陣列基板和顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種陣列基板和顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。所述陣列基板包括：襯底基板；襯底基板上包括像素區(qū)域和圍繞像素區(qū)域的周邊區(qū)域，像素區(qū)域和周邊區(qū)域形成有柵線、周邊區(qū)域形成有靜電釋放支路、第一靜電保護(hù)單元和靜電保護(hù)線；靜電釋放支路與柵線的預(yù)設(shè)段并聯(lián),柵線的預(yù)設(shè)段位于周邊區(qū)域；第一靜電保護(hù)單元分別與靜電釋放支路和靜電保護(hù)線建立有連接。本實(shí)用新型通過在柵線的預(yù)設(shè)段上并聯(lián)一條靜電釋放支路，并將第一靜電保護(hù)單元連接在該靜電釋放支路上，解決了相關(guān)技術(shù)中在柵線正常工作時(shí)，靜電保護(hù)單元中的薄膜晶體管存在寄生電容，對柵線的正常工作產(chǎn)生了影響的問題。達(dá)到了柵線信號受到靜電保護(hù)單元的影響減小的效果。
【專利說明】
陣列基板和顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示裝置通常包括陣列基板、彩膜基板以及分布在陣列基板與彩膜基板之間的液晶。其中，陣列基板的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，是顯示裝置的重要組成部分。陣列基板通常包括襯底基板和形成于襯底基板上的數(shù)據(jù)線、柵線和公共電極線。陣列在制造過程或使用過程中，柵線上可能會產(chǎn)生電壓較高的靜電，該靜電可能會損壞柵線。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中有一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板以及設(shè)置在襯底基板上的柵線、靜電保護(hù)單元和靜電保護(hù)線，靜電保護(hù)單元分別與柵線和靜電保護(hù)線連接。靜電保護(hù)單元通常包括N型薄膜晶體管等元件，柵線保護(hù)單元能夠在柵線上產(chǎn)生靜電時(shí)，將靜電導(dǎo)向靜電保護(hù)線進(jìn)行釋放。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:與柵線連接的靜電保護(hù)單元中的薄膜晶體管存在寄生電容，對柵線的正常工作產(chǎn)生了影響。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中與柵線連接的靜電保護(hù)單元中的薄膜晶體管存在寄生電容，對柵線的正常工作產(chǎn)生了影響的問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板和顯示裝置。所述技術(shù)方案如下:
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型的第一方面，提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括:
[0007]襯底基板；
[0008]所述襯底基板上包括像素區(qū)域和圍繞像素區(qū)域的周邊區(qū)域，所述像素區(qū)域和所述周邊區(qū)域形成有柵線、所述周邊區(qū)域形成有靜電釋放支路、第一靜電保護(hù)單元和靜電保護(hù)線；
[0009]所述靜電釋放支路與所述柵線的預(yù)設(shè)段并聯(lián)，所述柵線的預(yù)設(shè)段位于所述周邊區(qū)域；
[0010]所述第一靜電保護(hù)單元分別與所述靜電釋放支路和所述靜電保護(hù)線建立有連接。
[0011]可選地，所述第一靜電保護(hù)單元包括:第一N型薄膜晶體管和第二 N型薄膜晶體管，
[0012]所述第一N型薄膜晶體管的柵極和源極均與所述靜電釋放支路連接，漏極與所述靜電保護(hù)線連接；
[0013]所述第二N型薄膜晶體管的柵極和源極均與所述靜電保護(hù)線連接，漏極與所述靜電釋放支路連接。
[0014]可選地，在所述周邊區(qū)域，所述襯底基板上形成有包括所述第一N型薄膜晶體管的柵極、所述第二 N型薄膜晶體管的柵極、所述柵線和所述靜電釋放支路的第一圖案；
[0015]在所述周邊區(qū)域，形成有所述第一圖案的所述襯底基板上形成有包括所述第一N型薄膜晶體管的源極和漏極、所述第二 N型薄膜晶體管的源極和漏極以及所述靜電保護(hù)線的第二圖案；
[0016]在所述周邊區(qū)域，形成有所述第二圖案的所述襯底基板上形成有第一電極和第二電極，所述第一電極通過兩個(gè)過孔分別與所述第一 N型薄膜晶體管的源極和所述靜電釋放支路連接，所述第二電極通過兩個(gè)過孔分別與所述第二 N型薄膜晶體管的柵極和所述靜電保護(hù)線連接。
