蒸鍍裝置以及使用了蒸鍍裝置的蒸鍍方法、以及器件的制造方法
【專利摘要】在蒸鍍裝置中，包括：腔室，蒸鍍對(duì)象物設(shè)于該腔室內(nèi)；存在于腔室內(nèi)、具有用于收納蒸鍍材料的殼體的蒸鍍?cè)?6)；和對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行加熱的加熱部；在殼體開設(shè)有：將該殼體的內(nèi)外連通、向蒸鍍對(duì)象物吐出蒸鍍材料的蒸氣的多個(gè)吐出口；和能夠開閉的排氣口。
【專利說(shuō)明】
蒸鍍裝置以及使用了蒸鍍裝置的蒸鍍方法、以及器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及在使用了有機(jī)物質(zhì)的器件的制造中使用的蒸鍍裝置以及使用了蒸鍍裝置的器件的制造方法。特別是，涉及包括從多個(gè)吐出口向腔室內(nèi)吐出蒸鍍材料的蒸鍍?cè)吹恼翦冄b置。
【背景技術(shù)】
[0002]在有機(jī)發(fā)光元件和/或薄膜晶體管(Thin Film Transistor，以后簡(jiǎn)稱為“TFT”)等器件中，使用有機(jī)發(fā)光元件中的有機(jī)發(fā)光層和/或TFT中的有機(jī)半導(dǎo)體層等用于發(fā)揮特定的功能的有機(jī)功能層。例如，有機(jī)發(fā)光元件具有在基板上按順序?qū)盈B有金屬電極、多層有機(jī)功能層、透明電極層的構(gòu)成，各層主要通過(guò)真空蒸鍍法在腔室之中形成。在真空蒸鍍法中，通常使用在腔室內(nèi)的例如上部設(shè)置基板、在下部設(shè)置蒸鍍?cè)吹母哒婵盏那皇?例如，專利文獻(xiàn)I)。在蒸鍍?cè)?，例如，在?nèi)部具有坩禍，收納有粉末狀的有機(jī)物質(zhì)。在坩禍的周圍設(shè)有加熱裝置，利用紅外線輻射熱加熱坩禍。通過(guò)加熱而使收納于蒸鍍?cè)吹挠袡C(jī)物質(zhì)蒸發(fā)，作為有機(jī)物氣體向腔室內(nèi)擴(kuò)散。然后，與基板接觸的有機(jī)物氣體凝固而在基板上形成薄膜狀的有機(jī)功能層。另外，為了防止成膜的不均勻性，提出了通過(guò)設(shè)置了多個(gè)吐出口的蓋將放入了蒸鍍材料的坩禍蓋上的方法(例如，專利文獻(xiàn)2)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2005 — 310471號(hào)公報(bào)
[0006]專利文獻(xiàn)2:日本特開2011 —127217號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明要解決的課題
[0008]但是，在使用真空蒸鍍法向基板蒸鍍蒸鍍材料而形成功能膜時(shí)，存在向腔室內(nèi)運(yùn)入蒸鍍材料時(shí)微量的大氣中的水分等雜質(zhì)混入于蒸鍍材料的情況。在該情況下、混入的雜質(zhì)與蒸鍍材料反應(yīng)而導(dǎo)致蒸鍍材料的變質(zhì)進(jìn)而材料特性的劣化。
[0009]本發(fā)明的目的在于，提供一種減輕蒸鍍材料的變質(zhì)和/或材料特性的劣化的蒸鍍裝置以及使用了該蒸鍍裝置的蒸鍍方法以及器件的制造方法。
[0010]用于解決課題的手段
[0011]為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的一技術(shù)方案所涉及的蒸鍍裝置，其特征在于，包括:腔室，蒸鍍對(duì)象物設(shè)于該腔室內(nèi)；存在于所述腔室內(nèi)、具有用于收納蒸鍍材料的殼體的蒸鍍?cè)?和對(duì)所述蒸鍍材料進(jìn)行加熱的加熱部;在所述殼體上開設(shè)有:將該殼體的內(nèi)外連通、向所述蒸鍍對(duì)象物吐出所述蒸鍍材料的蒸氣的多個(gè)吐出口；和能夠開閉的排氣口。
[0012]發(fā)明效果
[0013]本發(fā)明的一技術(shù)方案所涉及的蒸鍍裝置，在器件制造工序中，能夠?qū)⒒烊氲秸翦冊(cè)吹臍んw內(nèi)的雜質(zhì)向殼體外排出，所以能夠防止雜質(zhì)與蒸鍍材料反應(yīng)。因此，在蒸鍍工序中，能夠減輕蒸鍍材料的變質(zhì)和/或材料特性的劣化。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是表示實(shí)施方式I所涉及的蒸鍍裝置I的構(gòu)造的示意剖視圖。
[0015]圖2是表示在蒸鍍裝置I內(nèi)向基板蒸鍍蒸鍍物質(zhì)的樣態(tài)的示意圖。
[0016]圖3是表示實(shí)施方式I所涉及的蒸鍍?cè)?的構(gòu)成的立體圖。
[0017]圖4是實(shí)施方式I所涉及的蒸鍍?cè)?的示意剖視圖。
[0018]圖5(a)是使用實(shí)施方式I所涉及的蒸鍍裝置I的蒸鍍方法中的蒸鍍?cè)?的溫度曲線圖的一例，(b)是腔室2內(nèi)的壓力曲線圖的一例。
[0019]圖6是表示實(shí)施方式2所涉及的蒸鍍裝置IX的構(gòu)造的示意剖視圖。
[0020]圖7是表示實(shí)施方式3所涉及的蒸鍍裝置IA的構(gòu)造的示意剖視圖。
[0021 ]圖8是表示實(shí)施方式3的變形例所涉及的蒸鍍裝置IB的構(gòu)造的示意剖視圖。
[0022]圖9是表示實(shí)施方式4所涉及的蒸鍍裝置IC的構(gòu)造的示意剖視圖。
[0023]圖10是實(shí)施方式4所涉及的蒸鍍?cè)?C的示意剖視圖。
[0024]圖11(a)是使用實(shí)施方式4所涉及的蒸鍍裝置IC的蒸鍍方法中的蒸鍍?cè)?C的溫度曲線圖的一例，(b)是腔室2內(nèi)的壓力曲線圖的一例。
[0025]圖12(a)?(d)是對(duì)作為實(shí)施方式5所涉及的器件的制造方法的一實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明的工序圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]《得到【具體實(shí)施方式】的經(jīng)過(guò)》
[0027]在使用真空蒸鍍法向作為蒸鍍對(duì)象物的基板等進(jìn)行蒸鍍時(shí)，在蒸發(fā)速率在蒸鍍面內(nèi)不均勻的情況下膜厚在面內(nèi)不均勻，例如，在有機(jī)發(fā)光元件中導(dǎo)致亮度不均。特別是，用以往的被稱為點(diǎn)源的點(diǎn)形狀的蒸鍍?cè)措y以向基板整個(gè)面均勻地蒸鍍。作為對(duì)基板均勻地蒸鍍材料的方法，進(jìn)行了各種研究。
