專利名稱：一種適用于被動元件之雙面覆膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種適用于被動元件之雙面覆膜方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的被動元件雙面電極層成膜是于被動元件本體的表面上網(wǎng)版印刷銀漿，之后進行150到200攝氏度的預(yù)烤，另一面電極層亦使用相同制程，再以高溫爐加熱約800至900攝氏度的高溫?zé)Y(jié)此被動元件以確保銀漿附著。然而，使用網(wǎng)版雙面印刷制程耗時接近一小時，相對于使用雙面沉積方法而言不僅耗時費工，且成本極高，對于高溫制程所造成的環(huán)保問題也是一大詬病。即現(xiàn)有的網(wǎng)版雙面印刷制程需高溫加熱達數(shù)十分鐘，不但耗費能源且造成環(huán)境溫度升高。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于背景技術(shù)提及的各項問題，本發(fā)明提出一種適用于被動元件之雙面覆膜方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題。本發(fā)明提出一種適用于被動元件之雙面覆膜方法，包括下列步驟:(a)提供一適用于被動元件之雙面覆膜設(shè)備，該適用于被動元件之雙面覆膜設(shè)備包括:第一低壓腔體；至少一個空間的制程腔體，第一低壓腔體以及制程腔體之間具有閘門；
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第二低壓腔體，制程腔體以及第二低壓腔體之間具有閘門；以及，輸送系統(tǒng)，輸送系統(tǒng)位于第一低壓腔體、制程腔體、以及第二低壓腔體的內(nèi)部，輸送系統(tǒng)可輸送一待鍍物，使得待鍍物依序通過第一低壓腔體、制程腔體以及第二低壓腔體，當(dāng)制程腔體包括若干個空間時，制程腔體的各個空間分別為第一沉積空間以及第二沉積空間，第一沉積空間以及第二沉積空間彼此連通，待鍍物被傳輸而進入制程腔體后，待鍍物依序通過第一沉積空間以及第二沉積空間，爾后再進入第二低壓腔體，第一沉積空間具有單個或多個靶材，當(dāng)?shù)谝怀练e空間具有的靶材為多個時，第一沉積空間的各靶材的材料選擇性地彼此相同或相異，第二沉積空間具有單個或多個靶材，當(dāng)?shù)诙练e空間具有的靶材為多個時，第二沉積空間的各靶材的材料選擇性地彼此相同或相異；(b)使得待鍍物位于輸送系統(tǒng)上； (C)使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至第一低壓腔體；(d)進行一抽高真空動作以及一加熱動作于第一低壓腔體；(e)打開第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門，以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一沉積空間，關(guān)閉第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門，再進行一沉積制程于待鍍物的單一表面或若干個第一表面；(f)使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二沉積空間，再進行另一沉積制程于待鍍物的另一單一表面或若干個第二表面，另一單一表面與單一表面彼此背對背對應(yīng)；
(g)打開制程腔體以及第二低壓腔體之間的閘門，以使輸送系統(tǒng)輸送已被覆膜的待鍍物至第二低壓腔體；以及，(h)關(guān)閉制程腔體以及第二低壓腔體之間的閘門。其中，該適用于被動元件的雙面覆膜設(shè)備還包括:載入腔體；等離子清潔腔體；以及，載出腔體，載入腔體以及等離子清潔腔體的間具有閘門，等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間具有閘門，第二低壓腔體以及載出腔體的間具有閘門，輸送系統(tǒng)位于載入腔體、等離子清潔腔體、第一低壓腔體、制程腔體、第二低壓腔體以及載出腔體的內(nèi)部，輸送系統(tǒng)可輸送待鍍物，使得待鍍物依序通過載入腔體、等離子清潔腔體、第一低壓腔體、制程腔體、第二低壓腔體以及載出腔體，第一沉積空間及第二沉積空間為輝光放電沉積腔體、蒸鍍腔體、離子鍍腔體、電弧鍍腔體或化學(xué)氣相沈積腔體，第一低壓腔體及第二低壓腔體之壓力系介于10_2托(torr)至10_6托(torr)之間，沉積制程為輝光放電沉積制程、蒸鍍制程、離子鍍制程、電弧鍍制程或化學(xué)氣相沈積制程。