專利名稱：側(cè)面進(jìn)風(fēng)mosfet逆變式焊接設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種采用M0SFET(場效應(yīng)晶體管)為驅(qū)動器件的逆變式焊接設(shè)備，該種焊接設(shè)備可用于金屬材料的焊接，與一般的MOSFET焊接設(shè)備相比，本發(fā)明簡化了結(jié)構(gòu)、減輕了重量、提高了負(fù)載持續(xù)率、降低了制造成本。采用本發(fā)明的技術(shù)形成的焊接設(shè)備具有輕便、節(jié)能、功能多樣、安全可靠、成本低廉的特點(diǎn)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的逆變式焊接設(shè)備分為IGBT模塊式和MOSFET分立元件式，前者的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單，散熱均勻方便，但由于工作頻率低，體積大、成本高；后者的優(yōu)點(diǎn)是工作頻率高、材料成本低、體積小、重量輕、輕便，但電路和結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜?，F(xiàn)有的MOSFET焊接設(shè)備通常采用前方后放置風(fēng)扇的方法，形成前后貫通的氣 流通道，為MOSFET器件、主變壓器、整流器件提供散熱條件，如國家知識產(chǎn)權(quán)局專利號為200820105122. 7的專利所采用的結(jié)構(gòu)。傳統(tǒng)的MOSFET器件的逆變焊機(jī)的缺點(diǎn)為I、工作頻率太高，對各種器件均有較高的要求，且電路易受干擾。2、開關(guān)管導(dǎo)通時呈電阻性，電流越大發(fā)熱越大，熱量不易散開。3、二次整流電路采用快恢復(fù)二極管多個關(guān)聯(lián)，由于多管關(guān)聯(lián)一致性不好需對電參數(shù)嚴(yán)格挑選，匹配不好時極易損壞。4、散熱效果不好造成負(fù)載持續(xù)率低，允許的工作周期短，工作效率低。5、由于MOSFET器件數(shù)量多，分布在較大的范圍內(nèi)，一般米用正面進(jìn)風(fēng)的方式進(jìn)行冷卻，氣流路徑長，換熱能力差，易造成MOSFET散熱不均，高頻變壓器、整流器等部件散熱不良。6、通常要需要采用較大體積的散熱器和五金結(jié)構(gòu)件，結(jié)構(gòu)單一、重量較重，制造成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明側(cè)面進(jìn)風(fēng)式逆變式焊接設(shè)備，包括外殼、基座、前后面板、電源輸入導(dǎo)線、輸入整流濾波電路、焊接輸出端、開關(guān)、調(diào)節(jié)旋鈕、電流表、控制電路板、MOSFET器件、整流器模塊、高頻變壓器、E型散熱器、風(fēng)扇，其特征在于電源輸入線自后面板上的孔連接到輸入整流濾波電路，驅(qū)動電路板，開關(guān)、電流表、調(diào)節(jié)旋鈕、焊接輸出端安裝在前面板上，隔板與支架連接，支架連接固定基座上，前面板、后面板與底座連接為一體，外殼與基座、前面板、后面板構(gòu)成一個具有相應(yīng)容積的空間，該空間內(nèi)放置支架、隔板、控制電路板、驅(qū)動電路板、散熱器、整流器、高頻變壓器、風(fēng)扇，其中支架和隔板構(gòu)成上下兩個空間，上部空間放置控制電路板、電源板，下部空間放置驅(qū)動板、散熱器、高頻變壓器、二次整流模塊，外殼的一側(cè)與風(fēng)扇相對應(yīng)的位置有進(jìn)風(fēng)孔，前后面板上有出風(fēng)口，E型散熱器、二次整流器模塊、高頻變壓器安裝在基座上，一個以上的MOSFET器件成組使用，沿電路板的邊緣按順序排列并焊接安裝在電路板的同一表面的焊盤上，其散熱面位于電路板下側(cè)，處于同一個平面上，并與E型散熱器的同一個平整表面保持緊密熱接觸，散熱器相對方向上有翅片，翅片形成向前后兩側(cè)貫通的流道，翅片上方裝有風(fēng)扇，風(fēng)扇連接在散熱器上，風(fēng)扇氣流方向流向散熱器的方向，并可以沿翅片形成的流道連續(xù)流動，在散熱器的流道形成的空氣路徑上，安裝有整流器、高頻變壓器，所述的元件、部件、零件按功能順序形成電氣連接關(guān)系，形成具有直流輸出的可完成焊接功能的、側(cè)面進(jìn)風(fēng)的逆變式焊接設(shè)備。