專利名稱：用高能輻射加工材料的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用高能輻射加工材料的方法，其中用高能輻射，具體地用激光束照射
聚合物基體。
背景技術：
用激光束加工材料是工業(yè)上現(xiàn)有的方法并特別用于焊接、切割、鉆孔和去除各種 材料。用激光束加工材料所涉及的作用機理的多樣性和復雜性是以已試驗確定或模擬確定 的工藝參數(shù)使用激光束的原因。在參數(shù)與所用激光的可調變量和所得加工產(chǎn)物如何關聯(lián)方 面，激光強度和經(jīng)受輻射作用的時間特別重要。 已知在借助激光加工材料時將聚焦激光束射在待加工工件的表面上。通常對聚 焦位置進行選擇，以便聚焦透鏡相對于工件表面的距離使獲得最小激光束徑向范圍成為可 能。由此在工件表面上提供最大的激光強度。 由于激光功率與焦點范圍的特定比例，傳遞給工件的能量密度急劇增加。激光能 量的耦合在工件表面引起相變過程，進而可獲得特定的加工結果。 在表面處理領域中，將借助脈沖激光束通過轟擊從工件表面除去材料稱為激光燒 蝕。 傳遞給工件的激光光子能量可造成化學鍵斷開，在非金屬的情況下短激光脈沖還 可引起庫侖爆炸。這意味著電子離開固體(solid body)，庫侖斥力使一部分剩余的正離子 加速離開表面。 使用納秒范圍的激光脈沖時，在激光脈沖持續(xù)過程中激光能量致使表面升溫(在 原子熱運動的意義上)。由于有限的熱傳導僅允許向體內緩慢地傳遞能量，因而輻射能量集 中于非常小的區(qū)域。因而，工件在該區(qū)域達到非常高的溫度，可能出現(xiàn)材料的急劇氣化。使 用大功率密度的激光時，通過熱電離或直接由激光光子引起的電離，可產(chǎn)生被去除材料的 電子和離子的等離子體，等離子體離子可加速達到超過100eV的能量。 將可實現(xiàn)燒蝕的最小功率或能量密度(在給定的波長和脈沖寬度下)稱為燒蝕閾 值。采用高于該閾值的能量密度時，燒蝕速度明顯提高。 因而，激光燒蝕例如可代替硬質材料的機械刻印用于材料的目標去除或用于鉆出 極小的孔洞。作為選擇，被去除的材料還可用于涂覆另一工件的表面，這些技術稱為脈沖激 光沉積(Pulsed Laser D印osition) (PU))或激光轉印膜(Laser Transfer Film) (LTF)。
激光燒蝕的缺點在于在激光燒蝕過程中以及之后不久，被拋起的熔體、飛濺物和 冷卻凝固產(chǎn)生的物質的細小顆粒常常作為堆積物沉積在加工區(qū)周圍?？赏ㄟ^工藝氣體將這 些分解產(chǎn)物從加工位置除去。然而，通常，在采用激光工藝進行加工的過程中這些分解產(chǎn)物 表現(xiàn)出負面效應并構成加工結果質量的決定性因素。 通常，通過設定激光參數(shù)以及與工藝氣體反應努力使這些效應最小化。在多種材 料待加工的情況下，可利用吸收特性，在短時間內采用高的激光強度照射所述材料。通常， 通過將激光聚焦于工件表面，來實現(xiàn)激光能量的最大耦合。輻射向熱量的能量轉換具有在那里形成熱影響區(qū)的效應，其中熱效應造成所需的加工結果。然而，由此，熱傳導和對流造
成的強烈熱過程以及氣化和等離子體的形成可能對周圍區(qū)域造成負面效應。 在材料的比導熱系數(shù)小而導致熱量分布不佳的情況下，在邊界面和/或周圍區(qū)域
可能出現(xiàn)過熱，結果使得材料經(jīng)歷不期望的結構變化。特別是在非晶態(tài)和結晶材料(例如
玻璃、陶瓷和結晶金屬如硅)的情況下，問題在于這種高能輸入可造成負面效應例如應力
和開裂，從而損害待加工材料的質量。 如果激光束以基諧模式(TEM00模式)振蕩，則激光束可以最佳的可行方式聚焦，且其能量分布遵循高斯曲線。通過借助聚焦透鏡適當?shù)卦O定焦距，可實現(xiàn)40ym至120ym的最小光束直徑并使光束射向工件表面。按照常規(guī)，當焦點設置在工件表面上時，最大激光束脈沖功率密度(J/cm2)作用于工件。如果激光束的焦平面沒有位于工件表面上，則脈沖功率密度可能過低，結果激光束僅僅使表面升溫，而沒有在材料中引起任何永久性的變化。
