像素結構及液晶顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種像素結構及液晶顯示裝置，該像素結構包括多條數據線、多條主掃描線、多條分享電容掃描線以及多個呈陣列排布的像素組合，每一所述像素組合包括至少四個呈陣列排布的像素單元，每一所述像素單元包括至少三個子像素單元，每一所述子像素單元包括主區(qū)以及子區(qū)；該子區(qū)包括分享電容；同一像素單元的各個子像素單元的分享電容的電容值相等，在每一所述像素組合中，對角相鄰的兩個所述像素單元的子像素單元的分享電容的電容值不相等。本發(fā)明具有提高液晶顯示裝置開口率的有益效果。
【專利說明】
像素結構及液晶顯示裝置
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領域，特別是涉及一種像素結構及液晶顯示裝置。
【背景技術】
[0002]液晶顯示器(LCD，Liquid Crystal Display)是最廣泛使用的平板顯示器之一，LCD包括設置有場發(fā)生電極諸如像素電極和公共電極的一對面板以及設置在兩個面板之間的液晶(LC,Liquid Crystal)層。當電壓被施加到場發(fā)生電極從而在LC層中產生電場，該電場決定了液晶層中的LC分子的取向，從而調整入射到液晶層的光的偏振，使LCD顯示圖像。
[0003]目前業(yè)界發(fā)展出一種稱為高分子安定化垂直配向(PolymerStabilizedVertical Al ignment，PSVA)的技術，該技術是在液晶材料中摻入適當濃度的單體化合物(monomer)并且震蕩均勻。接著，將混合后的液晶材料置于加熱器上加溫到達等向性(I sotropy)狀態(tài)。當液晶混合物降至室溫時，液晶混合物會回到向列型(nemat i c)狀態(tài)。然后，將液晶混合物注入至液晶盒并施與電壓。當施加電壓使液晶分子排列穩(wěn)定時，則使用紫外光或加熱的方式讓單體化合物進行聚合反應以成聚合物層，由此達到穩(wěn)定配向的目的。
[0004]傳統的VA模式液晶面板(如圖1所示)在廣視角觀看時，往往會出現色偏的問題。為改善廣視角面板的色偏，現有的廣視角面板將像素分為兩個區(qū)，面板工作時，一個主區(qū)(Main)的亮度較高，另外一個子區(qū)(Sub)亮度較低，以通過該兩個亮度不同的區(qū)來改善面板的廣視角特性。由于Sub區(qū)的面積較大(占像素開口區(qū)的60%左右)，整個像素單元的穿透率會有較大的犧牲，增加了背光的功耗，不符合現在綠色環(huán)保節(jié)能的理念。此外，由于Main區(qū)內均是高亮度像素，而Sub區(qū)內均是低亮度像素，高亮度像素和低亮度像素分別過于集中，使得兩個區(qū)的亮度差異過于明顯，導致視覺效果不佳。
[0005]因此，現有技術存在缺陷，急需改進。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種像素結構及液晶顯示裝置；以解決現有的像素結構及液晶顯示裝置穿透率不高的技術問題。
[0007]為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術方案如下:
[0008]本發(fā)明提供一種像素結構，包括多條數據線、多條主掃描線、多條分享電容掃描線以及多個呈陣列排布的像素組合，每一所述像素組合包括至少四個呈陣列排布的像素單元，每一所述像素單元包括至少三個子像素單元，每一所述子像素單元包括主區(qū)以及子區(qū)；該主區(qū)分別與一所述數據線以及一所述主掃描線連接；
[0009]該子區(qū)包括第一薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第一液晶電容、第一存儲電容以及分享電容，該第一薄膜晶體管的源極與一所述數據線連接，該第一薄膜晶體管的柵極與一所述主掃描線連接，該第一薄膜晶體管的漏極與該第三薄膜晶體管的輸入端、該第一液晶電容、以及該第一存儲電容連接，該第三薄膜晶體管的輸出端與該分享電容的一端連接，該第三薄膜晶體管的柵極與一所述分享電容掃描線連接;同一像素單元的各個子像素單元的分享電容的電容值相等，在每一所述像素組合中，對角相鄰的兩個所述像素單元的子像素單元的分享電容的電容值不相等。