E型散熱器材料一般為金屬材料，采用導(dǎo)熱性好的金屬材料，如銅、鋁及其合金材料用拉伸和擠出的方法加工制造而成。所述的逆變式焊接設(shè)備，其特征還在于二次整流器為一個整流模塊，高頻變壓器輸出端先行并聯(lián)后再與整流模塊輸入端連接進(jìn)行整流，整流模塊輸入電流的頻率可以達(dá)到IOOKHz。以往，為實現(xiàn)對高頻大功率的電流進(jìn)行整流的目的，需要采用對各個高頻變壓器 輸出的交流電流分別進(jìn)行整流后再并聯(lián)為同一個輸出端輸出焊接電流，需要采用多個高頻整流器件(快恢復(fù)二極管)，每個器件需要安裝在獨(dú)立的電路板和散熱器上，需要用大截面的導(dǎo)線進(jìn)行連接，采用這種方法不僅電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，安裝和維修工藝性差，而且可靠性低。而IGBT式逆變焊接設(shè)備一般采用的整流模塊雖然電路簡單，但工作頻率較低，僅能達(dá)到20KHz。本發(fā)明采用專用的大功率整流模塊，頻率高，電流大，大大簡化了電路結(jié)構(gòu)，提高了可靠性，降低了制造和維修成本。所述的逆變式焊接設(shè)備，其特征還在于所述的逆變式焊機(jī)，其控制電路板，可以為普通的線性或脈沖控制方式，也可以為采用單片機(jī)驅(qū)動的數(shù)字輸出的控制方式。所述的逆變式焊接設(shè)備，其特征還在于其外殼可以為金屬材料經(jīng)鈑金加工形成，也可以采用樹脂材料，經(jīng)注塑加工而形成。所述的逆變式焊接設(shè)備，其特征還在于可以采用不同數(shù)量的MOSFET器件和相應(yīng)等級的零部件，構(gòu)成不同功率等級的逆變式焊接設(shè)備。所述的逆變式焊接設(shè)備，其特征還在于可以與氣閥、高頻起弧裝置相配合，構(gòu)成可以進(jìn)行氣體保護(hù)焊接功能的逆變式焊接設(shè)備。所述的逆變式焊接設(shè)備，其特征還在于可以在底座上安裝腳輪構(gòu)成可移動的焊接設(shè)備，也可以在外殼上安裝提手和背帶，構(gòu)成便攜式設(shè)備。所述的逆變式焊接設(shè)備，其特征還在于安裝與面板上的電流表，可以為指針式的，也可以為數(shù)字式。本發(fā)明解決的問題在于采用了側(cè)置式風(fēng)扇，并使MOSFET安裝在同一個模塊上，其散熱面處于同一個平面上，并與散熱器的同一個平面保持緊密熱接觸，可利用同一個散熱器進(jìn)行散熱，風(fēng)扇直接安裝于散熱器的翅片上方，使風(fēng)扇與MOSFET的散熱面保持最近的距離，可將MOSFET工作時產(chǎn)生的熱量迅速帶走，并保持所有的MOSFET處于相同的散熱狀態(tài)。而高頻變壓器、整流模塊也處于散熱器翅片形成的空氣流道上，亦可以得到良好的散熱。整流模塊由于改變了一般的MOSFET逆變式焊機(jī)各變壓器的輸出端分開各自整流的方式，將整流器制成整流模塊，不僅減小了整流器的體積，而且改善了散熱狀況，減低了電路的復(fù)雜程度，降低了成本。
基于如前所述IGBT與MOSFET兩種類型焊接設(shè)備存在的不足之處，本發(fā)明結(jié)合了上述兩款式的所有優(yōu)點(diǎn)，既有IGBT逆變式焊接設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單的特性，也具有MOSFET逆變式焊接設(shè)備工作頻率高、小巧輕便的特點(diǎn)，可是形成的逆變式焊接設(shè)備具備可靠性高、體積小、效率高、負(fù)載持續(xù)率高、制造成本低，維修容易等各方面的優(yōu)點(diǎn)。需特別說明的是，本發(fā)明把控制逆變整流三大部分模塊化，也大大減少了材料成本和制造成本。焊機(jī)屬于特殊設(shè)備，很容易產(chǎn)生電擊事故，所國家要求使用者要持有《焊工證》《上崗證》才能操作電焊機(jī)。由現(xiàn)在人民生活水平的提高。電焊機(jī)已逐漸成為普通家庭使用的日常工具，對其安全性提出了更高的要求。本發(fā)明還設(shè)置了防觸電保護(hù)電路。