[0028]例如，通過(guò)使用被稱為線源的比基板的寬度長(zhǎng)的線形狀的蒸鍍?cè)?、在線源的上方，與線源縱長(zhǎng)方向垂直地運(yùn)送基板，從而在基板形成面狀的蒸鍍膜(例如，專利文獻(xiàn)I)。由此，與使用多個(gè)點(diǎn)源的情況相比，線源縱長(zhǎng)方向上的膜厚的均勻性提高。在該情況下，考慮了如下方法:擴(kuò)大大型基板與線源的距離，雖然縱長(zhǎng)方向的蒸發(fā)速率存在一些不均，但是來(lái)自各蒸鍍?cè)吹恼翦儾牧系娘w散范圍重復(fù)從而可謀求膜厚的均勻性的提高。但是，腔室的容積變大，抽真空需要時(shí)間，所以不優(yōu)選。
[0029]因此，在專利文獻(xiàn)2中，如上所述，為了防止成膜的不均勻性，提出了用設(shè)置了多個(gè)吐出口的蓋將放入了蒸鍍材料的坩禍蓋上的方法。在該方法中，在坩禍的上部的開口設(shè)置蓋，由此通過(guò)蒸發(fā)的蒸鍍材料的蒸氣將坩禍的內(nèi)部充滿，充滿的蒸氣通過(guò)坩禍內(nèi)壓從各吐出口以相同壓力噴出。即，即使在蒸鍍材料存在縱長(zhǎng)方向的溫度不均的情況下，通過(guò)在坩禍內(nèi)部一度充滿蒸鍍材料的蒸氣，就能夠以相同蒸發(fā)速率向腔室噴出蒸氣，能夠減輕上述縱長(zhǎng)方向的溫度不均對(duì)蒸發(fā)速率變動(dòng)的影響。
[0030]然而，
【發(fā)明人】通過(guò)研究發(fā)現(xiàn)在該方法中產(chǎn)生其他的課題。即，發(fā)現(xiàn)下述的課題:在向腔室內(nèi)的i甘禍內(nèi)補(bǔ)充蒸鍍材料時(shí)雜質(zhì)與蒸鍍?cè)匆黄鹣騣甘禍內(nèi)混入，混入的雜質(zhì)與蒸鍍材料反應(yīng)而導(dǎo)致蒸鍍材料的變質(zhì)、進(jìn)而材料特性的劣化。
[0031]以下，對(duì)
【發(fā)明人】發(fā)現(xiàn)的課題進(jìn)行說(shuō)明。蒸鍍材料向腔室內(nèi)的坩禍補(bǔ)充通過(guò)以下的工藝進(jìn)行。
[0032]I)成膜結(jié)束后，使腔室內(nèi)的坩禍恢復(fù)到室溫，然后，將腔室內(nèi)的壓力設(shè)為大氣壓。
[0033]2)將坩禍取出到腔室外。
[0034]3)向坩禍填充蒸鍍材料。蒸鍍材料在室溫下由液體或固體構(gòu)成。
[0035]4)使填充有蒸鍍材料的坩禍回到腔室內(nèi)。
[0036]5)將腔室內(nèi)抽真空，然后，對(duì)坩禍加熱。
[0037]6)然后，進(jìn)行利用蒸鍍的成膜工藝。
[0038]在上述工藝中，通過(guò)3)向坩禍內(nèi)補(bǔ)充蒸鍍材料時(shí)雜質(zhì)與蒸鍍材料一起向坩禍內(nèi)混入，通過(guò)4)使坩禍回到腔室內(nèi)時(shí)雜質(zhì)與蒸鍍材料一起混入。而且，通過(guò)5)中的加熱，雜質(zhì)從蒸鍍材料和/或坩禍在坩禍內(nèi)蒸發(fā)。
[0039]在這里，雜質(zhì)例如為大氣中的水分和/或氧氣，原來(lái)就包含于蒸鍍材料的內(nèi)部，或者在大氣開放時(shí)被吸附于坩禍的內(nèi)周面。如果是上部開口開放的通常的坩禍，則蒸發(fā)的雜質(zhì)向腔室內(nèi)分散，通過(guò)真空裝置向腔室外排氣，所以不會(huì)產(chǎn)生課題。
[0040]然而，在設(shè)置具有多個(gè)吐出口的蓋的方式中，蒸發(fā)的雜質(zhì)在坩禍內(nèi)充滿，難以向腔室逸出(或者，逸出需要時(shí)間)。而且，此時(shí)，蒸鍍材料通過(guò)加熱而處于活性比較高的狀態(tài)，所以處于容易與雜質(zhì)反應(yīng)的條件下。結(jié)果，在蒸鍍材料使用有機(jī)材料的情況下，產(chǎn)生例如有機(jī)材料分子的H置換為OH基等蒸鍍材料的劣化。另外，有在坩禍內(nèi)作為雜質(zhì)的水分的吸附量多而內(nèi)壓急劇上升的情況，在該情況下，蒸鍍材料的劣化加速。
[0041]對(duì)于此，考慮了如果防止在向坩禍內(nèi)補(bǔ)充蒸鍍材料時(shí)與蒸鍍材料一起向坩禍內(nèi)混入的雜質(zhì)與蒸鍍材料反應(yīng)，則可有效防止蒸鍍材料的劣化。因此，
【發(fā)明人】對(duì)在器件制造工序中、既能在有機(jī)功能層中實(shí)現(xiàn)面內(nèi)膜厚的均勻化又能防止向坩禍內(nèi)混入的雜質(zhì)與蒸鍍材料的反應(yīng)的方法進(jìn)行了銳意研究。于是，想到了以下的實(shí)施方式所記載的能夠減輕蒸鍍材料的變質(zhì)和/或材料特性的劣化的蒸鍍裝置、以及使用了該蒸鍍裝置的蒸鍍方法以及器件的制造方法。
[0042]《【具體實(shí)施方式】的概要》
[0043]本實(shí)施方式所涉及的蒸鍍裝置，其特征在于，包括:腔室，蒸鍍對(duì)象物設(shè)于該腔室內(nèi)；存在于所述腔室內(nèi)、具有用于收納蒸鍍材料的殼體的蒸鍍?cè)?和對(duì)所述蒸鍍材料進(jìn)行加熱的加熱部;在所述殼體開設(shè)有:將該殼體的內(nèi)外連通、向所述蒸鍍對(duì)象物吐出所述蒸鍍材料的蒸氣的多個(gè)吐出口；和能夠開閉的排氣口
[0044]另外，在其他的技術(shù)方案中，也可以是如下的構(gòu)成，包括:連接于所述排氣口、將所述殼體內(nèi)與所述腔室外連通的排氣管;和將所述殼體內(nèi)的氣體經(jīng)由所述排氣管向所述腔室外排氣的排氣單元。
[0045]另外，在其他的技術(shù)方案中，也可以是如下的構(gòu)成，在所述殼體還開設(shè)有進(jìn)氣口；所述蒸鍍裝置包括:連接于所述進(jìn)氣口、將所述殼體內(nèi)與所述腔室外連通的進(jìn)氣管;和使氣體經(jīng)由所述進(jìn)氣管進(jìn)入所述殼體內(nèi)的進(jìn)氣單元。
[0046]另外，在其他的技術(shù)方案中，也可以是如下的構(gòu)成，所述排氣口將所述殼體內(nèi)與所述殼體外的所述腔室內(nèi)的空間連通。
[0047]另外，在其他的技術(shù)方案中，也可以構(gòu)成為:所述排氣口能夠通過(guò)閥開閉。
[0048]另外，在其他的技術(shù)方案中，也可以是如下的構(gòu)成，所述殼體具有:
[0049]具有底板和圍繞所述底板的周壁的殼體主體部;和與所述底板相對(duì)向、并與所述底板以及所述周壁一起形成收納所述蒸鍍材料的內(nèi)部空間的殼體蓋部;在所述殼體主體部開設(shè)所述排氣口，在所述殼體蓋部開設(shè)所述多個(gè)吐出口。
[0050]另外，在其他的技術(shù)方案中，也可以是如下的構(gòu)成，在所述殼體中，內(nèi)設(shè)有收納所述蒸鍍材料的坩禍。
