陣列基板、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種陣列基板和顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，其可解決現(xiàn)有的陣列基板中數(shù)據(jù)線與柵線交叉重疊的區(qū)域耦合電容過大以及薄膜晶體管之間互相干擾的問題。本實(shí)用新型的陣列基板中，在柵線與數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域、沿柵線的延伸方向開設(shè)有柵切口，柵切口在柵切口的長度方向上至少延伸超過柵線與所述數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域。該陣列基板能夠減少數(shù)據(jù)線與柵線之間的耦合電容；當(dāng)柵切口延伸超過第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管之間的區(qū)域，還能夠減少每個(gè)像素區(qū)的兩個(gè)薄膜晶體管之間的相互干擾。
【專利說明】
陣列基板、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]如今，液晶顯示技術(shù)已廣泛應(yīng)用于電視、手機(jī)、電腦以及公共信息顯示屏等設(shè)備中?，F(xiàn)有的液晶顯示面板包括陣列基板，陣列基板包括垂直交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線、柵線和多個(gè)像素區(qū)，在每個(gè)像素區(qū)內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管的柵極與柵線電連接，薄膜晶體管的漏極與像素電極電連接，薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線電連接，從而即可通過數(shù)據(jù)線和柵線對(duì)薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)，將數(shù)據(jù)信號(hào)寫入像素電極。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，為了能夠?qū)崿F(xiàn)寬視角液晶顯示，每個(gè)像素區(qū)內(nèi)通常設(shè)置兩個(gè)像素電極，由兩個(gè)薄膜晶體管分別對(duì)兩個(gè)像素電極進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
[0004]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題:
[0005]1.在數(shù)據(jù)線與柵線重疊的區(qū)域，數(shù)據(jù)線與柵線之間將產(chǎn)生耦合電容，進(jìn)而數(shù)據(jù)線與柵線發(fā)生串?dāng)_，導(dǎo)致畫面顯示不均勻；
[0006]2.每個(gè)像素區(qū)的兩個(gè)薄膜晶體管相互干擾，導(dǎo)致畫面質(zhì)量下降。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0007]本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有的上述技術(shù)問題，提供一種陣列基板和顯示裝置。該陣列基板能夠減少數(shù)據(jù)線與柵線之間的耦合電容，并減少每個(gè)像素區(qū)的兩個(gè)薄膜晶體管之間的相互干擾。
[0008]解決本實(shí)用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種陣列基板，包括襯底基板、柵線、數(shù)據(jù)線和多個(gè)像素區(qū)，所述像素區(qū)內(nèi)設(shè)置有第一像素電極和第二像素電極，所述第一像素電極與所述第二像素電極相對(duì)設(shè)置于所述像素區(qū)對(duì)應(yīng)的所述柵線的兩側(cè)、且互相電絕緣;所述像素區(qū)還設(shè)置有第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)線通過所述第一薄膜晶體管電連接所述第一像素電極，且所述數(shù)據(jù)線通過所述第二薄膜晶體管電連接所述第二像素電極，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的柵極分別位于所述像素區(qū)對(duì)應(yīng)的所述柵線的兩側(cè)、且相對(duì)設(shè)置，所述柵線在與所述數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域、沿所述柵線的延伸方向開設(shè)有柵切口，所述柵切口在所述柵切口的長度方向上至少延伸超過所述柵線與所述數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域。
[0009]優(yōu)選的是，所述柵切口的寬度小于所述柵線的寬度。
