液晶顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的是提供一種能夠抑制開口率的下降的液晶顯示裝置。具備：薄膜晶體管基板，具有薄膜晶體管；液晶層，設(shè)在薄膜晶體管基板上；對(duì)置基板，設(shè)在薄膜晶體管基板上；薄膜晶體管基板具有第1透光性電極、濾色器(26)、設(shè)在濾色器(26)上并與第1透光性電極電連接的金屬布線(68)、設(shè)在金屬布線(68)上的光吸收層(78)和設(shè)在光吸收層(78)上的光干擾層(77)；光干擾層(77)包括第1透光性電極。
【專利說明】
液晶顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示圖像的液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]以下的專利文獻(xiàn)I中，記載有在具備薄膜晶體管的薄膜晶體管基板側(cè)配置有濾色器、像素電極及共通電極的所謂C0A(Color Filter On Array)構(gòu)造的液晶顯示裝置。此外，以下的專利文獻(xiàn)2中，作為液晶顯示裝置(LCD:Liquid Crystal Display)的驅(qū)動(dòng)方式，記載有由像素電極和共通電極將包括與基板面內(nèi)方向平行的方向的電場(chǎng)在內(nèi)的電場(chǎng)向液晶層施加的、IPS(In Plane Switching)或FFS(Fringe Field Switching)等方式。
[0003]專利文獻(xiàn)1:特開2014 — 41268號(hào)公報(bào)
[0004]專利文獻(xiàn)2:特開2012 —185232號(hào)公報(bào)
[0005]專利文獻(xiàn)3:特開2010 —134249號(hào)公報(bào)
[0006]已知有這樣的結(jié)構(gòu):為了保持夾著液晶層的薄膜晶體管基板與對(duì)置基板的間隔，在薄膜晶體管基板和對(duì)置基板的兩者上設(shè)置間隔件(spacer)，并使薄膜晶體管基板側(cè)的間隔件與對(duì)置基板側(cè)的間隔件抵接(參照專利文獻(xiàn)3)。在此情況下，在對(duì)置基板側(cè)的間隔件附近，容易發(fā)生液晶層的向錯(cuò)(disclinat1n)。因此，在與對(duì)置基板側(cè)的間隔件重疊的位置設(shè)置遮光層，抑制觀察者辨識(shí)到顯示圖像的紊亂。此外，在配置像素電極及共通電極的薄膜晶體管基板側(cè)設(shè)置包括鋁等金屬材料的金屬布線的情況下，在對(duì)置基板側(cè)設(shè)置遮光層，抑制辨識(shí)到來自金屬布線的反射光。遮光層的面積需要考慮薄膜晶體管基板和對(duì)置基板的貼合精度而大到間隔件的面積及金屬布線的面積以上。因此，開口率(aperture rat1)下降，有可能難以應(yīng)對(duì)顯不圖像的尚精細(xì)化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制開口率的下降的液晶顯示裝置。
[0008]本發(fā)明的一技術(shù)方案的液晶顯示裝置具備:薄膜晶體管基板，具有薄膜晶體管;液晶層，設(shè)在上述薄膜晶體管基板上;對(duì)置基板，設(shè)在上述薄膜晶體管基板上。上述薄膜晶體管基板具有:第I透光性電極;濾色器;金屬布線，設(shè)在上述濾色器上，與上述第I透光性電極電連接;光吸收層，設(shè)在上述金屬布線上;光干擾層，設(shè)在上述光吸收層上。上述光干擾層包括上述第I透光性電極。
【附圖說明】
[0009]圖1是表示第I實(shí)施方式的液晶顯示裝置的概略截面構(gòu)造的剖視圖。
[0010]圖2是本實(shí)施方式的像素電極的平面圖。
[0011]圖3是沿著圖2的III一III'線切斷并從箭頭方向觀察時(shí)的液晶顯示裝置的示意剖視圖。
[0012]圖4是表示第I實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例的示意剖視圖。
[0013]圖5是第2實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素電極的平面圖。
[0014]圖6是沿著圖5的VI— VI'線切斷并從箭頭方向觀察時(shí)的液晶顯示裝置的示意剖視圖。
[0015]圖7是第3實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素電極的平面圖。
[0016]圖8是沿著圖7的VIII— VIII'線切斷并從箭頭方向觀察時(shí)的液晶顯示裝置的示意剖視圖。
[0017]圖9是第4實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素電極的平面圖。
[0018]圖10是沿著圖9的IX— IX'線切斷并從箭頭方向觀察時(shí)的液晶顯示裝置的示意剖視圖。
[0019]圖11是將第4實(shí)施方式的金屬布線及防反射構(gòu)造體放大表示的部分放大剖視圖。
[0020]圖12是第5實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素電極的平面圖。
[0021]圖13是沿著圖12的XIII— XIlV線從箭頭方向觀察時(shí)的液晶顯示裝置的示意剖視圖。
[0022]圖14是表示第I實(shí)施例的來自設(shè)有防反射構(gòu)造體的金屬布線的反射光的亮度Y與絕緣層膜厚的關(guān)系的曲線圖。
[0023]圖15是表示防反射構(gòu)造體的最優(yōu)膜厚的一例的表。
[0024]圖16是表示使絕緣層的厚度變化時(shí)的色度分布的曲線圖。
[0025]圖17是表示改變了絕緣層膜厚及光吸收層膜厚時(shí)的亮度Y的值的表。
[0026]圖18是表示改變了絕緣層膜厚及光吸收層膜厚時(shí)的色度(x，y)的值的表。
[0027]圖19是第6實(shí)施方式的液晶顯示裝置的示意剖視圖。
[0028]圖20是將第6實(shí)施方式的金屬布線及防反射構(gòu)造體放大表示的部分放大剖視圖。
[0029]圖21是表示第2實(shí)施例的改變了共通電極膜厚及光吸收層膜厚時(shí)的亮度Y的值的表。
[0030]圖22是表示第2實(shí)施例的改變了共通電極膜厚及光吸收層膜厚時(shí)的色度(x，y)的值的表。
[0031]圖23是第7實(shí)施方式的液晶顯示裝置的示意剖視圖。