[0051]另外，在其他的技術(shù)方案中，也可以是如下的構(gòu)成，是在用于將有機(jī)層形成于蒸鍍對(duì)象物的蒸鍍裝置中使用的蒸鍍?cè)?，具有在?nèi)部收納蒸鍍材料的殼體;在所述殼體開設(shè)有:將該殼體的內(nèi)外連通、向所述蒸鍍對(duì)象物吐出所述蒸鍍材料的蒸氣的多個(gè)吐出口；和能夠開閉的排氣口。
[0052]另外，在其他的技術(shù)方案中，也可以是如下的構(gòu)成，包括收納所述蒸鍍材料的坩禍;所述殼體具有:具有底板和圍繞所述底板的周壁的殼體主體部;和與所述底板相對(duì)向、并與所述底板以及所述周壁一起形成收納所述坩禍的內(nèi)部空間的殼體蓋部;在所述殼體主體部開設(shè)所述排氣口，在所述殼體蓋部開設(shè)所述多個(gè)吐出口。
[0053]另外，本實(shí)施方式所涉及的蒸鍍方法，是使用上述的蒸鍍裝置向所述蒸鍍對(duì)象物蒸鍍所述蒸鍍材料的蒸鍍方法，包括:在所述排氣口打開的狀態(tài)下以預(yù)定時(shí)間將所述蒸鍍材料維持為脫氣溫度附近的溫度的工序;和在維持為所述脫氣溫度附近的溫度后，在所述排氣口關(guān)閉了的狀態(tài)下，將所述蒸鍍材料維持為比所述脫氣溫度高的蒸鍍時(shí)加熱溫度而從開設(shè)于所述殼體的多個(gè)吐出口吐出所述蒸鍍材料的蒸氣，將所述蒸鍍材料蒸鍍于所述蒸鍍對(duì)象物上的工序。
[0054]另外，在其他的技術(shù)方案中，也可以是如下的構(gòu)成，在將所述蒸鍍材料維持為脫氣溫度附近的溫度的工序中，一邊經(jīng)由將所述排氣口與所述腔室外連通的排氣管將所述殼體內(nèi)的氣體向所述腔室外排氣，一邊對(duì)所述蒸鍍材料進(jìn)行加熱。
[0055]另外，在其他的技術(shù)方案中，也可以是如下的構(gòu)成，在將所述蒸鍍材料維持為脫氣溫度附近的溫度的工序中，一邊經(jīng)由將開設(shè)于所述殼體的進(jìn)氣口與所述腔室外連通的進(jìn)氣管使氣體進(jìn)入所述殼體內(nèi)，一邊對(duì)所述蒸鍍材料進(jìn)行加熱;在蒸鍍所述蒸鍍材料的工序中，在將所述進(jìn)氣口關(guān)閉了的狀態(tài)下將所述蒸鍍材料蒸鍍于所述蒸鍍對(duì)象物上。
[0056]另外，在其他的技術(shù)方案中，也可以是如下的構(gòu)成，在將所述蒸鍍材料維持為脫氣溫度附近的溫度的工序中，一邊經(jīng)由將開設(shè)于所述殼體的進(jìn)氣口與所述腔室外連通的進(jìn)氣管使氣體進(jìn)入所述殼體內(nèi)，一邊對(duì)所述蒸鍍材料進(jìn)行加熱;在蒸鍍所述蒸鍍材料的工序中，一邊經(jīng)由所述進(jìn)氣管向所述殼體內(nèi)供給氣體，一邊將所述蒸鍍材料蒸鍍于所述蒸鍍對(duì)象物上。
[0057]另外，在其他的技術(shù)方案中，也可以是如下的構(gòu)成，在將所述蒸鍍材料維持為脫氣溫度附近的溫度的工序中，一邊經(jīng)由所述排氣口將所述殼體內(nèi)的氣體向所述殼體外的所述腔室內(nèi)的空間排氣，一邊對(duì)所述蒸鍍材料進(jìn)行加熱;在蒸鍍所述蒸鍍材料的工序中，在將所述排氣口關(guān)閉了的狀態(tài)下將所述蒸鍍材料蒸鍍于所述蒸鍍對(duì)象物上。
[0058]另外，本實(shí)施方式所涉及的器件的制造方法，其特征在于:使用上述蒸鍍方法，在所述蒸鍍對(duì)象物上形成由所述蒸鍍材料構(gòu)成的層。
[0059]《實(shí)施方式I》
[0060]以下，一邊參照附圖一邊對(duì)實(shí)施方式所涉及的蒸鍍裝置以及使用了蒸鍍裝置的器件的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0061 ] <蒸鍍裝置1>
[0062](整體構(gòu)成)
[0063]圖1是表示實(shí)施方式I所涉及的蒸鍍裝置I的構(gòu)造的示意剖視圖。蒸鍍裝置I是向基板100的表面蒸鍍蒸鍍物質(zhì)的裝置。如圖1所示，蒸鍍裝置I包括腔室2。在腔室2的腔室排氣口 3連接有真空栗(未圖示)，能夠?qū)⑶皇?中維持為真空。腔室2的內(nèi)部空間通過(guò)分隔板4上下分隔，基板100被在分隔板4上運(yùn)送。在腔室2的側(cè)壁，設(shè)有:將基板100運(yùn)入到腔室2內(nèi)的運(yùn)入口 5a，和將基板100從腔室2運(yùn)出的運(yùn)出口 5b?；?00通過(guò)運(yùn)送單元，從運(yùn)入口 5a間歇地運(yùn)入到腔室2內(nèi)，在分隔板4上通過(guò)而從運(yùn)出口 5b運(yùn)出。
[0064]在腔室2內(nèi)的分隔板4的下方，設(shè)置有噴出蒸鍍物質(zhì)的蒸鍍?cè)?。從蒸鍍?cè)?噴出的蒸鍍物質(zhì)例如為形成有機(jī)EL元件的電極和/或功能層的物質(zhì)，為無(wú)機(jī)物或有機(jī)物。作為無(wú)機(jī)物，例如，以形成陰極的Al為首，可列舉1^、附、1^、]\%、411、48等金屬材料、]\^2、3;[02、0203等金屬氧化物材料。作為有機(jī)物，例如，可列舉作為形成有機(jī)EL元件的功能層的材料的二胺、TPD、香豆素、喹吖啶酮。
[0065]在分隔板4，開設(shè)有供從該蒸鍍?cè)?放出的蒸鍍物質(zhì)通過(guò)的窗4a，該窗4a能夠由閘門7開閉。在這樣的蒸鍍裝置I中，在將閘門7打開了的狀態(tài)下，一邊從蒸鍍?cè)?噴出蒸鍍物質(zhì)一邊運(yùn)送基板100，由此從蒸鍍?cè)?噴出的蒸鍍物質(zhì)通過(guò)窗4a，被蒸鍍于基板100的下表面。
[0066]在腔室2的內(nèi)部，設(shè)置有測(cè)定從蒸鍍?cè)?向基板100每單位時(shí)間供給蒸鍍物質(zhì)的量(蒸發(fā)速率)的傳感器8。通過(guò)參照由傳感器8測(cè)定的蒸鍍物質(zhì)的蒸發(fā)速率，設(shè)定運(yùn)送基板100的速度等。另外，在將蒸鍍物質(zhì)圖形蒸鍍于基板100的情況下，將形成有圖形的掩模設(shè)置于基板100的下表面?zhèn)榷M(jìn)行蒸鍍。
[0067]圖2是表示在蒸鍍裝置I內(nèi)向基板100蒸鍍蒸鍍物質(zhì)的樣態(tài)的示意剖視圖。在該圖中為窗4a被開放了的狀態(tài)。如圖2所示，蒸鍍?cè)?為在與運(yùn)送方向C正交的寬度方向D上伸長(zhǎng)的直線狀的蒸鍍?cè)?線源)。一邊向運(yùn)送方向C運(yùn)送基板100，一邊將來(lái)自蒸鍍?cè)?的蒸鍍物質(zhì)通過(guò)窗4a蒸鍍于基板100的下表面。
[0068](蒸鍍?cè)?)