[0017]可選地，在所述周邊區(qū)域，所述第一靜電保護(hù)單元還與所述柵線上除所述柵線的預(yù)設(shè)段外的部分連接，所述第一靜電保護(hù)單元包括:第一 N型薄膜晶體管和第二 N型薄膜晶體管，
[0018]在所述周邊區(qū)域，所述第一N型薄膜晶體管的柵極與所述靜電釋放支路連接，漏極與所述靜電保護(hù)線連接，源極與所述柵線上除所述柵線的預(yù)設(shè)段外的部分連接；
[0019]在所述周邊區(qū)域，所述第二N型薄膜晶體管的柵極和源極均與所述靜電保護(hù)線連接，漏極與所述柵線上除所述柵線的預(yù)設(shè)段外的部分連接。
[0020]可選地，在所述周邊區(qū)域，所述靜電保護(hù)線與所述靜電釋放支路和所述柵線的預(yù)設(shè)段均垂直交叉排布。
[0021]可選地，所述周邊區(qū)域還形成有公共電極線和第二靜電保護(hù)單元，
[0022]所述第二靜電保護(hù)單元分別與所述靜電保護(hù)線和所述公共電極線連接。
[0023]可選地，在所述周邊區(qū)域，所述公共電極線與所述靜電釋放支路和所述柵線的預(yù)設(shè)段均垂直交叉排布。
[0024]可選地，所述第二靜電保護(hù)單元包括:第三N型薄膜晶體管和第四N型薄膜晶體管，
[0025]所述第三N型薄膜晶體管的柵極和源極均與所述靜電保護(hù)線連接，漏極與所述公共電極線連接；
[0026]所述第四N型薄膜晶體管的柵極和源極均與所述公共電極線連接，漏極與所述靜電保護(hù)線連接。
[0027]可選地，所述靜電釋放支路與所述柵線的預(yù)設(shè)段之間連接有導(dǎo)線，所述導(dǎo)線在所述襯底基板上的正投影位于所述靜電保護(hù)線在所述襯底基板上的正投影和所述公共電極線在所述襯底基板上的正投影之間。
[0028]可選地，所述靜電釋放支路與所述柵線的預(yù)設(shè)段之間連接有導(dǎo)線。
[0029]可選地，所述靜電保護(hù)線為公共電極線。
[0030]可選地，所述周邊區(qū)域還形成有公共電極線，
[0031]所述公共電極線與所述靜電保護(hù)線之間連接有導(dǎo)線。
[0032]根據(jù)本實(shí)用新型的第二方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第一方面提供的任一陣列基板。
[0033]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0034]通過在柵線的預(yù)設(shè)段上并聯(lián)一條靜電釋放支路，并將第一靜電保護(hù)單元連接在該靜電釋放支路上，解決了現(xiàn)有技術(shù)中在柵線正常工作時(shí)，靜電保護(hù)單元中的薄膜晶體管存在寄生電容，對柵線的正常工作產(chǎn)生了影響的問題。達(dá)到了柵線在正常工作時(shí)，柵線信號受到靜電保護(hù)單元的影響減小，柵線信號能夠在阻抗較小的柵線的預(yù)設(shè)段上傳遞，而在柵線上產(chǎn)生靜電時(shí)，靜電保護(hù)單元導(dǎo)通，靜電由靜電釋放支路流向靜電保護(hù)線的效果。
【附圖說明】
[0035]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0036]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例示出的一種陣列基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例示出的另一種陣列基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例示出的一種陣列基板的電路布線結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖4是圖3所示陣列基板中沿ml-m2線的截面示意圖；
[0040]圖5是圖3所示陣列基板中沿m3-m4線的截面示意圖；
[0041]圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例示出的另一種陣列基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例示出的另一種陣列基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例示出的另一種陣列基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖9是本實(shí)用新型實(shí)施例示出的另一種陣列基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖10是本實(shí)用新型實(shí)施例示出的另一種陣列基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0046]上述各個(gè)附圖中，附圖標(biāo)記的含義可以為:11-襯底基板，Z-周邊區(qū)域，12-柵線。