專利名稱：揮發(fā)性的金屬β－酮亞胺鹽和金屬β－二亞胺鹽的配合物的制作方法
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求2004年12月30日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)No.60/640338的權(quán)益。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體工業(yè)在電子器件比如例如現(xiàn)有技術(shù)微處理器中采用了含金屬的互連件，比如銅(Cu)。含金屬的互連件可以是嵌入的細(xì)金屬線，形成三維網(wǎng)格，微處理器中心的數(shù)百萬(wàn)個(gè)晶體管通過(guò)該網(wǎng)格通訊并執(zhí)行復(fù)雜的運(yùn)算。在這些和其它應(yīng)用中，由于銅是優(yōu)異的電導(dǎo)體，所以和其它金屬比如例如鋁相比，可以選擇銅或其合金，從而得到具有更大電流承載能力的更高速互連件。
電子器件中的互連通路通常是通過(guò)金屬鑲嵌工藝制備的，借此在介電絕緣體的通過(guò)光刻法形成圖案并蝕刻的通道和通孔上，涂覆上擴(kuò)散阻擋材料的薄共形層。擴(kuò)散阻擋層通常和金屬或銅層一起用來(lái)防止由于金屬或銅層與集成電路其它部分的相互作用或擴(kuò)散而導(dǎo)致的有害效應(yīng)。示例性的阻擋材料包括但不限于鈦、鉭、鎢、鉻、鉬、鋯、釕、釩和/或鉑以及這些材料的碳化物、氮化物、碳氮化物、碳化硅、氮化硅和碳氮化硅和含這些材料的合金。在有些方法中，比如當(dāng)例如互連件包含銅時(shí)，在用純銅完全填充這些特征之前，可以在擴(kuò)散阻擋層上涂覆薄的銅“籽晶(seed)”或“停止(strike)”層。在其它情況下，銅的籽晶層可以用類(lèi)似的鈷或者相似的薄膜“膠(glue)”層代替或者再加上類(lèi)似的鈷或者相似的薄膜“膠(g1ue)”層。隨后，可以采用化學(xué)機(jī)械拋光方法去除過(guò)量的銅。由于待填充的最小特征寬度可能小于0.2微米，深度卻可能大于1微米，所以優(yōu)選采用能夠均勻填充這些特征而不留下任何孔隙(孔隙可能導(dǎo)致最終產(chǎn)品發(fā)生電失效)的金屬噴鍍技術(shù)來(lái)沉積銅籽晶層、銅膠層和/或擴(kuò)散阻擋層。
已經(jīng)采用多種方法比如離子化金屬等離子體(IMP)、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PACVD)、等離子體改性化學(xué)氣相沉積(PECVD)、電鍍和化學(xué)鍍膜來(lái)沉積含金屬的層，比如金屬噴鍍層、擴(kuò)散阻擋層和/或其它層。其中，采用一種或多種有機(jī)金屬前體的CVD和ALD方法可能是最有前途的方法，因?yàn)檫@些方法為高長(zhǎng)寬比結(jié)構(gòu)提供了優(yōu)異的階段覆蓋，而且具有良好的通孔填充特性。在典型CVD方法中，將含有所需金屬的揮發(fā)性有機(jī)金屬前體的蒸氣引入到基體表面，在此發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致在基體上沉積包含化合物形式或純?cè)匦问降脑摻饘俚谋∧?。由于金屬通常作為揮發(fā)性前體以蒸氣形式輸送，所以該金屬可以到達(dá)垂直表面和水平表面，得到均勻分布的薄膜。在典型ALD方法中，揮發(fā)性有機(jī)金屬前體和試劑氣體以交替脈沖形式進(jìn)入反應(yīng)器，從而在基體上沉積前體/試劑的自限交替單層，其中所述單層一起反應(yīng)形成金屬膜或含金屬的膜，該膜隨后被還原成金屬或者以沉積狀態(tài)使用。例如，如果在ALD方法中銅有機(jī)金屬前體和合適的氧化劑反應(yīng)，那么所得的氧化亞銅或氧化銅單層或多層可以用于半導(dǎo)體應(yīng)用中，或者被還原成銅金屬。
就銅薄膜而言，適用于CVD和其它沉積方法的同樣前體中的一些也可以適用作ALD前體。在有些應(yīng)用中，以下情況可能是優(yōu)選的前體具有高揮發(fā)性，沉積基本上是純(即，純度約95％或者約99％或更高)的銅膜，和/或使可能導(dǎo)致污染的物質(zhì)進(jìn)入反應(yīng)室或到達(dá)擴(kuò)散阻擋或其它下面表面的量最小化。而且，在這些應(yīng)用中，銅膜和擴(kuò)散阻擋層具有良好粘合性可能是優(yōu)選的，因?yàn)檎澈闲圆顣?huì)導(dǎo)致在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中銅膜出現(xiàn)脫層和其它情況。
為了通過(guò)上述方法，尤其是CVD或ALD方法，沉積低電阻銅膜，已經(jīng)研發(fā)了數(shù)種有機(jī)金屬前體。兩種經(jīng)常使用的廣泛研究的銅有機(jī)金屬前體族是Cu(I)和Cu(II)前體。一種常用的Cu(I)前體是通式為“Cu(I)(hfac)(W)”的前體，其中“hfac”表示1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二醇鹽陰離子，(W)表示中性穩(wěn)定配體，比如例如烯烴、炔或者三烷基膦。具有上述通式的Cu(I)前體的-個(gè)具體例子是1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二醇銅(I)三甲基乙烯基硅烷(以后記為Cu(hfac)(tmvs))，由Air Products and Chemicals，Inc.，Allentown，PA以商標(biāo)名CUPRASELECTTM銷(xiāo)售，所述公司是本申請(qǐng)的專利受讓人。這些Cu(I)前體可以通過(guò)歧化作用沉積膜，其中前體的兩個(gè)分子在加熱的基體表面上反應(yīng)，得到銅金屬、兩個(gè)分子的游離配體(W)和揮發(fā)性副產(chǎn)物Cu(+2)(hfac)2。反應(yīng)式(1)提供了歧化反應(yīng)的例子
(1)2Cu(+1)(hfac)W→Cu+Cu(+2)(hfac)2+2W在CVD沉積中，反應(yīng)式(1)示出的歧化反應(yīng)通常在約200℃進(jìn)行；但是，其它溫度也可以使用，具體取決于沉積方法。如反應(yīng)式(1)所示，Cu(+2)(hfac)2構(gòu)成了該反應(yīng)的副產(chǎn)品，可能需要從反應(yīng)室中去除。
另一種類(lèi)型的Cu(I)前體是通式為“(Y)Cu(Z)”的前體。在這些具體Cu(I)前體中，“Y”是有機(jī)陰離子，“Z”是中性穩(wěn)定配體，比如例如三烷基膦。這種前體的例子是CpCuPEt3，其中Cp是環(huán)戊二烯基，PET3是三乙基膦。在典型CVD條件下，這些前體分子中的兩個(gè)可以在晶片表面反應(yīng)，借此兩個(gè)穩(wěn)定的三烷基膦Z配體和銅中心離解，兩個(gè)(Y)配體耦合在一起，而且銅(I)中心被還原成銅金屬。整個(gè)反應(yīng)如反應(yīng)式(2)所示。
(2)2(Y)Cu(Z)→2Cu+(Y-Y)+2(Z)但是，在有些情況下，這種類(lèi)型的化學(xué)可能帶來(lái)問(wèn)題，這是因?yàn)樗尫诺娜榛⑴潴w可能污染反應(yīng)室并充當(dāng)不希望的N型硅摻雜劑。
如前所述，另一種用來(lái)沉積含銅膜的前體是Cu(II)前體。和Cu(I)前體不同，Cu(II)前體要求使用外部還原劑，比如例如氫或醇，來(lái)沉積基本上不含雜質(zhì)的銅膜。典型Cu(II)前體的例子具有化學(xué)式Cu(II)(Y)2，其中(Y)是有機(jī)陰離子。這種類(lèi)型前體的例子包括但不限于Cu(II)(β-二酮鹽(diketonate))、Cu(II)雙(β-二亞胺)和Cu(II)雙(β-酮亞胺)化合物。反應(yīng)式(3)提供了其中氫用作還原劑的沉積反應(yīng)的示例。
(3)Cu(II)(Y)2+H2→Cu+2YHCu(II)前體通常是固體，沉積膜所需溫度通常高于200℃。
盡管銅前體廣泛用作互連件，但其它金屬或合金也在電子器件中用作薄膜。這些金屬的例子包括銀(Ag)、金(Au)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鎳(Ni)、鋨(Os)、銦(In)和其合金。

發(fā)明內(nèi)容