[0032]圖24是將第7實(shí)施方式的金屬布線及防反射構(gòu)造體放大表示的部分放大剖視圖。
[0033]圖25是第8實(shí)施方式的液晶顯示裝置的將金屬布線及防反射構(gòu)造體放大表示的部分放大剖視圖。
[0034]圖26是表示第3實(shí)施例的來自設(shè)有防反射構(gòu)造體的金屬布線的反射光的亮度Y與絕緣層膜厚的關(guān)系的曲線圖。
[0035]圖27是表示使絕緣層的厚度變化時(shí)的色度分布的曲線圖。
[0036]圖28是表示亮度Y的第I極小值的附近的、改變了絕緣層膜厚及光吸收層膜厚時(shí)的亮度Y的值的表。
[0037]圖29是表示亮度Y的第I極小值的附近的、改變了絕緣層膜厚及光吸收層膜厚時(shí)的色度(x，y)的值的表。
[0038]圖30是表示亮度Y的第2極小值的附近的、改變了絕緣層膜厚及光吸收層膜厚時(shí)的亮度Y的值的表。
[0039]圖31是表示亮度Y的第2極小值的附近的、改變了絕緣層膜厚及光吸收層膜厚時(shí)的色度(x，y)的值的表。
[0040]標(biāo)號(hào)說明
[0041 ]I?8液晶顯示裝置
[0042]20薄膜晶體管基板
[0043]22像素電極
[0044]22a、22b電極分支
[0045]22c連結(jié)部
[0046]22d、22e彎曲部
[0047]23共通電極
[0048]23a重疊部分
[0049]24絕緣層
[0050]24a重疊部分[0051 ]24b加高層
[0052]25外覆層
[0053]26、26R、26G、26B 濾色器
[0054]28第I取向膜
[0055]30對(duì)置基板
[0056]31第2基板
[0057]35偏振片
[0058]37平坦化層
[0059]38第2取向膜
[0060]40液晶層[0061 ]41密封部
[0062]45、46間隔件
[0063]45a上端
[0064]47接觸孔
[0065]48遮蔽層
[0066]50第I基板
[0067]52源極電極
[0068]53漏極電極
[0069]55薄膜晶體管
[0070]57a、57b、58a、58b 絕緣層
[0071]61副像素
[0072]65掃描線
[0073]66信號(hào)線
[0074]68金屬布線
[0075]71,72,73防反射構(gòu)造體
[0076]77光干擾層
[0077]78、79光吸收層
【具體實(shí)施方式】
[0078]參照附圖對(duì)用來實(shí)施本發(fā)明的形態(tài)(實(shí)施方式)詳細(xì)地說明。本發(fā)明并不被以下的實(shí)施方式中記載的內(nèi)容限定。此外，在以下所記載的構(gòu)成要素中，包括本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易想到的要素、實(shí)質(zhì)上相同的要素。另外，公開只不過是一例，關(guān)于本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易地想到的不脫離發(fā)明主旨的適當(dāng)變更，當(dāng)然包含在本發(fā)明的范圍中。此外，附圖為了使說明更明確而存在與實(shí)際的形態(tài)相比對(duì)各部的寬度、厚度、形狀等示意地表示的情況，但不過是一例，并不限定本發(fā)明的解釋。此外，在本說明書和各圖中，存在對(duì)與圍繞已有的圖描述過的要素同樣的要素賦予相同的標(biāo)號(hào)而適當(dāng)省略詳細(xì)的說明的情況。
[0079](第丨實(shí)施方式)
[0080]圖1是表示第I實(shí)施方式的液晶顯示裝置的概略截面構(gòu)造的剖視圖。如圖1所示，液晶顯示裝置I具有薄膜晶體管基板20、與薄膜晶體管基板20對(duì)置配置的對(duì)置基板30、以及配置在薄膜晶體管基板20與對(duì)置基板30之間的液晶層40。
[0081]薄膜晶體管基板20具有設(shè)在第I基板50的上方的濾色器26、設(shè)在濾色器26的上方的作為第I透光性電極的共通電極23、與共通電極23接觸而設(shè)置在其上的絕緣層24、設(shè)在絕緣層24的上方的作為第2透光性電極的像素電極22、以及設(shè)在薄膜晶體管基板20的最上表面?zhèn)鹊牡贗取向膜28。另外，在本說明書中，將從薄膜晶體管基板20朝向?qū)χ没?0的方向設(shè)為上方。
[0082]對(duì)置基板30包括第2基板31、設(shè)在第2基板31的下表面的第2取向膜38、以及設(shè)在上表面的偏振片35。
[0083]薄膜晶體管基板20和對(duì)置基板30通過密封部41粘接，在由薄膜晶體管基板20、對(duì)置基板30及密封部41包圍的空間中封閉著液晶層40 ο對(duì)于液晶層40而言，液晶分子的取向方向?qū)?yīng)于電場(chǎng)而變化從而控制光的透過量。本實(shí)施方式的液晶顯示裝置I是IPS或FFS等橫電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置，在液晶層40中使用的液晶也是適合于該液晶顯示裝置的液晶O
[0084]本實(shí)施方式的液晶顯示裝置I，在像素電極22與共通電極23之間產(chǎn)生包括與薄膜晶體管基板20的面內(nèi)方向平行的方向的電場(chǎng)在內(nèi)的電場(chǎng)，向液晶層40施加。液晶層40的液晶分子的方向通過被施加的電場(chǎng)而變化，切換向液晶層40入射的光的透過和遮蔽。
[0085]圖2是本實(shí)施方式的像素電極的平面圖。圖3是沿著圖2的III一III'線切斷并從箭頭方向觀察時(shí)的液晶顯示裝置的示意剖視圖。如圖3所示，在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置I中，薄膜晶體管基板20具備薄膜晶體管55、多個(gè)像素電極22、共通電極23及濾色器26。進(jìn)而，薄膜晶體管基板20具有向上方突出并與對(duì)置基板30抵接的間隔件45、以及設(shè)在間隔件45的至少一部分上并被進(jìn)行了光取向處理的第I取向膜28。此外，對(duì)置基板30具有與薄膜晶體管基板20對(duì)置的第2取向膜38。第2取向膜38隔著平坦化層37設(shè)在第2基板31上。
[0086]在本實(shí)施方式中，第I取向膜28是光取向膜，第2取向膜38被進(jìn)行了摩擦取向(rubbing orientat1n)處理。通過第I取向膜28和第2取向膜38的各向異性，液晶層40的液晶分子被取向?yàn)橐?guī)定的方向。