13-靜電釋放支路，14-第一靜電保護(hù)單元，15-靜電保護(hù)線，y-柵線的預(yù)設(shè)段，Tl-第一 N型薄膜晶體管，gl-第一 N型薄膜晶體管的柵極，S1-第一 N型薄膜晶體管的源極，dl-第一 N型薄膜晶體管的漏極，T2-第二 N型薄膜晶體管，g2-第二 N型薄膜晶體管的柵極，s2-第二 N型薄膜晶體管的源極，d2-第二 N型薄膜晶體管的漏極，jl-第一電極，j2-第二電極，kl和k2-過孔，16-公共電極線，17-第二靜電保護(hù)單元，T3-第三N型薄膜晶體管，g3-第三N型薄膜晶體管的柵極，s 3-第三N型薄膜晶體管的源極，d3-第三N型薄膜晶體管的漏極，T4-第四N型薄膜晶體管，g4_第四N型薄膜晶體管的柵極，s4-第四N型薄膜晶體管的源極，d4-第四N型薄膜晶體管的漏極，18和19-導(dǎo)線，bl-第一 N型薄膜晶體管的有源層，b2-第二 N型薄膜晶體管的有源層，31-鈍化層，32-柵絕緣層。
[0047]通過上述附圖，已示出本實(shí)用新型明確的實(shí)施例，后文中將有更詳細(xì)的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過任何方式限制本實(shí)用新型構(gòu)思的范圍，而是通過參考特定實(shí)施例為本領(lǐng)域技術(shù)人員說明本實(shí)用新型的概念。
【具體實(shí)施方式】
[0048]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本實(shí)用新型實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0049]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例示出的一種陣列基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖。該陣列基板可以包括:
[0050]襯底基板11;
[0051]襯底基板11上包括像素區(qū)域(圖1中未示出)和圍繞像素區(qū)域的周邊區(qū)域Z，像素區(qū)域和周邊區(qū)域Z形成有柵線12、周邊區(qū)域Z形成有靜電釋放支路13、第一靜電保護(hù)單元14和靜電保護(hù)線15;
[0052]靜電釋放支路13與柵線12的預(yù)設(shè)段y并聯(lián)，柵線的預(yù)設(shè)段y位于周邊區(qū)域Z;
[0053]第一靜電保護(hù)單元14分別與靜電釋放支路13和靜電保護(hù)線15建立有連接。
[0054]本實(shí)用新型實(shí)施例中，柵線12延伸進(jìn)入像素區(qū)域(圖1中未示出)。
[0055]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板，通過在柵線的預(yù)設(shè)段上并聯(lián)一條靜電釋放支路，并將第一靜電保護(hù)單元連接在該靜電釋放支路上，解決了現(xiàn)有技術(shù)中在柵線正常工作時(shí)，靜電保護(hù)單元中的薄膜晶體管存在寄生電容，對柵線的正常工作產(chǎn)生了影響的問題。達(dá)到了柵線在正常工作時(shí)，柵線信號受到靜電保護(hù)單元的影響減小，柵線信號能夠在阻抗較小的柵線的預(yù)設(shè)段上傳遞，而在柵線上產(chǎn)生靜電時(shí)，靜電保護(hù)單元導(dǎo)通，靜電由靜電釋放支路流向靜電保護(hù)線的效果。
[0056]進(jìn)一步的，請參考圖2，其示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種陣列基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板在圖1所示的陣列基板的基礎(chǔ)上增加了更優(yōu)選的部件，從而使得本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板具有更好的性能。
[0057]第一靜電保護(hù)單元14包括:第一N型薄膜晶體管Tl和第二 N型薄膜晶體管T2。
[0058]第一N型薄膜晶體管Tl的柵極gl和源極Si均與靜電釋放支路13連接，漏極dl與靜電保護(hù)線15連接。
[0059]第二N型薄膜晶體管T2的柵極g2和源極s2均與靜電保護(hù)線15連接，漏極d2與靜電釋放支路13連接。