[0069]圖3是表示蒸鍍?cè)?的構(gòu)成的立體圖。圖4是蒸鍍?cè)?的示意剖視圖。蒸鍍?cè)?包括:收納成為蒸鍍物質(zhì)的來(lái)源的蒸鍍材料101的坩禍10，收納該坩禍10的殼體20，和安裝于殼體20的周圍以及下側(cè)的加熱部30;殼體20以及加熱部30被安裝于腔室2的下空間。坩禍10是收納蒸鍍材料101的長(zhǎng)條狀的容器，具有長(zhǎng)方形狀的底板11和側(cè)板12，其上表面?zhèn)缺婚_放。坩禍10例如能夠通過(guò)將不銹鋼板材成型為長(zhǎng)方體狀而制作。作為制作坩禍10的原料，除了不銹鋼板，也能夠使用碳、鈦、鉭、鉬等的板材。殼體20為長(zhǎng)條的長(zhǎng)方體形狀，能夠在其內(nèi)部空間收納坩禍10。
[0070]殼體20包括:具有收納坩禍10的凹部空間21c的長(zhǎng)條長(zhǎng)方體狀的殼體主體部21，覆蓋凹部空間21c的上表面開口的殼體蓋部22，和對(duì)殼體主體部21的一端開口部進(jìn)行開閉的開閉門24;在殼體蓋部22排列設(shè)置有多個(gè)吐出口 23。殼體主體部21、殼體蓋部22、開閉門24分別通過(guò)對(duì)金屬板(例如不銹鋼板)進(jìn)行成型而制作。
[0071]殼體主體部21具有長(zhǎng)方形狀的底板21a和周壁21b，殼體蓋部22通過(guò)螺絲等固定于周壁21b之上，開閉門24通過(guò)鉸鏈等能夠開閉地安裝于殼體主體部21的一端部。
[0072]在殼體主體部21的周壁21b，開設(shè)有用于將殼體20內(nèi)的氣體向殼體20外排出的I個(gè)或多個(gè)排氣口 21dl。各排氣口 21dl的開口面積可以構(gòu)成為比各吐出口 23的開口面積大。能夠縮短氣體的排出所需要的時(shí)間。進(jìn)而，配設(shè)有:連接于排氣口 21dl、將殼體20內(nèi)與腔室2外連通的排氣管51，和與排氣管51連接、例如由真空栗、吸引栗等強(qiáng)制排氣單元、或止回閥、排出用配管等被動(dòng)的排氣單元構(gòu)成的排氣單元71。另外，在排氣管51，在到排氣單元71為止的路徑配設(shè)有作為排氣口 21dl的開閉機(jī)構(gòu)的閥61，排氣口 21dl構(gòu)成為能夠開閉。通過(guò)使排氣單元71動(dòng)作、將閥61打開，能夠經(jīng)由排氣管51將殼體20內(nèi)的氣體向腔室2外排出(圖1中的箭頭B) ο
[0073]另外，在殼體主體部21的周壁21b，開設(shè)有用于向殼體20內(nèi)導(dǎo)入氣體的I個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣口 21d2。進(jìn)而，配設(shè)有連接于進(jìn)氣口 21d2、將殼體20內(nèi)與腔室2外連通的進(jìn)氣管52和與進(jìn)氣管52連接的進(jìn)氣單元72。另外，進(jìn)氣單元72例如為填充有氬氣等惰性氣體的罐、和連接于罐的氣體供給用的栗。在進(jìn)氣管52，在到進(jìn)氣單元72為止的路徑配設(shè)有作為進(jìn)氣口 21d2的開閉機(jī)構(gòu)的閥62，進(jìn)氣口 21 d2構(gòu)成為能夠開閉。通過(guò)使進(jìn)氣單元72動(dòng)作、將閥62打開，能夠經(jīng)由進(jìn)氣管52向殼體20內(nèi)導(dǎo)入例如惰性氣體等氣體(圖1中的箭頭A)。進(jìn)而，通過(guò)同時(shí)使排氣單元71動(dòng)作、將閥61打開，能夠經(jīng)由排氣管51將殼體20內(nèi)的氣體向腔室2外排出。此時(shí)，在作為排氣單元71使用強(qiáng)制排氣單元的情況下，能夠經(jīng)由排氣管51將殼體20內(nèi)的氣體向腔室2外強(qiáng)制排氣。在作為排氣單元71使用止回閥、排出用配管等被動(dòng)的排氣單元的情況下，能夠通過(guò)由導(dǎo)入到殼體20內(nèi)的惰性氣體得到的擠出效應(yīng)將殼體20內(nèi)的氣體排氣到殼體20外。
[0074]加熱部30設(shè)置成覆蓋殼體主體部21的底板21a以及周壁21b的外表面下部。該加熱部30例如是將護(hù)套型加熱器31收納于加熱部外殼32而構(gòu)成的。在加熱部30，連接有加熱部控制器40。另外，在殼體20安裝有測(cè)定蒸鍍?cè)?的溫度的溫度傳感器41。而且，加熱部控制器40—邊監(jiān)視由溫度傳感器41測(cè)定的溫度一邊以使得該溫度與預(yù)定的設(shè)定溫度(參照?qǐng)D5(a)的溫度曲線圖)一致的方式控制加熱部30的輸出。
[0075]在這樣的構(gòu)成的蒸鍍?cè)?，通過(guò)加熱部30對(duì)坩禍10內(nèi)的蒸鍍材料101加熱而生成的蒸氣(蒸鍍物質(zhì))充滿殼體20內(nèi)，從排列設(shè)置于殼體蓋部22的多個(gè)吐出口 23噴出。此時(shí)，在坩禍10的上部的殼體主體部21的上部開口設(shè)有殼體蓋部22，所以殼體20的內(nèi)部能夠由蒸發(fā)的蒸鍍材料充滿，充滿殼體20內(nèi)的蒸鍍材料101的蒸氣通過(guò)殼體20內(nèi)壓而從各吐出口 23以相同壓力噴出。即，殼體20的內(nèi)部空間作為暫時(shí)地儲(chǔ)存蒸鍍材料101的蒸氣的緩沖器而起作用，在殼體20的內(nèi)部壓力比殼體20之外稍高的狀態(tài)下，蒸鍍物質(zhì)從在Y方向上排列設(shè)置的多個(gè)各吐出口 23被整流而噴出。通過(guò)該方法，即使在蒸發(fā)前的蒸鍍材料中存在縱長(zhǎng)方向的溫度不均，也能夠使蒸發(fā)的蒸鍍材料一度充滿殼體20內(nèi)部，所以能夠以相同蒸發(fā)速率向腔室2噴出。結(jié)果，基板寬度方向上的膜厚的均勻性提高。
[0076]<使用蒸鍍裝置I進(jìn)行的蒸鍍工藝>
[0077]對(duì)使用蒸鍍裝置I向基板100的表面進(jìn)行蒸鍍的工序進(jìn)行說(shuō)明。圖5(a)是表示在蒸鍍裝置I中控制蒸鍍?cè)?的溫度時(shí)的按時(shí)間的設(shè)定溫度的變化的溫度曲線圖的一例。(b)是腔室2內(nèi)的壓力曲線圖的一例。在蒸鍍裝置I中，基于該圖5(a)所示的溫度曲線圖控制蒸鍍?cè)?的溫度和壓力。
[0078]首先，如圖3所示，在坩禍10中填充蒸鍍材料101，將該坩禍1放入腔室2內(nèi)的殼體20之中，將開閉門24關(guān)閉。
[0079]在將閘門7關(guān)閉了的狀態(tài)下，從運(yùn)入口 5a向腔室2內(nèi)運(yùn)入基板100，驅(qū)動(dòng)真空栗而將腔室2內(nèi)從大氣壓PO減壓到真空Pl。
[0080]腔室2內(nèi)減壓到真空Pl后，在時(shí)刻t0，在將腔室2內(nèi)保持為真空的狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)蒸鍍?cè)?中的加熱部30，對(duì)坩禍10加熱。在期間t0?tl，使蒸鍍?cè)?的溫度以急劇的溫度梯度升溫到使雜質(zhì)氣體從蒸鍍材料放出的脫氣溫度TI。脫氣溫度TI是吸附于蒸鍍材料1I的水分等雜質(zhì)脫離的溫度，例如在100 °C?200 °C的范圍內(nèi)。在這里，通過(guò)在將腔室2內(nèi)減壓到真空PI的狀態(tài)下加熱坩禍10，能夠在某種程度上除去腔室2內(nèi)的雜質(zhì)后，開始坩禍10的加熱。因此，可認(rèn)為，例如與假設(shè)將腔室2內(nèi)保持為大氣壓PO而對(duì)坩禍10加熱的情況比較，能夠減輕腔室2內(nèi)的雜質(zhì)與蒸鍍材料的反應(yīng)。
