本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，具體涉及一種工藝氣體噴嘴及半導(dǎo)體工藝腔室。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體工藝設(shè)備(例如高密度等離子體化學(xué)氣相沉積，hdpcvd)設(shè)備進(jìn)行薄膜沉積工藝的過(guò)程中，工藝氣體會(huì)通過(guò)工藝氣體噴嘴而被輸送到半導(dǎo)體工藝腔室之內(nèi)并參與反應(yīng)而形成沉積物，沉積物不僅會(huì)沉積到晶圓上，也會(huì)沉積到半導(dǎo)體工藝腔室的內(nèi)壁上。沉積物在半導(dǎo)體工藝腔室的內(nèi)壁上沉積較厚時(shí)較容易發(fā)生脫落現(xiàn)象，從而在半導(dǎo)體工藝腔室之內(nèi)造成顆粒污染問(wèn)題。

2、基于此，需要定期對(duì)半導(dǎo)體工藝腔室進(jìn)行清洗，以去除沉積在半導(dǎo)體工藝腔室的內(nèi)壁上的沉積物。但是，相關(guān)技術(shù)在對(duì)半導(dǎo)體工藝腔室的內(nèi)壁上的沉積物進(jìn)行清洗時(shí)存在清洗效果不佳的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明公開(kāi)一種工藝氣體噴嘴及半導(dǎo)體工藝腔室，以解決相關(guān)技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體工藝腔室的內(nèi)壁進(jìn)行清潔時(shí)存在清潔效果較差的問(wèn)題。

2、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

3、第一方面，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)一種工藝氣體噴嘴，所公開(kāi)的工藝氣體噴嘴包括噴嘴主體、第一凸起和環(huán)狀部，所述噴嘴主體具有第一端和第二端，所述環(huán)狀部環(huán)繞所述第二端設(shè)置，所述第一凸起設(shè)于所述噴嘴主體上，并位于所述環(huán)狀部的朝向所述第一端的一側(cè)，所述第一凸起背向所述環(huán)狀部的表面與所述噴嘴主體形成反向?qū)Я鞑邸?/p>

4、第二方面，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)一種半導(dǎo)體工藝腔室，所公開(kāi)的半導(dǎo)體工藝腔室包括腔室外殼和上文所述的工藝氣體噴嘴，所述腔室外殼設(shè)有工藝空間和與所述工藝空間連通的安裝孔，所述噴嘴主體的第一端設(shè)于所述安裝孔中，并與所述安裝孔的孔壁圍成環(huán)狀的進(jìn)氣通道。

5、本發(fā)明采用的技術(shù)方案能夠達(dá)到以下技術(shù)效果：

6、本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的工藝氣體噴嘴對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行進(jìn)一步的改進(jìn)，通過(guò)在噴嘴主體增設(shè)第一凸起，并使得第一凸起位于環(huán)狀部朝向第一端的一側(cè)，同時(shí)使得第一凸起的背向環(huán)狀部的表面與噴嘴主體形成反向?qū)Я鞑?，反向?qū)Я鞑勰軌蛘{(diào)整部分清洗氣體的流向，從而使得部分清洗氣體反向流動(dòng)而沖向腔室外殼的開(kāi)設(shè)進(jìn)氣通道的內(nèi)壁上，進(jìn)而對(duì)這部分內(nèi)壁上的沉積物進(jìn)行清洗。此種結(jié)構(gòu)能夠避免從進(jìn)氣通道流入的清洗氣體很難流向其所在的腔室外殼的內(nèi)壁而導(dǎo)致清潔效果不佳的問(wèn)題。

技術(shù)特征：

1.一種工藝氣體噴嘴，其特征在于，包括噴嘴主體(21)、第一凸起(22)和環(huán)狀部(23)，所述噴嘴主體(21)具有第一端(213)和第二端(214)，所述環(huán)狀部(23)環(huán)繞所述第二端(214)設(shè)置，所述第一凸起(22)設(shè)于所述噴嘴主體(21)上，并位于所述環(huán)狀部(23)的朝向所述第一端(213)的一側(cè)，所述第一凸起(22)背向所述環(huán)狀部(23)的表面(222)與所述噴嘴主體(21)形成反向?qū)Я鞑?04)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝氣體噴嘴，其特征在于，所述第一凸起(22)為多個(gè)，且沿所述噴嘴主體(21)的周向間隔地設(shè)于所述噴嘴主體(21)上；或，所述第一凸起(22)為環(huán)狀凸起，且沿所述噴嘴主體(21)的周向環(huán)設(shè)于所述噴嘴主體(21)上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝氣體噴嘴，其特征在于，所述第一凸起(22)為條狀凸起，所述第一凸起(22)與所述環(huán)狀部(23)相連，相鄰的兩個(gè)所述第一凸起(22)與所述噴嘴主體(21)圍成兩端開(kāi)口的導(dǎo)流槽(05)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的工藝氣體噴嘴，其特征在于，所述第一凸起(22)的背向所述噴嘴主體(21)的表面為導(dǎo)流面(221)，所述導(dǎo)流面(221)的導(dǎo)流方向與所述導(dǎo)流槽(05)的導(dǎo)流方向一致。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的工藝氣體噴嘴，其特征在于，所述導(dǎo)流面(221)與第一方向之間的夾角β大于或等于10°，且小于或等于80°，所述第一方向沿所述環(huán)狀部(23)的徑向朝所述環(huán)狀部(23)的中心延伸。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的工藝氣體噴嘴，其特征在于，所述噴嘴主體(21)用于構(gòu)成所述導(dǎo)流槽(05)的底壁的區(qū)域設(shè)有第一出氣孔(211)，所述第一出氣孔(211)位于所述導(dǎo)流槽(05)朝向所述環(huán)狀部(23)的一端處。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝氣體噴嘴，其特征在于，多個(gè)所述第一凸起(22)在所述噴嘴主體(21)的周向均勻分布，每個(gè)所述第一凸起(22)沿所述周向的寬度均相等。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝氣體噴嘴，其特征在于，所述第一凸起(22)的背向所述環(huán)狀部(23)的表面(222)與第二方向之間的夾角α大于或等于0°，且小于或等于80°，所述第二方向沿所述環(huán)狀部(23)的徑向背向所述環(huán)狀部(23)的中心延伸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的工藝氣體噴嘴，其特征在于，所述工藝氣體噴嘴為整體式結(jié)構(gòu)。