[0010]優(yōu)選的是，所述柵切口在所述柵切口的長度方向上延伸超過所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的柵極之間的區(qū)域。
[0011]優(yōu)選的是，所述像素區(qū)還包括第一存儲(chǔ)電極線和第二存儲(chǔ)電極線，所述第一存儲(chǔ)電極線與所述第一像素電極在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊，所述第二存儲(chǔ)電極線與所述第二像素電極在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
[0012]優(yōu)選的是，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置、且分別與所述像素區(qū)對(duì)應(yīng)的所述柵線電連接。
[0013]優(yōu)選的是，所述第一薄膜晶體管的源極與所述第二薄膜晶體管的源極同層設(shè)置，所述第一薄膜晶體管的源極與所述第二薄膜晶體管的源極之間設(shè)置有源極連接線，所述源極連接線分別與所述第一薄膜晶體管的源極和所述第二薄膜晶體管的源極電連接，所述源極連接線與所述柵線交叉。
[0014]優(yōu)選的是，所述源極連接線開設(shè)有源切口，所述源切口位于所述源極連接線的內(nèi)部。
[0015]優(yōu)選的是，所述源極連接線開設(shè)有源切口，所述源切口位于所述源極連接線的一個(gè)側(cè)邊上。
[0016]優(yōu)選的是，所述柵切口在柵切口的長度方向上延伸超過所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的柵極之間的區(qū)域，所述源切口位于所述源極連接線與所述柵線交叉的區(qū)域。
[0017]優(yōu)選的是，所述柵切口在柵切口的長度方向上延伸超過所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的柵極之間的區(qū)域，所述源切口在所述襯底基板上的正投影位于所述柵切口在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。
[0018]優(yōu)選的是，所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第二薄膜晶體管的漏極同層設(shè)置，所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第一像素電極電連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二像素電極電連接。
[0019]本實(shí)用新型提供另一技術(shù)方案:一種顯示裝置，包括上述陣列基板。
[0020]本實(shí)用新型提供的陣列基板和顯示裝置，首先，通過在柵線上與數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域開設(shè)有柵切口，能夠減少數(shù)據(jù)線與柵線之間的耦合電容，進(jìn)而減少數(shù)據(jù)線與柵線發(fā)生串?dāng)_，保證畫面均勻顯示；
[0021 ]其次，將柵切口在柵切口的長度方向上延伸超過第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管之間的區(qū)域，從而能夠減少第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管之間的相互干擾；
[0022]最后，設(shè)置源極連接線將第一薄膜晶體管的源極與第二薄膜晶體管的源極電連接，能夠使第一薄膜晶體管的源極的電壓與第二薄膜晶體管的源極的電壓時(shí)刻保持一致，從而保證第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的一致性;并且，通過在源極連接線上開設(shè)源切口，能夠減少源極連接線與柵線之間的耦合電容，進(jìn)而減少源極連接線與柵線發(fā)生串?dāng)_。
【附圖說明】
[0023]圖1A為本實(shí)用新型的實(shí)施例1的陣列基板中一個(gè)像素區(qū)的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖1B為本實(shí)用新型的實(shí)施例1的陣列基板中一個(gè)像素區(qū)的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為圖1A中沿A1-A2線的剖視圖；
[0026]圖3為本實(shí)用新型的實(shí)施例2的陣列基板中一個(gè)像素區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4為圖3中沿B1-B2線的剖視圖；
[0028]圖5為本實(shí)用新型的實(shí)施例3的陣列基板中一個(gè)像素區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖6為圖5中沿C1-C2線的剖視圖；
[0030]圖7為本實(shí)用新型的實(shí)施例4的陣列基板中一個(gè)像素區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖8為圖7中沿D1-D2線的剖視圖；