下面描述了金屬配合物以及其制備和使用的方法，比如例如用作沉積方法中的前體。在一方面，本發(fā)明提供了一種式(I)表示的金屬配合物 其中M是選自Cu、Au、Ag、Co、Ru、Rh、Pt、In、Pd、Ni和Os的金屬；其中X選自氧和NR5；其中，R1、R2、R3和R5每個(gè)獨(dú)立選自氫原子；鹵素原子；通式為NO2的硝基；通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺；其中R4選自通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺，而且其中R4通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與L連接；其中L是選自下列的配體含有2-20個(gè)碳原子的烷基腈；通式為(R8)3SiCN的甲硅烷基腈，其中R8每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；含有1-20個(gè)碳原子的炔；通式為(R9)3SiCCR10的甲硅烷基炔，其中R9每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基，R10是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基、酰胺或烷基；通式為(R11)3SiCCSi(R11)3的甲硅烷基炔，其中R11每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；含有1-20個(gè)碳原子的烯烴、二烯或三烯；通式為(R12)3SiCR13C(R13)2的甲硅烷基烯烴，其中R12每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基、芳基、乙烯基或者酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷基，或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；通式為(R14)3SiCR13CR13Si(R14)3的雙(甲硅烷基)烯烴，其中R14每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者含有1-20個(gè)碳原子的烷基；含有3-20個(gè)碳原子的丙二烯；通式為(R15)2CCC(R15)2的丙二烯，其中R15每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者通式為(R16)3Si的烷基硅烷，其中R16每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；通式為R17NC的烷基胩，其中R17是含有1-20個(gè)碳原子的烷基；通式為(R18)3SiNC的甲硅烷基胩，其中R18每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基，和含有6-12個(gè)碳原子的芳基，而且其中L通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與R4相連；和其中位于M和L之間的有機(jī)金屬鍵選自兩個(gè)單鍵或一個(gè)單鍵。
在另一方面，提供了一種在基體上沉積含金屬的膜的方法，包括使基體接觸具有上述通式(I)的金屬配合物，其中該接觸進(jìn)行的條件足以使該配合物反應(yīng)并形成膜。
在另一方面，提供了一種包含含金屬的膜的電子器件，其中所述膜采用具有上述通式(I)的金屬配合物來(lái)沉積。
在又一方面，提供了一種制備具有上述通式(I)的金屬配合物的方法，其中X是氧，包括制備具有通式H2NR4L的伯胺，其中R4和L如上所述；使通式為R1C(O)CHR2C(O)R3的β-二酮和伯胺縮聚，形成具有通式R1C(O)CHR2CNR4LR3并且R1、R2、R3、R4和L如上所述的β-酮亞胺中間產(chǎn)物，并且在存在金屬源的條件下用堿使該β-酮亞胺中間產(chǎn)物脫質(zhì)子化，形成金屬配合物。
在另一方面，提供了制備具有上述通式(I)的金屬配合物的方法，其中X是氧，包括縮聚通式為H2NR4的胺和通式為R1C(O)CHR2C(O)R3的β-二酮，形成通式為R1C(O)CHR2CN(R4)R3并且R1、R2、R3和R4如上所述的第一中間β-酮亞胺產(chǎn)物；使配體(L)附著到該第一中間β-酮亞胺產(chǎn)物中的R4，得到通式為R1C(O)CHR2CNR4LR3的第二中間β-酮亞胺產(chǎn)物，其中R1、R2、R3、R4和L如上所述；在存在金屬源的條件下用使該第二β-酮亞胺中間產(chǎn)物脫質(zhì)子化，形成金屬配合物。


圖1提供了本文描述的金屬配合物之一或Cu(MeC(O)CHC(NCH2CH2OSiMe2(C2H3))Me)的示例性結(jié)構(gòu)。
圖2提供了本文描述的金屬配合物的另一實(shí)施方案或Cu(MeC(O)CHC(NCH2CH2NMeSiMe2(C2H3))Me)的示例性結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
下面將描述金屬配合物，特別是銅(I)配合物及其制備和使用方法。金屬配合物可以用作例如前體來(lái)通過(guò)各種沉積方法，包括CVD或ALD方法沉積金屬膜或含金屬的膜。
本文描述的金屬配合物由于具有獨(dú)特的結(jié)構(gòu)而具有一種或多種有利性質(zhì)。和其它有機(jī)金屬的金屬前體相比，本文描述的金屬配合物兼具相對(duì)高的熱穩(wěn)定性和相對(duì)高的化學(xué)反應(yīng)能力，這兩種性質(zhì)的結(jié)合使其對(duì)作為CVD和ALD前體，尤其是ALD前體而言是理想的。對(duì)CVD系統(tǒng)而言，理想情況是前體僅僅在加熱的基體表面上發(fā)生反應(yīng)，而不是在輸送蒸氣和/或加工室中反應(yīng)。對(duì)ALD系統(tǒng)而言，理想情況是金屬前體在特定位置反應(yīng)，同時(shí)不會(huì)受到在蒸汽輸送和/或加工室中出現(xiàn)的不希望的熱老化的影響。本文所述金屬配合物具有相對(duì)高的熱穩(wěn)定性，這使其能夠以穩(wěn)態(tài)蒸氣形式輸送到CVD或ALD反應(yīng)器中。在這種連接方式下，我們相信由于配體L直接附著在酮亞胺或二亞胺配體上，所以配體不容易從金屬中心(M)上離解下來(lái)成為游離分子，這樣傾向于在低壓和通常足以完全離解配體L的熱量條件下，維持配體L和該金屬中心的配位關(guān)系。這和L僅僅鍵合到金屬中心的類(lèi)似配合物相反。在可替換實(shí)施方案中，使酮亞胺或二亞胺配體與配體L締合的取代基R4可以進(jìn)行化學(xué)工程化處理，使得在正確工藝條件下這種締合可以打破或者離解從而有效釋放配體L。本文所用術(shù)語(yǔ)“締合”是指用配體L連接酮亞胺或二亞胺配體，可以包括但不限于化學(xué)鍵(例如，共價(jià)鍵、氫鍵等)、靜電引力、路易斯酸-路易斯堿相互作用，和/或其它方法。在這些實(shí)施方案以及足以釋放配體L的工藝條件下，可以允許例如配合物歧化，形成金屬膜或含金屬膜。而且，R4和配體L的離解可以將前體縮減成小分子量單元，該單元在例如CVD或ALD反應(yīng)器中處理的過(guò)程中更容易脫附。例如，如果前體和水充分反應(yīng)，那么離解的結(jié)果就會(huì)是銅氧化物的生長(zhǎng)以及釋放出水解的小分子量揮發(fā)性配體片段。例如，金屬配合物Cu(Me(C(O)CHC(NCH2CH2NMeSiMe2(C2H3))Me)(其中配合物內(nèi)的C2H3基團(tuán)代表乙烯基)和水反應(yīng)生成固體氧化亞銅，MeC(O)CH2C(NCH2CH2NMeH)Me，和C2H3Me2SiOH，后者耦合生成四甲基二乙烯基二硅氧烷。
這些配合物的另一個(gè)獨(dú)特特征在于它們能夠提供在前體一個(gè)面上空間暴露更多的金屬中心。典型的β-酮亞胺或β-二酮烯烴化合物是扁平分子，其中配位二酮鹽(diketomate)或酮亞胺鹽(ketoiminate)陰離子、金屬中心和烯烴都位于同一平面內(nèi)。與此不同，本文描述的配合物可以允許配合物的配位平面變成凸出的弓形，將金屬中心越發(fā)推向配合物下面，從而使其暴露得更多，更容易到達(dá)表面和試劑分子。例如，在示例性金屬配合物Cu(Me(C(O)CHC(NCH2CH2OSiMe2(C2H3))Me)中，β-酮亞胺鹽螯合環(huán)傾斜偏離銅烯烴配位三角形大約7度，從而使銅在分子下面暴露更多。對(duì)某些ALD和CVD類(lèi)型的方法而言，這種暴露以及由此產(chǎn)生的空間訪問(wèn)(access)可能比較重要，因?yàn)檫@樣有助于將其中包含的銅原子吸附到基體表面上。而且，通過(guò)控制R4締合配體L的本質(zhì)和長(zhǎng)度，可以研發(fā)出構(gòu)象相對(duì)拉緊的金屬前體，從而提供暴露的金屬中心。通過(guò)化學(xué)斷裂或離解R4與配體L的連接來(lái)釋放應(yīng)變，獲得了相對(duì)高的反應(yīng)性。換句話說(shuō)，通過(guò)調(diào)整這些前體的結(jié)構(gòu)，應(yīng)該可能構(gòu)建這種配合物，其內(nèi)部應(yīng)變可以通過(guò)斷裂R4連接而釋放，驅(qū)動(dòng)分子分解成小的揮發(fā)性有機(jī)單元，同時(shí)提供空間暴露的金屬中心從而獲得高表面反應(yīng)性和金屬沉積。