[0060]在柵線12上產(chǎn)生靜電時(shí)，第一N型薄膜晶體管Tl打開，柵線上的靜電通過靜電釋放支路13經(jīng)第一 N型薄膜晶體管Tl的源極S1、第一 N型薄膜晶體管Tl的漏極dl流向靜電保護(hù)線15;靜電保護(hù)線15上產(chǎn)生靜電時(shí)，第二 N型薄膜晶體管T2打開，靜電保護(hù)線上的靜電經(jīng)第二 N型薄膜晶體管T2的源極s2、第二 N型薄膜晶體管T2的漏極d2流向靜電釋放支路13。
[0061]圖2中，第一薄膜晶體管Tl的源極Si和第二薄膜晶體管T2的漏極d2可以連接后再與靜電釋放支路13連接，或者分別與靜電釋放支路13連接。
[0062]如圖3所示，其為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的電路布線結(jié)構(gòu)示意圖。其中，在周邊區(qū)域Z，襯底基板11上形成有包括第一N型薄膜晶體管Tl的柵極gl、第二N型薄膜晶體管T2的柵極g2、柵線12和靜電釋放支路13的第一圖案。
[0063]在周邊區(qū)域Z，形成有第一圖案的襯底基板11上形成有包括第一N型薄膜晶體管Tl的源極Si和漏極dl、第二 N型薄膜晶體管T2的源極s2和漏極d2以及靜電保護(hù)線15的第二圖案。
[0064]在周邊區(qū)域Z，形成有第二圖案的襯底基板11上形成有第一電極jI和第二電極j2，第一電極jl通過兩個(gè)過孔kl分別與第一 N型薄膜晶體管Tl的源極Si和靜電釋放支路13連接，第二電極j2通過兩個(gè)過孔k2分別與第二 N型薄膜晶體管T2的柵極g2和靜電保護(hù)線15連接。第一電極j I和第二電極j2的材料可以包括氧化銦錫(英文:Indium Tin Oxides;簡稱:ΙΤ0)ο
[0065]圖3中沒有示出第一N型薄膜晶體管Tl和第二 N型薄膜晶體管Τ2的有源層的圖案。
[0066]如圖4所示，其為圖3所示的陣列基板的電路布線結(jié)構(gòu)示意圖中，沿ml_m2線的截面示意圖，其中，kl為過孔，jl為第一電極，13為靜電釋放支路，d2為第二N型薄膜晶體管T2的漏極，11為襯底基板，32為柵絕緣層，31為鈍化層。
[0067]如圖5所示，其為圖3所示的陣列基板的電路布線結(jié)構(gòu)示意圖中，沿m3_m4線的截面示意圖，其中g(shù)l為第一N型薄膜晶體管Tl的柵極，g2為第二N型薄膜晶體管T2的柵極，Si為第一 N型薄膜晶體管Tl的源極，dl為第一 N型薄膜晶體管Tl的漏極，bl為第一 N型薄膜晶體管Tl的有源層，s2為第二 N型薄膜晶體管T2的源極，d2為第二 N型薄膜晶體管T2的漏極，b2為第二N型薄膜晶體管T2的有源層，11為襯底基板。31為鈍化層，32為柵絕緣層。
[0068]如圖6所示，其示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種電路結(jié)構(gòu)示意圖。在襯底基板11的周邊區(qū)域Z，第一靜電保護(hù)單元14還與柵線12上除柵線的預(yù)設(shè)段y外的部分連接，第一靜電保護(hù)單元14包括:第一 N型薄膜晶體管Tl和第二 N型薄膜晶體管T2。
[0069]在周邊區(qū)域Z，第一N型薄膜晶體管Tl的柵極gl與靜電釋放支路13連接，漏極dl與靜電保護(hù)線15連接，源極Si與柵線12上除柵線的預(yù)設(shè)段y外的部分連接。
[0070]在周邊區(qū)域Z，第二N型薄膜晶體管T2的柵極g2和源極s2均與靜電保護(hù)線15連接，漏極d2與柵線12上除柵線的預(yù)設(shè)段y外的部分連接。
[0071]圖6中，第一薄膜晶體管Tl的源極Si和第二薄膜晶體管T2的漏極d2可以連接后再與柵線12上除柵線的預(yù)設(shè)段y外的部分連接，或者分別與柵線12上除柵線的預(yù)設(shè)段y外的部分連接。
[0072]在圖1、圖2、圖3和圖6中，在周邊區(qū)域Z，靜電保護(hù)線15與靜電釋放支路13和柵線的預(yù)設(shè)段y均垂直交叉排布。垂直交叉排布能夠減少靜電保護(hù)線15分別與靜電釋放支路13和柵線的預(yù)設(shè)段y的重疊面積，這減少了靜電保護(hù)線15分別與靜電釋放支路13和柵線的預(yù)設(shè)段y的耦合電容，繼而減小了耦合電容對電路產(chǎn)生的影響，提升了電路的性能。
[0073]需要說明的是，在圖1、圖2、圖3和圖6中，靜電釋放支路13與柵線的預(yù)設(shè)段y之間可以連接有導(dǎo)線，該導(dǎo)線能夠減小柵線信號在靜電釋放支路13與柵線的預(yù)設(shè)段y上傳遞時(shí)的電阻，提升電路的性能。此外，圖1、圖2、圖3和圖6中的靜電保護(hù)線15可以為公共電極線。
[0074]如圖7所示，其為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種陣列基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖，周邊區(qū)域Z還形成有公共電極線16和第二靜電保護(hù)單元17。