[0032]圖9為本實(shí)用新型的實(shí)施例5的陣列基板中一個(gè)像素區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖10為圖9中沿E1-E2線的剖視圖。
[0034]其中，附圖標(biāo)記為:
[0035]1、數(shù)據(jù)線;2、柵線；3、柵切口 ； 4a、第一存儲(chǔ)電極線;4b、第二存儲(chǔ)電極線；5a、第一像素電極;5b、第二像素電極;6a、第一薄膜晶體管的柵極;6b、第二薄膜晶體管的柵極;7a、第一薄膜晶體管的源極;7b、第二薄膜晶體管的源極;8a、第一薄膜晶體管的漏極;8b、第二薄膜晶體管的漏極;9a、第一薄膜晶體管的有源層;9b、第二薄膜晶體管的有源層;9、有源層；1、柵絕緣層；11、鈍化層；12、源極連接線；13、源切口； 14、襯底基板；15a、第一過孔；15b、第二過孔。
【具體實(shí)施方式】
[0036]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0037]實(shí)施例1:
[0038]本實(shí)施例提供一種陣列基板，在該陣列基板中，柵線在與數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域、沿柵線的延伸方向開設(shè)有柵切口，能夠減少數(shù)據(jù)線與柵線之間的耦合電容，進(jìn)而減少數(shù)據(jù)線與柵線發(fā)生串?dāng)_。
[0039]圖1A為本實(shí)施例的陣列基板中一個(gè)像素區(qū)的一種結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1A中沿Al-A2線的剖視圖，如圖1A、圖2所示，陣列基板包括襯底基板14、柵線2、數(shù)據(jù)線I和多個(gè)像素區(qū)，像素區(qū)內(nèi)設(shè)置第一像素電極5a和第二像素電極5b，第一像素電極5a與第二像素電極5b相對(duì)設(shè)置于像素區(qū)對(duì)應(yīng)的柵線2的兩側(cè)、且互相電絕緣;每一像素區(qū)內(nèi)均設(shè)置有第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，數(shù)據(jù)線I通過第一薄膜晶體管電連接第一像素電極5a，且數(shù)據(jù)線I通過第二薄膜晶體管電連接第二像素電極5b，第一薄膜晶體管的柵極6a與第二薄膜晶體管的柵極6b分別位于像素區(qū)對(duì)應(yīng)的柵線2的兩側(cè)、且相對(duì)設(shè)置，柵線2在與數(shù)據(jù)線I交叉的區(qū)域、沿柵線2的延伸方向開設(shè)有柵切口 3，柵切口 3在柵切口 3的長度方向上延伸超過柵線2與數(shù)據(jù)線I交叉的區(qū)域，柵切口3的長度方向與柵線2的延伸方向一致。
[0040]圖1B為本實(shí)施例的陣列基板中一個(gè)像素區(qū)的另一種結(jié)構(gòu)示意圖，圖1B的像素區(qū)的結(jié)構(gòu)與圖1A的像素區(qū)的結(jié)構(gòu)的區(qū)別在于，圖1B中的柵切口 3在柵切口 3的長度方向上延伸超過柵線2與數(shù)據(jù)線I交叉的區(qū)域，且延伸至了第一薄膜晶體管的柵極7a與第二薄膜晶體管的柵極7b之間的區(qū)域。這樣設(shè)置柵切口 3不僅有利于減小柵線2與數(shù)據(jù)線I之間的耦合電容，還有利于減小第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管之間的干擾。
[0041]具體的，數(shù)據(jù)線I和柵線2可以采用導(dǎo)電材料形成，導(dǎo)電材料包括Cu、Al、Mo、T1、Cr或W，當(dāng)然也可采用上述材料的合金形成。其中，柵線2可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)，例如Mo/Al/Mo的多層結(jié)構(gòu)、Ti/Cu/Ti的多層結(jié)構(gòu)、Mo/Ti/Cu的多層結(jié)構(gòu)。
[0042]柵切口3的寬度小于柵線2的寬度，從而保證柵線2不會(huì)因?yàn)殚_設(shè)了柵切口 3而斷裂，柵切口 3的形狀優(yōu)選為長方形，當(dāng)然也可以采用其他形狀。柵線2上開設(shè)柵切口 3使柵線2與數(shù)據(jù)線I的重疊面積減小，能夠減少數(shù)據(jù)線I與柵線2之間的耦合電容，進(jìn)而減少數(shù)據(jù)線I與柵線2發(fā)生串?dāng)_。柵切口 3的寬度方向與數(shù)據(jù)線I的延伸方向一致。柵線2的寬度方向與數(shù)據(jù)線I的延伸方向一致。
[0043]該陣列基板的像素區(qū)還包括兩條存儲(chǔ)電極線，分別為第一存儲(chǔ)電極線4a和第二存儲(chǔ)電極線4b，第一存儲(chǔ)電極線4a和第二存儲(chǔ)電極線4b分別與第一像素電極5a和第二像素電極5b在襯底基板14上的正投影至少部分重疊。
[0044]具體的，第一存儲(chǔ)電極線4a和第二存儲(chǔ)電極線4b分別與柵線2平行設(shè)置;并且，第一存儲(chǔ)電極線4a和第二存儲(chǔ)電極線4b與柵線2同層設(shè)置，第一存儲(chǔ)電極線4a與第一像素電極5a在襯底基板14上的正投影至少部分重疊;第二存儲(chǔ)電極線4b與第二像素電極5b在襯底基板14上的正投影至少部分重疊。