以下以圖示對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的說明。 圖1-1為側(cè)面進(jìn)風(fēng)的逆變式焊接設(shè)備的側(cè)視的基本結(jié)構(gòu)示意圖。圖1-2為本發(fā)明的主要發(fā)熱部件安裝位置關(guān)系及空氣流動路徑的示意圖。圖2-1和圖2-2為本發(fā)明所采用的主電路的電路原理圖。圖3為本發(fā)明各部分電路連接關(guān)系示意圖。圖4為本發(fā)明的逆變組件的各部分裝配示意圖。圖5為本發(fā)明的整流模塊的各部分裝配示意圖。圖6為隔板和上部的整流濾波、控制板的裝配示意。圖7-1為本發(fā)明的第一種實施例的基本結(jié)構(gòu)一側(cè)的視圖。圖7-2為本發(fā)明的第一種實施例的基本結(jié)構(gòu)另一側(cè)的視圖。
具體實施例方式圖1-1為側(cè)面進(jìn)風(fēng)的逆變式焊接設(shè)備的基本結(jié)構(gòu)示意圖的側(cè)視圖，圖1-2為隔板以下空間的散熱組件分布的的俯視圖。圖1-2中的箭頭方向為冷卻氣流流動的方向。圖中101為控制電路板，102為控制旋鈕，103為前面板，104為出風(fēng)口，105為焊接輸出端，106為高頻變壓器，107為整流模塊散熱器，108為風(fēng)扇，109為逆變模塊散熱器，110為后面板，111為隔板；112為驅(qū)動板，113為MOSFET器件，114為整流模塊，115為進(jìn)風(fēng)口。其中MOSFET器件113成組安裝于電路板上，再固定在E型散熱器109的平面一側(cè)，MOSFET器件的散熱面位于同一個平面上，其散熱面與散熱器構(gòu)成絕緣和熱接觸的關(guān)系，其管腳焊接在電路板上，并通過電路板與其他元件構(gòu)成驅(qū)動電路。風(fēng)扇118安裝于散熱器109另一側(cè)的翅片的上方，其氣流方向吹向散熱器109的翅片方向。整流模塊114與散熱器107安裝在一起，其散熱面與散熱器的平面保持緊密接觸，散熱器107的翅片排列方向與109相同，構(gòu)成空氣流道；高頻變壓器106安裝在電路板上，并通過電路板上的電路構(gòu)成相應(yīng)的連接關(guān)系，電路板安裝在散熱器107上，高頻變壓器106位于由散熱器109、107的翅片構(gòu)成的的空氣流道上。在面板上裝有電流調(diào)節(jié)旋鈕102及焊接輸出端105，前后面板上均開有出風(fēng)口 104。隔板111將機(jī)箱的空間分割為上下兩個獨(dú)立的空間，在隔板的上部空間安裝有控制電路板和整流濾波電路板101，工作時由于上部空間的電路不會受到風(fēng)扇氣流的影響，可以避免集聚灰塵、雜物、濕氣以及主電路電磁干擾等不利因素對相對精密的控制模塊和主控板的影響。本發(fā)明的逆變式焊接設(shè)備工作時，風(fēng)扇通電工作，將氣流吹向散熱器109的翅片，主要功率器件MOSFET工作時產(chǎn)生的熱量經(jīng)過其散熱面向散熱器109傳導(dǎo)，由于風(fēng)扇108距離散熱器109的距離近，氣流強(qiáng)度大，可將熱量迅速的帶離散熱器109，使散熱器109和MOSFET器件113保持較低的溫度。氣流通過散熱器109的翅片流向散熱器107，帶走整流模塊114產(chǎn)生的熱量，再經(jīng)過高頻變壓器106，帶走其散發(fā)的熱量，最后自出風(fēng)口 104排出到機(jī)器外部空間，就達(dá)到了為主要發(fā)熱部件散熱的目的。圖2為本發(fā)明一種實施例所采用的電路原理圖。本發(fā)明包括主電路和控制電路，主電路依次為輸入開關(guān)，輸入整流濾波，逆變電路，主變壓器Tl，T2，T3，輸出整流電路。主電路將50HZ市電整流濾波后成直流高壓，再通過逆變電路變?yōu)楦哳l方波交流100KHZ，經(jīng)Tl，T2，T3后經(jīng)次級整流濾波為直流電流源供焊接使用。