如果在聚焦于表面時吸收能超過閾值，則能量輸入引起材料的相變。盡管由此引起的變化不一定伴隨材料聚集狀態(tài)的改變，但材料表面的升溫導致在工件中形成溫度場。大的溫度梯度引起熱應力，冷卻階段之后熱應力常常作為殘余應力保留在工件中。然而，由于升溫階段熱膨脹引起的塑性變形(低于450°C的溫度下)，機械應力也可能保留在固體中。然而，熱影響區(qū)中形成的結構變化還可留下光學可見的缺陷，例如形成弧坑、空腔和微裂紋。 所有用激光束加工材料的已知方法的共同特征在于使激光束射在材料表面上，所述材料吸收激光波長并允許盡可能少的光穿過。由此產(chǎn)生的效果是光僅僅透過材料到達較小的深度且熱影響區(qū)由受輻照表面決定。熱影響區(qū)的局部限定還具有限制向材料進行絕對能量傳遞的作用。另外，單位時間可去除的材料量取決于熱影響區(qū)的大小。另一方面，通常不期望增大受輻照表面并且不期望通過提高激光功率對此進行補償來獲得所需的脈沖功率密度。原因在于當將要獲得特別精密的加工結果時，例如在極精細或微觀切口、孔洞、標記等的情況下，用激光束加工材料通常精確地進行。

發(fā)明內容
因而，本發(fā)明的目的是提供用高能輻射加工材料的改進方法，其中在不明顯損害加工結果的情況增大熱影響區(qū)。 根據(jù)本發(fā)明，提供用高能輻射加工材料的方法，其中用高能輻射，具體地用激光束照射聚合物基體，其中輻射聚焦在焦點上，設置所述焦點以使其位于面向輻射的聚合物基體表面之后，并在聚合物基體上引起材料的去除，從而在聚合物基體內形成反應空間。
在這種情況下，待加工材料可以是聚合物基體本身或與聚合物基體接觸且可透過輻射波長的工件，優(yōu)選玻璃基材。 用于實現(xiàn)該目的的聚合物基體是基于聚合物成分的任意基體。除了聚合物成分以外，基體還可包括任意所需的非聚合物成分，僅要求主要成分應在性質上為聚合的。具體地，術語"聚合物基體"還表示基礎聚合物的混合物。在特別優(yōu)選的實施方案中，聚合物基體為熱固性聚合物基體。已證實熱固性材料特別適用于形成反應空間。 本發(fā)明的方法引起聚合物基體的材料去除，進而形成反應空間。本申請中的術語"反應空間"是適于容納可能在該反應空間中發(fā)生的所需反應的反應物的空腔。在反應空間形成過程中這些反應物優(yōu)選由形成反應空間的聚合物基體區(qū)域的材料形成。
反應空間的形成具有增大熱影響區(qū)的作用，而加工沒有因此明顯受損。這是因為 輻射射入反應空間區(qū)域的深度大于射入不含反應空間的聚合物基體的深度。優(yōu)選地，在形 成反應空間之后，粉狀反應物存在于反應空間內，反應空間內粉狀反應物與聚合物基體中 的結合形式的(bound form)反應物相比更大程度地吸收輻射。 出于多種原因，有利的是反應空間在空間上由聚合物基體和接觸聚合物基體并可 透過輻射波長的工件(優(yōu)選玻璃基材)兩者限定。 一方面，工件可以是待加工例如待標記 或標注的實際材料。另一方面，反應空間因此在空間上完全封閉，沒有對聚合物基體的表面 開放。因而，反應物不能夠離開反應空間，從而在反應空間形成之后可全部用于在反應空間 內進行所需的反應?？赡芷谕诓牧先コ蠓磻锎嬖谟诜磻臻g內，且反應空間內的 反應物在用高能輻射(具體地用激光束)照射反應空間的條件下反應形成產(chǎn)物。