其中，步驟(b)還包括送入待鍍物于載入腔體內(nèi)，并使得待鍍物位于輸送系統(tǒng)上。其中，步驟(b)以及步驟 (C)之間還包括下列步驟:(i)進行一初步抽真空動作于載入腔體；(j)打開載入腔體以及等離子清潔腔體之間的閘門，以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至等離子清潔腔體；(k)關(guān)閉載入腔體以及等離子清潔腔體之間的閘門，再進行一等離子清潔動作于待鍍物；以及，(I)打開等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間的閘門。其中，步驟(d)還包括:關(guān)閉等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間的閘門，再進行抽高真空動作以及加熱動作于第一低壓腔體。其中，制程腔體的各空間分別為第一沉積空間、第二沉積空間、第一緩沖空間以及第二緩沖空間，第一緩沖空間、第一沉積空間、第二沉積空間以及第二緩沖空間彼此連通，待鍍物被傳輸而進入制程腔體后，待鍍物依序通過第一緩沖空間、第一沉積空間、第二沉積空間以及第二緩沖空間，爾后再進入第二低壓腔體。其中，步驟(e)還包括:使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一緩沖空間。其中，步驟(e)以及步驟(f)之間還包括步驟:(m)關(guān)閉第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門，并進行第一緩沖動作于待鍍物；以及，步驟(f)以及步驟(g)之間還包括步驟:(η)使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二緩沖空間，并進行第二緩沖動作于已被覆膜的待鍍物。其中，第一緩沖動作為令待鍍物于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度，第二緩沖動作為令已被覆膜的待鍍物于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度。其中，步驟(h)之后還包括下列步驟:(O)打開第二低壓腔體以及載出腔體之間的閘門，以使輸送系統(tǒng)輸送已被覆膜的待鍍物至載出腔體，再進行一通氣體回常壓動作于載出腔體；以及，(P)取出載出腔體中已被覆膜的待鍍物。依據(jù)本發(fā)明提供的適用于被動元件之雙面覆膜方法，待鍍物于制程腔體內(nèi)即可完成被動元件的雙面覆膜之制程。本發(fā)明適用于被動元件的雙面覆膜方法無需反復(fù)地進行破真空動作、抽真空動作或加熱動作，進一步精簡了被動元件的雙面覆膜之制程周期，進而降低了制程之復(fù)雜度以及成本。另外，本發(fā)明的待鍍物是于制程腔體內(nèi)完成被動元件的雙面覆膜的制程，亦即進行雙面覆膜的制程時，可維持制程腔體內(nèi)的低壓的一致性，待鍍物的雙面覆膜層不易產(chǎn)生彼此的膜特征相異的情形。此外，待鍍物可于第一緩沖空間或第二緩沖空間內(nèi)，被進行緩沖動作，可進一步增加進行被動元件的雙面覆膜之制程時的流暢度。


圖1為本發(fā)明實施例的被動元件之雙面覆膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明實施例的被動元件之雙面覆膜方法之部分步驟示意圖。圖3為本發(fā)明實施例的被動元件之雙面覆膜方法之部分步驟示意圖。圖4為本發(fā)明實施例的被動元件之雙面覆膜方法之部分步驟示意圖。圖中:1:載入腔體、2:等離子清潔腔體、3:第一低壓腔體、4:制程腔體、41:第一緩沖空間、42:第一沉積空間、43:第二沉積空間、44:第二緩沖空間、5:第二低壓腔體、6:載出腔體、7:輸送系統(tǒng)、001:步驟、100 101:步驟、200 201:步驟、300 301:步驟、400 404:步驟、500 501:步驟、600 601:步驟、A:待鍍物、B:革巴材。
具體實施例方式以下將參照相關(guān) 附圖，說明本發(fā)明實施例提供的被動元件之雙面覆膜方法，為使便于理解，下述實施例中相同元件是以相同的符號標(biāo)示來說明。首先，如附圖1所示，本實施例所采用的適用于被動元件之雙面覆膜設(shè)備包括載入腔體1、等離子清潔腔體2、第一低壓腔體3、制程腔體4、第二低壓腔體5、載出腔體6以及輸送系統(tǒng)7。載入腔體I以及等離子清潔腔體2之間具有閘門。等離子清潔腔體2以及第一低壓腔體3之間具有閘門。第一低壓腔體3以及制程腔體4之間具有閘門。制程腔體4以及第二低壓腔體5之間具有閘門。第二低壓腔體5以及載出腔體6之間具有閘門。輸送系統(tǒng)7位于載入腔體1、等離子清潔腔體2、第一低壓腔體3、制程腔體4、第二低壓腔體5以及載出腔體6的內(nèi)部。