10.一種半導(dǎo)體工藝腔室，其特征在于，包括腔室外殼(10)和權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的工藝氣體噴嘴(20)，所述腔室外殼(10)設(shè)有工藝空間(01)和與所述工藝空間(01)連通的安裝孔(02)，所述噴嘴主體(21)的第一端(213)設(shè)于所述安裝孔(02)中，并與所述安裝孔(02)的孔壁圍成環(huán)狀的進(jìn)氣通道(03)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體工藝腔室，其特征在于，所述半導(dǎo)體工藝腔室還包括多個(gè)導(dǎo)流板(30)，所述多個(gè)導(dǎo)流板(30)在所述安裝孔(02)的周向間隔地設(shè)于所述安裝孔(02)的孔壁，所述多個(gè)導(dǎo)流板(30)的第一端部轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)于所述安裝孔(02)中，所述導(dǎo)流板(30)的第二端部可相對(duì)于所述導(dǎo)流板(30)的第一端部轉(zhuǎn)動(dòng)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體工藝腔室，其特征在于，所述安裝孔(02)的內(nèi)壁設(shè)有多個(gè)第二凸起(021)，相鄰的兩個(gè)所述第二凸起(021)之間形成容納槽(022)，所述第二凸起(021)的第一端部位于所述容納槽(022)中，其與相鄰的兩個(gè)所述第二凸起(021)中的至少一者轉(zhuǎn)動(dòng)相連。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體工藝腔室，其特征在于，所述第二凸起(021)為條形凸起，在所述導(dǎo)流板(30)的導(dǎo)流方向與所述進(jìn)氣通道(03)的軸向平行時(shí)，所述導(dǎo)流板(30)容納于所述容納槽(022)中，所述導(dǎo)流板(30)的朝向所述安裝孔(02)的中軸線(xiàn)的表面與所述第二凸起(021)的朝向所述安裝孔(02)的中軸線(xiàn)的表面拼接成圓柱面。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體工藝腔室，其特征在于，所述半導(dǎo)體工藝腔室還包括驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(40)，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(40)包括驅(qū)動(dòng)件(41)、齒條(42)和齒輪(43)，所述導(dǎo)流板(30)通過(guò)鉸接軸(31)與所述腔室外殼(10)轉(zhuǎn)動(dòng)相連，所述齒輪(43)與所述鉸接軸(31)相連，所述齒條(42)與所述齒輪(43)嚙合，所述驅(qū)動(dòng)件(41)與所述齒條(42)相連，且用于所述齒條(42)移動(dòng)。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體工藝腔室，其特征在于，所述半導(dǎo)體工藝腔室還包括控制器，所述控制器與所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(40)相連，所述控制器用于控制所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(40)驅(qū)動(dòng)所述導(dǎo)流板(30)轉(zhuǎn)動(dòng)以相對(duì)于所述進(jìn)氣通道(03)的貫通方向傾斜。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體工藝腔室，其特征在于，所述控制器還用于控制對(duì)所述半導(dǎo)體工藝腔室進(jìn)行加熱，以及多次控制所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(40)改變所述導(dǎo)流板(30)的傾斜角度以進(jìn)行清洗工藝。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)一種工藝氣體噴嘴及半導(dǎo)體工藝腔室，所公開(kāi)的工藝氣體噴嘴包括噴嘴主體(21)、第一凸起(22)和環(huán)狀部(23)，所述噴嘴主體(21)具有第一端(213)和第二端(214)，所述環(huán)狀部(23)環(huán)繞所述第二端(214)設(shè)置，所述第一凸起(22)設(shè)于所述噴嘴主體(21)上，并位于所述環(huán)狀部(23)的朝向所述第一端(213)的一側(cè)，所述第一凸起(22)背向所述環(huán)狀部(23)的表面(222)與所述噴嘴主體(21)形成反向?qū)Я鞑?04)。此方案能解決相關(guān)技術(shù)在對(duì)半導(dǎo)體工藝腔室的內(nèi)壁進(jìn)行清潔時(shí)存在清潔效果較差的問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：劉燁
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21