[0087]薄膜晶體管基板20中，在第I基板50之上設(shè)有薄膜晶體管55。薄膜晶體管55具有半導(dǎo)體層54、掃描線(柵極電極)65、源極電極52、漏極電極53。第I基板50是玻璃基板或硅基板等支承基板。在第I基板50上隔著絕緣層57a、57b設(shè)有半導(dǎo)體層54。半導(dǎo)體層54使用例如硅或氧化物半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體等半導(dǎo)體材料。源極電極52及漏極電極53穿過絕緣層58a、58b的接觸孔而與半導(dǎo)體層54連接，并與絕緣層58a上的信號(hào)線66連接。掃描線65設(shè)在絕緣層58a、58b的層間，與半導(dǎo)體層54絕緣。掃描線65、源極電極52、漏極電極53使用鋁或鉬等金屬材料。此外，絕緣層57a、57b、58a、58b使用TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)膜或等離子氮化硅(PSiN)膜等。在本實(shí)施方式中，薄膜晶體管55例如是η溝道的M0S(Metal OxideSemiconductor)型的薄膜晶體管元件。
[0088]如圖3所示，濾色器26設(shè)在薄膜晶體管55之上。本實(shí)施方式的液晶顯示裝置I是在薄膜晶體管基板20側(cè)設(shè)有濾色器26的所謂COA構(gòu)造的液晶顯示裝置。濾色器26使用被著色的樹脂材料，周期性地排列分別被著色為例如紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)3色的過濾器。作為形成彩色圖像的單位的I個(gè)像素例如包括多個(gè)副像素(子像素)。1個(gè)像素包括顯示紅(R)的副像素(R)、顯示藍(lán)(B)的副像素(B)和顯示綠(G)的副像素(G)。與這些副像素(R)、副像素(G)、副像素(B)分別對(duì)應(yīng)而將濾色器26著色。
[0089]在濾色器26之上，設(shè)有例如透光性樹脂等外覆層25。在外覆層25上，依次設(shè)有共通電極23、絕緣層24、像素電極22。共通電極23連續(xù)設(shè)在外覆層25之上，像素電極22隔著絕緣層24而在與共通電極23不同的層中設(shè)有多個(gè)。如圖3所示，外覆層25及濾色器26具有將上下表面貫通的接觸孔47 ο此外，像素電極22突出到接觸孔47內(nèi)，與設(shè)在該接觸孔47的底部的漏極電極53電連接。
[0090]如圖2所示，像素電極22被掃描線65、65和信號(hào)線66、66包圍，被掃描線65、65和信號(hào)線66、66包圍的區(qū)域是副像素61。在本實(shí)施方式中，副像素61與副像素(R)、副像素(G)、副像素(B)的某I個(gè)相對(duì)應(yīng)。像素電極22在平面視圖下以矩陣狀排列，沿著掃描線65的延伸方向及信號(hào)線66的延伸方向排列有多個(gè)。
[0091 ]像素電極22具有在沿著信號(hào)線66的方向上延伸的多個(gè)電極分支(electrodebranch)22a、22b，在電極分支22a、22b的端部，具有分別從電極分支22a、22b的延伸方向彎曲的彎曲部22d、22e ο彎曲部22d的端部和彎曲部22e的端部通過連結(jié)部22c連接。
[0092]如圖2所示，延伸有向薄膜晶體管55傳遞驅(qū)動(dòng)信號(hào)的掃描線65。通過經(jīng)由掃描線65傳遞的驅(qū)動(dòng)電壓，能夠切換圖3所示的薄膜晶體管55的導(dǎo)通(on)、截止(off)動(dòng)作。向像素電極22傳遞圖像信號(hào)的信號(hào)線66在與掃描線65交叉的方向上延伸。信號(hào)線66整體上在平面視圖下在與掃描線65垂直的方向上延伸，但也可以按每I個(gè)像素而傾斜。信號(hào)線66連接在圖3所示的源極電極52上，當(dāng)薄膜晶體管55為導(dǎo)通的狀態(tài)時(shí)，圖像信號(hào)被向像素電極22傳遞。
[0093]如圖3所示，從絕緣層24之上朝向?qū)χ没?0突出有間隔件45。間隔件45在剖視下是梯形狀，側(cè)面傾斜，上端45a的面積比下端側(cè)的面積小。間隔件45如圖2所示，在平面視圖下沿著信號(hào)線66配置。間隔件45使用丙烯酸樹脂等透光性樹脂，例如通過光刻法形成。另夕卜，間隔件45的形狀并不限于上述形狀。間隔件45例如也可以在平面視圖下呈圓狀，并沿著信號(hào)線66在兩條掃描線65間連續(xù)地配置多個(gè)。
[0094]第I取向膜28設(shè)在像素電極22及絕緣層24的上方，并且設(shè)在間隔件45的上端45a及側(cè)面。在本實(shí)施方式中，第I取向膜28是光分解型的光取向膜，使用具有光反應(yīng)性的材料。第I取向膜28由例如在特開2005 — 351924號(hào)公報(bào)或特開2009 — 75569號(hào)公報(bào)中例示的聚酰胺酸酯(polyamic-acid-ester)類的樹脂材料制成。第I取向膜28通過被進(jìn)行在規(guī)定的方向上被照射紫外線的光取向處理，聚酰亞胺主鏈中的與偏光方向一致的環(huán)丁烷骨架(cyclobutane skeleton)被光分解，聚酰亞胺鏈被切斷。
[0095]如圖3所示，第2基板31具有與薄膜晶體管基板20對(duì)置的平坦面，在第2基板31的平坦面上隔著平坦化層37設(shè)有第2取向膜38。第2基板31可以使用玻璃基板、或使用透光性樹脂材料的片狀基材。第2取向膜38遍及像素內(nèi)的整面而具有與薄膜晶體管基板20對(duì)置的平坦面。因此，在本實(shí)施方式中，第2取向膜38能夠容易地進(jìn)行使用輥(roller)等賦予各向異性的摩擦取向處理。
[0096]如圖3所示，在間隔件45的上端45a設(shè)置的第I取向膜28與對(duì)置基板30的第2取向膜38的平坦面抵接。由此，薄膜晶體管基板20與對(duì)置基板30的間隔被間隔件45保持。
[0097]本實(shí)施方式的液晶顯示裝置I具有薄膜晶體管基板20和對(duì)置基板30，薄膜晶體管基板20具備薄膜晶體管55、多個(gè)像素電極22、共通電極23及濾色器26，對(duì)置基板30夾著液晶層40而與薄膜晶體管基板20對(duì)置配置。薄膜晶體管基板20具有間隔件45和第I取向膜28，間隔件45向上方突出而保持薄膜晶體管基板20與對(duì)置基板30的間隔，第I取向膜28設(shè)在像素電極22或共通電極23之上，并且設(shè)在間隔件45的至少一部分上。對(duì)置基板30具有第2取向膜38，第2取向膜38設(shè)在第2基板31的與薄膜晶體管基板20對(duì)置的面上，被進(jìn)行了摩擦取向處理。