[0081]接下來(lái)，如果在時(shí)刻tl蒸鍍?cè)?的溫度到達(dá)脫氣溫度Tl，則在時(shí)刻tl?t2的期間Ta，維持溫度Tl附近的恒定溫度或者緩和的溫度梯度。
[0082]在期間Ta，通過(guò)使進(jìn)氣單元72動(dòng)作并將閥62打開，經(jīng)由進(jìn)氣管52向殼體20內(nèi)導(dǎo)入例如惰性氣體等氣體。通過(guò)并行地使排氣單元71動(dòng)作并將閥61打開，經(jīng)由排氣管51將殼體20內(nèi)的氣體向腔室2外排出。通過(guò)將惰性氣體導(dǎo)入到殼體20內(nèi)而通過(guò)該擠出效應(yīng)將殼體20內(nèi)的氣體向殼體20外排氣，與僅進(jìn)行后述的排氣的情況相比較，能夠縮短排氣所需要的期間Ta。期間Ta例如能夠通過(guò)如下來(lái)確定:預(yù)先進(jìn)行對(duì)蒸鍍材料加熱的實(shí)驗(yàn)，通過(guò)氣體分析對(duì)所放出的雜質(zhì)量進(jìn)行測(cè)定，由此求出充分除去雜質(zhì)的時(shí)間，而確定期間Ta。
[0083]在這里，通過(guò)將排氣期間中的蒸鍍?cè)?的溫度維持為脫氣溫度Tl以上且小于蒸鍍時(shí)加熱溫度T2(以后，稱作“蒸鍍溫度T2”)，能夠?qū)⑴艢馄陂g的溫度設(shè)為雜質(zhì)蒸發(fā)但不產(chǎn)生蒸鍍材料101的蒸發(fā)。由此能夠防止蒸鍍材料的浪費(fèi)而有助低成本化。
[0084]在經(jīng)過(guò)脫氣所需要的期間tl?t2后，在期間t2?t3，通過(guò)使進(jìn)氣單元72停止并將閥62關(guān)閉，將向殼體20內(nèi)的氣體的導(dǎo)入停止。同時(shí)，通過(guò)使排氣單元71的動(dòng)作停止并將閥61關(guān)閉，將殼體20內(nèi)的氣體向腔室2外的排氣停止。
[0085]接下來(lái)，在期間t2?t3升溫到蒸鍍溫度T2。該蒸鍍溫度T2為比坩禍10內(nèi)的蒸鍍材料101蒸發(fā)開始的溫度T3高的溫度，例如為250?350°C的范圍內(nèi)。
[0086]在期間t3?t4，維持為蒸鍍溫度T2，對(duì)于基板100進(jìn)行蒸鍍。即，如果由傳感器8測(cè)定的蒸鍍材料的蒸發(fā)速率穩(wěn)定，則打開閘門7，一邊運(yùn)送基板100—邊向基板100的下表面蒸鍍蒸鍍物質(zhì)。由此，在基板100的下表面，均勻地蒸鍍蒸鍍物質(zhì)。
[0087]在對(duì)于基板100的蒸鍍結(jié)束時(shí)，將閘門7關(guān)閉，從運(yùn)出口5b取出基板100。通過(guò)反復(fù)進(jìn)行這樣的工序，對(duì)多個(gè)基板100進(jìn)行蒸鍍。
[0088]若伴隨著蒸鍍，收納于坩禍10內(nèi)的蒸鍍材料101變少，則使蒸鍍?cè)?的溫度下降，將真空栗停止，打開開閉門24而將坩禍10從殼體20取出，向坩禍10補(bǔ)給蒸鍍材料101。
[0089]另外，在以上的說(shuō)明中，設(shè)為在期間t0?tl中的升溫中、期間t2?t3中的升溫中以及t4?t5中的降溫中將氣體的導(dǎo)入以及排氣停止的構(gòu)成，但也可以設(shè)為在升溫中以及降溫中也接著繼續(xù)氣體的導(dǎo)入以及排氣的構(gòu)成。
[0090]< 效果 >
[0091]如以上說(shuō)明，在使用了上述蒸鍍裝置I的蒸鍍工藝中，在將蒸鍍?cè)?的溫度維持為脫氣溫度Tl附近的狀態(tài)下，在預(yù)定的期間Ta內(nèi)將氣體導(dǎo)入到殼體20內(nèi)同時(shí)將殼體20內(nèi)的氣體向腔室2外排氣。由此，能夠?qū)⒃谘a(bǔ)充蒸鍍材料101時(shí)與蒸鍍?cè)?—起向蒸鍍?cè)?的殼體20內(nèi)混入的雜質(zhì)向殼體20外排出。
[0092]如上所述，在使用了設(shè)置有具有多個(gè)吐出口23的殼體蓋部22的蒸鍍?cè)?的蒸鍍裝置中，為了抑制殼體20與腔室2的流通、提高殼體20的內(nèi)壓而設(shè)置吐出口 23，所以蒸發(fā)的雜質(zhì)在殼體20充滿，具有難以向腔室2逸出(或，逸出需要時(shí)間)的特性。而且，此時(shí)蒸鍍材料101通過(guò)加熱而處于活性比較高的狀態(tài)，所以處于容易與雜質(zhì)反應(yīng)的條件，特別是在蒸鍍材料101使用了有機(jī)材料的情況下，產(chǎn)生例如有機(jī)材料分子的H置換為OH基等這樣的蒸鍍材料的劣化。另外，考慮到存在殼體20內(nèi)作為雜質(zhì)的水分的吸附量多、內(nèi)壓急劇上升的情況，蒸鍍材料101的劣化加速。
[0093]與此相對(duì)，在本實(shí)施方式所涉及的蒸鍍裝置I中，能夠?qū)⑴c蒸鍍材料101—起向蒸鍍?cè)?的殼體20內(nèi)混入的雜質(zhì)向殼體20外排出，所以能夠防止雜質(zhì)與蒸鍍材料反應(yīng)。結(jié)果，能夠在蒸鍍工序中減輕蒸鍍材料的變質(zhì)和/或材料特性的劣化。另外，通過(guò)將溫度維持在脫氣溫度Tl附近，能夠抑制雜質(zhì)氣體一下子蒸發(fā)完。
[0094]《實(shí)施方式2》
[0095]圖6是表示實(shí)施方式2所涉及的蒸鍍裝置IX的構(gòu)造的示意剖視圖。蒸鍍裝置IX采用從實(shí)施方式I所涉及的蒸鍍裝置I去除排氣口 21dl、排氣管51、排氣單元71、閥61的構(gòu)成。對(duì)于其以外的構(gòu)成，蒸鍍裝置IX采用與蒸鍍裝置I相同構(gòu)成。
[0096]在該蒸鍍裝置IX以及使用蒸鍍裝置IX的蒸鍍方法中，其特征在于:在將蒸鍍?cè)?的溫度維持為脫氣溫度Tl附近的狀態(tài)下，在預(yù)定的期間Ta內(nèi)一邊將氣體向殼體20內(nèi)導(dǎo)入一邊同時(shí)將殼體20內(nèi)的氣體向腔室2外排氣。如圖6所示，在蒸鍍裝置IX，被連接于蒸鍍?cè)?X的進(jìn)氣口 21d2的進(jìn)氣管52與進(jìn)氣單元72連接。使蒸鍍裝置IX以圖5(a)以及(b)所示的溫度以及壓力曲線圖運(yùn)行。此時(shí)，在圖5(a)中的期間Ta，在將蒸鍍?cè)?X的溫度維持為脫氣溫度Tl附近的狀態(tài)下，使進(jìn)氣單元72動(dòng)作并將作為進(jìn)氣口 21d2的開閉機(jī)構(gòu)的閥62打開，由此在預(yù)定的期間Ta內(nèi)經(jīng)由進(jìn)氣管52向殼體20內(nèi)導(dǎo)入例如惰性氣體等氣體(圖6中的箭頭A)。由此，在蒸鍍裝置IX也與蒸鍍裝置I同樣，能夠?qū)⒃谘a(bǔ)充蒸鍍材料101時(shí)與蒸鍍?cè)?X—起混入的雜質(zhì)向腔室2外排出。因此，在蒸鍍工序中，能夠減輕蒸鍍材料的變質(zhì)和/或材料特性的劣化。
[0097]另外，也可以設(shè)為在蒸鍍工藝中也打開閥62而繼續(xù)氣體的導(dǎo)入的構(gòu)成。這是因?yàn)椋谡翦児に囍幸材軌驅(qū)㈦s質(zhì)向腔室2外排出。另外，在該情況下，不進(jìn)行如蒸鍍裝置I那樣使用排氣單元71的排氣，所以在蒸鍍工藝中蒸鍍材料不會(huì)被排出到腔室2外。
[0098]另外，在蒸鍍裝置IX中，設(shè)為在期間t0?tl中的升溫中、期間t2?t3中的升溫中以及t4?t5中的降溫中將氣體的導(dǎo)入以及排氣停止的構(gòu)成，但也可以設(shè)為在升溫中以及降溫中也接著繼續(xù)氣體的排氣的構(gòu)成。
[0099]《實(shí)施方式3》