[0010]在本發(fā)明所述的像素結構中，在每一所述像素組合中，任意兩個所述像素單元的子像素單元的分享電容的電容值不相等。
[0011]在本發(fā)明所述的像素結構中，所述主區(qū)包括第二薄膜晶體管、第二液晶電容以及第二存儲電容，該第二薄膜晶體管的柵極與所述主掃描線連接，該第二薄膜晶體管的源極與所述數據線連接，該第二薄膜晶體管的漏極與所述第二存儲電容以及第二液晶電容連接。
[0012]在本發(fā)明所述的像素結構中，每一所述像素單元包括三個子像素單元，該三個子像素單元為紅色子像素單元、綠色子像素單元以及藍色子像素單元。
[0013]在本發(fā)明所述的像素結構中，所述像素結構還包括公共線以及公共電極，所述子區(qū)包括第一像素電極以及第二像素電極，該第一像素電極與該公共電極局部相互正對以形成所述第一液晶電容，該第一像素電極與該公共線局部相互正對以形成所述第一存儲電容，該第二像素電極與該公共線局部相互正對以形成所述分享電容。
[0014]在本發(fā)明所述的像素結構中，所述主區(qū)還包括第三像素電極，該第三像素電極與該公共電極局部相互正對以形成所述第二液晶電容，該第三像素電極與該公共線局部相互正對以形成所述第二存儲電容。
[0015]本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，包括像素結構，該像素結構包括多條數據線、多條主掃描線、多條分享電容掃描線以及多個呈陣列排布的像素組合，每一所述像素組合包括至少四個呈陣列排布的像素單元，每一所述像素單元包括至少三個子像素單元，每一所述子像素單元包括主區(qū)以及子區(qū)；該主區(qū)分別與一所述數據線以及一所述主掃描線連接；
[0016]該子區(qū)包括第一薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第一液晶電容、第一存儲電容以及分享電容，該第一薄膜晶體管的源極與一所述數據線連接，該第一薄膜晶體管的柵極與一所述主掃描線連接，該第一薄膜晶體管的漏極與該第三薄膜晶體管的輸入端、該第一液晶電容、以及該第一存儲電容連接，該第三薄膜晶體管的輸出端與該分享電容的一端連接，該第三薄膜晶體管的柵極與一所述分享電容掃描線連接;同一像素單元的各個子像素單元的分享電容的電容值相等，在每一所述像素組合中，對角相鄰的兩個所述像素單元的子像素單元的分享電容的電容值不相等。
[0017]在本發(fā)明所述的液晶顯示裝置中，在每一所述像素組合中，任意兩個所述像素單元的子像素單元的分享電容的電容值不相等。
[0018]在本發(fā)明所述的液晶顯示裝置中，所述主區(qū)包括第二薄膜晶體管、第二液晶電容以及第二存儲電容，該第二薄膜晶體管的柵極與所述主掃描線連接，該第二薄膜晶體管的源極與所述數據線連接，該第二薄膜晶體管的漏極與所述第二存儲電容以及第二液晶電容連接。
[0019]在本發(fā)明所述的液晶顯示裝置中，所述像素結構還包括公共線以及公共電極，所述子區(qū)包括第一像素電極以及第二像素電極，該第一像素電極與該公共電極局部相互正對以形成所述第一液晶電容，該第一像素電極與該公共線局部相互正對以形成所述第一存儲電容，該第二像素電極與該公共線局部相互正對以形成所述分享電容。
[0020]與現有技術相比，本發(fā)明通過將像素結構分成多個呈陣列排布的像素組合，每一所述像素組合包括至少四個呈陣列排布的像素單元，每一所述像素單元包括至少三個子像素單元，在同一個像素組合內，對角相鄰的兩個像素單元的子像素單元的子區(qū)的分享電容不相等，實現該至少四個像素單元具有不同的拉低壓差，進而避免高亮度像素單元和低亮度像素單元過于集中造成的穿透率低和畫面閃爍的問題，同時設置不同大小的分享電容也能一定程度上提高開口率，使得液晶顯面板穿透率進一步提升。
[0021]為讓本發(fā)明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下:
【附圖說明】
[0022]圖1是本發(fā)明一優(yōu)選實施例中的像素結構的結構圖。
[0023]圖2是本發(fā)明圖1所示實施例中的像素結構的子像素單元的電路結構圖。
【具體實施方式】
[0024]以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0025]在圖中，結構相似的單元是以相同標號表示。
[0026]請參照圖1以及圖2，圖1是本發(fā)明一優(yōu)選實施例中的像素結構的結構圖，其主要應用于液晶顯示裝置中。在本實施例中，該像素結構包括多條數據線Dn、多條主掃描線Gn、多條分享電容掃描線Tn以及多個呈陣列排布的像素組合10，每一所述像素組合10包括至少四個呈陣列排布的像素單元11，每一所述像素單元11包括至少三個子像素單元111，每一所述子像素單元111包括主區(qū)1112以及子區(qū)1111;該主區(qū)1112分別與一所述數據線Dn以及一所述主掃描線Gn連接。
[0027]在本實施例中，每一像素單元11包括三個子像素單元111，該三個子像素單元111為紅色子像素單元R1/R2、綠色子像素單元G1/G2以及藍色子像素單元B1/B2。當然可以理解地，該像素單元11還可以包括四個子像素單元111，即分別為紅綠藍白四色子像素單元111。
[0028]該主區(qū)1112包括第二薄膜晶體管Q2、第二液晶電容Clcl以及第二存儲電容Cst2，該第二薄膜晶體管Q2的柵極與所述主掃描線Gn連接，該第二薄膜晶體管Q2的源極與所述數據線Dn連接，該第二薄膜晶體管Q2的漏極與所述第二存儲電容Cst2以及第二液晶電容Ccl2連接。
[0029]該子區(qū)1111包括第一薄膜晶體管Q1、第三薄膜晶體管Q3、第一液晶電容Clcl、第一存儲電容Cstl以及分享電容Cs，該第一薄膜晶體管Ql的源極與一所述數據線Dn連接，該第一薄膜晶體管Ql的柵極與一所述主掃描線Gn連接，該第一薄膜晶體管Ql的漏極與該第三薄膜晶體管Q3的輸入端、該第一液晶電容Clcl、以及該第一存儲電容Cstl連接。該第三薄膜晶體管Q3的輸出端與該分享電容Cs的一端連接，該第三薄膜晶體管Q3的柵極與一所述分享電容Cs的掃描線連接;同一像素單元11的各個子像素單元111的分享電容Cs的電容值相等，在每一所述像素組合10中，對角相鄰的兩個所述像素單元11的子像素單元111的分享電容Cs的電容值不相等。更進一步地，在每一像素組合10中，任意兩個像素單元11的子像素單元111的分享電容Cs的電容值不相等。
[0030]進一步地，該像素結構還包括位于陣列基板上的公共線ARCom及彩膜基板上的公共電極CF Com。該子區(qū)1111包括第一像素電極以及第二像素電極，該第一像素電極與該公共電極CF Com局部相互正對以形成第一液晶電容Clcl，該第一像素電極與該公共線AR Com局部相互正對以形成所述第一存儲電容Cstl，該第二像素電極與該公共線AR Com局部相互正對以形成所述分享電容Cs。
[0031]該主區(qū)1112還包括第三像素電極，該第三像素電極與該公共電極CF Com局部相互正對以形成所述第二液晶電容Clc2，該第三像素電極與該公共線AR Com相互正對以形成所述第二存儲電容Cst2。
[0032]可以理解地，該每一像素組合10還可以包括例如8個像素單元11或者16個像素單元11，當然，其并不限于此。
[0033]本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，其包括像素結構，該像素結構包括多條數據線Dn、多條主掃描線Gn、多條分享電容掃描線Tn以及多個呈陣列排布的像素組合10，每一所述像素組合10包括至少四個呈陣列排布的像素單元11，每一所述像素單元11包括至少三個子像素單元111，每一所述子像素單元111包括主區(qū)1112以及子區(qū)1111;該主區(qū)分1111別與一所述數據線Dn以及一所述主掃描線Gn連接。