[0098]S卩，本實(shí)施方式的液晶顯示裝置I是在薄膜晶體管基板20側(cè)配置有濾色器26的COA構(gòu)造，間隔件45僅設(shè)在薄膜晶體管基板20側(cè)。對(duì)置基板30沒有設(shè)置間隔件，第2基板31的與薄膜晶體管基板20對(duì)置的面是平坦的。第2取向膜38遍及像素內(nèi)的整面而具有與薄膜晶體管基板20對(duì)置的平坦面。由此，第2取向膜38的摩擦取向處理變得容易。在對(duì)取向膜進(jìn)行了光取向處理的情況下，通過光分解反應(yīng)，聚酰亞胺鏈被切斷而強(qiáng)度下降。因而，第2取向膜38通過使用進(jìn)行了摩擦取向處理的膜來保持強(qiáng)度，所以在與間隔件45的上端45a抵接的情況下也能抑制剝離。
[0099]此外，在間隔件45的上端45a設(shè)置的第I取向膜28、和第2取向膜38相抵接的部位的附近的液晶層40，其取向被進(jìn)行了摩擦取向處理后的第2取向膜38控制，對(duì)置基板30側(cè)的液晶層40的向錯(cuò)的發(fā)生得以抑制。此外，在間隔件45的至少側(cè)面設(shè)有第I取向膜28，薄膜晶體管基板20側(cè)的液晶層40的向錯(cuò)的發(fā)生也得以抑制。
[0100]間隔件45由于沿著信號(hào)線66配置，所以能夠維持相鄰排列的多個(gè)副像素的間隔而設(shè)置間隔件45，能夠應(yīng)對(duì)精細(xì)度高的液晶顯示裝置。
[0101]圖4是表示第I實(shí)施方式的液晶顯示裝置的第I變形例的示意剖視圖。圖4所示的變形例的液晶顯示裝置I的不同點(diǎn)在于，在對(duì)置基板30中，在第2基板31與第2取向膜38之間沒有夾著平坦化層，第2取向膜38與第2基板31接觸。這樣，通過第2取向膜38與第2基板31接觸的結(jié)構(gòu)，對(duì)置基板30的制造工序被簡(jiǎn)略化，制造成本降低。此外，通過削減液晶顯示裝置I的顯示面?zhèn)鹊牟考?，光的透過率提高。
[0102](第2實(shí)施方式)
[0103]圖5是第2實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素電極的平面圖。圖6是沿著圖5的VI—W線切斷并從箭頭方向觀察時(shí)的液晶顯示裝置的示意剖視圖。如圖5所示，本實(shí)施方式的像素電極22、掃描線65、信號(hào)線66等與第I實(shí)施方式是同樣的，但具備多個(gè)間隔件45、間隔件46這一點(diǎn)不同。間隔件45在平面視圖下沿著信號(hào)線66配置，在信號(hào)線66的延伸方向上延伸。間隔件46在平面視圖下沿著掃描線65配置，在掃描線65的延伸方向上延伸。
[0104]間隔件45及間隔件46都設(shè)在薄膜晶體管基板20側(cè)，從將像素電極22和共通電極23的層間絕緣的絕緣層24向上方突出，與第2取向膜38抵接。在本實(shí)施方式中，第2取向膜38也被摩擦取向處理，與被光取向處理的取向膜相比機(jī)械強(qiáng)度較強(qiáng)。因此，在設(shè)有多個(gè)間隔件45、間隔件46的情況下，也能防止第2取向膜38的剝離等的發(fā)生。
[0105]此外，在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置2中，對(duì)置基板30在接觸孔47的附近的區(qū)域具有遮蔽層48 ο如圖6所示，遮蔽層48設(shè)在第2基板31之下，在遮蔽層48之下設(shè)有平坦化層37及第2取向膜38。如圖5所示，遮蔽層48在平面視圖下與接觸孔47、間隔件45、間隔件46重疊而配置。遮蔽層48在掃描線65的延伸方向上延伸，在信號(hào)線66的延伸方向上具有間隔件45的長度以上的寬度。
[0106](第3實(shí)施方式)
[0107]圖7是第3實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素電極的平面圖。圖8是沿著圖7的VIII—VIII'線切斷并從箭頭方向觀察時(shí)的液晶顯示裝置的示意剖視圖。如圖7所示，間隔件45在平面視圖下沿著信號(hào)線66配置，位于夾著像素電極22的兩個(gè)掃描線65與掃描線65之間。
[0108]如圖8所示，濾色器26具有對(duì)應(yīng)于副像素(R)的濾色器26R、對(duì)應(yīng)于副像素(B)的濾色器26B、對(duì)應(yīng)于副像素(G)的濾色器26G。濾色器26R、26G、26B周期性地反復(fù)排列。本實(shí)施方式的副像素61例如對(duì)應(yīng)于I個(gè)副像素(G)。信號(hào)線66配置在與濾色器26R、26G、26B的邊界重疊的位置，間隔件45配置在與濾色器26R和濾色器26G的邊界重疊的位置。
[0109]本實(shí)施方式的液晶顯示裝置3，在共通電極23之上設(shè)有金屬布線68(在圖7中省略表示)。金屬布線68配置在與信號(hào)線66重疊的位置，具有與信號(hào)線66相等的寬度、或者比信號(hào)線66稍寬的寬度，與信號(hào)線66在相同的方向上延伸。金屬布線68沿著濾色器26R、26G、26B的邊界設(shè)置，在多個(gè)副像素中連續(xù)設(shè)置。此外，間隔件45配置在金屬布線68的上方。金屬布線68是鋁、銅、鎳等金屬材料制成的，或是它們的合金材料制成的，具有比共通電極23高的電導(dǎo)率。通過將金屬布線68設(shè)在共通電極23之上，與僅共通電極23的電阻值相比，共通電極23和金屬布線68的合計(jì)的電阻值降低。由此，防止信號(hào)的延遲及串?dāng)_等的發(fā)生。
[0110](第4實(shí)施方式)
[0111]圖9是第4實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素電極的平面圖。圖10是沿著圖9的IX— 線切斷并從箭頭方向觀察時(shí)的液晶顯示裝置的示意剖視圖。圖11是將金屬布線及防反射構(gòu)造體放大表示的部分放大剖視圖。本實(shí)施方式的液晶顯示裝置4具有金屬布線68和防反射構(gòu)造體71，金屬布線68設(shè)在比薄膜晶體管55靠上方，并與共通電極23接觸，防反射構(gòu)造體71設(shè)在金屬布線68之上。
