專利名稱：：校正生長腔溫度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及溫度校正，尤其涉及一種校正生長腔溫度的方法。
背景技術(shù)：
：薄膜淀積工藝中，尤其是低溫化學氣相淀積中，嚴格控制生長腔的溫度對生長高質(zhì)量的薄膜至關(guān)重要，生長腔內(nèi)的溫度不僅影響淀積速度和薄膜厚度還影響薄膜的均勻性。現(xiàn)有技術(shù)中校正生長腔溫度的方法有1、熱電偶校正，在生長腔內(nèi)設(shè)置熱電偶溫度計，測量腔體內(nèi)的溫度，由于熱電偶溫度計靈敏度不高，因此這種方法校正精度差；2、根據(jù)薄膜淀積速率的變化來校正溫度，由于影響淀積速率變化的因素有溫度、氣體流量、壓力等參數(shù)，變量多，影響校正精度，而且操作起來比較困難。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種校正生長腔溫度的方法，操作簡單、成本低且校正精度高。為了達到上述的目的，本發(fā)明提供一種校正生長腔溫度的方法包括以下步驟步驟l，繪制多晶硅折射率-溫度曲線；步驟2，以步驟1繪制的多晶硅折射率-溫度曲線為依據(jù)，校正生長腔的溫度。上述校正生長腔溫度的方法，其中，所述步驟1具體包括以下步驟步驟1.l，選定一個起始溫度，在該溫度下，在生長腔內(nèi)淀積多晶硅，并用光學方法測量該溫度下淀積的多晶硅的折射率，記錄第一組溫度和對應(yīng)的折射率數(shù)據(jù)；步驟1.2，按一定規(guī)律調(diào)節(jié)溫度，在不同溫度下淀積多晶硅，同時用光學方法測量相應(yīng)溫度下多晶硅的折射率，記錄多組溫度和對應(yīng)的折射率數(shù)據(jù)；步驟1.3，根據(jù)記錄的多組折射率和溫度數(shù)值，繪制多晶硅折射率-溫度相關(guān)性曲線。上述校正生長腔溫度的方法，其中，所述步驟1.1中采用標準熱敏溫度計測量生長腔溫度。上述校正生長腔溫度的方法，其中，所述步驟1.1和步驟1.2中，淀積的多晶硅層的厚度為100500埃。上述校正生長腔溫度的方法，其中，所述步驟1.2中按等差遞增規(guī)律來調(diào)節(jié)溫度或按等差遞減規(guī)律來調(diào)節(jié)溫度。上述校正生長腔溫度的方法，其中，所述步驟1.2中記錄的溫度和對應(yīng)的折射率數(shù)據(jù)的組數(shù)為io組以上。上述校正生長腔溫度的方法，其中，步驟1.1和步驟1.2中，起始溫度的選擇以及溫度調(diào)節(jié)的范圍在400°C800°C。上述校正生長腔溫度的方法，其中，所述步驟2具體包括以下步驟步驟2.l，在潔3凈的樣片硅片上淀積一層多晶硅，用光學方法測量該多晶硅層的折射率；步驟2.2，對照步驟l繪制的多晶硅折射率-溫度曲線，找出該多晶硅層的折射率對應(yīng)的淀積溫度，該淀積溫度就是此時生長腔的實際溫度；步驟2.3，判斷生長腔的實際溫度是否為所需要的標準溫度，如果是，執(zhí)行步驟2.5，如果不是，則執(zhí)行步驟2.4;步驟2.4，調(diào)節(jié)生長腔的溫度，重復(fù)以上步驟，直至生長腔的實際溫度與所需要的標準溫度一致；步驟2.5，取出樣片硅片。上述校正生長腔溫度的方法，其中，所述步驟2.1中淀積的多晶硅層的厚度為100500埃。本發(fā)明校正生長腔溫度的方法利用多晶硅的折射率與淀積溫度之間的相關(guān)性先繪制多晶硅的折射率-溫度曲線，再利用多晶硅的折射率-溫度曲線校正生長腔溫度，校正精度高，操作簡單，重復(fù)性好；校正生長腔溫度時使用的樣片硅片可重復(fù)使用，有利于成本的降低。