本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，涉及一種研磨裝置及研磨方法。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展，芯片的集成度越來越高，封裝工藝也變得越來越復(fù)雜。其中，倒裝芯片(flip?chip)封裝工藝是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，它通過倒裝芯片的方式，將芯片直接連接到基板上，從而實(shí)現(xiàn)高密度的互連。然而，這種封裝工藝會導(dǎo)致封裝體的尺寸增大，同時(shí)也增加了基板的層數(shù)和輸入/輸出(i/o)數(shù)量，這使得封裝體的翹曲問題更加突出。

2、目前在對基板各層品質(zhì)做逐層檢查時(shí)，采用平面研磨盤加水磨砂紙，研磨去層。請參閱圖1，顯示為通過平面研磨盤100對一封裝體200進(jìn)行研磨的示意圖，該封裝體200包括基板201與倒裝焊接于其上的芯片202，其中，所述基板201呈翹曲狀態(tài)。由于基板翹曲的影響，各層研磨進(jìn)度存在差異，導(dǎo)致同時(shí)存在過度研磨或研磨不足的現(xiàn)象，無法完整地呈現(xiàn)各層線路的形貌，例如請參閱圖2，顯示為采用平面研磨盤研磨后的基板的光學(xué)顯微鏡圖，其中間區(qū)域研磨不足，而邊緣區(qū)域又研磨過度。在一種解決方案中，是在研磨過程中當(dāng)翹曲位置不能達(dá)到時(shí)，以手動打磨補(bǔ)償，效率較低且難度較高。

3、因此，如何提供一種研磨裝置，以在不改變封裝材料和工藝的情況下有效地解決因封裝體的翹曲問題導(dǎo)致的基板各層品質(zhì)檢查的困難，降低研發(fā)成本和實(shí)施難度，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個重要技術(shù)問題。

4、應(yīng)該注意，上面對技術(shù)背景的介紹只是為了方便對本申請的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的說明，并方便本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解而闡述的。不能僅僅因?yàn)檫@些方案在本申請的背景技術(shù)部分進(jìn)行了闡述而認(rèn)為上述技術(shù)方案為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種研磨裝置及研磨方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中因封裝體的翹曲導(dǎo)致去層研磨困難、研磨效果差、效率低的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種研磨裝置，包括：

3、研磨盤體，包括上盤面、下盤面與側(cè)板，所述側(cè)板連接所述上盤面的邊緣與所述下盤面的邊緣以圍成一收容空間，所述上盤面的上表面覆蓋有研磨層；

4、螺柱，所述螺柱的頂端連接所述上盤面的下表面并對準(zhǔn)所述上盤面的中心，所述螺柱的底端穿過所述下盤面的中心并延伸至所述收容空間外；

5、螺母，套設(shè)于所述螺柱上并與所述下盤面的下表面接觸，用于通過轉(zhuǎn)動來使所述螺柱上升或下降，使所述上盤面呈上凸?fàn)顟B(tài)或下凹狀態(tài)；

6、支撐骨架，位于所述收容空間內(nèi)并包括支撐環(huán)與多個支撐梁，所述支撐環(huán)套設(shè)于所述螺柱上，所述支撐梁傾斜設(shè)置，所述支撐梁的底端連接于所述支撐環(huán)，所述支撐梁的頂端連接于所述上盤面的下表面。

7、可選地，多個所述支撐梁的頂端分布于同一圓周，當(dāng)所述上盤面處于水平狀態(tài)時(shí)，所述支撐梁的頂端與所述下盤面的中心之間的距離大于d/2，其中，d為所述研磨盤體的半徑。

8、可選地，所述支撐梁的底端與所述支撐環(huán)之間轉(zhuǎn)動連接，所述支撐梁的頂端與所述上盤面的下表面之間轉(zhuǎn)動連接。

9、可選地，相對于水平狀態(tài)，所述上盤面的中心的最大凸起高度范圍是4mm～6mm；所述上盤面的中心的最大下凹深度范圍是4mm～6mm。

10、可選地，所述研磨盤體的直徑范圍是150mm～300mm。

11、可選地，所述研磨盤體的材質(zhì)包括工程塑料。

12、可選地，所述研磨盤體的材質(zhì)包括聚碳酸酯。

13、可選地，所述研磨層包括預(yù)設(shè)目數(shù)的砂紙。

14、本發(fā)明還提供一種研磨方法，包括以下步驟：

15、提供一封裝體及如上任意一項(xiàng)所述的研磨裝置，所述封裝體包括基板及位于所述基板上的芯片；

16、將所述封裝體放置于所述研磨盤體上以對所述基板進(jìn)行研磨，其中，在研磨過程中，視所述基板的翹曲狀態(tài)，轉(zhuǎn)動所述螺母來調(diào)整所述上盤面的凸起或下凹程度，使所述上盤面的弧度與所述基板的翹曲形態(tài)相符合。