[0100]以上，對(duì)實(shí)施方式I所涉及的蒸鍍裝置I以及使用了蒸鍍裝置I的蒸鍍方法進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明當(dāng)然并不限定于上述的實(shí)施方式I所示的例子。也能夠?qū)⒗镜臉?gòu)成設(shè)為以下的構(gòu)成。在上述的實(shí)施方式所涉及的蒸鍍裝置I以及使用了蒸鍍裝置I的蒸鍍方法中，設(shè)為下述的構(gòu)成:在將蒸鍍?cè)?的溫度維持為脫氣溫度Tl附近的狀態(tài)下，在預(yù)定的期間Ta內(nèi)一邊將氣體導(dǎo)入到殼體20內(nèi)一邊同時(shí)將殼體20內(nèi)的氣體向腔室2外排氣。然而，只要是能夠?qū)⑴c蒸鍍?cè)?—起混入的雜質(zhì)排出到殼體20外的構(gòu)成即可，也能夠設(shè)為下述的構(gòu)成。
[0101]圖7是表示實(shí)施方式3所涉及的蒸鍍裝置IA的構(gòu)造的示意剖視圖。如圖7所示，蒸鍍裝置IA采用從實(shí)施方式I所涉及的蒸鍍裝置I去除進(jìn)氣口 21d2、進(jìn)氣管52、進(jìn)氣單元72、閥62的構(gòu)成。對(duì)于其以外的構(gòu)成，蒸鍍裝置IA采用與蒸鍍裝置I相同構(gòu)成。
[0102]如圖7所示，在蒸鍍裝置IA中被連接于蒸鍍?cè)?A的排氣口21dl的排氣管51與排氣單元71連接。使蒸鍍裝置IA以圖5(a)以及(b)所示的溫度以及壓力曲線圖運(yùn)行，在圖5(a)中的期間Ta，在將蒸鍍?cè)?A的溫度維持為脫氣溫度Tl附近的狀態(tài)下，使排氣單元71動(dòng)作并將作為排氣口 21 d I的開閉機(jī)構(gòu)的閥61打開，由此在預(yù)定的期間Ta內(nèi)將殼體20內(nèi)的氣體經(jīng)由排氣管51向腔室2外排氣。排氣單元71例如由真空栗、吸引栗等強(qiáng)制排氣單元、或止回閥、排氣用配管等被動(dòng)的排氣單元構(gòu)成。由此，在蒸鍍裝置IA中也與蒸鍍裝置I同樣，能夠?qū)⒃谘a(bǔ)充蒸鍍材料101時(shí)與蒸鍍?cè)?—起混入的雜質(zhì)向腔室2外排出。因此，在蒸鍍工序中，能夠減輕蒸鍍材料的變質(zhì)和/或材料特性的劣化。另外，為了防止在蒸鍍工藝中蒸鍍材料被向腔室2外排出，優(yōu)選在蒸鍍工藝中將閥61關(guān)閉而將氣體的排氣停止。
[0103]另外，設(shè)為期間t0?tl中的升溫中、期間t2?t3中的升溫中以及t4?t5中的降溫中將氣體的導(dǎo)入以及排氣停止的構(gòu)成，但也可以設(shè)為在升溫中以及降溫中也接著繼續(xù)氣體的排氣的構(gòu)成。
[0104]<變形例〉
[0105]圖8是表示實(shí)施方式3的變形例所涉及的蒸鍍裝置IB的構(gòu)造的示意剖視圖。蒸鍍裝置IB采用從蒸鍍裝置IA去除排氣單元71的構(gòu)成。在蒸鍍裝置IB中，連接于蒸鍍?cè)?B的排氣口 21dl的排氣管51與用于對(duì)腔室2抽真空的真空栗連接。對(duì)于其以外的構(gòu)成，蒸鍍裝置IB采用與蒸鍍裝置IA相同構(gòu)成。
[0106]使蒸鍍裝置IB以圖5(b)所示的壓力曲線圖運(yùn)行，在使真空栗動(dòng)作的狀態(tài)下，在圖5
(a)中的期間Ta，在將蒸鍍?cè)?B的溫度維持為脫氣溫度Tl附近的狀態(tài)下，將作為排氣口 21dl的開閉機(jī)構(gòu)的閥61打開，由此在預(yù)定的期間Ta內(nèi)將殼體20內(nèi)的氣體經(jīng)由排氣管51向腔室2夕卜排氣。
[0107]由此，在蒸鍍裝置IB中，在省略了排氣單元71的簡(jiǎn)易的構(gòu)成中，與蒸鍍裝置IA同樣，能夠?qū)⒒烊氲秸翦儾牧?01的雜質(zhì)向腔室2排出。因此，在蒸鍍工序中，能夠減輕蒸鍍材料的變質(zhì)和/或材料特性的劣化。
[0108]另外，在以上的說(shuō)明中，優(yōu)選在蒸鍍工藝中將閥61關(guān)閉而將氣體的排氣停止。這是因?yàn)椋軌蚍乐乖谡翦児に囍姓翦儾牧媳慌懦龅角皇?外，防止蒸鍍材料的浪費(fèi)。
[0109]《實(shí)施方式4》
[0110]以上，對(duì)實(shí)施方式I所涉及的蒸鍍裝置I以及使用蒸鍍裝置I的蒸鍍方法進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明當(dāng)然并不限定于上述的實(shí)施方式I所示的例子。也能夠?qū)⒗镜臉?gòu)成設(shè)為以下的構(gòu)成。在上述的實(shí)施方式所涉及的蒸鍍裝置I以及使用蒸鍍裝置I的蒸鍍方法中，設(shè)為下述的構(gòu)成:在將蒸鍍?cè)?的溫度維持為脫氣溫度Tl附近的狀態(tài)下，在預(yù)定的期間Ta內(nèi)一邊將氣體導(dǎo)入到殼體20內(nèi)一邊同時(shí)將殼體20內(nèi)的氣體向腔室2外排氣。然而，只要是能夠?qū)⒒烊氲秸翦冊(cè)吹碾s質(zhì)向殼體20外排出的構(gòu)成即可，也能夠設(shè)為下述的構(gòu)成。
[0111]圖9是表示實(shí)施方式4所涉及的蒸鍍裝置IC的構(gòu)造的示意剖視圖。圖10是蒸鍍?cè)?C的剖視示意圖。圖11(a)是使用了實(shí)施方式4所涉及的蒸鍍裝置IC的蒸鍍方法中的蒸鍍?cè)?C的溫度曲線圖的一例，(b)是腔室2內(nèi)的壓力曲線圖的一例。
[0112]如圖9所示，蒸鍍裝置IC采用下述的構(gòu)成:從實(shí)施方式3的變形例所涉及的蒸鍍裝置IB進(jìn)而將排氣管51去除，配設(shè)有連接于I個(gè)以上的排氣口 21dl并將殼體20內(nèi)與腔室2內(nèi)連通的排氣管53，在排氣管53的路徑中配設(shè)有作為排氣口 21dl的開閉機(jī)構(gòu)的閥63。在蒸鍍裝置IC中，優(yōu)選排氣口21dl的開口面積比各吐出口23的開口面積大。另外，優(yōu)選比其他的實(shí)施方式(蒸鍍裝置1、1A、1B)中的排氣口 21dl的開口面積大。對(duì)于其以外的構(gòu)成，蒸鍍裝置IA采用與蒸鍍裝置I相同構(gòu)成。根據(jù)該構(gòu)成，通過(guò)將閥63打開，從而能夠?qū)んw20內(nèi)的氣體經(jīng)由排氣管53向腔室2內(nèi)排氣。
[0113]使實(shí)施方式4所涉及的蒸鍍裝置IC以圖11(a)以及(b)所示的溫度以及壓力曲線圖運(yùn)行，在將圖11(a)中的期間Ta所示的蒸鍍?cè)?C的溫度維持為脫氣溫度Tl附近的狀態(tài)下將閥63設(shè)為打開狀態(tài)，由此能夠在預(yù)定的期間Ta內(nèi)將殼體20內(nèi)的氣體經(jīng)由排氣管53向腔室2內(nèi)排氣。
[0114]由此，在蒸鍍裝置1C，能夠?qū)⒃谘a(bǔ)充蒸鍍材料101時(shí)與蒸鍍?cè)?—起向殼體20內(nèi)混入的雜質(zhì)向位于殼體20外的腔室2內(nèi)的空間排出。而且，向腔室2內(nèi)排出的雜質(zhì)在腔室2內(nèi)分散，通過(guò)真空裝置向腔室外排氣。
[0115]另外，優(yōu)選，在期間t3?t4中的蒸鍍工藝中將閥63關(guān)閉，將氣體的排氣停止。這是因?yàn)?，在蒸鍍工藝中從吐出?23向蒸鍍對(duì)象物100噴出蒸鍍材料101的蒸氣這一情況，能夠?qū)⒄翦儾牧?01更有效地利用于向蒸鍍對(duì)象物100的成膜。
[0116]< 效果 >
[0117]如以上說(shuō)明，在使用了上述蒸鍍裝置IC的蒸鍍工藝中，在將蒸鍍?cè)?C的溫度維持為脫氣溫度Tl附近的狀態(tài)下，在預(yù)定的期間Ta內(nèi)一邊將氣體導(dǎo)入到殼體20內(nèi)一邊同時(shí)將殼體20內(nèi)的氣體向殼體20外的腔室2內(nèi)的空間排氣。由此，能夠?qū)⒃谘a(bǔ)充蒸鍍材料101時(shí)與蒸鍍?cè)?—起向蒸鍍?cè)?的殼體20內(nèi)混入的雜質(zhì)向殼體20外排出。
