專利名稱：二元布?xì)夤艿闹谱鞣椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種二元布?xì)夤?，尤其涉及一種控制磁控濺射鍍進(jìn)氣的二元布?xì)夤艿难b置。
背景技術(shù)：
鍍膜玻璃如今己廣泛應(yīng)用于觸摸屏領(lǐng)域和液晶顯示領(lǐng)域，而玻璃鍍膜技術(shù)也日新月異。磁控濺射鍍膜技術(shù)目前廣泛應(yīng)用于玻璃鍍膜，特別是在大面積玻璃鍍膜工業(yè)上，是主要鍍膜方式。但是，磁控反應(yīng)濺射鍍膜技術(shù)中，控制反應(yīng)氣體的流量是一個(gè)重要環(huán)節(jié)。常用單一進(jìn)氣管的方式，由于實(shí)行單管進(jìn)氣在流導(dǎo)上存在著差異，從氣體噴嘴處噴出的氣體流量會(huì)從中心向兩端逐漸減少，導(dǎo)致鍍膜不均勻。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有磁控濺射鍍膜技術(shù)中，采用單一進(jìn)氣管不能實(shí)現(xiàn)各部分均勻進(jìn)氣導(dǎo)致鍍膜不均勻的技術(shù)問(wèn)題。
本實(shí)用新型提供的解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案是:構(gòu)建一種二元布?xì)夤?，包括磁控濺射陰極的進(jìn)氣管、控制進(jìn)氣管流量的閥門，所述磁控濺射陰極的進(jìn)氣管的末端部分和中間部分各自采用獨(dú)立的進(jìn)氣管分別供氣。
本實(shí)用新型解決技術(shù)問(wèn)題的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述控制進(jìn)氣管流量的閥門為壓電閥門。
本實(shí)用新型解決技術(shù)問(wèn)題的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述磁控濺射陰極的 進(jìn)氣管的中間部分的進(jìn)氣管分布為多層，各層分別進(jìn)氣。
本實(shí)用新型解決技術(shù)問(wèn)題的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述磁控濺射陰極的 進(jìn)氣管的中間部分的多層氣管采取二進(jìn)制布局，即第一層分隔成2i個(gè)獨(dú)立 空間，由2i個(gè)進(jìn)氣管分別供氣，第二層分隔成22個(gè)獨(dú)立空間，由22個(gè)進(jìn)氣 管分別供氣，依次類推，至符合氣體控制系統(tǒng)需要為止。
本實(shí)用新型技術(shù)方案的技術(shù)效果是通過(guò)構(gòu)建一種二進(jìn)制布?xì)夤埽?磁控濺射陰極末端部分和中間部分都能更加均勻地進(jìn)氣，從而使鍍膜更加 均勻。


圖1為本實(shí)用新型氣管分布結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明 如圖1所示，本實(shí)用新型構(gòu)建一種二元布?xì)夤?，包括磁控濺射陰極的 進(jìn)氣管8、控制進(jìn)氣管流量的閥門1，所述磁控濺射陰極的進(jìn)氣管8的末端 部分6和中間部分5各自采用獨(dú)立的進(jìn)氣管8分別供氣。由于實(shí)行單管進(jìn) 氣在流導(dǎo)上存在著差異，從氣體噴嘴處噴出的氣體流量會(huì)從中心向兩 端逐漸減少，導(dǎo)致鍍膜不均勻。本技術(shù)方案采用二元布?xì)夤?，磁控濺射陰極的末端部分6有兩個(gè)，分別由兩個(gè)進(jìn)氣管8供氣，末端部分只有一個(gè)隔離空間，每個(gè)末端部分采用一個(gè)進(jìn)氣管8供氣，而磁控濺射陰極的中間部分也采用單獨(dú)的進(jìn)氣管8供氣，這樣就克服了單管供氣過(guò)程中，從氣體噴嘴處噴出的氣體流量會(huì)從中心向兩端逐漸減少的技術(shù)問(wèn)題，從而使鍍膜更加均勻。本實(shí)用新型控制進(jìn)氣管的閥門裝置1優(yōu)先采取壓電閥門。
如圖1所示，本實(shí)用新型還根據(jù)需要對(duì)進(jìn)氣管8的布局進(jìn)行進(jìn)一步改進(jìn)，磁控濺射陰極的中間部分設(shè)置成多層隔離空間，每層均采用獨(dú)立的進(jìn)氣管8供氣，每層以不銹鋼板隔離開(kāi)，防止串氣。所述磁控濺射陰極的進(jìn)氣管的中間部分5的最外層為排氣孔4，均勻分布。所述磁控濺射陰極的進(jìn)氣管的中間部分5的多層進(jìn)氣管8還可以采取二進(jìn)制布局，即第一層分隔成2i個(gè)獨(dú)立空間，由2'個(gè)進(jìn)氣管8分別供氣，第二層分隔成22個(gè)獨(dú)立空間，由22個(gè)進(jìn)氣管分別供氣，依次類推，至符合氣體控制系統(tǒng)需要為止。所述每個(gè)隔離空間以不銹鋼板隔離開(kāi)，防止串氣。
以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1. 一種二元布?xì)夤埽ù趴貫R射陰極的進(jìn)氣管、控制進(jìn)氣管流量的閥門，其特征在于所述磁控濺射陰極的進(jìn)氣管的末端部分和中間部分各自采用獨(dú)立的進(jìn)氣管分別供氣。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的二元布?xì)夤?，其特征在于，所述控制進(jìn)氣管流量 的閥門為壓電閥門。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的二元布?xì)夤?，其特征在于，所述磁控濺射陰極的 進(jìn)氣管的中間部分的進(jìn)氣管分布為多層，各層分別進(jìn)氣。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的二元布?xì)夤埽涮卣髟谟?，所述磁控濺射陰極的 進(jìn)氣管的中間部分的多層氣管采取二元布局，即第一層分隔成2'個(gè)獨(dú)立空 間，由2'個(gè)進(jìn)氣管分別供氣，第二層分隔成22個(gè)獨(dú)立空間，由22個(gè)進(jìn)氣管 分別供氣，依次類推，至符合氣體控制系統(tǒng)需要為止。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種二元布?xì)夤?，包括磁控濺射陰極的進(jìn)氣管、控制進(jìn)氣管流量的閥門，所述磁控濺射陰極的進(jìn)氣管的末端部分和中間部分各自采用獨(dú)立的進(jìn)氣管分別供氣。通過(guò)構(gòu)建一種二元布?xì)夤埽勾趴貫R射陰極末端部分和中間部分都能更加均勻地進(jìn)氣，從而使反應(yīng)濺射鍍膜更加均勻。
文檔編號(hào)C23C14/35GK201313933SQ20092013519
公開(kāi)日2009年9月23日 申請(qǐng)日期2009年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月11日
發(fā)明者徐日宏 申請(qǐng)人:深圳市三鑫精美特玻璃有限公司