聚合物基體例如可具有鈦供體以及碳供體。適宜的鈦供體有純鈦或含鈦化 合物，所述含鈦化合物具有經(jīng)受能量作用時在短時間內提供游離鈦作為反應物的能力 (affinity)。在適當?shù)那闆r下，還可經(jīng)由含鈦中間體提供游離鈦。碳供體提供游離碳(特別 是在能量輻射下)。碳供體可以是含碳化合物和/或未結合的游離碳。可通過聚合物基體 本身提供碳供體，或者可存在例如炭黑形式的附加碳組分。另外，聚合物基體還可包括諸如 聚合物、吸收劑等其它組分。由于輻射的作用，例如通過破壞含鈦化合物和含碳化合物來提 供鈦和碳反應物，這些反應物當在反應空間內經(jīng)受輻射作用時形成所需的碳化鈦產(chǎn)物。優(yōu) 選地，在70(TC至220(TC的局部溫度下，用炭黑或超純石墨還原二氧化鈦，形成碳化鈦和一 氧化碳。是輻射產(chǎn)生了在反應空間中進行反應所需的溫度。 形成聚合物基體，使得聚合物基體主要通過粉化(pulverization)響應激光輻 射，從而釋放出各反應物(更具體的，鈦和碳)，并使所述反應物可進行反應而形成碳化鈦。
例如，對于標記諸如玻璃基材等工件而言，優(yōu)選的是，當用高能輻射，具體地用激 光束照射反應空間時，由反應物產(chǎn)生的產(chǎn)物例如碳化鈦沉積在與聚合物基體接觸的工件例 如玻璃基材上。因而，輻射在穿過可透過輻射波長的工件之后撞擊在聚合物基體或反應空 間上。 反應空間優(yōu)選具有直徑為20-200 y m及深度為10-100 y m的空間范圍。已證實在 反應空間具有直徑為約70 ii m及深度為約40 ii m的空間范圍時獲得最佳結果。用作輻射源 的是波長為1060nm或1064nm的纖維耦合二極管端泵浦激光器(f ibre-coupled diode end pumped laser)，該激光器具有12W的輸出功率。 在該方法的優(yōu)選實施方案中，通過第一激光脈沖形成反應空間，然后用第二激光 脈沖照射該反應空間。因而，第一激光脈沖形成反應空間和優(yōu)選存在于反應空間內的粉 狀反應物，并通過第二激光脈沖輔助反應物反應生成所需的產(chǎn)物，優(yōu)選地通過爆炸性氣化 (explosive vaporization)將產(chǎn)物推至鄰接反應空間的透明工件的表面上。
此外，有利的是，通過用高能輻射(具體地用激光束)照射聚合物基體，在聚合物 基體內形成在局部彼此相鄰排列的多個反應空間。在這種情況下，輻射優(yōu)選為脈沖束，在輻 射過程中使脈沖束相對于聚合物基體橫向移動或者使聚合物基體相對于脈沖束橫向移動。 在本文中，有利的是相鄰的反應空間的空間范圍重疊至少25% 。在這種情況下，脈沖頻率以 及脈沖束和聚合物基體之間的相對移動速度即標注速度相應地相互配合。因此，可形成反應空間的鄰接結構，例如線或表面區(qū)域。這可能是有利的，特別是在標記或標注工件的情況下。 優(yōu)選用脈沖激光器并以10kHz-300kHz的脈沖頻率(pulse rate)產(chǎn)生輻射。例如
為了在工件上獲得線狀或二維標記或標注，高脈沖頻率是有利的，無論是使激光束相對于
工件和聚合物基體橫向移動還是使工件和聚合物基體相對于激光束橫向移動。因而甚至以
高的標注速度實現(xiàn)激光脈沖的重疊，以形成具有最高可能質量的線狀或二維結構。另外，在
較高的脈沖頻率下，使反應空間反復經(jīng)受激光脈沖的作用，以便可耦合更多的輻射能量。 在本發(fā)明的方法中，輻射聚焦于焦點，設置輻射的焦點以使其位于面向輻射的聚
合物基體表面之后。在這種情況下，優(yōu)選在焦點區(qū)域內形成反應空間。然而，焦點還可位于
聚合物基體中更深的位置或甚至位于聚合物基體之后。具體地，在材料層限定反應空間的
情況下，可能有利的是，設置焦點以使聚合物基體表面處的輻射功率密度小于3J/cm2。在本
文中表面相應于在形成反應空間之前沿聚合物基體表面的平面。在工件與聚合物基體接觸
的情況下，表面相應于由工件形成的反應空間邊界。這使得工件免受不良熱效應，即不存在
工件質量的永久損害而僅僅是熱效應。為了同時實現(xiàn)反應空間的有效形成和所需的反應，