本發(fā)明的校正生長腔溫度的方法由以下的實施例及附圖給出。圖1是本發(fā)明校正生長腔溫度的方法的流程圖。圖2是本發(fā)明中步驟1的流程圖。圖3是本發(fā)明中步驟2的流程圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明一實施例繪制的多晶硅折射率-溫度曲線圖。具體實施例方式以下將結(jié)合圖1圖4對本發(fā)明的校正生長腔溫度的方法作進一步的詳細描述。折射率是反映薄膜性質(zhì)的物理量。通過實驗得到，不同溫度下淀積的多晶硅會有不同的折射率，多晶硅的折射率和淀積溫度有很強的相關(guān)性，所以可以通過監(jiān)控多晶硅的折射率來校正和控制薄膜淀積的溫度。參見圖1圖4，本發(fā)明校正生長腔溫度的方法包括以下步驟步驟l，繪制多晶硅折射率-溫度曲線；步驟1.l，選定一個起始溫度，在該溫度下，在生長腔內(nèi)淀積多晶硅，并用光學方法測量該溫度下淀積的多晶硅的折射率，記錄第一組溫度和對應(yīng)的折射率數(shù)據(jù)；該步驟中，采用標準熱敏溫度計測量生長腔溫度；該步驟中，淀積的多晶硅層的厚度在100500埃即可；例如，選定起始溫度為604°C，測得該溫度下多晶硅的折射率為3.663;步驟1.2，按一定規(guī)律調(diào)節(jié)溫度，在不同溫度下淀積多晶硅，同時用光學方法測量相應(yīng)溫度下多晶硅的折射率，記錄多組溫度和對應(yīng)的折射率數(shù)據(jù)；該步驟中，可以按等差遞增規(guī)律來調(diào)節(jié)溫度或按等差遞減規(guī)律來調(diào)節(jié)溫度，為了減少誤差，每次升高或降低的溫度不宜太大，rc5°C為宜；該步驟中，淀積的多晶硅層的厚度在100500埃即可；記錄的溫度和對應(yīng)折射率數(shù)據(jù)的組數(shù)為10組以上較宜；例如，按每次升高2t:的規(guī)律來調(diào)節(jié)溫度，并記錄下相應(yīng)溫度下多晶硅的折射率，得到多組折射率和溫度數(shù)值，如圖表1所示<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>圖表1步驟1.1和步驟1.2中，起始溫度的選擇以及溫度調(diào)節(jié)的范圍應(yīng)該在40(TC800。C之內(nèi);步驟1.3，根據(jù)記錄的多組折射率和溫度數(shù)值，繪制多晶硅折射率-溫度相關(guān)性曲線(即標準相關(guān)性曲線)；例如，以圖表1記錄的10組折射率和溫度數(shù)值，繪制多晶硅折射率-溫度相關(guān)性曲線，如圖4所示，從圖4可以看出，多晶硅的折射率隨著淀積溫度的升高而減小，淀積溫度每升高rC，多晶硅的折射率就減小約0.016個單位；步驟2，以步驟1繪制的多晶硅折射率_溫度曲線為依據(jù)，校正生長腔的溫度；步驟2.l，在潔凈的樣片硅片上淀積一層多晶硅，用光學方法測量該多晶硅層的折射率；該步驟中，淀積的多晶硅層的厚度在100500埃即可；步驟2.2，對照步驟1繪制的多晶硅折射率-溫度曲線，找出該多晶硅層的折射率對應(yīng)的淀積溫度，該淀積溫度就是此時生長腔的實際溫度；步驟2.3，判斷生長腔的實際溫度是否為所需要的標準溫度，如果是，執(zhí)行步驟2.5，如果不是，則執(zhí)行步驟2.4;在該步驟中，若步驟2.2測得的多晶硅層的折射率小于所需要的標準溫度下的折射率，則說明生長腔的實際溫度高于所需要的標準溫度，反之，則說明生長腔的實際溫度低于所需要的標準溫度；步驟2.4，調(diào)節(jié)生長腔的溫度，重復(fù)以上步驟，直至生長腔的實際溫度與所需要的標準溫度一致；步驟2.5，取出樣片硅片。