[0112]金屬布線68設(shè)在外覆層25之上，金屬布線68及防反射構(gòu)造體71配置在信號(hào)線66的上方。金屬布線68及防反射構(gòu)造體71沿著信號(hào)線66、66在相同的方向上延伸，并沿著濾色器26R、26G、26B的邊界設(shè)置。
[0113]如圖11所示，防反射構(gòu)造體71包括用來抑制金屬布線68的反射光的光吸收層78、和設(shè)在光吸收層78之上的光干擾(optical interference)層77。光吸收層78具有將入射的光吸收的功能。來自上方的入射光及來自金屬布線68的反射光在穿過光吸收層78時(shí)衰減。由此，抑制來自金屬布線68的反射光被觀察者辨識(shí)到。光吸收層78例如是Al—X—N(X = Cu，Mo，Ni，Cr等)。另外，光吸收層78中使用的材料并不限定于此。將光吸收層78的復(fù)折射率N用N=η — i k表示時(shí)的吸收系數(shù)k在可視光區(qū)域(380nm以上，780nm以下)中具有k ^ 2的值的材料是優(yōu)選的。吸收系數(shù)k越大，入射到光吸收層78中的光越衰減。此外，由于吸收系數(shù)k依存于光的波長而變化，所以也可以根據(jù)入射的光的波長而使光吸收層78的組成、膜厚不同。在本實(shí)施方式中，光吸收層78的厚度例如是30nm以上、60nm以下。
[0114]在本實(shí)施方式中，光干擾層77具有共通電極23和設(shè)在共通電極23之上的絕緣層24。光干擾層77使來自金屬布線68的上表面的反射光的相位和來自光干擾層77的上表面的反射光的相位相互相反，使得兩個(gè)反射光彼此相抵消。由此，抑制來自金屬布線68的反射光被觀察者辨識(shí)到。
[0115]在本實(shí)施方式中，共通電極23在外覆層25的上表面、金屬布線68的側(cè)面、光吸收層78的側(cè)面及上表面上連續(xù)設(shè)置，與金屬布線68重疊的重疊部分23a包含在防反射構(gòu)造體71中。由此，當(dāng)設(shè)置防反射構(gòu)造體71時(shí)，能夠減少光學(xué)功能層的層疊數(shù)，抑制制造成本的增大。
[0116]此外，在金屬布線68及光吸收層78上，共通電極23下表面向上側(cè)突出而呈凹狀。由此，即使外覆層25的上表面是平坦的，也能夠在金屬布線68及光吸收層78上容易地設(shè)置共通電極23。除此以外，在金屬布線68及光吸收層78上，共通電極23上表面向上側(cè)突出而是凸?fàn)?。由此，共通電極23能夠使與金屬布線68重疊的重疊部分23a的厚度與其他部分的厚度相等。另外，對(duì)于重疊部分23a而言，也可以使厚度與重疊部分23a以外的共通電極23的厚度不同。
[0117]共通電極23例如使用IT0(Indium Tin Oxide)或ZnO等透光性導(dǎo)電材料。ITO或ZnO等透光性導(dǎo)電材料在可視光區(qū)域中具有折射率n = l.7以上且2.0以下、吸收系數(shù)k = 0的值，共通電極23具有作為光的干擾層的功能。
[0118]在本實(shí)施方式中，用來抑制共通電極23的電阻值的增大并適當(dāng)?shù)赝腹獾墓餐姌O
23的膜厚例如是20nm以上150nm以下。此外，在上述膜厚的范圍中，能夠?qū)⒖梢暪獾姆瓷溆行У馗蓴_而防止反射。
[0119]如圖10及圖11所示，用來將像素電極22和共通電極23的層間絕緣的絕緣層24設(shè)在共通電極23的上表面，在平面視圖下與金屬布線68重疊的重疊部分24a包含在防反射構(gòu)造體71中。
[0120]絕緣層24使用SiN(氮化硅)等絕緣材料。SiN在可視光區(qū)域中具有折射率n= 2.0以上且2.1以下、吸收系數(shù)k = 0的值。在本實(shí)施方式中，用來適當(dāng)?shù)卮_保像素電極22和共通電極23的層間絕緣并適當(dāng)?shù)赝腹獾慕^緣層24的膜厚例如是40nm以上、250nm以下。
[0121 ]在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置4中，如圖11所示，金屬布線68的側(cè)面與共通電極23接觸。由此，金屬布線68與共通電極23導(dǎo)通，共通電極23的電阻值降低。
[0122]另外，金屬布線68及光吸收層78的側(cè)面相對(duì)于外覆層25的上表面垂直，但也可以使金屬布線68或光吸收層78的側(cè)面傾斜而做成錐形狀。
[0123](第5實(shí)施方式)
[0124]圖12是第5實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素電極的平面圖。圖13是沿著圖12的XIII — XIII'線從箭頭方向觀察時(shí)的液晶顯示裝置的示意剖視圖。如圖12所示，沿著掃描線65設(shè)有金屬布線68及防反射構(gòu)造體71。如圖13所示，由光干擾層77及光吸收層78構(gòu)成的防反射構(gòu)造體71設(shè)在掃描線65及金屬布線68的上方。本實(shí)施方式的防反射構(gòu)造體71是與第4實(shí)施方式所示的防反射構(gòu)造體71同樣的結(jié)構(gòu)。由此，液晶顯示裝置5能夠適當(dāng)?shù)胤乐乖O(shè)在掃描線65上的金屬布線68的反射。此外，金屬布線68及防反射構(gòu)造體71也可以設(shè)在掃描線65及信號(hào)線66的上方。
[0125]如圖13所示，在漏極電極53之上設(shè)有光吸收層79。光吸收層79是Al — X—N(X = Cu，Mo，Ni，Cr等)。在接觸孔47的內(nèi)部，光吸收層79的一部分開口，漏極電極53從光吸收層79露出。露出的漏極電極53與像素電極22連接。通過在漏極電極53之上設(shè)置光吸收層79，抑制來自接觸孔47內(nèi)的漏極電極53的反射光被觀察者辨識(shí)到。如圖13所示，由光干擾層77及光吸收層78構(gòu)成的防反射構(gòu)造體71設(shè)在掃描線65上。
[0126](第I實(shí)施例)
[0127]圖14是表示第I實(shí)施例的來自具有防反射構(gòu)造體的金屬布線的反射光的亮度Y與絕緣層膜厚的關(guān)系的曲線圖。圖15是表示第I實(shí)施例的防反射構(gòu)造體的最優(yōu)膜厚的一例的表。圖16是表示使絕緣層的厚度變化時(shí)的色度分布的曲線圖。圖17是表示改變了絕緣層膜厚及光吸收層膜厚時(shí)的亮度Y的值的表。圖18是表示改變了絕緣層膜厚及光吸收層膜厚時(shí)的色度(x，y)的值的表。