17、可選地，所述芯片倒裝焊接于所述基板上，或者所述芯片與所述基板之間打線連接。

18、如上所述，本發(fā)明的研磨裝置包括研磨盤體、螺柱、螺母與支撐骨架，其中，研磨盤體包括圍成一收容空間的上盤面、下盤面與側(cè)板，上盤面的上表面覆蓋有研磨層，螺柱的頂端連接上盤面的下表面并對準(zhǔn)上盤面的中心，螺柱的底端穿過下盤面的中心并延伸至收容空間外，螺母套設(shè)于螺柱上并與下盤面的下表面接觸，用于通過轉(zhuǎn)動來使螺柱上升或下降，使上盤面呈上凸?fàn)顟B(tài)或下凹狀態(tài)，支撐骨架位于收容空間內(nèi)并包括支撐環(huán)與多個支撐梁，支撐環(huán)套設(shè)于螺柱上，支撐梁傾斜設(shè)置且底端連接于支撐環(huán)，頂端連接于上盤面的下表面。當(dāng)采用本發(fā)明的研磨裝置對封裝體進(jìn)行研磨時(shí)，可視基板的翹曲狀態(tài)轉(zhuǎn)動螺母來調(diào)整上盤面的凸起或下凹程度，使上盤面的弧度與基板的翹曲形態(tài)相符合，從而降低研磨難度，改善過度研磨或研磨不足的問題，實(shí)現(xiàn)更好的研磨效果，便于逐層檢查基板品質(zhì)，從而提高封裝體的質(zhì)量和生產(chǎn)效率，降低研發(fā)成本和實(shí)施難度。

技術(shù)特征：

1.一種研磨裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨裝置，其特征在于：多個所述支撐梁的頂端分布于同一圓周，當(dāng)所述上盤面處于水平狀態(tài)時(shí)，所述支撐梁的頂端與所述下盤面的中心之間的距離大于d/2，其中，d為所述研磨盤體的半徑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨裝置，其特征在于：所述支撐梁的底端與所述支撐環(huán)之間轉(zhuǎn)動連接，所述支撐梁的頂端與所述上盤面的下表面之間轉(zhuǎn)動連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨裝置，其特征在于：相對于水平狀態(tài)，所述上盤面的中心的最大凸起高度范圍是4mm～6mm；所述上盤面的中心的最大下凹深度范圍是4mm～6mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨裝置，其特征在于：所述研磨盤體的直徑范圍是150mm～300mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨裝置，其特征在于：所述研磨盤體的材質(zhì)包括工程塑料。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的研磨裝置，其特征在于：所述研磨盤體的材質(zhì)包括聚碳酸酯。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨裝置，其特征在于：所述研磨層包括預(yù)設(shè)目數(shù)的砂紙。

9.一種研磨方法，其特征在于，包括以下步驟：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的研磨方法，其特征在于：所述芯片倒裝焊接于所述基板上，或者所述芯片與所述基板之間打線連接。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種研磨裝置及研磨方法，該研磨裝置包括研磨盤體、螺柱、螺母與支撐骨架，其中，研磨盤體包括圍成一收容空間的上盤面、下盤面與側(cè)板，上盤面的上表面覆蓋有研磨層，螺柱的頂端連接上盤面的下表面并對準(zhǔn)上盤面的中心，螺柱的底端穿過下盤面的中心并延伸至收容空間外，螺母套設(shè)于螺柱上并與下盤面的下表面接觸，用于通過轉(zhuǎn)動來使螺柱上升或下降，使上盤面呈上凸?fàn)顟B(tài)或下凹狀態(tài)，支撐骨架位于收容空間內(nèi)。當(dāng)采用該研磨裝置對封裝體進(jìn)行研磨時(shí)，可視基板的翹曲狀態(tài)轉(zhuǎn)動螺母來調(diào)整上盤面的凸起或下凹程度使其弧度與基板的翹曲形態(tài)相符合，從而降低研磨難度，實(shí)現(xiàn)更好的研磨效果，便于逐層檢查基板品質(zhì)，從而提高封裝體的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：林紅,梁先武,楊超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：矽品科技（蘇州）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21