校正好生長腔的溫度后就可進行薄膜淀積了。本發(fā)明校正生長腔溫度的方法中，校正生長腔溫度時用的樣片硅片可去除多晶硅后重復(fù)利用，節(jié)約成本。由于多晶硅層的折射率隨淀積溫度變化而變化，靈敏度很高，因此，使用本發(fā)明校正生長腔溫度的方法校正精度高。由于多晶硅層的折射率與淀積溫度的關(guān)系確定，受其他因素影響較小，因此，使用本發(fā)明校正生長腔溫度的方法重復(fù)性好。權(quán)利要求一種校正生長腔溫度的方法，其特征在于，其包括以下步驟步驟1，繪制多晶硅折射率-溫度曲線；步驟2，以步驟1繪制的多晶硅折射率-溫度曲線為依據(jù)，校正生長腔的溫度。2.如權(quán)利要求1所述的校正生長腔溫度的方法，其特征在于，所述步驟1具體包括以下步驟步驟1.l，選定一個起始溫度，在該溫度下，在生長腔內(nèi)淀積多晶硅，并用光學方法測量該溫度下淀積的多晶硅的折射率，記錄第一組溫度和對應(yīng)的折射率數(shù)據(jù)；步驟1.2，按一定規(guī)律調(diào)節(jié)溫度，在不同溫度下淀積多晶硅，同時用光學方法測量相應(yīng)溫度下多晶硅的折射率，記錄多組溫度和對應(yīng)的折射率數(shù)據(jù)；步驟1.3，根據(jù)記錄的多組折射率和溫度數(shù)值，繪制多晶硅折射率-溫度相關(guān)性曲線。3.如權(quán)利要求2所述的校正生長腔溫度的方法，其特征在于，所述步驟1.l中采用標準熱敏溫度計測量生長腔溫度。4.如權(quán)利要求2所述的校正生長腔溫度的方法，其特征在于，所述步驟1.1和步驟1.2中，淀積的多晶硅層的厚度為100500埃。5.如權(quán)利要求2所述的校正生長腔溫度的方法，其特征在于，所述步驟1.2中按等差遞增規(guī)律來調(diào)節(jié)溫度或按等差遞減規(guī)律來調(diào)節(jié)溫度。6.如權(quán)利要求2所述的校正生長腔溫度的方法，其特征在于，所述步驟1.2中記錄的溫度和對應(yīng)的折射率數(shù)據(jù)的組數(shù)為10組以上。7.如權(quán)利要求2所述的校正生長腔溫度的方法，其特征在于，步驟1.1和步驟1.2中，起始溫度的選擇以及溫度調(diào)節(jié)的范圍在400°C800°C。8.如權(quán)利要求1所述的校正生長腔溫度的方法，其特征在于，所述步驟2具體包括以下步驟步驟2.l，在潔凈的樣片硅片上淀積一層多晶硅，用光學方法測量該多晶硅層的折射率；步驟2.2，對照步驟l繪制的多晶硅折射率-溫度曲線，找出該多晶硅層的折射率對應(yīng)的淀積溫度，該淀積溫度就是此時生長腔的實際溫度；步驟2.3，判斷生長腔的實際溫度是否為所需要的標準溫度，如果是，執(zhí)行步驟2.5，如果不是，則執(zhí)行步驟2.4;步驟2.4，調(diào)節(jié)生長腔的溫度，重復(fù)以上步驟，直至生長腔的實際溫度與所需要的標準溫度一致；步驟2.5，取出樣片硅片。9.如權(quán)利要求8所述的校正生長腔溫度的方法，其特征在于，所述步驟2.l中淀積的多晶硅層的厚度為100500埃。全文摘要本發(fā)明的校正生長腔溫度的方法包括以下步驟步驟1，繪制多晶硅折射率-溫度曲線；步驟2，以步驟1繪制的多晶硅折射率-溫度曲線為依據(jù)，校正生長腔的溫度。該方法操作簡單、成本低且校正精度高。文檔編號C23C16/52GK101696495SQ20091019781公開日2010年4月21日申請日期2009年10月28日優(yōu)先權(quán)日2009年10月28日發(fā)明者楊建濱申請人:上海電機學院;