本文所述金屬配合物具有如下通式(I) 在通式(I)中，M是選自Cu、Au、Ag、Co、Ru、Rh、Pt、In、Pd、Ni和Os的金屬。在某些實(shí)施方案中，金屬原子M是銅。在通式(I)中，X可以是氧，從而形成酮亞胺鹽配合物，或者可替換地X可以是NR5，從而形成二亞胺鹽配合物。在通式(I)中，取代基R1、R2、R3和R5每個(gè)獨(dú)立選自氫原子；鹵素原子；通式NO2的硝基；通式CnH2n+1的烷基，其中n是1-20之間的數(shù)字；通式CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20之間的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，而且n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20碳原子的酰胺。在通式(I)中，取代基R4選自通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，而且n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺，而且其中R4中去除了氫、原子或基團(tuán)后和L締合。而且，在式(I)中，L是選自下列的配體含有2-20個(gè)碳原子的烷基腈；通式為(R8)3SiCN的甲硅烷基腈，其中R8每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；含有1-20個(gè)碳原子的炔；通式為(R9)3SiCCR10的甲硅烷基炔，其中R9每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基，而且R10是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基、酰胺或烷基；通式為(R11)3SiCCSi(R11)3的甲硅烷基炔，其中R11每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；含有1-20個(gè)碳原子的烯烴、二烯或三烯；通式為(R12)3SiCR13C(R13)2的甲硅烷基烯烴，其中R12每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基、乙烯基、芳基或酰胺，而且R13每個(gè)獨(dú)立地是氫或含有1-20個(gè)碳原子的烷基；通式為(R14)3SiCR13CR13Si(R14)3的雙(甲硅烷基)烯烴，其中R14每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺，而且R13每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者含有1-20個(gè)碳原子的烷基；含有3-20個(gè)碳原子的丙二烯；通式為(R15)2CCC(R15)2的丙二烯，其中R15每個(gè)獨(dú)立地是氫原子、通式為(R16)3Si的烷基硅烷，其中R16每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；通式為R17NC的烷基胩，其中R17是含有1-20個(gè)碳原子的烷基；通式為(R18)3SiNC的甲硅烷基胩，其中R18每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；和含有6-12個(gè)碳原子的芳基，而且其中L去除了氫、原子或基團(tuán)后與R4締合。
本文所用術(shù)語(yǔ)“烷基”包括直鏈、支鏈或環(huán)烷基，含有1-20個(gè)碳原子或者1-10個(gè)碳原子。示例性烷基包括甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、叔戊基、正戊基、正己基、環(huán)戊基和環(huán)己基。術(shù)語(yǔ)“烷基”也應(yīng)用到含在其它基團(tuán)中的烷基部分，比如氟烷基、鹵烷基、烷基芳基或芳基烷基。本文所用術(shù)語(yǔ)“芳基”包括具有芳族特性的6-12元碳環(huán)。示例性的芳基包括苯基和萘基。術(shù)語(yǔ)“烷基取代的芳基”是指用烷基取代的芳基部分。示例型的烷基取代的芳基包括甲苯基和二甲苯基。術(shù)語(yǔ)“鹵”和“鹵素”包括氟、氯、溴或碘。術(shù)語(yǔ)“氟烷基”是指其中一個(gè)或多個(gè)氫原子被氟鹵素原子取代的烷基部分，可以是部分或全部氟化的，包括含有1-20個(gè)碳原子或1-10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)氟化烷基。示例性的氟烷基包括-CF3、-CF2CF3、-CH2CF3、-CF2CFH2或者-CH2CF2CF3。在某些實(shí)施方案中，此處討論的有些基團(tuán)可以由一個(gè)或多個(gè)其它元素比如例如鹵素原子或其它雜原子比如O、N、Si或S取代。
在通式(I)中，選擇取代基R4使其能夠和配體L締合。另外，選擇配體L使其能和R4締合。相信配體L和取代基R4都有氫、原子或基團(tuán)被去除使得R4和L可以締合，從而使配體L連接配合物的銅亞胺或二亞胺配體。在這種連接中，當(dāng)L是甲硅烷基烯烴時(shí)，它的一個(gè)鍵可以與R4締合。一個(gè)示例性實(shí)施方案如圖1或Cu(Me(C(O)CHC(NCH2CH2OSiMe2(C2H3))Me)。在該實(shí)施方案中，X是氧，L的通式為H2C＝CHSiMe2，R4是OCH2CH2，R3是氫，R1和R2都是甲基。在另一個(gè)X是NR5的實(shí)施方案中，R5和L可以締合。在這種實(shí)施方案中，配體L和取代基R5都具有氫、原子或基團(tuán)被去除，使得R5和L能以R4和L相同的締合方式締合。
在某些實(shí)施方案中，取代基R4也可以連接到取代基R1、R2和/或R3上。在這些實(shí)施方案中，當(dāng)R1、R2和/或R3既不是氫原子、鹵素原子，又不是硝基NO2時(shí)，取代基R4可以僅僅和取代基R1、R2和/或R3連接。
在本文所述的某些配合物實(shí)施方案中，X是NR5而且R5可以是R1、R2或R3表示的上述任何基團(tuán)或原子。在這些實(shí)施方案中，配體(L)，或者可以是任何上述基團(tuán)或原子的另外配體(L)，也可以附著到取代基R5以及取代基R4上。在這些實(shí)施方案中，相信至少一個(gè)配體L具有例如可用來(lái)和R5締合的化合價(jià)，從而使配體L連接配合物的二亞胺配體。在這個(gè)或其它實(shí)施方案中，取代基R5也可以連接到R1、R2、R3和/或R4的任何之一或全部，形成環(huán)形結(jié)構(gòu)。在后一實(shí)施方案中，僅僅當(dāng)R1、R2和/或R3既不是氫原子、鹵素原子，又不是硝基NO2時(shí)，或者可替換地當(dāng)R5是氫原子時(shí)，取代基R5和R1、R2和/或R3連接。
在某些實(shí)施方案中，取代基R4和/或任選的取代基R5(如果X是NR5)可以進(jìn)行調(diào)整，使得配體L和相鄰配體的金屬中心而不是其自己的金屬中心配位。在這些實(shí)施方案中，可以形成其它配合物例如但不限于二聚物、三聚物和四聚物配合物。
在某些實(shí)施方案中，取代基R1、R2和R3中的任何一個(gè)或全部可以獨(dú)立連接形成環(huán)形結(jié)構(gòu)。在某些實(shí)施方案中，R1和R2和/或R2和R3可以獨(dú)立連接形成環(huán)形結(jié)構(gòu)。
在某些實(shí)施方案中，本文所述金屬配合物可以包含氟。在這些實(shí)施方案中，取代基R1、R2、R3、R4和R5的任何之一或全部可以包含氟，比如例如氟烷基、氟烷基取代的芳基、氟芳基、烷基取代的氟烷基或者氟烷基取代的氟芳基。在可替換的實(shí)施方案中，本文所述金屬配合物不包含氟。