有利的是設置焦點以使反應空間內的最大輻射功率密度為至少5J/cm2，優(yōu)選至少10J/cm2。
因而，與已知方法相比，本發(fā)明方法的優(yōu)勢在于有意設置離焦(defocusing)，即特別地不
將焦點設置于工件表面而是設置于更深的聚合物層面或設置于聚合物基體之后。 從而激光束焦點處的最大脈沖功率密度沒有位于邊界層。由此保證最大能量輸入
引入與邊界層相距一定距離的材料且不良熱效應不會影響鄰接的工件。 另外，離焦還使激光能量引起空腔內反應物的有效轉變，因為能量轉化直接發(fā)生
在粉狀反應物處。 實現(xiàn)具有最大可能局部分辨率的材料加工的常規(guī)方法通常將輻射聚焦于工件表面或設置最小可能的離焦。如果焦點位置位于工件表面的前面則稱為負離焦，如果焦點位置位于工件表面之后則稱為正離焦。因而，為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的，應設置正離焦。
盡管離焦使得聚合物基體表面或與其接觸的工件中的光束直徑增大，但本發(fā)明方法沒有常規(guī)方法的輸入材料的能量過低的效應，而是形成反應空間，從而允許輻射將能量引入更深的平面。由于在邊界層處沒有產(chǎn)生可能有害于相鄰工件的最大熱效應，因而是有利的。 采用設定的光束截面時，產(chǎn)生在層上部的區(qū)域引起受控解聚的脈沖能量密度。只有在基體中形成的空腔深度較大時才能夠獲得最大脈沖功率密度。因而，最大能量輸入僅引入較深的平面。 空腔中產(chǎn)生的顆粒大部分在較深的弧坑區(qū)域中直接從固相轉變?yōu)闅庀?。解聚產(chǎn)生的反應物由于受熱而反應形成所需的產(chǎn)物，產(chǎn)物由于爆炸和/或氣體噴射而被高速吹離該相互作用區(qū)域并撞擊在玻璃表面上。因而，該相互作用區(qū)域作為局部限定的反應空間，在該反應空間中激光束基本上完全轉化為熱能。 采用本發(fā)明的方法可消除對玻璃基材的任意有害作用，例如應力、開裂和熱效應引起的氣化。將該方法用于標記或標注玻璃基材時，離焦引起的沉積標記或標注的邊緣銳度的降低可忽略不計。
因此，本發(fā)明包括以下實施方式
實施方式1. 一種用高能輻射加工材料的方法，其中用高能輻射，具體地用激光束 (9)照射聚合物基體(l)，其中所述輻射聚焦于焦點(ll)，設置所述焦點(11)以使其位于面 向所述輻射的聚合物基體表面(3)之后，并引起所述聚合物基體(1)的材料去除，從而在所 述聚合物基體(1)內形成反應空間(13)。 實施方式2.實施方式1的方法，其中在材料去除之后反應物(15， 17)出現(xiàn)在所述 反應空間(13)中，所述反應空間(13)內的反應物(15， 17)在用高能輻射，具體地用激光束 (9)照射反應空間(13)時反應，從而形成產(chǎn)物(19)。 實施方式3.實施方式1或2的方法，其中所述反應空間(13)空間上由所述聚合 物基體(1)和工件(7)限定，所述工件(7)與所述聚合物基體(1)接觸并可透過所述輻射 的波長，優(yōu)選玻璃基材(7)，所述輻射在穿過工件(7)之后撞擊到聚合物基體(1)上。
實施方式4.實施方式2或3的方法，其中當用高能輻射，具體地用激光束(9)照 射所述反應空間(13)時，所述產(chǎn)物(19)沉積在所述工件(7)上，所述工件(7)與聚合物基 體(1)接觸并可透過所述輻射的波長。 實施方式5.前述任一項實施方式的方法，其中形成所述反應空間(13)，以使所述 反應空間(13)具有直徑為20-200 ii m，優(yōu)選約70 y m且深度為10-100 y m，優(yōu)選約40 y m的
空間范圍。 實施方式6.前述任一項實施方式的方法，其中通過脈沖激光束(9)的第一脈沖形 成所述反應空間(13)，并用脈沖激光束(9)的第二脈沖照射所述反應空間(13)。