輸送系統(tǒng)7可輸送待鍍物A，使得待鍍物A依序通過載入腔體1、等離子清潔腔體2、第一低壓腔體3、制程腔體4、第二低壓腔體5以及載出腔體6。前述第一低壓腔體3及第二低壓腔體5之壓力系介于10_2托(torr)至10_6托(torr)之間。制程腔體4包括至少一個空間。當(dāng)制程腔體包括若干個空間時，各空間分別為第一緩沖空間41、第一沉積空間42、第二沉積空間43以及第二緩沖空間44。第一緩沖空間41、第一沉積空間42、第二沉積空間43以及第二緩沖空間44彼此連通。待鍍物A被傳輸而進入制程腔體4后，待鍍物A依序通過第一緩沖空間41、第一沉積空間42、第二沉積空間43以及第二緩沖空間44，爾后再進入第二低壓腔體5。第一沉積空間42具有單個或多個靶材B，當(dāng)?shù)谝怀练e空間42具有的靶材B為多個時，第一沉積空間42的各靶材B的材料選擇性地彼此相同或相異。同樣地，第二沉積空間43具有單個或多個靶材B，當(dāng)?shù)诙练e空間43具有的靶材B為多個時，第二沉積空間43的各靶材的材料選擇性地彼此相同或相異。前述第一沉積空間42及第二沉積空間43例如為輝光放電沉積腔體、蒸鍍腔體、離子鍍腔體、電弧鍍腔體或化學(xué)氣相沈積腔體。參見圖2、圖3和圖4,本實施例的適用于被動元件之雙面覆膜方法包括下列步驟:步驟001:提供如上的適用于被動元件之雙面覆膜設(shè)備。步驟100:送入待鍍物于載入腔體內(nèi)，并使得待鍍物位于輸送系統(tǒng)上。步驟101:進行初步抽真空動作于載入腔體。步驟200:打開載入腔體以及等離子清潔腔體之間的閘門，以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至等離子清潔腔體。步驟201:關(guān)閉載入腔體以及等離子清潔腔體之間的閘門，再進行等離子清潔動作于待鍍物的表面。步驟300:打開等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間的閘門，以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至第一低壓腔體。步驟301:關(guān)閉等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間的閘門，再進行抽高真空動作以及加熱動作于第一低壓腔體。步驟400:打 開第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門，以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一緩沖空間。步驟401:關(guān)閉第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門并進行緩沖動作于待鍍物。前述緩沖動作例如為令待鍍物于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度。步驟402:使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一沉積空間，再進行沉積制程于待鍍物的單一表面或多個表面。前述沉積制程例如為輝光放電沉積制程、蒸鍍制程、離子鍍制程、電弧鍍制程或化學(xué)氣相沈積制程。步驟403:使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二沉積空間，再進行沉積制程于待鍍物的另一單一表面或多個表面。該另一單一表面與步驟402中單一表面彼此背對背對應(yīng)。前述沉積制程例如為輝光放電沉積制程、蒸鍍制程、離子鍍制程、電弧鍍制程或化學(xué)氣相沈積制程。步驟404:使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二緩沖空間，并進行緩沖動作于已被覆膜的待鍍物。前述緩沖動作例如為令已被覆膜的待鍍物于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度。步驟500:打開制程腔體以及第二低壓腔體之間的閘門，以使輸送系統(tǒng)輸送已被覆膜的待鍍物至第二低壓腔體。步驟501:關(guān)閉制程腔體以及第二低壓腔體之間的閘門。步驟600:打開第二低壓腔體以及載出腔體之間的閘門，以使輸送系統(tǒng)輸送已被覆膜的待鍍物至載出腔體，再進行破真空動作于載出腔體。前述第一沉積空間及第二沉積空間例如為輝光放電沉積腔體、蒸鍍腔體、離子鍍腔體、電弧鍍腔體或化學(xué)氣相沈積腔體。步驟601:取出載出腔體中已被覆膜的待鍍物。