[0045]采用上述陣列基板形成顯示裝置時(shí)，當(dāng)對(duì)同一像素區(qū)內(nèi)的第一存儲(chǔ)電極線4a和第二存儲(chǔ)電極線4b電壓分別控制時(shí)，通過第一存儲(chǔ)電極線4a與第一像素電極5a之間的存儲(chǔ)電容和第二存儲(chǔ)電極線4b與第二像素電極5b之間的存儲(chǔ)電容，第一像素電極5a與第二像素電極5b將產(chǎn)生不同的電壓，也就是說，第一像素電極5a與第二像素電極5b采用不同的電壓驅(qū)動(dòng)各自對(duì)應(yīng)的液晶，這樣可補(bǔ)償整個(gè)陣列基板顯示的視角、改善色偏缺陷。
[0046]第一薄膜晶體管的柵極6a與第二薄膜晶體管的柵極6b同層設(shè)置、且分別與像素區(qū)對(duì)應(yīng)的柵線2電連接。第一薄膜晶體管的源極7a與第二薄膜晶體管的源極7b同層設(shè)置、且與同一數(shù)據(jù)線I電連接。第一薄膜晶體管的漏極8a與第二薄膜晶體管的漏極Sb同層設(shè)置，第一薄膜晶體管的漏極8a與第一像素電極5a通過鈍化層11上的第一過孔15a電連接，第二薄膜晶體管的漏極Sb與第二像素電極5b通過鈍化層11上的第二過孔15b電連接。
[0047]第一薄膜晶體管的有源層9a與第二薄膜晶體管的有源層9b同層設(shè)置。
[0048]第一薄膜晶體管的柵極6a與有源層9(包括第一薄膜晶體管的有源層9a和第二薄膜晶體管的有源層9b)之間以及第二薄膜晶體管的柵極6b與有源層9之間設(shè)置有柵絕緣層10，柵絕緣層10采用氧化硅或氮化硅制備，柵絕緣層10可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)，例如氧化硅/氮化硅的多層結(jié)構(gòu)，同時(shí)，由于柵絕緣層10形成在柵線2上方，在制備過程中，柵切口3內(nèi)將填入柵絕緣層10的材料。此外，有源層9可采用非晶硅、多晶硅、微晶硅、氧化物半導(dǎo)體中的任一種材料制備。
[0049]第一薄膜晶體管與像素區(qū)內(nèi)的第一像素電極5a之間以及第二薄膜晶體管與像素區(qū)內(nèi)的第二像素電極5b之間設(shè)置有鈍化層11，鈍化層11可以采用無機(jī)物材料制備，例如氮化硅，也可以采用有機(jī)物材料制備，例如有機(jī)樹脂。也就是說，鈍化層11設(shè)置在第一薄膜晶體管的源極7a、漏極8a與第一像素電極5a以及第二薄膜晶體管的源極7b、漏極Sb與第二像素電極5b之間。其中，像素區(qū)內(nèi)的第一像素電極5a和第二像素電極5b采用透明金屬氧化物導(dǎo)電材料形成，透明金屬氧化物導(dǎo)電材料包括氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(ΙΖ0)。
[0050]本實(shí)施例提供的陣列基板，通過在柵線上與數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域開設(shè)有柵切口，能夠減少數(shù)據(jù)線與柵線的重疊區(qū)域面積，減少數(shù)據(jù)線與柵線之間的耦合電容，進(jìn)而減少數(shù)據(jù)線與柵線發(fā)生串?dāng)_，保證畫面均勻顯示。
[0051 ] 實(shí)施例2:
[0052]本實(shí)施例提供一種陣列基板，其具有與實(shí)施例1的陣列基板類似的結(jié)構(gòu)，其與實(shí)施例I的區(qū)別在于:本實(shí)施例的陣列基板中，柵線上開設(shè)的柵切口，在柵切口的長度方向上延伸超過了第一薄膜晶體管的柵極與第二薄膜晶體管的柵極之間的區(qū)域。
[0053]圖3為本實(shí)施例的陣列基板中一個(gè)像素區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，在陣列基板中，柵線2在與數(shù)據(jù)線I交叉的區(qū)域、沿柵線2的延伸方向開設(shè)有柵切口3，柵切口3在長度方向上延伸超過了第一薄膜晶體管的柵極與第二薄膜晶體管的柵極之間的區(qū)域，相比實(shí)施例1，分隔第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的效果更好。
[0054]圖4為圖3中沿B1-B2線的剖視圖，如圖4所示，第一薄膜晶體管的柵極6a與第二薄膜晶體管的柵極6b同層設(shè)置、且與同一柵線2電連接。其中，第一薄膜晶體管的柵極6a與第二薄膜晶體管的柵極6b位于柵線2的不同側(cè)，且相對(duì)設(shè)置柵線2的中部開設(shè)有柵切口 3，柵切口 3內(nèi)填入有柵絕緣層1的材料。
[0055]本實(shí)施例提供的陣列基板，在實(shí)施例1的陣列基板的基礎(chǔ)上，將柵切口延伸超過第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管之間的區(qū)域，從而能夠減少第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管之間的相互干擾。
[0056]實(shí)施例3:
[0057]本實(shí)施例提供一種陣列基板，其具有與實(shí)施例2的陣列基板類似的結(jié)構(gòu)，其與實(shí)施例2的區(qū)別在于:本實(shí)施例的陣列基板中，在第一薄膜晶體管的源極與第二薄膜晶體管的源極之間設(shè)置有源極連接線，源極連接線分別與第一薄膜晶體管的源極和第二薄膜晶體管的源極電連接，源極連接線與柵線交叉。本實(shí)施例并不對(duì)源極連接線的長度進(jìn)行限制，源極連接線的長度可以大于柵線的寬度，源極連接線的長度也可以小于柵線的寬度，或者源極連接線的長度也可以等于柵線的寬度。源極連接線的長度方向與數(shù)據(jù)線的延伸方向一致。
[0058]圖5為本實(shí)施例的陣列基板中一個(gè)像素區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示，在陣列基板中，第一薄膜晶體管的源極7a與第二薄膜晶體管的源極7b之間設(shè)置有源極連接線12，源極連接線12與柵線2交叉，優(yōu)選為垂直交叉設(shè)置。
[0059]圖6為圖5中沿C1-C2線的剖視圖，如圖6所示，在陣列基板中，源極連接線12與第一薄膜晶體管的源極7a和第二薄膜晶體管的源極7b同層設(shè)置，相應(yīng)的，第一薄膜晶體管的有源層9a與第二薄膜晶體管的有源層9b同層設(shè)置、且相互連接。
[0060]本實(shí)施例提供的陣列基板，在實(shí)施例2的陣列基板的基礎(chǔ)上，通過設(shè)置源極連接線將第一薄膜晶體管的源極與第二薄膜晶體管的源極電連接，能夠使第一薄膜晶體管的源極的電壓與第二薄膜晶體管的源極的電壓時(shí)刻保持一致，從而保證第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的一致性。
[0061 ] 實(shí)施例4:
[0062]本實(shí)施例提供一種陣列基板，其具有與實(shí)施例3的陣列基板類似的結(jié)構(gòu)，其與實(shí)施例3的區(qū)別在于:本實(shí)施例的陣列基板中，源極連接線開設(shè)有源切口，源切口位于源極連接線的內(nèi)部。優(yōu)選地，源切口位于源極連接線與柵線交叉的區(qū)域。本實(shí)施例中，源極連接線與柵線交叉的區(qū)域包括源極連接線和源切口分別與柵線和柵切口交叉的區(qū)域。
[0063]圖7為本實(shí)施例的陣列基板中一個(gè)像素區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖8為圖7中沿D1-D2線的剖視圖，如圖7、圖8所示，在陣列基板中，柵切口3延伸超過第一薄膜晶體管的柵極6a與第二薄膜晶體管的柵極6b之間的區(qū)域。源極連接線12與柵切口 3交叉的區(qū)域開設(shè)有源切口 13，源切口 13在襯底基板14上的正投影位于柵切口3在襯底基板14上的正投影內(nèi)。這樣，能夠減小源極連接線12與柵線2重疊區(qū)域的面積，進(jìn)而減少源極連接線與柵線之間的耦合電容。
[0064]同時(shí)，源切口13的寬度小于源極連接線12的寬度，以保證源極連接線12不會(huì)因?yàn)殚_設(shè)有源切口 13而造成斷裂。源切口 13的形狀優(yōu)選為方形，當(dāng)然也可以采用其他形狀。源極連接線12和源切口 13的寬度方向與柵線2的延伸方向一致。
[0065]本實(shí)施例提供的陣列基板，在實(shí)施例3的陣列基板的基礎(chǔ)上，通過在源極連接線與柵線交叉的區(qū)域開設(shè)源切口，能夠減少源極連接線與柵線之間的耦合電容，進(jìn)而減少源極連接線與柵線發(fā)生串?dāng)_。
[0066]實(shí)施例5:
[0067]本實(shí)施例提供一種陣列基板，其具有與實(shí)施例4的陣列基板類似的結(jié)構(gòu)，其與實(shí)施例4的區(qū)別在于:本實(shí)施例的陣列基板中，源極連接線開設(shè)有源切口，源切口位于源極連接線的一個(gè)側(cè)邊上。優(yōu)選地，源切口位于源極連接線與柵線交叉的區(qū)域。本實(shí)施例中，源極連接線與柵線交叉的區(qū)域包括源極連接線和源切口分別與柵線和柵切口交叉的區(qū)域。
[0068]圖9為本實(shí)施例的陣列基板中一個(gè)像素區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖10為圖9中沿E1-E2線的剖視圖，如圖9、圖10所示，在陣列基板中，柵切口3延伸超過第一薄膜晶體管的柵極6a與第二薄膜晶體管的柵極6b之間的區(qū)域。源極連接線12的一個(gè)側(cè)邊上與柵切口 3交叉的區(qū)域開設(shè)有源切口 13，源切口 13在襯底基板14上的正投影位于柵切口 3在襯底基板14上的正投影內(nèi)。
[0069]本實(shí)施例提供的陣列基板能夠起到與實(shí)施例4的陣列基板相同的效果。
[0070]實(shí)施例6:
[0071]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括實(shí)施例1-5中任一種陣列基板。
[0072]該顯示裝置可以為:液晶顯示面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0073]本實(shí)施例的顯示裝置，能夠減少數(shù)據(jù)線與柵線的重疊區(qū)域面積，減少數(shù)據(jù)線與柵線之間的耦合電容，進(jìn)而減少數(shù)據(jù)線與柵線發(fā)生串?dāng)_，保證畫面均勻顯示。