在一個(gè)實(shí)施方案中，通式(I)中的配體L可以是烷基腈，例如但不限于CH2CN或者M(jìn)e2CH2CCN。在關(guān)于L的本實(shí)施方案和前述實(shí)施方案中，定義配體L的基團(tuán)去除了氫以使其可以和R4締合。在可替換實(shí)施方案中，通式(I)的配體L可以是甲硅烷基腈，比如但不限于Me2CH2SiCN。在又一實(shí)施方案中，通式(I)中的配體L可以是炔，比如但不限于CH2CCMe或者CH2CCH。在另一實(shí)施方案中，通式(I)中的配體L可以是烯烴，比如但不限于Me3CCHCH2或Me(CH2)2CHCH2。在另一實(shí)施方案中，通式(I)中的配體L可以是通式為(R9)3SiCCR10或(R11)3SiCCSi(R11)3的甲硅烷基炔，比如但不限于Me3SiCHCH、Me2CH2SiCHCHSiMe3、(MeO)2CH2SiCHCH2或者(EtO)2CH2SiCHCH2。在又一實(shí)施方案中，通式(I)的配體L可以是丙二烯，比如但不限于CHCCCH2或MeCCCMe2。在另一實(shí)施方案中，通式(I)中的配體L可以是烷基胩，比如但不限于Me2CH2CNC。在前述通式和說(shuō)明書(shū)全文中，術(shù)語(yǔ)“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“i-Pr”表示異丙基。
在上述通式(I)中，金屬中心和配體(L)之間的有機(jī)金屬鍵或者是2個(gè)單鍵，或者是1個(gè)單鍵。
在一個(gè)實(shí)施方案中，本文所述的其中X是氧的金屬酮亞胺鹽配合物的合成方式可以是將用基團(tuán)L官能化的胺和β-二酮化合物反應(yīng)形成β-酮亞胺中間產(chǎn)物。所述胺可以是例如通式為H2NR4L的伯胺，其中R4和L可以是上述任一基團(tuán)或原子。具有上述通式的伯胺的非限制型例子包括H2NCH2CH2OSiMe2(C2H3)。β-二酮可以是通式為R1C(O)CHR2C(O)R3的化合物，其中R1、R2和R3每個(gè)可以獨(dú)立地是上述任一基團(tuán)或原子。具有上述通式的β-二酮化合物的非限制性例子是2，4-戊二酮、1，1，1-三氟-2，4-戊二酮、2，4-己二酮和3，5-庚二酮。一個(gè)例子會(huì)是將胺H2NCH2CH2OSiMe2(C2H3)和2，4-戊二酮反應(yīng)形成β-酮亞胺中間產(chǎn)物MeC(O)CH2C(NCH2CH2OSiMe2(C2H3))Me。一旦制備了β-酮亞胺中間產(chǎn)物，它發(fā)生脫質(zhì)子化(即，去除酸性質(zhì)子)，然后在存在堿的條件下和金屬源絡(luò)合，得到具有上述通式(I)的配合物。
在另一實(shí)施方案中，其中X是如上所述NR5的本文所述金屬二亞胺鹽配合物的合成方式可以是首先如上所述制備β-酮亞胺中間產(chǎn)物，然后用烷化劑比如三乙基氧四氟硼酸鹽或者二甲基硫酸鹽對(duì)其進(jìn)行處理，然后將所得化合物與其中R5如上所述的R5NH2反應(yīng)，得到β-二亞胺鹽[R1C(R5NH)CHR2C(NR4L)R3]+[V]-作為第二中間產(chǎn)物，其中V是烷基化劑的共軛堿(例如，當(dāng)采用三乙基氧四氟硼酸鹽時(shí)，V是四氟硼酸鹽陰離子)。基團(tuán)R5可以或不可以連接有基團(tuán)L。所得β-二亞胺鹽配體二次脫質(zhì)子化，然后和金屬源絡(luò)合，得到具有上述通式(I)的配合物。
胺和β-二酮化合物的反應(yīng)可以在存在溶劑的條件下進(jìn)行。合適的溶劑包括但不限于單獨(dú)的醚(例如，二乙基醚(Et2O)、四氫呋喃(“THE”)、二正丁基醚、1，4-二烷或者乙二醇二甲基醚)；腈(例如CH3CN)；或者芳族化合物(例如，甲苯)或其混合物。在某些實(shí)施方案中，溶劑是THF。反應(yīng)溫度可以從-78℃到溶劑沸點(diǎn)。反應(yīng)時(shí)間可以從大約0小時(shí)或者即刻到大約48小時(shí)，或者從大約4小時(shí)到大約12小時(shí)。在某些實(shí)施方案中，中間產(chǎn)物可以通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)步驟比如蒸餾、升華色譜法、重結(jié)晶和/或研磨進(jìn)行純化。但是，在有些實(shí)施方案中，胺和β-二酮化合物的反應(yīng)可以在沒(méi)有溶劑的條件下進(jìn)行，尤其是如果所得β-酮亞胺中間產(chǎn)物是液體的情況下。
在某些實(shí)施方案中，β-酮亞胺或β-二亞胺中間產(chǎn)物直到最終的金屬配合物可以是具有下列通式(II)、(III)或(IV)的下列三個(gè)互變異構(gòu)體中的一個(gè)或多個(gè)
在上述通式中，變量R1、R2、R3、R4、X和配體(L)可以每個(gè)獨(dú)立地是本文所述的任何原子或基團(tuán)。
中間β-酮亞胺產(chǎn)物在和胺或氨反應(yīng)得到β-二亞胺之前可能需要活化。例如，中間β-酮亞胺產(chǎn)物可能首先需要由三乙基氧四氟硼酸鹽或二甲基硫酸鹽烷基化。
反應(yīng)式(IV)給出了制備本文所述的金屬或Cu(I)酮亞胺鹽配合物的一個(gè)實(shí)施方案的例子。在該實(shí)施方案中，Cu(I)配合物通過(guò)采用一種或多種堿使由胺和β-二酮化合物反應(yīng)所得的β-酮亞胺中間產(chǎn)物脫質(zhì)子化，或者使由β-酮亞胺中間產(chǎn)物和胺或氨反應(yīng)所得的β-二亞胺中間產(chǎn)物脫質(zhì)子化，然后和Cu(I)螯合，分別得到β-酮亞胺或者β-二亞胺配合物。這個(gè)反應(yīng)的非限制性例子示于下面的反應(yīng)式(4)中，該反應(yīng)式給出了β-酮亞胺Cu(I)配合物的制備過(guò)程
反應(yīng)式(4)在反應(yīng)式(4)中，β-酮亞胺中間產(chǎn)物是通式(VI)的化合物，其和堿即氫化鈉以及銅(I)源即氯化銅反應(yīng)，制成通式(I)的Cu(I)配合物以及氯化鈉?？捎糜谏鲜龇磻?yīng)的其它堿包括但不限于氫化鋰、正丁基鋰、氫化鉀、雙(三甲基甲硅烷基酰胺)鈉、二異丙基酰胺鋰和叔丁醇鉀等。其它可用于上述反應(yīng)的銅(I)源包括但不限于溴化銅(I)、碘化銅(I)、三氟乙酸銅(I)、三氟甲基磺酸銅(I)苯(benxene)加合物、醇銅(I)、氨基化銅(I)、乙酸銅(I)、苯酚銅(I)、銅(I)乙酰胺和烴氧基銅(I)。在其中制備其它金屬或混合金屬配合物的實(shí)施方案中，金屬源是含有所需金屬M(fèi)的一種或多種金屬鹽。金屬或Cu(I)配合物的期望產(chǎn)率可以是理論產(chǎn)率的大約5％-大約95％。在某些實(shí)施方案中，最終產(chǎn)物或金屬配合物，比如Cu(I)配合物，可以通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)步驟比如蒸餾、升華、色譜法、重結(jié)晶和/或研磨進(jìn)行純化。
可替換地，本發(fā)明的金屬配合物的制備可以是首先合成其它類(lèi)似的金屬雙(酮亞胺)和金屬雙(二亞胺)化合物，然后和金屬源反應(yīng)或用金屬源將其還原。合成這些前體的其它可替換途徑也是可行的，比如在下面實(shí)施例中給出的非限制性案例所示。
在可替換的實(shí)施方案中，β-酮亞胺中間產(chǎn)物可以直接和金屬源，比如芳基銅(I)(例如銅)或者醇銅(例如[CuOt-Bu]4)發(fā)生反應(yīng)，形成金屬或Cu(I)配合物。在又一實(shí)施方案中，金屬配合物可以在合適的電化學(xué)方法中由其組成部分，即β-酮亞胺中間產(chǎn)物和金屬原子制備。這些相同合成途徑可以用來(lái)合成金屬二亞胺鹽配合物。
本方法的又一例子是乙醇胺(H2NCH2CH2OH)和2，4-戊二酮反應(yīng)，得到第一中間β-酮亞胺產(chǎn)物MeC(O)CH2C(NCH2CH2OH)Me。該第一中間β-酮亞胺產(chǎn)物MeC(O)CH2C(NCH2CH2OH)Me和氯二甲基乙烯基硅烷反應(yīng)，得到第二中間β-酮亞胺產(chǎn)物MeC(O)CH2C(NCH2CH2OSiMe2(C2H3))Me。該第二中間β-酮亞胺產(chǎn)物脫質(zhì)子化并與銅絡(luò)合，得到配合物Cu(MeC(O)CHC(NCH2CH2OSiMe2(C2H3)Me)。
如前所述，本文所述金屬配合物可用作前體用于在基體上沉積含銅的膜。合適基體的例子包括但不限于半導(dǎo)體材料比如砷化鎵(“GaAs”)、硼氮化(BN)硅和含有硅的組合物，比如結(jié)晶硅、多晶硅、無(wú)定形硅、外延生長(zhǎng)硅、二氧化硅(“SiO2”)、碳化硅(“SiC”)、氧碳化硅(“SiOC”)、氮化硅(“SiN”)、碳氮化硅(“SiCN”)、有機(jī)硅玻璃(“OSG”)、有機(jī)氟硅酸鹽玻璃(“OFSG”)、氟硅酸鹽玻璃(“FSG”)，以及其它合適的基體或其混合物。基體還可以包括多重層，在這些層上可以施加膜比如例如減反射涂層、光刻膠、有機(jī)聚合物、多孔有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料、金屬比如銅和鋁，或者擴(kuò)散阻擋層。金屬配合物可以采用本文所述或本領(lǐng)域已知的任一技術(shù)沉積。示例性沉積技術(shù)包括但不限于化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PACVD)和等離子體改性化學(xué)氣相沉積(PECVD)。