[0118]在這里，如上所述，在使用了設(shè)置了具有多個(gè)吐出口23的殼體蓋部22的蒸鍍?cè)吹恼翦冄b置中，抑制殼體20與腔室2的流通，提高殼體20的內(nèi)壓。而且，此時(shí)蒸鍍材料1I通過(guò)加熱處于活性比較高的狀態(tài)，所以容易與雜質(zhì)反應(yīng)，另外在蒸鍍材料101中使用有機(jī)材料的情況下處于容易產(chǎn)生蒸鍍材料的劣化的條件下。與此相對(duì)，在蒸鍍裝置1C，能夠?qū)⑾驓んw20內(nèi)混入的雜質(zhì)至少向殼體20外排出，所以能夠防止雜質(zhì)與蒸鍍材料在殼體20內(nèi)反應(yīng)。結(jié)果，在蒸鍍工序中，能夠減輕蒸鍍材料的變質(zhì)和/或材料特性的劣化。
[0119]《實(shí)施方式5》
[0120](有機(jī)EL元件的制造工序)
[0121]圖12是對(duì)作為實(shí)施方式5所涉及的器件的制造方法的一實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明的工序圖。圖12所示的基板I是在TFT基板上涂敷感光性樹脂并通過(guò)經(jīng)由光掩模進(jìn)行曝光/顯影而形成有平坦化膜的基板。
[0122]如圖12 (a)所示，在基板100上，依次形成陽(yáng)極200、ITO層300、空穴注入層400，在空穴注入層400上形成堤500。伴隨于此在堤500彼此間形成成為元件形成區(qū)域的凹部空間500ao
[0123]陽(yáng)極200通過(guò)如下來(lái)形成:通過(guò)例如派射形成Ag薄膜，通過(guò)例如光刻法將該Ag薄膜圖形形成為矩陣狀。另外，Ag薄膜也可以使用上述的蒸鍍方法通過(guò)真空蒸鍍等形成。
[0124]ITO層300通過(guò)如下來(lái)形成:例如通過(guò)濺射形成ITO薄膜、通過(guò)例如光刻法對(duì)該ITO薄膜進(jìn)行圖形形成。
[0125]空穴注入層400使用包含WOx或MoxWyOz的組合物、通過(guò)使用上述的蒸鍍方法的真空蒸鍍法和/或?yàn)R射等技術(shù)形成。
[0126]堤500通過(guò)如下形成:在空穴注入層400上涂敷堤材料等而形成堤材料層、將形成的堤材料層的一部分除去。堤材料層的除去可以通過(guò)在堤材料層上形成抗蝕劑圖形、然后進(jìn)行蝕刻而進(jìn)行。在堤材料層的表面，也可以根據(jù)需要通過(guò)使用了氟系材料的等離子處理等實(shí)施撥液處理。堤500為線型堤，在基板I上，互相平行地形成有多個(gè)線型堤。
[0127]接下來(lái)，形成作為功能層的發(fā)光層600。如圖12(b)所示，通過(guò)噴墨法向堤500彼此間的成為子像素形成區(qū)域的凹部空間500a填充包含有機(jī)發(fā)光層的材料的墨，使印刷成膜的該膜干燥，進(jìn)行烘烤處理，從而形成發(fā)光層600。
[0128]在圖12中在I對(duì)堤500之間僅示出了I層發(fā)光層600，但在基板I上，在圖12的紙面橫向上反復(fù)并列形成有紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層、藍(lán)色發(fā)光層。在該工序中，通過(guò)填充包含R、G、B中任一方的有機(jī)發(fā)光材料的墨600a、在減壓下使填充的墨600a干燥，從而如圖12(c)所示那樣形成發(fā)光層600。
[0129]另外，雖然在圖12中未圖示，但也可以在發(fā)光層600之下通過(guò)濕式方式形成作為功能層的空穴輸送層。另外，也可以在發(fā)光層600之上通過(guò)濕式方式形成作為功能層的電子輸送層。
[0130]接下來(lái)，如圖12(d)所示，依次形成電子注入層700、陰極800、封止層900。
[0131]電子注入層700例如通過(guò)使用上述的蒸鍍方法的真空蒸鍍，將摻雜了例如堿金屬或堿土類金屬的有機(jī)材料形成薄膜。
[0132]陰極800例如通過(guò)濺射法將ITO形成薄膜。
[0133]封止層900在涂敷樹脂封止材料后、照射UV而使該樹脂封止材料固化而形成。進(jìn)而，也可以在其上載置玻璃板而封止。
[0134]經(jīng)過(guò)以上的工序，有機(jī)EL裝置完成，制造出器件。
[0135]通過(guò)用實(shí)施方式I至3所示的蒸鍍方法形成空穴注入層400、電子注入層700等有機(jī)功能層，能夠?qū)⑴c蒸鍍材料101—起向蒸鍍?cè)?的殼體20內(nèi)混入的雜質(zhì)向殼體20外排出，所以能夠防止雜質(zhì)與蒸鍍材料反應(yīng)。結(jié)果，在蒸鍍工序中，能夠減輕蒸鍍材料的變質(zhì)和/或材料特性的劣化。另外，能夠削減通過(guò)蒸鍍成膜的有機(jī)功能層所含的雜質(zhì)量，能夠成膜雜質(zhì)少的有機(jī)功能層。另外，對(duì)于Ag薄膜等金屬層，也能夠適用實(shí)施方式I至4所示的蒸鍍方法。
[0136]《總結(jié)》
[0137]如以上說(shuō)明，在上述各實(shí)施方式所涉及的蒸鍍裝置中，采用下述構(gòu)成，包括:腔室2，蒸鍍對(duì)象物100設(shè)于該腔室2內(nèi)；存在于腔室2內(nèi)、具有用于收納蒸鍍材料101的殼體20的蒸鍍?cè)?;和對(duì)蒸鍍材料101進(jìn)行加熱的加熱部30;在殼體20，開設(shè)有:將該殼體20的內(nèi)外連通、向蒸鍍對(duì)象物100吐出蒸鍍材料1I的蒸氣的多個(gè)吐出口 23;和具有開閉機(jī)構(gòu)的排氣口21dl0
[0138]由此，能夠?qū)⑴c蒸鍍材料101—起向蒸鍍?cè)?的殼體20內(nèi)混入的雜質(zhì)向殼體20外排出，所以能夠防止雜質(zhì)與蒸鍍材料反應(yīng)。結(jié)果，在蒸鍍工序中，能夠減輕蒸鍍材料的變質(zhì)和/或材料特性的劣化。
[0139]《變形例》
[0140]1.在上述實(shí)施方式中，在腔室2中僅設(shè)有I個(gè)蒸鍍?cè)?，但也可以在腔室內(nèi)設(shè)置2個(gè)以上的蒸鍍?cè)矗谠撉闆r下也在各蒸鍍?cè)催m用在上述實(shí)施方式中說(shuō)明的構(gòu)成，由此能夠減輕蒸鍍材料的變質(zhì)和/或材料特性的劣化。
[0141]2.在上述實(shí)施方式中，如圖1所示，蒸鍍?cè)?的殼體20被設(shè)置于腔室2的底板上，但殼體20也可以與腔室2形成為一體。
[0142]3.在上述實(shí)施方式中，對(duì)于蒸鍍?cè)礊殚L(zhǎng)條狀的線源的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以不必是線源，例如圓筒狀的蒸鍍?cè)匆材軌蛲瑯訉?shí)施。即，只要是在殼體的凹空間收納有坩禍、通過(guò)開設(shè)有多個(gè)吐出口的蓋體覆蓋凹空間的開口部的蒸鍍?cè)醇纯桑c蒸鍍?cè)吹男螤顭o(wú)關(guān)地，在坩禍的底面和/或坩禍的凸緣設(shè)置多個(gè)支撐凸部、或在殼體設(shè)置多個(gè)支撐凸部，由此能夠同樣得到抑制坩禍與殼體的固定的效果。
[0143]4.在上述實(shí)施方式5中，使用具有I個(gè)噴墨頭的液滴吐出裝置，將墨涂敷于基板，形成發(fā)光層600。然而，例如也能夠通過(guò)蒸鍍法成膜發(fā)光層600。在該情況下，能夠適用實(shí)施方式I至4所示的蒸鍍方法而成膜，能夠防止雜質(zhì)混入到成膜的有機(jī)功能層。