實施方式7.前述任一項實施方式的方法，其中通過用高能輻射，具體地用激光束 (9)照射所述聚合物基體(l)，在所述聚合物基體(1)內形成在局部相鄰排列的多個反應空 間(13)。 實施方式8.實施方式7的方法，其中所述輻射為脈沖激光束(9)，在照射過程中使 所述脈沖束(9)相對于所述聚合物基體(1)橫向移動或使所述聚合物基體(1)相對于所述 脈沖束(9)橫向移動。 實施方式9.實施方式7或8的方法，其中形成所述反應空間(13)，以使相鄰反應 空間(13)的空間范圍重疊至少25%。 實施方式10.前述任一項實施方式的方法，其中所述輻射用脈沖激光(9)并以 10kHz至300kHz的脈沖頻率產(chǎn)生。 實施方式11.前述任一項實施方式的方法，其中所述焦點(11)位于反應空間(13) 內、位于聚合物基體(1)內或位于聚合物基體(1)之后。 實施方式12.前述任一項實施方式的方法，其中設置所述焦點(11)，以使所述聚 合物基體(1)的表面(3)處的輻射功率密度小于3J/cm2。 實施方式13.前述任一項實施方式的方法，其中設置所述焦點(11)，以使所述反 應空間(13)內的最大輻射功率密度為至少5J/cm2，優(yōu)選至少10J/cm2。
實施方式14.實施方式4至13中任一項的方法用于標記或標注工件(17)的用途， 所述工件(7)可透過所述輻射的波長。 以下參照附圖更詳細地說明有利的示例性實施方案。


圖la至ld示出根據(jù)本發(fā)明的方法在與玻璃基材接觸的聚合物基體中形成反應空 間的各個階段。
具體實施例方式
圖la示出了聚合物基體1，該聚合物基體1的表面3與玻璃基材7的表面5直接 接觸。聚焦脈沖激光束9形式的高能輻射穿過玻璃基材7射到聚合物基體1的表面3上。 玻璃基材7可透過輻射波長，而聚合物基體1幾乎完全吸收輻射。設定圖la中激光束9的 虛焦點11，以使該焦點11精確地在聚合物基體1的內部在聚合物基體1的表面3之后與聚 合物基體1的表面3或玻璃基材7的表面5相距一定距離，從而實現(xiàn)正離焦。出于示例的 目的，在圖la中由虛線表示虛焦點ll。出于示例的目的，放大激光束9的聚焦強度。因而， 不是最大脈沖功率密度而僅是小于3J/cm2的脈沖功率密度撞擊在表面3上，這是因為由于 正離焦受輻照表面的面積大于焦點11處的面積。小于3J/cm2的脈沖功率密度具有如下效 果相鄰的玻璃基材7及其表面5免受負面影響且沒有遭受任何有害的熱影響。另一方面， 聚合物基體1的表面區(qū)域3吸收高能輻射并升溫，直至熱能大到使聚合物基體1粉化。聚 合物基體1的粉化區(qū)域至少部分地可透過輻射。在表面區(qū)域3粉化過程中，激光束9到達 較大的穿透深度，從而到達較深的區(qū)域。由于正離焦，激光束9在這種情況下更強烈地聚焦 于更深的區(qū)域，從而具有較大的脈沖功率密度并傳遞給構成聚合物基體l的材料。在經(jīng)受 激光束9作用時，該過程持續(xù)進行直至焦點11并超出，從而形成反應空間13。形成反應空 間13所需的作用時間可相應于激光束9的第一脈沖的持續(xù)時間。 在圖lb中，反應空間13達到其所需的尺寸，在反應空間13內實現(xiàn)超過10J/cm2的 最大脈沖功率密度。圖la中的虛焦點9變?yōu)閳Dlb中反應空間13內的實焦點9。這并不 是必需的，因為可通過經(jīng)受激光束作用的時間設定反應空間13的尺寸。焦點9可在整個方 法過程中保持為虛焦點，甚至位于聚合物基體1以外或聚合物基體1之后。在反應空間13 內，反應物15、 17以粉狀物質的形式存在并提供所需的反應。在該實施方案中，反應物15、 17為二氧化鈦15和炭黑形式的純碳17。 圖lc示出了優(yōu)選示例性實施方案的下述階段例如由于激光束9的第二脈沖的作
用，反應物15、17發(fā)生反應，形成產(chǎn)物19。在這種情況下，在輻射引起的70(TC至220(TC的