在某些實(shí)施方案中，這些配合物可用來(lái)通過(guò)CVD或ALD與合適試劑反應(yīng)生成金屬或其合金的薄膜。在可替換的實(shí)施方案中，金屬配合物可以通過(guò)歧化反應(yīng)反應(yīng)，提供金屬膜或含金屬的膜。在另一實(shí)施方案中，金屬配合物可以在存在還原劑的條件下反應(yīng)得到金屬膜或含金屬的膜。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，和鹵素源試劑的反應(yīng)可以形成金屬鹵化物的薄膜，然而在另一實(shí)施方案中，和合適氧化劑比如水蒸氣的反應(yīng)可以提供金屬氧化物膜。在另一實(shí)施方案中，和氧化劑反應(yīng)隨后再和還原劑比如氫反應(yīng)，可以形成金屬膜或金屬/金屬氧化物混合膜?？商鎿Q地，銅前體可以和由直接來(lái)自或者位于遠(yuǎn)程等離子體源下游的等離子體活化的試劑氣體反應(yīng)。本文所公開(kāi)的金屬配合物也可用于以某種組合和其它金屬前體混合，形成金屬薄膜、含金屬的薄膜和/或金屬合金膜。這些膜可以以沉積狀態(tài)使用，或者可替換地可以用合適的還原劑還原成所需金屬。
在某些實(shí)施方案中，金屬配合物采用CVD或ALD技術(shù)沉積在基體上。Cu(I)配合物的沉積可以在400℃或以下的溫度，或者200℃或以下，或者100℃或以下進(jìn)行。在典型CVD沉積方法中，將具有通式(I)的金屬配合物引入反應(yīng)室比如真空室中。在有些實(shí)施方案中，可以在引入金屬配合物之前、之中和/或之后，引入其它除了該金屬配合物以外的化學(xué)試劑。能源比如例如熱能、等離子能或其它能源，為金屬配合物和任選的化學(xué)試劑提供能量，從而在至少部分基體上形成膜。
如前所述，在某些實(shí)施方案中，在將金屬配合物引入反應(yīng)室之前、之中和/或之后，可以引入化學(xué)試劑?；瘜W(xué)試劑的選擇可以依賴于所需最終膜的組成。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，和含鹵素的化學(xué)試劑的反應(yīng)可以形成金屬鹵化物的膜，但是在另一實(shí)施方案中，和氧化劑化學(xué)試劑的反應(yīng)會(huì)形成金屬氧化物膜。示例性的化學(xué)試劑包括但不限于氧化劑(即O2、NO、NO2、O3、CO、CO2等)；水；鹵化物；含鹵素的硅烷；烷基氯硅烷、烷基溴硅烷或烷基碘硅烷；鹵化硅化合物，比如四氯化硅、四溴化硅或者四碘化硅；鹵化的錫化合物，比如烷基氯錫烷、烷基溴錫烷或者烷基碘錫烷；鍺烷化合物，比如烷基氯鍺烷、烷基溴鍺烷或者烷基碘鍺烷；三鹵化硼化合物，比如三氯化硼、三溴化硼或者三碘化硼；鹵化鋁化合物，比如氯化鋁、溴化鋁或者碘化鋁；烷基鋁鹵化物；鹵化鎵比如三氯化鎵、三溴化鎵或者三碘化鎵；或其組合。還可以預(yù)期，也可以使用上述化合物的衍生物。這些化學(xué)試劑可以直接以氣體形式輸送到反應(yīng)室，以揮發(fā)性液體形式、升華的固體形式和/或由惰性載體氣體輸送到反應(yīng)室中。惰性載體氣體的例子包括氮?dú)?、氫氣、氬氣和氙氣等?br> 在某些實(shí)施方案中，金屬膜可以通過(guò)歧化反應(yīng)形成在基體表面上，比如下面反應(yīng)式(5)所示的Cu(I)配合物。
反應(yīng)式5在另一實(shí)施方案中，在存在還原劑的條件下金屬膜可以沉積在基體表面上，其中還原劑用來(lái)例如將膜還原成金屬。具有通式(I)的金屬配合物可以和還原劑一起引入CVD或ALD反應(yīng)器中。還原劑通常以氣體形式引入。合適還原劑的例子包括但不限于氫氣、醇、氫等離子體、遠(yuǎn)程氫等離子體、硅烷類(lèi)(即，二乙基硅烷、乙基硅烷、二甲基硅烷、苯基硅烷、硅烷、二硅烷、氨基硅烷)、硼烷類(lèi)(即硼烷、二硼烷)、鋁烷類(lèi)、鍺烷類(lèi)、聯(lián)氨類(lèi)、氨或其混合物。
在某些實(shí)施方案中，通過(guò)ALD沉積方法由通式(I)的Cu(I)配合物沉積金屬膜。在典型ALD方法中，一種或多種氣態(tài)或蒸氣態(tài)前體在加工循環(huán)里以交替脈沖方式引入加工室中，在該加工室里裝有基體。優(yōu)選每個(gè)加工循環(huán)通過(guò)吸附并優(yōu)選通過(guò)化學(xué)吸附形成不超過(guò)大約一個(gè)單層的材料。用來(lái)生長(zhǎng)該層的加工循環(huán)的數(shù)目取決于所需的厚度，但通?？梢猿^(guò)1000個(gè)循環(huán)。對(duì)于半導(dǎo)體器件而言，重復(fù)加工循環(huán)直到雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)中阻擋層或籽晶層的厚度足以執(zhí)行其所需功能為止。
在ALD方法中，基體的溫度設(shè)置在便于化學(xué)吸附的范圍，即低到足夠維持所吸附的物質(zhì)和下面基體之間的鍵合不受影響同時(shí)卻高得足以避免前體縮聚并為每個(gè)加工循環(huán)的所需表面反應(yīng)提供足夠的活化能。加工室溫度可以是0℃-400℃，或者0℃-300℃，或者0℃-275℃。在ALD方法中加工室中的壓力可以是0.1-1000托，或者0.1-15托，或者0.1-10托。但是，應(yīng)該理解對(duì)任何具體ALD工藝而言溫度和壓力可以變化，具體取決于所涉及的一種或多種前體。
可以單獨(dú)使用或組合使用本文所述的前述成膜方法以及本領(lǐng)域已知的其它成膜方法中的任何一個(gè)。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，通過(guò)順序沉積氧化銅膜和銅金屬膜然后將該多層進(jìn)行還原得到純銅膜，可以形成混合組成的含銅膜。
在某些實(shí)施方案中，本文所述金屬配合物可以溶解在合適溶劑中形成溶液，所述溶劑比如胺(例如，三乙基胺)、醚(例如THF)、芳族(例如甲苯)或任何本文公開(kāi)的其它溶劑。所得溶液可以在直接液體注入(DLI)系統(tǒng)中閃蒸后以蒸氣形式輸送到ALD或CVD反應(yīng)室中。在其它實(shí)施方案中，本文所述配合物可以在引入DLI系統(tǒng)之前溶解在穩(wěn)定液體比如烯烴或炔里。
實(shí)施例在下列實(shí)施例中，采用配有HP-5MS的惠普5890系列11G.C和5972系列質(zhì)量選擇探測(cè)器測(cè)量試樣的G.C.M.S圖譜。用Bruker AMX500分光計(jì)在500MHz時(shí)進(jìn)行試樣的NMR分析。由C6D6設(shè)置化學(xué)位移，1H的為7.16ppm，13C的為百萬(wàn)分之128.39(ppm)。采用配備了APEX CCD探測(cè)器和Kryoflex低溫保持器的Bruker D8平臺(tái)衍射儀進(jìn)行X射線分析。
實(shí)施例1合成H2NCH2CH2OSiMe2(C2H3)80.0ml(0.57mol)氯二甲基乙烯基硅烷和79.0ml(0.57mol)三乙基胺與2.0升干己烷混合在一起，在氮?dú)鈿夥障掠谑覝貜?qiáng)力攪拌。在1小時(shí)的時(shí)間里緩慢加入35.0ml乙醇胺(0.57mol)，得到白色粘稠漿料。在氮?dú)夥障逻^(guò)濾出固體三乙基胺鹽酸鹽，用另外1.0升干己烷清洗。然后在大氣壓下從產(chǎn)物中蒸餾出己烷，得到58.0g(70％)產(chǎn)物。產(chǎn)物的NMR結(jié)果如下1H NMR(5O0MHz，C6D6)δ＝0.15(d，6H)，δ＝2.8(q，2H)，δ＝3.5(t，2H)，δ＝5.75(dd，1H)，δ＝5.94(dq，1H)，δ＝6.17(dq，1H).
實(shí)施例2合成MeC(O)CH2C(NCH2CH2OSiMe2(C2H3))Me將58.3g(0.40mol)H2NCH2CH2OSiMe2(C2H3)緩慢逐滴加入到處于室溫并且存在過(guò)量硫酸鈉而且處于攪拌狀態(tài)下的250ml THF中，其中該THF中含有40g(0.40mol)的2，4-戊二酮。攪拌混合物4小時(shí)，然后在真空下汽提去除THF。然后在120℃/20mTorr下蒸餾殘油，得到35g最終產(chǎn)物(43％產(chǎn)率)。產(chǎn)物的NMR結(jié)果如下1H NMR(500MHz，C6D6)δ＝0.15(s，6H)，δ＝1.40(s，3H)，δ＝2.0(s，3H)，δ＝2.8(q，2H)，δ＝3.27(q，2H)，δ＝4.9(s，1H)，δ＝5.75(m，1H)，δ＝5.95(m，1H)，δ＝6.1(m，1H).