[0034]在本實施例中，每一像素單元11包括三個子像素單元111，該三個子像素單元111為紅色子像素單元R1/R2、綠色子像素單元G1/G2以及藍色子像素單元B1/B2。當然可以理解地，該像素單元11還可以包括四個子像素單元111，即分別為紅綠藍白四色子像素單元111。
[0035]該主區(qū)1112包括第二薄膜晶體管Q2、第二液晶電容Clcl以及第二存儲電容Cst2，該第二薄膜晶體管Q2的柵極與所述主掃描線Gn連接，該第二薄膜晶體管Q2的源極與所述數據線Dn連接，該第二薄膜晶體管Q2的漏極與所述第二存儲電容Cst2以及第二液晶電容Ccl2連接。
[0036]該子區(qū)1111包括第一薄膜晶體管Q1、第三薄膜晶體管Q3、第一液晶電容Clcl、第一存儲電容Cstl以及分享電容Cs，該第一薄膜晶體管Ql的源極與一所述數據線Dn連接，該第一薄膜晶體管Ql的柵極與一所述主掃描線Gn連接，該第一薄膜晶體管Ql的漏極與該第三薄膜晶體管Q3的輸入端、該第一液晶電容Clcl、以及該第一存儲電容Cstl連接。該第三薄膜晶體管Q3的輸出端與該分享電容Cs的一端連接，該第三薄膜晶體管Q3的柵極與一所述分享電容Cs的掃描線連接;同一像素單元11的各個子像素單元111的分享電容Cs的電容值相等，在每一所述像素組合10中，對角相鄰的兩個所述像素單元11的子像素單元111的分享電容Cs的電容值不相等。更進一步地，在每一像素組合10中，任意兩個像素單元11的子像素單元111的分享電容Cs的電容值不相等。
[0037]進一步地，該像素結構還包括位于陣列基板上的公共線ARCom及彩膜基板上的公共電極CF Com。該子區(qū)1111包括第一像素電極以及第二像素電極，該第一像素電極與該公共電極CF Com局部相互正對以形成第一液晶電容Clcl，該第一像素電極與該公共線AR Com局部相互正對以形成所述第一存儲電容Cstl，該第二像素電極與該公共線AR Com局部相互正對以形成所述分享電容Cs。
[0038]該主區(qū)1112還包括第三像素電極，該第三像素電極與該公共電極CF Com局部相互正對以形成所述第二液晶電容Clc2，該第三像素電極與該公共線AR Com相互正對以形成所述第二存儲電容Cst2。
[0039]可以理解地，該每一像素組合10還可以包括例如8個像素單元11或者16個像素單元11，當然，其并不限于此。
[0040]由上可知，本發(fā)明通過將像素結構分成多個呈陣列排布的像素組合，每一所述像素組合包括至少四個呈陣列排布的像素單元，每一所述像素單元包括至少三個子像素單元，在同一個像素組合內，對角相鄰的兩個像素單元的子像素單元的子區(qū)的分享電容不相等，實現該至少四個像素單元具有不同的拉低壓差，進而避免高亮度像素單元和低亮度像素單元過于集中造成的穿透率低和畫面閃爍的問題，同時設置不同大小的分享電容也能一定程度上提高開口率，使得液晶顯面板穿透率進一步提升。
[0041 ] 綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。
【主權項】
1.一種像素結構，其特征在于，包括多條數據線、多條主掃描線、多條分享電容掃描線以及多個呈陣列排布的像素組合，每一所述像素組合包括至少四個呈陣列排布的像素單元，每一所述像素單元包括至少三個子像素單元，每一所述子像素單元包括主區(qū)以及子區(qū)；該主區(qū)分別與一所述數據線以及一所述主掃描線連接； 該子區(qū)包括第一薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第一液晶電容、第一存儲電容以及分享電容，該第一薄膜晶體管的源極與一所述數據線連接，該第一薄膜晶體管的柵極與一所述主掃描線連接，該第一薄膜晶體管的漏極與該第三薄膜晶體管的輸入端、該第一液晶電容、以及該第一存儲電容連接，該第三薄膜晶體管的輸出端與該分享電容的一端連接，該第三薄膜晶體管的柵極與一所述分享電容掃描線連接;同一像素單元的各個子像素單元的分享電容的電容值相等，在每一所述像素組合中，對角相鄰的兩個所述像素單元的子像素單元的分享電容的電容值不相等。2.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，在每一所述像素組合中，任意兩個所述像素單元的子像素單元的分享電容的電容值不相等。