五那樣，對(duì)密封樹(shù)脂98的與基板90相反的相反側(cè)的面層疊與透光性蓋25的側(cè)面、以及基板90的側(cè)壁92相接的金屬膜，通過(guò)這種金屬膜構(gòu)成第二金屬部81。
[0149]上述實(shí)施方式假定第一金屬部71、72、73是銅制，但也可以是鋁制等。上述實(shí)施方式使用了陶瓷基板作為基板90，但也可以使用鐵和鎳混合后得到的42合金等合金制的基板。
[0150]根據(jù)實(shí)施方式一、二，透光性蓋25中，框部251和平板部252成為一體，但本發(fā)明也適用于框部251和平板部252各為一體的情況。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電光學(xué)裝置，其特征在于，具有: 基板； 元件基板，其搭載在所述基板上； 反射鏡，其設(shè)置在所述元件基板的第一面?zhèn)龋?驅(qū)動(dòng)元件，其設(shè)置在所述元件基板的所述第一面?zhèn)壬?，?qū)動(dòng)所述反射鏡； 透光性蓋，其具有透光性，所述透光性蓋以所述反射鏡位于所述透光性蓋和所述元件基板之間的方式設(shè)置；以及 第一金屬部，其與所述元件基板和所述透光性蓋相接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光學(xué)裝置，其特征在于， 所述第一金屬部被設(shè)置為在俯視中包圍所述反射鏡的周圍的框形。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，還具有: 第二金屬部，其與所述基板和所述透光性蓋相接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電光學(xué)裝置，其特征在于， 所述第二金屬部是固定在所述透光性蓋及所述基板上的金屬框架。5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的電光學(xué)裝置，其特征在于， 所述第二金屬部還與所述第一金屬部相接。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置，其特征在于， 所述第一金屬部與所述透光性蓋的所述元件基板側(cè)的端部和所述元件基板相接。7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置，其特征在于， 所述第一金屬部與所述透光性蓋的側(cè)面和所述元件基板相接。8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置，其特征在于， 所述第一金屬部由覆蓋從所述元件基板的所述第一面突出的樹(shù)脂部的金屬層構(gòu)成。9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，還具有: 密封樹(shù)脂，其在所述第二金屬部與所述基板之間，與所述元件基板的側(cè)面及所述透光性蓋的側(cè)面相接。10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，還具有: 密封樹(shù)脂，其與所述元件基板的側(cè)面及所述透光性蓋的側(cè)面相接；以及透光性的無(wú)機(jī)材料層，其層疊在所述透光性蓋的與和所述反射鏡相對(duì)的面相反的相反側(cè)的面、以及所述密封樹(shù)脂的與和所述基板相對(duì)的面相反的相反側(cè)的面上，并與所述基板相接。11.一種電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于，具有: 配置工序，其是對(duì)在第一面上具備反射鏡、以及驅(qū)動(dòng)所述反射鏡的驅(qū)動(dòng)元件的元件基板設(shè)置透光性的透光性蓋的工序，所述配置工序以所述反射鏡位于所述透光性蓋與所述元件基板之間，第一金屬部與所述透光性蓋和所述元件基板接觸的方式設(shè)置所述透光性蓋；搭載工序，其在基板上搭載所述元件基板。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 在所述配置工序前，先在所述元件基板上設(shè)置好所述第一金屬部， 在所述配置工序設(shè)置所述透光性蓋時(shí)，使所述透光性蓋與所述第一金屬部接觸。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 在所述配置工序前，先在所述透光性蓋上設(shè)置好所述第一金屬部， 在所述配置工序設(shè)置所述透光性蓋時(shí)，使所述元件基板與所述第一金屬部接觸。14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于，還具有: 形成在所述透光性蓋和所述基板上接觸第二金屬部的狀態(tài)的工序。15.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 在所述配置工序前，先在所述透光性蓋上設(shè)置好第二金屬部， 在所述配置工序設(shè)置所述透光性蓋時(shí)，形成所述基板和所述第二金屬部相接的狀態(tài)。16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 在形成所述基板和所述第二金屬部相接的狀態(tài)時(shí)，所述第一金屬部和所述第二金屬部變?yōu)橄嘟拥臓顟B(tài)。17.—種電子設(shè)備，其特征在于，是具有根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置的電子設(shè)備，所述電子設(shè)備具有: 光源部，其對(duì)所述反射鏡照射光源光。
【文檔編號(hào)】G03B21/20GK106019579SQ201610162769
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年3月21日
【發(fā)明人】花岡輝直
【申請(qǐng)人】精工愛(ài)普生株式會(huì)社