實(shí)施例3合成Cu(MeC(O)CHC(NCH2CH2OSiMe2(C2H3))Me)將17.0g(0.075mol)MeC(O)CH2C(NCH2CH2OSiMe2(C2H3))Me溶解在10.0ml干四氫呋喃(THF)溶劑中，在氮?dú)鈿夥障略?小時(shí)的時(shí)間里加入到處于攪拌狀態(tài)的100ml干THF中，其中該THF中含有2.5g(40％過(guò)量，1.04mol)氫化鈉，然后在室溫下攪拌過(guò)夜。在氮?dú)鈿夥障逻^(guò)濾該混合物，然后在1小時(shí)的時(shí)間里緩慢加入到氮?dú)鈿夥障掠?℃在10ml干THF中攪拌的7.5g(0.075mol)銅(I)氯化物中，隨后使該混合物加熱到室溫并攪拌過(guò)夜。然后在真空下汽提去除THF，在過(guò)濾前加入500ml去氧的干己烷中，攪拌10分鐘。在真空下汽提去除己烷后，得到了淺藍(lán)色晶體狀的粗產(chǎn)物，產(chǎn)率15.8g(73％)。在20mTorr和70℃下升華后得到近乎無(wú)色的、熔點(diǎn)為72.5℃的晶體升華物。升華的晶體進(jìn)行了X射線分析，最終結(jié)構(gòu)如圖1所示。產(chǎn)物的NMR結(jié)果如下1H NMR(500MHz，C6D6)δ＝0.10(d，6H)，δ＝1.53(s，3H)，δ＝2.14(s，3H)，δ＝3.1(bs，1H)，δ＝3.35(bs，1H)，δ＝3.55(bs，1H)，δ＝3.65(dd，1H)，δ＝3.72(bs，1H)，δ＝3.83(dd，1H)，δ＝4.1(dd，1H)，δ＝4.96(s，1H)；13CNMR(500 MHz，C6D6)δ＝-2.8(s，1C)，δ＝0.3(s，1C)，δ＝22.5(s，1C)，δ＝27.9(s，1C)，δ＝57.1(s，1C)，δ＝65.3(s，1C)，δ＝79.8(s，1C)，δ＝83.2(s，1C)，δ＝98.3(s，1C)，δ＝169.2(s，1C)，δ＝181.4(s，1C).
實(shí)施例4Cu(MeC(O)CHC(NCH2CH2OSiMe2(C2H3))Me)的可替換合成方式這種合成分兩部分進(jìn)行部分(a)合成MeC(O)CH2C(NCH2CH2OH)Me將100.0g(1.0mol)2，4-戊二醇緩慢加入到600ml強(qiáng)力攪拌的己烷中，其中該己烷中含有61.0g(1mol)乙醇胺和100g硫酸鈉干燥劑。混合物最終變成固體物質(zhì)，倒掉己烷層。然后加入600ml的THF，攪拌下緩慢加熱該混合物直到除硫酸鈉以外的所有固體溶解。然后倒掉THF層，緩慢冷卻過(guò)夜以結(jié)晶。然后倒掉液體層，吸干固體。產(chǎn)率為87g或者61％。NMR結(jié)果表明是中間產(chǎn)物
1H NMR(500MHz，C6D6)δ＝1.41(s，3H)，δ＝2.0(s，3H)，δ＝2.76(q，2H)，δ＝3.33(t，2H)，δ＝4.83(s，1H)，δ＝11.15(bs，1H).
部分(b)合成Cu(MeC(O)CHC(NCH2CH2OSiMe2(C2H3))Me)將40g(0.28mol)的MeC(O)CH2C(NCH2CH2OH)Me在氮?dú)夥障氯芙庠?00ml的干THF中，在1小時(shí)的時(shí)間里緩慢加到在250ml的THF里攪拌著的6.7g(0.28mol)氫化鈉中。發(fā)現(xiàn)形成了氫氣，而且混合物變成白色粘稠漿料。在1小時(shí)的時(shí)間里加入112ml的2.5M正丁基鋰(0.28mol)，此時(shí)加入250ml額外的THF，以便更好地混合。攪拌所得淡黃色懸浮液兩個(gè)多小時(shí)，隨后在30分鐘的時(shí)間里加入33.6g(0.28mol)氯二甲基乙烯基硅烷，繼續(xù)攪拌混合物2小時(shí)。然后在氮?dú)鈿夥障聦⒃撜吵響腋∫涸?小時(shí)的時(shí)間里逐滴加入到處于攪拌狀態(tài)的50ml干THF中，所述THF為0℃而且含有29g(0.28mol)銅(I)氯化物。然后加熱混合物到室溫，并攪拌過(guò)夜。然后在真空下汽提去除THF，在氮?dú)鈿夥障录尤?00ml干己烷，攪拌混合物10分鐘，然后從固體中過(guò)濾出己烷。在固體中加入另外500ml的己烷，加熱到45℃并攪拌45分鐘，然后過(guò)濾并和第一次提取的己烷合并在一起。在真空下汽提去除己烷，得到52.0g淡藍(lán)色粗晶體產(chǎn)物，百分比產(chǎn)率為64％。然后在70℃和20mTorr下升華純化粗產(chǎn)物。
實(shí)施例5合成MeC(O)CH2C(NCH2CH2NMeH)Me在30分鐘的時(shí)間里將20.0g(0.2mol)2，4-戊二醇逐滴加入到處于攪拌狀態(tài)的200ml THF中，其中該THF中含有14.8g(0.2mol)N-甲基亞乙基二胺和36g硫酸鈉干燥劑?；旌衔镒兂牲S色，在室溫下攪拌2天。然后倒掉THF層，在干燥的2A分子篩上保存過(guò)夜，然后在真空下汽提去除THF，得到金棕色油。產(chǎn)率為25.5g或者82％。產(chǎn)物的NMR結(jié)果是1H NMR(500MHz，C6D6)δ＝1.45(s，3H)，δ＝2.03(s，3H)，δ＝2.05(s，3H)，δ＝2.25(t，2H)，δ＝2.74(q，2H)，δ＝4.88(s，1H)，δ＝11.1(bs，1H).
實(shí)施例6合成MeC(O)CH2C(NCH2CH2NMeSiMe2(C2H3))Me將51.0g(0.327mol)的MeC(O)CH2C(NCH2CH2NMeH)Me在1小時(shí)的時(shí)間里加入到處于氮?dú)鈿夥障聰嚢璧?升干THF中得到奶油色的粘稠懸浮液，其中該THF中含有13.1g(0.327mol)的氫化鉀。在30分鐘的時(shí)間里向其中加入45ml(0.327mol)的氯二甲基乙烯基硅烷，然后繼續(xù)攪拌混合物2小時(shí)。然后在真空下汽提去除THF，加入1升干己烷，攪拌10分鐘。然后過(guò)濾該懸浮液，用50ml另外的己烷清洗該固體3次。將所有己烷清洗物合并起來(lái)，然后汽提得到62.3g或者80％產(chǎn)率的金棕色油，然后在120℃和20mTorr下真空蒸餾該油。產(chǎn)物的NMR結(jié)果是1H NMR(500MHz，C6D6)δ＝0.18(s，6H)，δ＝1.44(s，3H)，δ＝2.04(s，3H)，δ＝2.24(s，3H)，δ＝2.57(t，2H)，δ＝2.71(q，2H)，δ＝4.9(s，1H)，δ＝5.7(dd，1H)，δ＝5.94(dd，1H)，δ＝6.2(dd，1H)，δ＝11.1(bs，1H).
實(shí)施例7合成Cu(MeC(O)CHC(NCH2CH2NMeSiMe2(C2H3))Me)將6.1g(0.025mol)的MeC(O)CH2C(NCH2CH2NMeSiMe2(C2H3))Me在30分鐘的時(shí)間里在氮?dú)鈿夥障录尤氲教幱跀嚢锠顟B(tài)的175ml的干THF中，并攪拌2小時(shí)，其中所述THF中含有1.02g(0.025mol)氫化鉀。然后過(guò)濾該略微混濁的溶液并在3小時(shí)的時(shí)間里逐滴加入到處于氮?dú)鈿夥障虏⒉粩鄶嚢璧?0ml干THF中，所述THF處于0℃并含有2.5g(0.025mol)的銅(I)氯化物中。然后加熱混合物到室溫過(guò)夜。然后在真空下汽提該THF，然后在氮?dú)鈿夥障录尤?00ml的干己烷，混合物攪拌5分鐘然后過(guò)濾。汽提除去己烷后得到6.3g淺碧綠色晶體粗產(chǎn)物，或者83％的產(chǎn)率，然后在75℃和20mTorr下升華純化。產(chǎn)物熔點(diǎn)是86℃。升華后的晶體進(jìn)行了X射線分析，結(jié)果如圖2所示。產(chǎn)物的NMR結(jié)果如下1H NMR(500MHz，C6D6)δ＝0.05(bs，6H)，δ＝1.65(s，3H)，δ＝2.16(s，3H)，δ＝2.27(s，3H)，δ＝2.47(bs，1H)，δ＝2.76(bs，1H)，δ＝3.11(bs，1H)，δ＝3.21(bs，1H)，δ＝3.78(dd，1H)，δ＝4.0(dd，1H)，δ＝4.21(dd，1H)，δ＝5.01(s，1H)；和13CNMR(500 MHz，C6D6)δ＝-0.05(bs，1C)，δ＝-2.5(bs，1C)，δ＝23.4(s，1C)，δ＝27.9(s，1C)，δ＝34.9(s，1C)，δ＝51.6(s，1C)，δ＝53.0(s，1C)，δ＝81.2(s，1C)，δ＝84.1(s，1C)，δ＝170.1(s，1C)，δ＝180.8(s，1C).