3.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述主區(qū)包括第二薄膜晶體管、第二液晶電容以及第二存儲電容，該第二薄膜晶體管的柵極與所述主掃描線連接，該第二薄膜晶體管的源極與所述數據線連接，該第二薄膜晶體管的漏極與所述第二存儲電容以及第二液晶電容連接。4.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，每一所述像素單元包括三個子像素單元，該三個子像素單元為紅色子像素單元、綠色子像素單元以及藍色子像素單元。5.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述像素結構還包括公共線以及公共電極，所述子區(qū)包括第一像素電極以及第二像素電極，該第一像素電極與該公共電極局部相互正對以形成所述第一液晶電容，該第一像素電極與該公共線局部相互正對以形成所述第一存儲電容，該第二像素電極與該公共線局部相互正對以形成所述分享電容。6.根據權利要求5所述的像素結構，其特征在于，所述主區(qū)還包括第三像素電極，該第三像素電極與該公共電極局部相互正對以形成所述第二液晶電容，該第三像素電極與該公共線局部相互正對以形成所述第二存儲電容。7.—種液晶顯示裝置，其特征在于，包括像素結構，該像素結構包括多條數據線、多條主掃描線、多條分享電容掃描線以及多個呈陣列排布的像素組合，每一所述像素組合包括至少四個呈陣列排布的像素單元，每一所述像素單元包括至少三個子像素單元，每一所述子像素單元包括主區(qū)以及子區(qū)；該主區(qū)分別與一所述數據線以及一所述主掃描線連接； 該子區(qū)包括第一薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第一液晶電容、第一存儲電容以及分享電容，該第一薄膜晶體管的源極與一所述數據線連接，該第一薄膜晶體管的柵極與一所述主掃描線連接，該第一薄膜晶體管的漏極與該第三薄膜晶體管的輸入端、該第一液晶電容、以及該第一存儲電容連接，該第三薄膜晶體管的輸出端與該分享電容的一端連接，該第三薄膜晶體管的柵極與一所述分享電容掃描線連接;同一像素單元的各個子像素單元的分享電容的電容值相等，在每一所述像素組合中，對角相鄰的兩個所述像素單元的子像素單元的分享電容的電容值不相等。8.根據權利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于，在每一所述像素組合中，任意兩個所述像素單元的子像素單元的分享電容的電容值不相等。9.根據權利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述主區(qū)包括第二薄膜晶體管、第二液晶電容以及第二存儲電容，該第二薄膜晶體管的柵極與所述主掃描線連接，該第二薄膜晶體管的源極與所述數據線連接，該第二薄膜晶體管的漏極與所述第二存儲電容以及第二液晶電容連接。10.根據權利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素結構還包括公共線以及公共電極，所述子區(qū)包括第一像素電極以及第二像素電極，該第一像素電極與該公共電極局部相互正對以形成所述第一液晶電容，該第一像素電極與該公共線局部相互正對以形成所述第一存儲電容，該第二像素電極與該公共線局部相互正對以形成所述分享電容。
【文檔編號】G02F1/1362GK106054477SQ201610589334
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月25日 公開號201610589334.6, CN 106054477 A, CN 106054477A, CN 201610589334, CN-A-106054477, CN106054477 A, CN106054477A, CN201610589334, CN201610589334.6
【發(fā)明人】徐向陽
【申請人】深圳市華星光電技術有限公司