[0074]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，包括襯底基板、柵線、數(shù)據(jù)線和多個(gè)像素區(qū)，其特征在于，所述像素區(qū)內(nèi)設(shè)置有第一像素電極和第二像素電極，所述第一像素電極與所述第二像素電極相對(duì)設(shè)置于所述像素區(qū)對(duì)應(yīng)的所述柵線的兩側(cè)、且互相電絕緣;所述像素區(qū)還設(shè)置有第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)線通過所述第一薄膜晶體管電連接所述第一像素電極，且所述數(shù)據(jù)線通過所述第二薄膜晶體管電連接所述第二像素電極，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的柵極分別位于所述像素區(qū)對(duì)應(yīng)的所述柵線的兩側(cè)、且相對(duì)設(shè)置，所述柵線在與所述數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域、沿所述柵線的延伸方向開設(shè)有柵切口，所述柵切口在所述柵切口的長度方向上至少延伸超過所述柵線與所述數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵切口的寬度小于所述柵線的寬度。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵切口在所述柵切口的長度方向上延伸超過所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的柵極之間的區(qū)域。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素區(qū)還包括第一存儲(chǔ)電極線和第二存儲(chǔ)電極線，所述第一存儲(chǔ)電極線與所述第一像素電極在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊，所述第二存儲(chǔ)電極線與所述第二像素電極在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置、且分別與所述像素區(qū)對(duì)應(yīng)的所述柵線電連接。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的源極與所述第二薄膜晶體管的源極同層設(shè)置，所述第一薄膜晶體管的源極與所述第二薄膜晶體管的源極之間設(shè)置有源極連接線，所述源極連接線分別與所述第一薄膜晶體管的源極和所述第二薄膜晶體管的源極電連接，所述源極連接線與所述柵線交叉。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述源極連接線開設(shè)有源切口，所述源切口位于所述源極連接線的內(nèi)部。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述源極連接線開設(shè)有源切口，所述源切口位于所述源極連接線的一個(gè)側(cè)邊上。9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的陣列基板，其特征在于，所述柵切口在柵切口的長度方向上延伸超過所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的柵極之間的區(qū)域，所述源切口位于所述源極連接線與所述柵線交叉的區(qū)域。10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的陣列基板，其特征在于，所述柵切口在柵切口的長度方向上延伸超過所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的柵極之間的區(qū)域，所述源切口在所述襯底基板上的正投影位于所述柵切口在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。11.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第二薄膜晶體管的漏極同層設(shè)置，所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第一像素電極電連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二像素電極電連接。12.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-11任一所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK205427404SQ201620257716
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年3月30日
【發(fā)明人】程鴻飛, 先建波, 李盼, 郝學(xué)光
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司