實(shí)施例8Cu(MeC(O)CHC(NCH2CH2NMeSiMe2(C2H3))Me)的可替換合成方式將1.625g(0.0104mol)的MeC(O)CH2C(NCH2CH2NMeH)Me在30分鐘的時(shí)間里在氮?dú)鈿夥障录尤氲皆?00ml的干THF里攪拌的0.417g(0.0104mol)氫化鉀中，得到白色粘稠膏。在5分鐘的時(shí)間里向其中加入4.2ml的2.5M正丁基鋰(0.0104mol)，得到清澈的黃色/桔黃色溶液。在溶液中加入1.4ml的氯二甲基乙烯基硅烷(0.01mol)?；旌衔锎藭r(shí)變成混濁狀，再攪拌20分鐘。然后將所得漿料在30分鐘的時(shí)間逐滴加到氮?dú)鈿夥障碌?ml干THF中，其中該THF處于0℃并攪拌有1.04g(0.0104mol)銅(I)氯化物，然后加熱到室溫并攪拌過(guò)夜。在真空下汽提除去THF，在氮?dú)鈿夥障录尤?00ml干己烷。過(guò)濾混合物，然后汽提己烷，得到粗產(chǎn)物，或者Cu(MeC(O)CHC(NCH2CH2NMeSiMe2(C2H3))Me)，該產(chǎn)物從GCMS得到了鑒定。
權(quán)利要求
1.通式(I)表示的金屬配合物， 其中M是選自Cu、Au、Ag、Co、Ru、Rh、Pt、In、Pd、Ni和Os的金屬；其中X選自氧和NR5；其中，R1、R2、R3和R5每個(gè)獨(dú)立選自氫原子；鹵素原子；通式為NO2的硝基；通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺；其中R4選自通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺，而且其中R4通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與L連接；其中L是選自下列的配體含有2-20個(gè)碳原子的烷基腈；通式為(R8)3SiCN的甲硅烷基腈，其中R8每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；含有1-20個(gè)碳原子的炔；通式為(R9)3SiCCR10的甲硅烷基炔，其中R9每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基，R10是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基、酰胺或烷基；通式為(R11)3SiCCSi(R11)3的甲硅烷基炔，其中R11每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；含有1-20個(gè)碳原子的烯烴、二烯或三烯；通式為(R12)3SiCR13C(R13)2的甲硅烷基烯烴，其中R12每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基、芳基、乙烯基或者酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷基，或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；通式為(R14)3SiCR13CR13Si(R14)3的雙(甲硅烷基)烯烴，其中R14每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者含有1-20個(gè)碳原子的烷基；含有3-20個(gè)碳原子的丙二烯；通式為(R15)2CCC(R15)2的丙二烯，其中R15每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者通式為(R16)3Si的烷基硅烷，其中R16每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；通式為R17NC的烷基胩，其中R17是含有1-20個(gè)碳原子的烷基；通式為(R18)3SiNC的甲硅烷基胩，其中R18每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基，和含有6-12個(gè)碳原子的芳基，而且其中L通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與R4相連；和其中位于M和L之間的有機(jī)金屬鍵選自兩個(gè)單鍵或一個(gè)單鍵。
2.權(quán)利要求1的配合物，其中M是Cu。
3.權(quán)利要求1的配合物，其中X是O。
4.權(quán)利要求3的配合物，其中取代基R1、R2和/或R3中至少之一和R4連接，前提是R1、R2和/或R3不是氫、鹵素原子或者通式為NO2的硝基。
5.權(quán)利要求1的配合物，其中取代基R1、R2和/或R3中至少之一和R4連接形成環(huán)形結(jié)構(gòu)。
6.權(quán)利要求1的配合物，其中X是NR5。
7.權(quán)利要求6的配合物，其中R5和配體L締合，并且去除了氫、原子或基團(tuán)。
8.權(quán)利要求7的配合物，其中所述配合物具有另一個(gè)和R5締合的配體L。
9.權(quán)利要求6的配合物，其中取代基R1、R2、R3和/或R5中至少之一和R5連接，前提是R1、R2、R3和/或R5不是氫、鹵素原子或者通式為NO2的硝基。
10.權(quán)利要求1的配合物，其中取代基R1、R2和/或R3中至少之一和R5連接形成環(huán)形結(jié)構(gòu)。
11.一種在基體上沉積包含金屬的膜的方法，所述方法包括將基體和具有通式(I)的金屬配合物接觸，其中所述接觸在足以使配合物反應(yīng)并形成膜的條件下進(jìn)行， 其中M是選自Cu、Au、Ag、Co、Ru、Rh、Pt、In、Pd、Ni和Os的金屬；其中X選自氧和NR5；其中，R1、R2、R3和R5每個(gè)獨(dú)立選自氫原子；鹵素原子；通式為NO2的硝基；通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺；其中R4選自通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺而且其中R4通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與L連接；其中L是選自下列的配體含有2-20個(gè)碳原子的烷基腈；通式為(R8)3SiCN的甲硅烷基腈，其中R8每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；含有1-20個(gè)碳原子的炔；通式為(R9)3SiCCR10的甲硅烷基炔，其中R9每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基，R10是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基、酰胺或烷基；通式為(R11)3SiCCSi(R11)3的甲硅烷基炔，其中R11每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；含有1-20個(gè)碳原子的烯烴、二烯或三烯；通式為(R12)3SiCR13C(R13)2的甲硅烷基烯烴，其中R12每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基、芳基、乙烯基或者酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷基，或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；通式為(R14)3SiCR13CR13Si(R14)3的雙(甲硅烷基)烯烴，其中R14每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者含有1-20個(gè)碳原子的烷基；含有3-20個(gè)碳原子的丙二烯；通式為(R15)2CCC(R15)2的丙二烯，其中R15每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者通式為(R16)3Si的烷基硅烷，其中R16每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；通式為R17NC的烷基胩，其中R17是含有1-20個(gè)碳原子的烷基；通式為(R18)3SiNC的甲硅烷基胩，其中R18每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基，和含有6-12個(gè)碳原子的芳基，而且其中L通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與R4相連；和其中位于M和L之間的有機(jī)金屬鍵選自兩個(gè)單鍵或一個(gè)單鍵。
12.一種包含含有銅的膜的電子器件，其中所述膜由含有通式(I)的金屬配合物的前體混合物沉積 其中M是選自Cu、Au、Ag、Co、Ru、Rh、Pt、In、Pd、Ni和Os的金屬；其中X選自氧和NR5；其中，R1、R2、R3和R5每個(gè)獨(dú)立選自氫原子；鹵素原子；通式為NO2的硝基；通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺；其中R4選自通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺，而且其中R4通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與L連接；其中L是選自下列的配體含有2-20個(gè)碳原子的烷基腈；通式為(R8)3SiCN的甲硅烷基腈，其中R8每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；含有1-20個(gè)碳原子的炔；通式為(R9)3SiCCR10的甲硅烷基炔，其中R9每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基，R10是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基、酰胺或烷基；通式為(R11)3SiCCSi(R11)3的甲硅烷基炔，其中R11每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；含有1-20個(gè)碳原子的烯烴、二烯或三烯；通式為(R12)3SiCR13C(R13)2的甲硅烷基烯烴，其中R12每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基、芳基、乙烯基或者酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷基，或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；通式為(R14)3SiCR13CR13Si(R14)3的雙(甲硅烷基)烯烴，其中R14每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者含有1-20個(gè)碳原子的烷基；含有3-20個(gè)碳原子的丙二烯；通式為(R15)2CCC(R15)2的丙二烯，其中R15每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者通式為(R16)3Si的烷基硅烷，其中R16每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；通式為R17NC的烷基胩，其中R17是含有1-20個(gè)碳原子的烷基；通式為(R18)3SiNC的甲硅烷基胩，其中R18每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基，和含有6-12個(gè)碳原子的芳基，而且其中L通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與R4相連；和其中位于M和L之間的有機(jī)金屬鍵選自兩個(gè)單鍵或一個(gè)單鍵。
13.一種制備具有通式(I)的金屬配合物的方法 其中M是選自Cu、Au、Ag、Co、Ru、Rh、Pt、In、Pd、Ni和Os的金屬；其中X是氧；其中，R1、R2和R3每個(gè)獨(dú)立選自氫原子；鹵素原子；通式為NO2的硝基；通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺；其中R4選自通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺，而且其中R4通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與L連接；其中L是選自下列的配體含有2-20個(gè)碳原子的烷基腈；通式為(R8)3SiCN的甲硅烷基腈，其中R8每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；含有1-20個(gè)碳原子的炔；通式為(R9)3SiCCR10的甲硅烷基炔，其中R9每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基，R10是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基、酰胺或烷基；通式為(R11)3SiCCSi(R11)3的甲硅烷基炔，其中R11每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；含有1-20個(gè)碳原子的烯烴、二烯或三烯；通式為(R12)3SiCR13C(R13)2的甲硅烷基烯烴，其中R12每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基、芳基、乙烯基或者酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷基，或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；通式為(R14)3SiCR13CR13Si(R14)3的雙(甲硅烷基)烯烴，其中R14每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者含有1-20個(gè)碳原子的烷基；含有3-20個(gè)碳原子的丙二烯；通式為(R15)2CCC(R15)2的丙二烯，其中R15每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者通式為(R16)3Si的烷基硅烷，其中R16每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；通式為R17NC的烷基胩，其中R17是含有1-20個(gè)碳原子的烷基；通式為(R18)3SiNC的甲硅烷基胩，其中R18每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基，和含有6-12個(gè)碳原子的芳基，而且其中L通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與R4相連；和其中位于M和L之間的有機(jī)金屬鍵選自兩個(gè)單鍵或一個(gè)單鍵，所述方法包括提供具有通式H2NR4L的伯胺；使具有通式R1C(O)CHR2C(O)R3的β-二酮化合物與所述伯胺縮聚，得到通式為R1C(O)CHR2CNR4LR3的β-酮亞胺中間產(chǎn)物；和在存在金屬源的條件下用堿使所述β-酮亞胺中間產(chǎn)物脫質(zhì)子化，形成金屬配合物。