需特別說明，本發(fā)明實施例的被動元件是指應(yīng)用于微小待鍍物的被動元件，例如為陶瓷電容、突波吸收器、熱敏電阻等被動元件。由于并非本發(fā)明的要點所在，故于此不再贅述。綜上，本發(fā)明提供的適用于被動元件的雙面覆膜方法至少具有下述優(yōu)點:1.精簡了被動元件的雙面覆膜的制程周期，進而降低了被動元件制程的復(fù)雜度以及成本:依據(jù)本發(fā)明的整體設(shè)計，待鍍物于制程腔體內(nèi)即可完成被動元件的雙面覆膜的制程。因此，無需于待鍍物進行單面覆膜完畢后，先在載出腔體內(nèi)進行通氣體回常壓動作以將待鍍物取出，將待鍍物翻面，再將待鍍物重新置入制程腔體，并重新加熱及抽真空。亦即本發(fā)明無需反復(fù)地進行破·真空動作、抽真空動作或加熱動作，進一步精簡了被動元件的雙面覆膜的制程周期，進而降低了被動元件的雙面覆膜制程的復(fù)雜度以及成本。2.進行被動元件的雙面覆膜的制程時，可維持制程腔體內(nèi)的低壓的一致性:本發(fā)明的待鍍物是于制程腔體內(nèi)完成被動元件的雙面覆膜的制程，亦即進行被動元件雙面覆膜的制程時，可維持制程腔體內(nèi)的低壓的一致性，待鍍物的雙面覆膜層不易產(chǎn)生彼此的膜特征相異的情形。3.可增加進行雙面覆膜的制程時的流暢度:待鍍物可于第一緩沖空間或第二緩沖空間內(nèi)，被進行緩沖動作。例如已被覆膜的待鍍物于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度。如此一來，可增加進行雙面覆膜的制程時的流暢度。4.本發(fā)明降低了能源損耗，節(jié)能又環(huán)保:本發(fā)明提供的適用于被動元件的雙面覆膜方法無需高溫加熱，可降低能源損耗，節(jié)能又環(huán)保。以上僅為舉例性，而非為限制性實施例。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于本申請專利范圍中。
權(quán)利要求
1.一種適用于被動元件之雙面覆膜方法，其特征在于，包括下列步驟: (a)提供一適用于被動元件之雙面覆膜設(shè)備，該適用于被動元件之雙面覆膜設(shè)備包括: 第一低壓腔體； 至少一個空間的制程腔體，第一低壓腔體以及制程腔體之間具有閘門； 第二低壓腔體，制程腔體以及第二低壓腔體之間具有閘門；以及， 輸送系統(tǒng)，輸送系統(tǒng)位于第一低壓腔體、制程腔體、以及第二低壓腔體的內(nèi)部，輸送系統(tǒng)可輸送一待鍍物，使得待鍍物依序通過第一低壓腔體、制程腔體以及第二低壓腔體，當(dāng)制程腔體包括若干個空間時，制程腔體的各個空間分別為第一沉積空間以及第二沉積空間，第一沉積空間以及第二沉積空間彼此連通，待鍍物被傳輸而進入制程腔體后，待鍍物依序通過第一沉積空間以及第二沉積空間，爾后再進入第二低壓腔體，第一沉積空間具有單個或多個靶材，當(dāng)?shù)谝怀练e空間具有的靶材為多個時，第一沉積空間的各靶材的材料選擇性地彼此相同或相異，第二沉積空間具有單個或多個祀材，當(dāng)?shù)诙练e空間具有的靶材為多個時，第二沉積空間的各靶材的材料選擇性地彼此相同或相異； (b)使得待鍍物位于輸送系統(tǒng)上； (C)使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至第一低壓腔體； (d)進行一抽高真空動 作以及一加熱動作于第一低壓腔體； (e)打開第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門，以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一沉積空間，關(guān)閉第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門，再進行一沉積制程于待鍍物的單一表面或若干個第一表面； (f)使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二沉積空間，再進行另一沉積制程于待鍍物的另一單一表面或若干個第二表面，另一單一表面與單一表面彼此背對背對應(yīng)； (g)打開制程腔體以及第二低壓腔體之間的閘門，以使輸送系統(tǒng)輸送已被覆膜的待鍍物至第二低壓腔體；以及 (h)關(guān)閉制程腔體以及第二低壓腔體之間的閘門。