局部溫度下在反應空間13內用純碳17還原二氧化鈦15，形成產(chǎn)物碳化鈦19。 如圖ld所示，進一步經(jīng)受激光束9的第二脈沖形式的輻射具有在反應空間13內
引起粉化物質爆炸性氣化的效果。在這種情況下，所產(chǎn)生的碳化鈦19被推至玻璃基材7的
表面5并沉積于其上。沉積于玻璃基材7上的碳化鈦19例如可作為玻璃基材7的標記或標注。
8
權利要求
一種用高能輻射加工材料的方法，其中用高能輻射，具體地用激光束(9)照射聚合物基體(1)，其中所述輻射聚焦于焦點(11)，設置所述焦點(11)以使其位于面向所述輻射的聚合物基體表面(3)之后，并引起所述聚合物基體(1)的材料去除，從而在所述聚合物基體(1)內形成反應空間(13)。
2. 權利要求l的方法，其中在材料去除之后反應物(15， 17)出現(xiàn)在所述反應空間(13) 中，所述反應空間(13)內的反應物(15， 17)在用高能輻射，具體地用激光束(9)照射反應 空間(13)時反應，從而形成產(chǎn)物(19)。
3. 權利要求1或2的方法，其中所述反應空間(13)空間上由所述聚合物基體(1)和工 件(7)限定，所述工件(7)與所述聚合物基體(1)接觸并可透過所述輻射的波長，優(yōu)選玻璃 基材(7)，所述輻射在穿過工件(7)之后撞擊到聚合物基體(1)上。
4. 權利要求2或3的方法，其中當用高能輻射，具體地用激光束(9)照射所述反應空間 (13)時，所述產(chǎn)物(19)沉積在所述工件(7)上，所述工件(7)與聚合物基體(1)接觸并可 透過所述輻射的波長。
5. 前述任一項權利要求的方法，其中形成所述反應空間(13)，以使所述反應空間(13) 具有直徑為20-200 ii m，優(yōu)選約70 ii m且深度為10-100 y m，優(yōu)選約40 y m的空間范圍。
6. 前述任一項權利要求的方法，其中通過脈沖激光束(9)的第一脈沖形成所述反應空 間(13)，并用脈沖激光束(9)的第二脈沖照射所述反應空間(13)。
7. 前述任一項權利要求的方法，其中通過用高能輻射，具體地用激光束(9)照射所述 聚合物基體(l)，在所述聚合物基體(1)內形成在局部相鄰排列的多個反應空間(13)。
8. 權利要求7的方法，其中所述輻射為脈沖激光束(9)，在照射過程中使所述脈沖束 (9)相對于所述聚合物基體(1)橫向移動或使所述聚合物基體(1)相對于所述脈沖束(9) 橫向移動。
9. 權利要求7或8的方法，其中形成所述反應空間(13)，以使相鄰反應空間(13)的空 間范圍重疊至少25%。
10. 前述任一項權利要求的方法，其中所述輻射用脈沖激光(9)并以10kHz至300kHz 的脈沖頻率產(chǎn)生。
11. 前述任一項權利要求的方法，其中所述焦點(11)位于反應空間(13)內、位于聚合 物基體(1)內或位于聚合物基體(1)之后。
12. 前述任一項權利要求的方法，其中設置所述焦點(ll)，以使所述聚合物基體(1)的 表面(3)處的輻射功率密度小于3J/cm2。
13. 前述任一項權利要求的方法，其中設置所述焦點(ll)，以使所述反應空間(13)內 的最大輻射功率密度為至少5J/cm2，優(yōu)選至少10J/cm2。
14. 權利要求4至13中任一項的方法用于標記或標注工件(17)的用途，所述工件(7) 可透過所述輻射的波長。
全文摘要
本發(fā)明提供用高能輻射加工材料的方法，其中用高能輻射，具體地用激光束(9)照射聚合物基體(1)，其中輻射聚焦于焦點(11)，設置焦點(11)以使其位于面向輻射的聚合物基體表面之后，并引起聚合物基體(1)的材料去除，從而在聚合物基體(1)內形成反應空間(13)。
文檔編號B23K26/18GK101733547SQ20091022527
公開日2010年6月16日 申請日期2009年11月18日 優(yōu)先權日2008年11月21日
發(fā)明者斯文·雷特, 阿恩·庫普斯 申請人:蒂薩公司