14.制備具有通式(I)的金屬配合物的方法， 其中M是選自Cu、Au、Ag、Co、Ru、Rh、Pt、In、Pd、Ni和Os的金屬；其中X是NR5；其中，R1、R2、R3和R5每個(gè)獨(dú)立選自氫原子；鹵素原子；通式為NO2的硝基；通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺；其中R4選自通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺，而且其中R4通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與L連接；其中L是選自下列的配體含有2-20個(gè)碳原子的烷基腈；通式為(R8)3SiCN的甲硅烷基腈，其中R8每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；含有1-20個(gè)碳原子的炔；通式為(R9)3SiCCR10的甲硅烷基炔，其中R9每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基，R10是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基、酰胺或烷基；通式為(R11)3SiCCSi(R11)3的甲硅烷基炔，其中R11每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；含有1-20個(gè)碳原子的烯烴、二烯或三烯；通式為(R12)3SiCR13C(R13)2的甲硅烷基烯烴，其中R12每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基、芳基、乙烯基或者酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷基，或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；通式為(R14)3SiCR13CR13Si(R14)3的雙(甲硅烷基)烯烴，其中R14每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者含有1-20個(gè)碳原子的烷基；含有3-20個(gè)碳原子的丙二烯；通式為(R15)2CCC(R15)2的丙二烯，其中R15每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者通式為(R16)3Si的烷基硅烷，其中R16每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；通式為R17NC的烷基胩，其中R17是含有1-20個(gè)碳原子的烷基；通式為(R18)3SiNC的甲硅烷基胩，其中R18每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基，和含有6-12個(gè)碳原子的芳基，而且其中L通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與R4相連；和其中位于M和L之間的有機(jī)金屬鍵選自兩個(gè)單鍵或一個(gè)單鍵，所述方法包括提供具有通式H2NR4L的伯胺；使具有通式R1C(O)CHR2C(O)R3的β-二酮化合物與所述伯胺反應(yīng)，得到通式為R1C(O)CHR2CN(R4)(L)R3的β-酮亞胺中間產(chǎn)物；用烷基化劑處理所述β-酮亞胺中間產(chǎn)物，并與R5NH2反應(yīng)得到具有通式R1C(R5NH)CHR2C(NR4L)R3]+[V]-的鹽，其中V是烷基化劑的共軛堿；和在存在金屬源的條件下用堿多次使所述β-酮亞胺中間產(chǎn)物脫質(zhì)子化，形成金屬配合物。
15.制備具有通式(I)的金屬配合物的方法 其中M是選自Cu、Au、Ag、Co、Ru、Rh、Pt、In、Pd、Ni和Os的金屬；其中X是氧；其中，R1、R2和R3每個(gè)獨(dú)立選自氫原子；鹵素原子；通式為NO2的硝基；通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺；其中R4選自通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺，而且其中R4通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與L連接；其中L是選自下列的配體含有2-20個(gè)碳原子的烷基腈；通式為(R8)3SiCN的甲硅烷基腈，其中R8每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；含有1-20個(gè)碳原子的炔；通式為(R9)3SiCCR10的甲硅烷基炔，其中R9每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基，R10是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基、酰胺或烷基；通式為(R11)3SiCCSi(R11)3的甲硅烷基炔，其中R11每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；含有1-20個(gè)碳原子的烯烴、二烯或三烯；通式為(R12)3SiCR13C(R13)2的甲硅烷基烯烴，其中R12每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基、芳基、乙烯基或者酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷基，或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；通式為(R14)3SiCR13CR13Si(R14)3的雙(甲硅烷基)烯烴，其中R14每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者含有1-20個(gè)碳原子的烷基；含有3-20個(gè)碳原子的丙二烯；通式為(R15)2CCC(R15)2的丙二烯，其中R15每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者通式為(R16)3Si的烷基硅烷，其中R16每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；通式為R17NC的烷基胩，其中R17是含有1-20個(gè)碳原子的烷基；通式為(R18)3SiNC的甲硅烷基胩，其中R18每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基，和含有6-12個(gè)碳原子的芳基，而且其中L通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與R4相連；和其中位于M和L之間的有機(jī)金屬鍵選自兩個(gè)單鍵或一個(gè)單鍵，所述方法包括提供具有通式H2NR4的伯胺；使具有通式R1C(O)CHR2C(O)R3的β-二酮化合物與所述伯胺縮聚，得到通式為R1C(O)CHR2CN(R4)R3的第一β-酮亞胺中間產(chǎn)物；附著配體(L)到所述第一β-酮亞胺中間產(chǎn)物上，得到具有通式R1C(O)CHR2CN(R4)LR3的第二中間產(chǎn)物；和在存在金屬源的條件下用堿使所述第二β-酮亞胺中間產(chǎn)物脫質(zhì)子化，形成金屬配合物。
16.Cu(MeC(O)CHC(NCH2CH2OSiMe2(C2H3))Me)。
17.Cu(MeC(O)CHC(NCH2CH2NSiMe2(C2H3))Me)。
18.由下列通式代表的金屬配合物 其中X選自氧和NR5；其中，R1、R2、R3和R5每個(gè)獨(dú)立選自氫原子；鹵素原子；通式為NO2的硝基；通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺；其中R4選自通式為CnH2n+1的烷基，其中n是1-20的數(shù)字；通式為CnHxFy的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的數(shù)字；通式為(R6)3Si的烷基硅烷，其中R6每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12個(gè)碳原子的氟芳基；通式為(CH2)nO(CmH2m+1)的醚，其中n和m獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(CnHxFy)O(CmHwFz)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每個(gè)獨(dú)立地是1-20的數(shù)字；通式為(R7)3SiO的甲硅烷基醚，其中R7每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基；和含有1-20個(gè)碳原子的酰胺，而且其中R4通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與L連接；其中L是選自下列的配體含有2-20個(gè)碳原子的烷基腈；通式為(R8)3SiCN的甲硅烷基腈，其中R8每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；含有1-20個(gè)碳原子的炔；通式為(R9)3SiCCR10的甲硅烷基炔，其中R9每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基，R10是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷氧基、酰胺或烷基；通式為(R11)3SiCCSi(R11)3的甲硅烷基炔，其中R11每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；含有1-20個(gè)碳原子的烯烴、二烯或三烯；通式為(R12)3SiCR13C(R13)2的甲硅烷基烯烴，其中R12每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基、芳基、乙烯基或者酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫、含有1-20個(gè)碳原子的烷基，或者含有6-12個(gè)碳原子的芳基；通式為(R14)3SiCR13CR13Si(R14)3的雙(甲硅烷基)烯烴，其中R14每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或酰胺，R13每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者含有1-20個(gè)碳原子的烷基；含有3-20個(gè)碳原子的丙二烯；通式為(R15)2CCC(R15)2的丙二烯，其中R15每個(gè)獨(dú)立地是氫原子或者通式為(R16)3Si的烷基硅烷，其中R16每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；通式為R17NC的烷基胩，其中R17是含有1-20個(gè)碳原子的烷基；通式為(R18)3SiNC的甲硅烷基胩，其中R18每個(gè)獨(dú)立地是含有1-20個(gè)碳原子的烷基，和含有6-12個(gè)碳原子的芳基，而且其中L通過(guò)去除氫、原子或基團(tuán)而與R4相連；和其中位于M和L之間的有機(jī)金屬鍵選自兩個(gè)單鍵或一個(gè)單鍵。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種金屬酮亞胺鹽或二亞胺鹽配合物以及其制備和使用方法，其中所述配合物含有銅、銀、金、鈷、釕、銠、鉑、鈀、鎳、鋨或銦。在有些實(shí)施方案中，所述金屬配合物可用作前體來(lái)通過(guò)例如原子層沉積或化學(xué)氣相沉積條件在基體上沉積金屬和含金屬的膜。
文檔編號(hào)C23C16/18GK1990491SQ20051013579
公開(kāi)日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2005年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月30日
發(fā)明者J·A·T·諾曼 申請(qǐng)人:氣體產(chǎn)品與化學(xué)公司