[0075]第二靜電保護(hù)單元17分別與靜電保護(hù)線15和公共電極線16連接。圖7中其它標(biāo)記的含義可以參考圖2，在此不再贅述。
[0076]流入靜電保護(hù)線15的靜電能夠通過第二靜電保護(hù)單元17流入公共電極線16，由公共電極線16來釋放。
[0077]可選地，如圖8所示，其為圖7示出的電路結(jié)構(gòu)示意圖中的一種第二靜電保護(hù)單元17的電路結(jié)構(gòu)示意圖，第二靜電保護(hù)單元17包括:第三N型薄膜晶體管T3和第四N型薄膜晶體管T4，第三N型薄膜晶體管T3的柵極g3和源極s3均與靜電保護(hù)線15連接，漏極d3與公共電極線16連接。
[0078]第四N型薄膜晶體管T4的柵極g4和源極s4均與公共電極線16連接，漏極d4與靜電保護(hù)線15連接。圖8中的其它標(biāo)記的含義可以參考圖7，在此不再贅述。
[0079]公共電極線16和靜電保護(hù)線15也可以直接進(jìn)行連接，而不設(shè)置第二靜電保護(hù)單元17。如圖9所示，周邊區(qū)域Z還形成有公共電極線16，公共電極線16與靜電保護(hù)線15之間連接有導(dǎo)線19。圖9中的其它標(biāo)記的含義可以參考圖7，在此不再贅述。
[0080]如圖10所示，其為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種陣列基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖，靜電釋放支路13與柵線的預(yù)設(shè)段y之間連接有導(dǎo)線18，導(dǎo)線18在襯底基板11上的正投影位于靜電保護(hù)線15在襯底基板11上的正投影和公共電極線16在襯底基板11上的正投影之間。靜電釋放支路13分別與靜電保護(hù)線15和公共電極線16交叉，柵線的預(yù)設(shè)段y分別與靜電保護(hù)線15和公共電極線16交叉，在靜電釋放支路13與柵線的預(yù)設(shè)段y之間連接導(dǎo)線18能夠降低柵線信號在靜電釋放支路13與柵線的預(yù)設(shè)段y上傳遞時(shí)的電阻，進(jìn)一步提升了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的電路結(jié)構(gòu)的性能。圖10中的第一靜電保護(hù)單元14的具體結(jié)構(gòu)可以參考圖2或圖6，第二靜電保護(hù)單元17的具體結(jié)構(gòu)可以參考圖8，在此不再贅述。
[0081]在圖7至圖10中，在周邊區(qū)域Z，公共電極線16與靜電釋放支路13和柵線的預(yù)設(shè)段y均垂直交叉排布。垂直交叉排布能夠減少公共電極線16分別與靜電釋放支路13和柵線的預(yù)設(shè)段y的重疊面積，這能減少公共電極線16分別與靜電釋放支路13和柵線的預(yù)設(shè)段y的耦合電容，繼而減小了耦合電容對電路產(chǎn)生的影響，提升了電路的性能。
[0082]需要說明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的各個(gè)陣列基板上的靜電保護(hù)線15可以為陣列基板上多條柵線的靜電保護(hù)線。
[0083]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板，通過在柵線的預(yù)設(shè)段上并聯(lián)一條靜電釋放支路，并將第一靜電保護(hù)單元連接在該支路上，解決了現(xiàn)有技術(shù)中在柵線正常工作時(shí)，靜電保護(hù)單元中的薄膜晶體管存在寄生電容，對柵線的正常工作產(chǎn)生了影響的問題。達(dá)到了柵線在正常工作時(shí)，柵線信號受到靜電保護(hù)單元的影響減小，柵線信號能夠在阻抗較小的柵線的預(yù)設(shè)段上傳遞，而在柵線上產(chǎn)生靜電時(shí)，靜電保護(hù)單元導(dǎo)通，靜電由靜電釋放支路流向靜電保護(hù)線的效果。
[0084]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示裝置，該顯示裝置可以包括圖1至圖10示出的任一陣列基板。