2.如權(quán)利要求1所述的適用于被動元件之雙面覆膜方法，其特征在于，其中適用于被動元件的雙面覆膜設(shè)備還包括: 載入腔體； 等離子清潔腔體；以及， 載出腔體，載入腔體以及等離子清潔腔體的間具有閘門，等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間具有閘門，第二低壓腔體以及載出腔體之間具有閘門，輸送系統(tǒng)位于載入腔體、等離子清潔腔體、第一低壓腔體、制程腔體、第二低壓腔體以及載出腔體的內(nèi)部，輸送系統(tǒng)可輸送待鍍物，使得待鍍物依序通過載入腔體、等離子清潔腔體、第一低壓腔體、制程腔體、第二低壓腔體以及載出腔體，第一沉積空間及第二沉積空間為輝光放電沉積腔體、蒸鍍腔體、離子鍍腔體、電弧鍍腔體或化學(xué)氣相沈積腔體，第一低壓腔體及第二低壓腔體之壓力系介于10_2托至10_6托之間，沉積制程為輝光放電沉積制程、蒸鍍制程、離子鍍制程、電弧鍍制程或化學(xué)氣相沈積制程。
3.如權(quán)利要求2所述的適用于被動元件之雙面覆膜方法，其特征在于，步驟(b)還包括:送入待鍍物于載入腔體內(nèi)，并使得待鍍物位于輸送系統(tǒng)上。
4.如權(quán)利要求3所述的適用于被動元件之雙面覆膜方法，其特征在于，步驟(b)以及步驟(c)之間還包括下列步驟: (i)進行一初步抽真空動作于載入腔體； U)打開載入腔體以及等離子清潔腔體之間的閘門，以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至等離子清潔腔體； (k)關(guān)閉載入腔體以及等離子清潔腔體之間的閘門，再進行一等離子清潔動作于待鍍物；以及， (I)打開等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間的閘門。
5.如權(quán)利要求4所述的適用于被動元件之雙面覆膜方法，其特征在于，步驟(d)還包括: 關(guān)閉等離子清潔腔體以及第一 低壓腔體之間的閘門，再進行抽高真空動作以及加熱動作于第一低壓腔體。
6.如權(quán)利要求2所述的適用于被動元件之雙面覆膜方法，其特征在于，其中制程腔體的各空間分別為第一沉積空間、第二沉積空間、第一緩沖空間以及第二緩沖空間，第一緩沖空間、第一沉積空間、第二沉積空間以及第二緩沖空間彼此連通，待鍍物被傳輸而進入制程腔體后，待鍍物依序通過第一緩沖空間、第一沉積空間、第二沉積空間以及第二緩沖空間，爾后再進入第二低壓腔體。
7.如權(quán)利要求6所述的適用于被動元件之雙面覆膜方法，其特征在于，步驟(e)還包括: 使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一緩沖空間。
8.如權(quán)利要求7所述的適用于被動元件之雙面覆膜方法，其特征在于，步驟(e)以及步驟(f)之間還包括步驟: (m)關(guān)閉第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門，并進行第一緩沖動作于待鍍物；以及， 步驟(f)以及步驟(g)之間還包括步驟: (η)使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二緩沖空間，并進行第二緩沖動作于已被覆膜的待鍍物。
9.如權(quán)利要求8所述的適用于被動元件之雙面覆膜方法，其特征在于，其中第一緩沖動作為令待鍍物于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度，第二緩沖動作為令已被覆膜的待鍍物于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度。
10.如權(quán)利要求9所述的適用于被動元件之雙面覆膜方法，其特征在于，步驟(h)之后還包括下列步驟: (O)打開第二低壓腔體以及載出腔體之間的閘門，以使輸送系統(tǒng)輸送已被覆膜的待鍍物至載出腔體，再進行一通氣體回常壓動作于載出腔體；以及， (P)取出載出腔體中已被覆膜的待鍍物。
全文摘要
本發(fā)明提供一種適用于被動元件之雙面覆膜方法，主要包括下列步驟提供一適用于被動元件的雙面覆膜設(shè)備；使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一沉積空間，進行一沉積制程于待鍍物的單一表面或多個表面；使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二沉積空間，再進行另一沉積制程于待鍍物的另一單一表面或多個表面。本發(fā)明降低了制程的復(fù)雜度以及成本，更可維持制程腔體內(nèi)的低壓的一致性。本發(fā)明可進一步增加進行雙面覆膜的制程時的流暢度。
文檔編號C23C14/56GK103160787SQ201210138370
公開日2013年6月19日 申請日期2012年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月19日
發(fā)明者李智淵, 蔡碩文, 黃耀賢, 蔡俊毅 申請人:鉅永真空科技股份有限公司