在本發(fā)明的實施例中，可將所有電路制成4塊線路板，互換性高，PCB兼容性強(qiáng)，不僅大大方便了售后服務(wù)問題，還可以在實施過程中需要制造不同功率的機(jī)器時，通過改變主電路參數(shù)即可實現(xiàn)想要的功率。本發(fā)明利用機(jī)器輸出電壓反饋電路用高精度光耦耦合后反饋到控制電路中，使機(jī)器處在等待機(jī)狀態(tài)輸出電壓低(輸出電壓只有直流9-12V)不會對人電擊傷害，也更進(jìn)一步起到節(jié)能的作用?？刂齐娐钒∕OSFET驅(qū)動電路，PWM調(diào)節(jié)電路，控制電路及其控制供電電源。PCB3中G1G2G3G4的柵極均串聯(lián)一只4. 7-10R碳膜電阻，以防止驅(qū)動過沖，并保護(hù)驅(qū)動電路PCBl不受由于MOSFET擊穿傳過來的電壓所損壞。電流給定、過流及指示、PWM驅(qū)動前置放大、反饋處理電路。電流給定、推力給定均為用戶設(shè)定的給定值，兩路給定與互感器采樣處理后的電流反饋信號一起送入誤差放大器進(jìn)行比較，得到誤差電壓，誤差電壓控制PWM調(diào)節(jié)電路產(chǎn)生一定寬度的脈沖信號，該脈沖經(jīng)前置放大送入驅(qū)動變壓器T4，再經(jīng)一定處理后驅(qū)動主電路上的M0SFET，以獲得焊接電流。逆變電路采用全橋硬開關(guān)結(jié)構(gòu)，開關(guān)管由MOSFET Gl, G4和G2，G3構(gòu)成交替導(dǎo)通之橋臂，產(chǎn)生高頻高壓方波交流，經(jīng)Tl，T2，T3主變壓器降壓整流濾波成低壓直流電流源。MOSFET集電極發(fā)射極之間的電阻電容為尖峰吸收電路。T1，T2，T3在電路中起功率耦合和電氣隔離作用，該高頻變壓器采用高精度高頻率磁性材料做成，初、次級線圈之間設(shè)有耐高壓、耐高溫之絕緣層。PWM調(diào)節(jié)電路采用雙端輸出電流控制型脈寬調(diào)制器芯片3525。MOSFET驅(qū)動電路采用脈沖變壓器驅(qū)動，以實現(xiàn)隔離和驅(qū)動。本發(fā)明之逆變電路采用了全橋硬開關(guān)電路，由MOSFET Gl, G4和G2，G3交替導(dǎo)通。MOSFET功率器件，具有容量大、開關(guān)損耗小、耐壓高、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動簡單、頻率高、一致性好、成本低等優(yōu)點(diǎn)。正因為此，機(jī)器功率大則可使用多管關(guān)聯(lián)即可，由于發(fā)熱量低，無需很大風(fēng)機(jī)和散熱器，大大縮小了整機(jī)的體積。本發(fā)明所采用之高頻變壓器使用了微晶合金鐵心，具有功率密度大、散熱方便、易于安裝等優(yōu)點(diǎn)。由于直流變交流為即時逆變，在這個過程中交流的頻率很高，一般有100-200KHZ。由于頻率很高，使主變壓器匝數(shù)少鐵心也很小，進(jìn)而可使整機(jī)體積小、重量輕，同時主變壓器由于損耗小，能夠提高整機(jī)效率。本發(fā)明的特征在在于，由于雙端輸出電流控制型脈寬調(diào)制器芯片3525，采用的是峰值電流控制法，其優(yōu)點(diǎn)是軟啟動功能、動態(tài)響應(yīng)好、輸出精度高、穩(wěn)定性好，二具有瞬態(tài)保護(hù)功能，可以有效防止MOSFET過流，三是能防止主變壓器偏磁的產(chǎn)生，若主變嚴(yán)重偏磁會使MOSFET和主變損壞。圖3為本發(fā)明的逆變式焊接設(shè)備的電氣連接框圖，其中301為整流濾波電路，302為由MOSFET器件組構(gòu)成的逆變電路，303為高頻變壓器，304為二次整流電路，305為防觸電保護(hù)電路，306為控制模塊，307為逆變驅(qū)動電路，308為輔助電源電路，309為風(fēng)扇，310為電源輸入端，311為焊接輸出端。