[0085]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括: 襯底基板； 所述襯底基板上包括像素區(qū)域和圍繞像素區(qū)域的周邊區(qū)域，所述像素區(qū)域和所述周邊區(qū)域形成有柵線、所述周邊區(qū)域形成有靜電釋放支路、第一靜電保護(hù)單元和靜電保護(hù)線； 所述靜電釋放支路與所述柵線的預(yù)設(shè)段并聯(lián)，所述柵線的預(yù)設(shè)段位于所述周邊區(qū)域； 所述第一靜電保護(hù)單元分別與所述靜電釋放支路和所述靜電保護(hù)線建立有連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一靜電保護(hù)單元包括:第一N型薄膜晶體管和第二 N型薄膜晶體管， 所述第一 N型薄膜晶體管的柵極和源極均與所述靜電釋放支路連接，漏極與所述靜電保護(hù)線連接； 所述第二 N型薄膜晶體管的柵極和源極均與所述靜電保護(hù)線連接，漏極與所述靜電釋放支路連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 在所述周邊區(qū)域，所述襯底基板上形成有包括所述第一 N型薄膜晶體管的柵極、所述第二 N型薄膜晶體管的柵極、所述柵線和所述靜電釋放支路的第一圖案； 在所述周邊區(qū)域，形成有所述第一圖案的所述襯底基板上形成有包括所述第一 N型薄膜晶體管的源極和漏極、所述第二 N型薄膜晶體管的源極和漏極以及所述靜電保護(hù)線的第二圖案； 在所述周邊區(qū)域，形成有所述第二圖案的所述襯底基板上形成有第一電極和第二電極，所述第一電極通過兩個(gè)過孔分別與所述第一 N型薄膜晶體管的源極和所述靜電釋放支路連接，所述第二電極通過兩個(gè)過孔分別與所述第二 N型薄膜晶體管的柵極和所述靜電保護(hù)線連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在所述周邊區(qū)域，所述第一靜電保護(hù)單元還與所述柵線上除所述柵線的預(yù)設(shè)段外的部分連接，所述第一靜電保護(hù)單元包括:第一 N型薄膜晶體管和第二 N型薄膜晶體管， 在所述周邊區(qū)域，所述第一 N型薄膜晶體管的柵極與所述靜電釋放支路連接，漏極與所述靜電保護(hù)線連接，源極與所述柵線上除所述柵線的預(yù)設(shè)段外的部分連接； 在所述周邊區(qū)域，所述第二 N型薄膜晶體管的柵極和源極均與所述靜電保護(hù)線連接，漏極與所述柵線上除所述柵線的預(yù)設(shè)段外的部分連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 在所述周邊區(qū)域，所述靜電保護(hù)線與所述靜電釋放支路和所述柵線的預(yù)設(shè)段均垂直交叉排布。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的陣列基板，其特征在于，所述周邊區(qū)域還形成有公共電極線和第二靜電保護(hù)單元， 所述第二靜電保護(hù)單元分別與所述靜電保護(hù)線和所述公共電極線連接。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于， 在所述周邊區(qū)域，所述公共電極線與所述靜電釋放支路和所述柵線的預(yù)設(shè)段均垂直交叉排布。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第二靜電保護(hù)單元包括:第三N型薄膜晶體管和第四N型薄膜晶體管， 所述第三N型薄膜晶體管的柵極和源極均與所述靜電保護(hù)線連接，漏極與所述公共電極線連接； 所述第四N型薄膜晶體管的柵極和源極均與所述公共電極線連接，漏極與所述靜電保護(hù)線連接。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述靜電釋放支路與所述柵線的預(yù)設(shè)段之間連接有導(dǎo)線，所述導(dǎo)線在所述襯底基板上的正投影位于所述靜電保護(hù)線在所述襯底基板上的正投影和所述公共電極線在所述襯底基板上的正投影之間。10.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的陣列基板，其特征在于，所述靜電釋放支路與所述柵線的預(yù)設(shè)段之間連接有導(dǎo)線。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述靜電保護(hù)線為公共電極線。12.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的陣列基板，其特征在于，所述周邊區(qū)域還形成有公共電極線， 所述公共電極線與所述靜電保護(hù)線之間連接有導(dǎo)線。13.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求1至12任一所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1368GK205450520SQ201620279937
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年4月6日
【發(fā)明人】程鴨飛
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司