[0128]本實(shí)施例的液晶顯示裝置是與圖11所示的第4實(shí)施方式的液晶顯示裝置4同樣的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，光吸收層78是Al — Cu — N，共通電極23是ΙΤ0。評(píng)價(jià)當(dāng)使光吸收層78、共通電極23、絕緣層24的膜厚不同時(shí)的反射光的亮度Y和色度，實(shí)現(xiàn)了防反射構(gòu)造體71的各層的膜厚最優(yōu)化。另外，在光源中使用作為標(biāo)準(zhǔn)光源之一的D65光源。在本測(cè)量中，從一定的距離照射一定的強(qiáng)度的D65光源。在將D65光源向在上層既沒有設(shè)置光干擾層77也沒有設(shè)置光吸收層78的金屬布線68進(jìn)行了照射的情況下，金屬布線68發(fā)生約5cd/m2左右的亮度的反射。
[0129]圖14的曲線圖表示當(dāng)使光吸收層78的膜厚為44nm、使共通電極23的膜厚為10nm時(shí)的、絕緣層24的膜厚與亮度Y的關(guān)系。在絕緣層24的膜厚為1nm以上、350nm以下的范圍中，亮度Y在絕緣層24的膜厚為60nm附近和200nm附近具有兩個(gè)極小值。另外，在考慮到制造誤差的情況下，抑制反射光的亮度Y的防反射構(gòu)造體71的膜厚如圖15的表I所示，優(yōu)選為，絕緣層24的膜厚是61nm以上、73nm以下(中心膜厚67nm)。
[0130]接著，表示考慮到色度的制約時(shí)的防反射構(gòu)造體71的各膜厚。圖16是基于CIE—XYZ表色系統(tǒng)的xy色度圖，稱作CIE系統(tǒng)或CIE色度圖。三刺激值X，Y，Z中的Y作為表示亮度的數(shù)值使用。xy色度圖是國際照明委員會(huì)CIE制作的國際表現(xiàn)法。圖16中的各點(diǎn)表示使光吸收層78的膜厚為44nm、使共通電極23的膜厚為lOOnm、使絕緣層24的厚度在10nm以上400nm以下的范圍中按每1nm變化的情況下的色度。這里，有x = X/(X+Y+Z)，y = Y/(X+Y+Z)的關(guān)系。
[0131]這里，使來自金屬布線68的反射光難以被人的眼睛辨識(shí)對(duì)于使液晶顯示裝置高精細(xì)化而言是重要的。為此，首先，優(yōu)選的是通過防反射構(gòu)造體71抑制反射光的亮度。此外，已知在同等的亮度的光的情況下，色度(x，y)的X及y的值較小時(shí)難以辨識(shí)，如果是xS0.3且yS0.3則尤其難以辨識(shí)。因而，優(yōu)選的是通過防反射構(gòu)造體71控制反射光，以使反射光的色度中的X及y的值變小。
[0132]根據(jù)圖16，在光吸收層78的膜厚是44nm、共通電極23的膜厚是10nm的情況下，在絕緣層24為60nm以上115nm以下的范圍、以及193nm以上228nm以下的范圍中，色度滿足xS
0.3 且 yS0.3o
[0133]如圖14及圖15所示，使亮度Y為最小的光干擾層77的膜厚是約167nm。圖17的表2表示將共通電極23的膜厚固定為10nm時(shí)的亮度Y的值。如圖17所示，在光吸收層78的膜厚為45nm的情況下，在絕緣層24的膜厚為60nm以上90nm以下的范圍中亮度Y變小。
[0134]圖18的表3表示將共通電極23的膜厚固定為10nm時(shí)的色度的值。色度(x，y)滿足X^0.3且y S0.3的范圍是，絕緣層24的膜厚為65nm以上95nm以下，中心膜厚為80nm。因而，考慮到色度(xS0.3，yS0.3)、亮度Y及制造誤差的優(yōu)選的防反射構(gòu)造體71的膜厚是，絕緣層24為72nm以上88nm以下(中心膜厚80nm)，共通電極23為90nm以上I 1nm以下(中心膜厚10nm)，光吸收層78為45nm以上55nm以下(中心膜厚50nm)。
[0135](第6實(shí)施方式)
[0136]圖19是第6實(shí)施方式的液晶顯示裝置的示意剖視圖。圖20是將第6實(shí)施方式的金屬布線及防反射構(gòu)造體放大表示的部分放大剖視圖。本實(shí)施方式的液晶顯示裝置6中，像素電極22和共通電極23的層疊的順序不同。如圖19所示，在外覆層25之上設(shè)有像素電極22。絕緣層24設(shè)在像素電極22及外覆層25之上。金屬布線68設(shè)在絕緣層24之上，共通電極23在金屬布線68及絕緣層24之上連續(xù)設(shè)置。
[0137]如圖20所示，在金屬布線68之上設(shè)有防反射構(gòu)造體72。防反射構(gòu)造體72包括用來抑制金屬布線68的反射光的光吸收層78、和設(shè)在光吸收層78之上的光干擾層77。
[0138]光吸收層78的厚度例如是30nm以上60nm以下。共通電極23的膜厚例如是20nm以上150nm以下。
[0139]如以上這樣，本實(shí)施方式的液晶顯示裝置6具有在金屬布線68之上依次設(shè)有光吸收層78、光干擾層77的防反射構(gòu)造體72。與第4實(shí)施方式不同，本實(shí)施方式中，絕緣層24由于位于金屬布線68的下方，所以不貢獻(xiàn)于金屬布線68上的光的干擾。即使是這樣的形態(tài)，也能夠通過防反射構(gòu)造體72抑制觀察者辨識(shí)到來自金屬布線68的反射光。
[0140](第2實(shí)施例)
[0141]圖21是表示第2實(shí)施例的改變了共通電極膜厚及光吸收層的膜厚時(shí)的亮度Y的值的表。圖22是表示第2實(shí)施例的改變了共通電極膜厚及光吸收層的膜厚時(shí)的色度(x，y)的值的表。第2實(shí)施例的液晶顯示裝置是第6實(shí)施方式的液晶顯示裝置6。
[0142 ]根據(jù)圖21的表4，從亮度Y的觀點(diǎn)看，膜厚范圍優(yōu)選的是，光吸收層78的膜厚為40nm以上50nm以下(中心膜厚45nm)的范圍，并且，共通電極23的膜厚為30nm以上40nm以下(中心膜厚35nm)的范圍。
[0143]如圖22的表5所示，在考慮到色度(x，y)的情況下，色度(x，y)滿足xS0.3且yS0.3的膜厚范圍是共通電極23的膜厚為45nm以上，如果考慮制造誤差，則共通電極23的膜厚優(yōu)選的是45nm以上55nm以下(中心膜厚50nm)的范圍。
[0144]根據(jù)以上的結(jié)果，如圖19及圖20所示，在共通電極23設(shè)在金屬布線68之上、絕緣層