其基本工作原理為外部的工頻交流電壓自輸入端310輸入到整流濾波電路301，轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷鞲唠妷?，輔助電源輸出直流低電壓，為個部分電路提供穩(wěn)定的工作電源。控制模塊306提供控制信號，經(jīng)驅(qū)動板307放大后控制逆變電路302上的MOSFET組按規(guī)律導(dǎo)通，將高壓直流電轉(zhuǎn)換為高頻的脈沖電源，由于MOSFET的優(yōu)良特性，頻率可以高達(dá)IOOKHz。此高頻脈沖電源再經(jīng)高頻變壓器303降壓，經(jīng)整流模塊304 二次整流成為具有焊接特性的焊接用的直流電源。305為防觸電保護(hù)電路，其作用是使焊接輸出端在空載時保持一個低電壓 狀態(tài)，從而保障使用者的安全。圖4為MOSFET逆變模組的具體結(jié)構(gòu)的示意圖。其中401為MOSFET器件，402為隔直電容，403為驅(qū)動變壓器，404為濾波電容，405為驅(qū)動控制板，406為逆變控制板，407為擋風(fēng)板。其中MOSFET器件組401的散熱面均位于一個平面上，并與散熱器408的同一個平面保持緊密的熱接觸，并采用緊固件固定聯(lián)結(jié)在散熱器408上，402、403、404均安裝在電路板405上，驅(qū)動控制板405再固定和連接到逆變控制板406上，散熱器408形成一個層疊的功能組件。407為擋風(fēng)板，其上開有通風(fēng)孔，其作用在于可將風(fēng)扇安裝其上，工作時可保持氣流在E型散熱器408的翅片形成的流道內(nèi)流動。圖5為整流模塊組的具體結(jié)構(gòu)示意圖。其中501為主變壓器組，502為整流模塊，503為散熱器。主變壓器安裝在一個電路板上，并通過電路連線保持相應(yīng)的連接關(guān)系，變壓器主體位于散熱器503的翅片形成的流道上。整流模塊502與散熱器503的平面保持緊密熱接觸，工作時整流模塊502產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)到散熱器503上，通過流經(jīng)翅片的氣流達(dá)到散熱的目的。氣流同時帶走主變壓器主體所散發(fā)的熱量，達(dá)到冷卻的目的。圖6為隔板及整流板控制板的安裝具體結(jié)構(gòu)示意圖，其中601為控制模塊，602為濾波電容，603為主控制板，604為隔板。601、602安裝在603上，603再通過支撐聯(lián)結(jié)件聯(lián)結(jié)固定到隔板604上。圖7-1和圖7-2為本發(fā)明的一種實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，其中701為焊接輸出端，702為電流調(diào)節(jié)旋鈕，703為控制模塊，704為24VDC輔助電源模塊，705為二次整流輸出模塊，706為二次整流吸收板，707為濾波電容，708為MOSFET器件，709為CBB電容，710為MOSFET驅(qū)動模塊，711為隔離電容，712為機(jī)箱，713為整流模塊散熱器，714為主變壓器，715為MOSFET散熱器，716為風(fēng)機(jī)。其中下圖為另一側(cè)的視圖。其中機(jī)殼712可以采用金屬鈑金件，也可以采用塑料件；輸出插座安裝于面板上，兩極垂直安裝在一條直線上，面板局部為斜面，其上安裝調(diào)節(jié)旋鈕以及電流表等。
權(quán)利要求