24配置在金屬布線68的下方的情況下，也表現(xiàn)出反射光被抑制。由此，不需要在與金屬布線68重疊的位置上在對(duì)置基板30側(cè)設(shè)置遮蔽層，液晶顯示裝置6的開口率提高。
[0145](第7實(shí)施方式)
[0146]圖23是第7實(shí)施方式的液晶顯示裝置的示意剖視圖。圖24是將金屬布線及防反射構(gòu)造體放大表示的部分放大剖視圖。本實(shí)施方式的液晶顯示裝置7在外覆層25之上依次設(shè)有共通電極23、絕緣層24、像素電極22。如圖23及圖24所示，本實(shí)施方式的液晶顯示裝置7，在共通電極23之上設(shè)有金屬布線68這一點(diǎn)與第4至第6實(shí)施方式不同。共通電極23是平板狀，與金屬布線68重疊的位置及不重疊的位置都是平坦的。另一方面，絕緣層24其下表面是凹狀。由此，在金屬布線68上也能夠抑制厚度。此外，能夠使絕緣層24的上表面平坦。
[0147]如圖24所示，在金屬布線68之上設(shè)有防反射構(gòu)造體73。防反射構(gòu)造體73包括用來抑制金屬布線68的反射光的光吸收層78、和設(shè)在光吸收層78之上的光干擾層77。用來將像素電極22和共通電極23的層間絕緣的絕緣層24設(shè)在共通電極23的上表面、金屬布線68的側(cè)面、光吸收層78的側(cè)面及上表面。
[0148]光吸收層78的膜厚例如是30nm以上60nm以下。絕緣層24的膜厚例如是40nm以上250nm以下。
[0149]本實(shí)施方式的液晶顯示裝置7，通過在金屬布線68之上設(shè)置防反射構(gòu)造體73，抑制來自金屬布線68的反射光被觀察者辨識(shí)到。
[0150](第8實(shí)施方式)
[0151]圖25是將第8實(shí)施方式的液晶顯示裝置的金屬布線及防反射構(gòu)造體放大表示的部分放大剖視圖。在第8實(shí)施方式的液晶顯示裝置8中，絕緣層24在與金屬布線68重疊的部分朝向上方凸起。絕緣層24和加高層24b既可以是不同的層，也可以是相同的層。在是相同的層的情況下，在制造工序中，一次設(shè)置將絕緣層24和加高層24b合計(jì)得到的厚度的膜。
[0152]在本實(shí)施方式中，在絕緣層24之上設(shè)有加高層24b。加高層24b設(shè)在絕緣層24突出的部分之上、即金屬布線68的上方。在本實(shí)施方式中，加高層24b是與絕緣層24相同的材料，例如使用SiN(氮化硅)。
[0153]如圖25所示，設(shè)在金屬布線68之上的防反射構(gòu)造體73a具有光吸收層78和光干擾層77。光干擾層77包括絕緣層24和設(shè)在絕緣層24之上的加高層24b。絕緣層24(重疊部分24a)的厚度^和加高層24b的厚度t3的合計(jì)膜厚U^t3)為光干擾層77的厚度。
[0154]根據(jù)本實(shí)施方式，通過設(shè)置加高層24b，能夠調(diào)整防反射構(gòu)造體73a的光干擾層77的厚度。因而，能通過不改變?cè)诠餐姌O23之上設(shè)置的絕緣層24的厚度t2而變更加高層24b的厚度t3來調(diào)整光干擾層77的厚度。由此，沒有設(shè)置金屬布線68的部位的共通電極23通過I層的絕緣層24確保共通電極23和像素電極22的層間絕緣并且得到良好的透光性。此外，在設(shè)有金屬布線68的部位，能夠以絕緣層24及加高層24b的合計(jì)膜厚做成適合作為光干擾層77的膜厚。
[0155](第3實(shí)施例)
[0156]圖26是表示第3實(shí)施例的來自具有防反射構(gòu)造體的金屬布線的反射光的亮度Y與絕緣層膜厚的關(guān)系的曲線圖。本實(shí)施例的防反射構(gòu)造體是圖24所示的防反射構(gòu)造體73。本實(shí)施例中，評(píng)價(jià)當(dāng)使光吸收層78及絕緣層24的膜厚不同時(shí)的、反射光的亮度Y和色度，實(shí)現(xiàn)了防反射構(gòu)造體73的各層的膜厚最優(yōu)化。
[0157]在圖26的曲線圖中，表示使光吸收層78的膜厚為44nm時(shí)的、絕緣層24的膜厚與亮度Y的關(guān)系。如圖26所示，在絕緣層24的膜厚為1nm以上400nm以下的范圍中，亮度Y具有3個(gè)極小值。如圖26的用虛線包圍所表示的那樣，亮度Y在絕緣層24的膜厚為39nm附近、175nm附近、330nm附近表現(xiàn)出極小值。如上述那樣，絕緣層24的膜厚優(yōu)選的是例如40nm以上250nm以下的范圍。在該范圍內(nèi)，亮度Y具有第I極小值(絕緣層24膜厚為39nm附近)和第2極小值(絕緣層24膜厚為175nm附近)這兩個(gè)極小值。
[0158]在本實(shí)施例中，在考慮到制造誤差的情況下，抑制第I極小值的附近的反射光的亮度Y的防反射構(gòu)造體73的膜厚優(yōu)選的是，絕緣層24的膜厚為35nm以上43nm以下(中心膜厚39nm)、光吸收層78的膜厚為39nm以上50nm以下(中心膜厚44nm)。此外，抑制第2極小值的附近的反射光的亮度Y的防反射構(gòu)造體73的膜厚優(yōu)選的是，絕緣層24的膜厚為160nm以上190nm以下(中心膜厚175nm)、光吸收層78的膜厚為39nm以上50nm以下(中心膜厚44nm)。
[0159]圖27是使絕緣層的厚度變化時(shí)的、基于CIE— XYZ表色系統(tǒng)的xy色度圖。圖28是表示亮度Y的第I極小值的附近的、改變了絕緣層膜厚及光吸收層膜厚時(shí)的亮度Y的值的表。圖29是表示亮度Y的第I極小值的附近的、改變了絕緣層膜厚及光吸收層膜厚時(shí)的色度(x，y)的值的表。
[0160]圖27中的各點(diǎn)表示使光吸收層78的膜厚為44nm、使共通電極23的膜厚為lOOnm、使絕緣層24的厚度在10nm以上400nm以下的范圍中按每1nm變化的情況下的色度。將防反射構(gòu)造體73的各膜厚最優(yōu)化，以使得除了亮度Y的值以外，色度(X，y)滿足X S 0.3且y S 0.3。如圖27所示，隨著絕緣層24的膜厚的變化而色度(x，y)變化，在絕緣層24為32nm以上90nm以下、167nm以上216nm以下、以及300nm以上337nm以下的范圍中，色度滿足xS0.3且y S0.3。在絕緣層24為32nm以上90nm以下的范圍中，包含亮度Y的第I極小值，并且色度滿足xS0.3且yS0.3。在絕緣層24為167nm以上216nm以下的范圍中，包含亮度Y的第2極小值，并且色度滿足 xS0.3 且 yS0.3。