1.一種逆變式焊接設(shè)備，包括外殼、基座、前后面板、電源輸入導(dǎo)線、輸入整流濾波電路、焊接輸出端、開關(guān)、調(diào)節(jié)旋鈕、電流表，控制電路板、MOSFET器件、整流器模塊、高頻變壓器、E型散熱器、風(fēng)扇，其特征在于電源輸入線自后面板上的孔連接到輸入整流濾波電路，驅(qū)動電路板，開關(guān)、電流表、調(diào)節(jié)旋鈕、焊接輸出端安裝在前面板上，隔板與支架連接，支架連接固定基座上，前面板、后面板與底座連接為一體，外殼與基座、前面板、后面板構(gòu)成一個具有相應(yīng)容積的空間，該空間內(nèi)放置支架、隔板、控制電路板、驅(qū)動電路板、散熱器、整流器、高頻變壓器、電抗器、風(fēng)扇，其中支架和隔板構(gòu)成上下兩個空間，上部空間防止控制電路板，下部空間放置驅(qū)動板、散熱器、高頻變壓器、二次整流模塊，外殼的一側(cè)與風(fēng)扇相對應(yīng)的位置有進(jìn)風(fēng)孔，前后面板上有出風(fēng)口，E型散熱器、二次整流器模塊、高頻變壓器安裝在基座上，一個以上的MOSFET器件成組使用，沿電路板的邊緣按順序排列并焊接安裝在電路板的同一表面的焊盤上，其散熱面位于電路板下側(cè)，處于同一個平面上，并與E型散熱器的同一個平整表面保持緊密熱接觸，散熱器相對方向上有翅片，翅片形成向前后兩側(cè)貫通的流道，翅片上方裝有風(fēng)扇，風(fēng)扇連接在散熱器上，風(fēng)扇氣流方向流向散熱器的方向，并可以沿翅片形成的流道連續(xù)流動，在散熱器的流道形成的空氣路徑上，安裝有整流器、高頻變壓器，所述的元件、部件、零件按功能順序形成電氣連接關(guān)系，形成具有直流輸出的可完成焊接功能的、側(cè)面進(jìn)風(fēng)的逆變式焊接設(shè)備。
2.如權(quán)利要求I所述的逆變式焊接設(shè)備，其特征還在于二次整流器為一個整流模塊，高頻變壓器輸出端先行并聯(lián)后再與整流模塊輸入端連接進(jìn)行整流，整流模塊輸入電流的頻率可以達(dá)到IOOKHz。
3.如權(quán)利要求2所述的逆變式焊接設(shè)備，其特征還在于所述的逆變式焊機(jī)，其控制電路板，可以為普通的線性或脈沖控制方式，也可以為采用單片機(jī)驅(qū)動的數(shù)字輸出的控制方式。
4.如權(quán)利要求3所述的逆變式焊接設(shè)備，其特征還在于其外殼可以為金屬材料經(jīng)鈑金加工形成，也可以采用樹脂材料，經(jīng)注塑加工而形成。
5.如權(quán)利要求4所述的逆變式焊接設(shè)備，其特征還在于可以采用不同數(shù)量的MOSFET器件和相應(yīng)等級的零部件，構(gòu)成不同功率等級的逆變式焊接設(shè)備。
6.如權(quán)利要求5所述的逆變式焊接設(shè)備，其特征還在于可以與氣閥、高頻起弧裝置相配合，構(gòu)成可以進(jìn)行氣體保護(hù)焊接功能的逆變式焊接設(shè)備。
7.如權(quán)利要求6所述的逆變式焊接設(shè)備，其特征還在于可以在底座上安裝腳輪構(gòu)成可移動的焊接設(shè)備，也可以在外殼上安裝提手和背帶，構(gòu)成便攜式設(shè)備。
全文摘要
側(cè)面進(jìn)風(fēng)的逆變式焊接設(shè)備，包括前后面板、整流濾波電路、控制模塊、驅(qū)動模塊、MOSFET器件及逆變模組、整流模組、高頻變壓器、電流調(diào)節(jié)裝置、輸入電源線、輸出端口、風(fēng)扇、機(jī)箱等，其特征是風(fēng)扇安裝在機(jī)箱的側(cè)面，出風(fēng)口位于前后面板上，MOSFET器件的傳熱面位于同一個平面上，與E型散熱片的同一個平面保持緊密熱接觸，并與驅(qū)動板安裝一起形成逆變模組，整流模塊與散熱器安裝在一起形成整流模組，風(fēng)扇位于逆變模組E型散熱器的翅片上方，氣流垂直吹向散熱片翅片，再沿散熱器翅片形成的流道流動，繼續(xù)為整流模塊和主變壓器散熱，氣流自前后面板上的出氣口排除機(jī)外，可形成了散熱高效、負(fù)載率高、結(jié)構(gòu)簡單、穩(wěn)定可靠的逆變式焊接設(shè)備。
文檔編號B23K9/32GK102785005SQ201110129490
公開日2012年11月21日 申請日期2011年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月18日
發(fā)明者王明偉 申請人:王明偉