[0161]根據(jù)圖29的表7，在光吸收層78的膜厚為40nm以上60nm以下的范圍中，在絕緣層24的膜厚為45nm以上的情況下，色度(x，y)滿足xS0.3且yS0.3。如圖26、圖28所示，在絕緣層24的膜厚為45nm以上70nm以下的范圍中，表現(xiàn)出當(dāng)絕緣層24的膜厚變大時(shí)亮度Y變大的趨勢(shì)。因而，在第I極小值的附近，考慮到亮度Y、色度(x，y)及制造誤差的膜厚范圍優(yōu)選的是，絕緣層24的膜厚為45nm以上55nm以下(中心膜厚50nm)、光吸收層78的膜厚為45nm以上55nm以下(中心膜厚50nm) ο滿足亮度Y及色度(X S0.3，y S0.3)的膜厚范圍包含在作為上述絕緣層24的膜厚范圍的40nm以上250nm以下中。
[0162]圖30是表示亮度Y的第2極小值的附近的、改變了絕緣層膜厚及光吸收層膜厚時(shí)的亮度Y的值的表。圖31是表示亮度Y的第2極小值的附近的、改變了絕緣層膜厚及光吸收層膜厚時(shí)的色度(x，y)的值的表。
[0163]如圖31的表9所示，在光吸收層78的膜厚為45nm以上55nm以下的范圍中、并且在絕緣層24的膜厚為17511111以上21511111以下的范圍中，滿足色度&$0.3，7$0.3)。由此，在亮度￥的第2極小值的附近，考慮到亮度Y、色度(XS0.3，y S0.3)及制造誤差的膜厚范圍是，絕緣層24的膜厚為175nm以上215nm以下(中心膜厚195nm)、光吸收層78的膜厚為45nm以上55nm以下(中心膜厚50nm)。如圖30的表8所示，在該范圍中亮度Y是0.141cd/m2以上、1.15。(1/1112以下。
[0164]如以上這樣，本實(shí)施例的結(jié)果表現(xiàn)出，通過防反射構(gòu)造體73能夠抑制來自金屬布線68的反射光被觀察者辨識(shí)到。此外，在絕緣層24的膜厚為40nm以上250nm以下的范圍中，存在兩個(gè)亮度Y被抑制并且滿足色度(xS0.3，yS0.3)的膜厚區(qū)域。由于能夠防止反射的最優(yōu)膜厚的選擇范圍存在兩個(gè)，所以設(shè)計(jì)自由度變大，防反射構(gòu)造體的各膜厚和像素電極、共通電極、濾色器等的各膜厚的兼顧較容易。
[0165]以上，說明了本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限定于這樣的實(shí)施方式。在實(shí)施方式中公開的內(nèi)容只不過是一例，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍中能夠進(jìn)行各種各樣的變更。關(guān)于在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行的適當(dāng)?shù)淖兏伯?dāng)然屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。
[0166]例如，本實(shí)施方式的液晶顯示裝置包括對(duì)置基板具有遮蔽層的結(jié)構(gòu)或不具有遮蔽層的結(jié)構(gòu)兩者。此外，遮蔽層的形狀及位置沒有被特別限定，可以適當(dāng)變更。例如也可以是，以與上述像素電極22同樣的形狀及配置設(shè)置共通電極。在此情況下，像素電極以與上述共通電極23同樣的形狀及配置設(shè)置。此外，防反射構(gòu)造體的光吸收層及光干擾層并不限定于實(shí)施例等所示的結(jié)構(gòu)，可以將材料、組成、膜厚、層疊數(shù)等變更。
[0167]進(jìn)而，上述各實(shí)施方式可以適當(dāng)組合。例如，也可以在防反射構(gòu)造體71、72、73之上設(shè)置間隔件45。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于， 具備: 薄膜晶體管基板，具備薄膜晶體管； 液晶層，設(shè)在上述薄膜晶體管基板上；以及 對(duì)置基板，設(shè)在上述薄膜晶體管基板上； 上述薄膜晶體管基板具有: 第I透光性電極； 濾色器； 金屬布線，設(shè)在上述濾色器上，與上述第I透光性電極電連接； 光吸收層，設(shè)在上述金屬布線上；以及 光干擾層，設(shè)在上述光吸收層上； 上述光干擾層包括上述第I透光性電極。2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述薄膜晶體管基板具備: 第2透光性電極；以及 絕緣層，設(shè)在上述第I透光性電極與上述第2透光性電極之間； 上述光干擾層包括上述絕緣層。3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述絕緣層是氮化娃，厚度是40nm以上250nm以下。4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述絕緣層的厚度是61nm以上73nm以下。5.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述絕緣層的厚度是72]11]1以上88111]1以下，上述第1透光性電極的厚度是90111]1以上110111]1以下。6.如權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第I透光性電極是氧化銦錫，厚度是20nm以上150nm以下。7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第I透光性電極的厚度是30nm以上40nm以下。8.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第I透光性電極的厚度是45nm以上55nm以下。9.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述薄膜晶體管基板具有向上述薄膜晶體管傳遞驅(qū)動(dòng)信號(hào)的掃描線以及在與上述掃描線交叉的方向上延伸的信號(hào)線； 上述光吸收層設(shè)在比上述掃描線或上述信號(hào)線靠上方。
【文檔編號(hào)】G02F1/1335GK106019685SQ201610188476
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年3月29日
【發(fā)明人】小菅將洋, 石垣利昌, 伊東理
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社日本顯示器