[0144]5.上述的工序的執(zhí)行順序是為了具體地說(shuō)明本發(fā)明而例示的，也可以是上述以外的順序。另外，上述工序的一部分也可以與其他的工序同時(shí)(并列)執(zhí)行。另外，也可以將各實(shí)施方式所涉及的液滴吐出裝置的吐出口檢查方法、液滴吐出裝置的檢查方法、檢查方法、器件的制造方法、以及其變形例的功能中至少一部分組合。進(jìn)而，對(duì)于本實(shí)施方式實(shí)施本領(lǐng)域技術(shù)人員能想到的范圍內(nèi)的變更而得的各種變形例也包含于本發(fā)明。
[0145]《補(bǔ)充》
[0146]以上說(shuō)明的實(shí)施方式都表示本發(fā)明的優(yōu)選的一具體例。實(shí)施方式所示的數(shù)值、形狀、材料、構(gòu)成要素、構(gòu)成要素的配置位置以及連接形態(tài)、工序、工序的順序等為一例，并不意在限定本發(fā)明。另外，對(duì)于實(shí)施方式中的構(gòu)成要素中、沒(méi)有記載于表示本發(fā)明的最上位概念的獨(dú)立權(quán)利要求中的工序，作為構(gòu)成更優(yōu)選的形態(tài)的任意的構(gòu)成要素而進(jìn)行說(shuō)明。
[0147]另外，為了使發(fā)明容易理解，在上述各實(shí)施方式中列舉的各圖的構(gòu)成要素的比例尺有時(shí)與實(shí)際不同。另外本發(fā)明并不限定于上述各實(shí)施方式的記載，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)能夠適當(dāng)變更。
[0148]進(jìn)而，在蒸鍍裝置中在基板上也存在電路部件、引線等構(gòu)件，但對(duì)于電氣布線、電氣電路能夠基于該技術(shù)領(lǐng)域中的常識(shí)而實(shí)施各種實(shí)施方式，與本發(fā)明的說(shuō)明無(wú)直接關(guān)系，所以將說(shuō)明省略。另外，上述所示的各圖為示意圖，不一定嚴(yán)密地進(jìn)行圖示。
[0149]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0150]本發(fā)明能夠廣泛利用于蒸鍍裝置、以及使用蒸鍍法制造的例如有機(jī)發(fā)光元件和/或TFT基板等器件的制造領(lǐng)域的全體等。
[0151]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0152]1、1X、1A、1B、1C:蒸鍍裝置
[0153]2:腔室
[0154]3:腔室排氣口
[0155]4:分隔板
[0156]4a:窗
[0157]5a:運(yùn)入口
[0158]5b:運(yùn)出口
[0159]6、6X、6A、6B、6C:蒸鍍?cè)?br>[0160]7:閘門
[0161]10:1甘禍
[0162]20:殼體
[0163]21:殼體主體部
[0164]21a:底板
[0165]21b:周壁
[0166]22:殼體蓋部
[0167]23:吐出口
[0168]30:加熱部
[0169]51、53:排氣管
[0170]52:進(jìn)氣管
[0171]61、62、63:閥(開閉機(jī)構(gòu))
[0172]71:排氣單元
[0173]72:進(jìn)氣單元
[0174]100:基板(蒸鍍對(duì)象物)
[0175]101:蒸鍍材料
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種蒸鍍裝置，包括: 腔室，蒸鍍對(duì)象物設(shè)于該腔室內(nèi)； 存在于所述腔室內(nèi)、具有用于收納蒸鍍材料的殼體的蒸鍍?cè)?和 對(duì)所述蒸鍍材料進(jìn)行加熱的加熱部； 在所述殼體開設(shè)有:將該殼體的內(nèi)外連通、向所述蒸鍍對(duì)象物吐出所述蒸鍍材料的蒸氣的多個(gè)吐出口 ；和能夠開閉的排氣口。2.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，包括: 連接于所述排氣口、將所述殼體內(nèi)與所述腔室外連通的排氣管;和 將所述殼體內(nèi)的氣體經(jīng)由所述排氣管向所述腔室外排氣的排氣單元。3.如權(quán)利要求1或2所述的蒸鍍裝置， 在所述殼體還開設(shè)有進(jìn)氣口； 所述蒸鍍裝置包括: 連接于所述進(jìn)氣口、將所述殼體內(nèi)與所述腔室外連通的進(jìn)氣管;和 使氣體經(jīng)由所述進(jìn)氣管進(jìn)入所述殼體內(nèi)的進(jìn)氣單元。4.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置， 所述排氣口將所述殼體內(nèi)與所述殼體外的所述腔室內(nèi)的空間連通。5.如權(quán)利要求1至4的任意I項(xiàng)所述的蒸鍍裝置， 所述排氣口構(gòu)成為能夠通過(guò)閥開閉。6.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置， 所述殼體具有: 具有底板和圍繞所述底板的周壁的殼體主體部;和 與所述底板相對(duì)向、并與所述底板以及所述周壁一起形成收納所述蒸鍍材料的內(nèi)部空間的殼體蓋部； 在所述殼體主體部開設(shè)所述排氣口，在所述殼體蓋部開設(shè)所述多個(gè)吐出口。7.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置， 在所述殼體，內(nèi)設(shè)有收納所述蒸鍍材料的坩禍。8.—種蒸鍍?cè)?，是在用于將有機(jī)層形成于蒸鍍對(duì)象物的蒸鍍裝置中使用的蒸鍍?cè)矗?具有在內(nèi)部收納蒸鍍材料的殼體； 在所述殼體開設(shè)有:將該殼體的內(nèi)外連通、向所述蒸鍍對(duì)象物吐出所述蒸鍍材料的蒸氣的多個(gè)吐出口 ；和能夠開閉的排氣口。9.如權(quán)利要求8所述的蒸鍍?cè)矗?包括收納所述蒸鍍材料的坩禍； 所述殼體具有: 具有底板和圍繞所述底板的周壁的殼體主體部;和 與所述底板相對(duì)向、并與所述底板以及所述周壁一起形成收納所述坩禍的內(nèi)部空間的殼體蓋部； 在所述殼體主體部開設(shè)所述排氣口，在所述殼體蓋部開設(shè)所述多個(gè)吐出口。10.—種蒸鍍方法，是使用如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置向所述蒸鍍對(duì)象物蒸鍍所述蒸鍍材料的蒸鍍方法，包括: 在所述排氣口打開的狀態(tài)下以預(yù)定時(shí)間將所述蒸鍍材料維持為脫氣溫度附近的溫度的工序;和 在維持為所述脫氣溫度附近的溫度后，在所述排氣口關(guān)閉了的狀態(tài)下，將所述蒸鍍材料維持為比所述脫氣溫度高的蒸鍍時(shí)加熱溫度而從開設(shè)于所述殼體的多個(gè)吐出口吐出所述蒸鍍材料的蒸氣，將所述蒸鍍材料蒸鍍于所述蒸鍍對(duì)象物上的工序。11.如權(quán)利要求1O所述的蒸鍍方法， 在將所述蒸鍍材料維持為脫氣溫度附近的溫度的工序中，一邊經(jīng)由將所述排氣口與所述腔室外連通的排氣管將所述殼體內(nèi)的氣體向所述腔室外排氣，一邊對(duì)所述蒸鍍材料進(jìn)行加熱。12.如權(quán)利要求11所述的蒸鍍方法， 在將所述蒸鍍材料維持為脫氣溫度附近的溫度的工序中，一邊經(jīng)由將開設(shè)于所述殼體的進(jìn)氣口與所述腔室外連通的進(jìn)氣管使氣體進(jìn)入所述殼體內(nèi)，一邊對(duì)所述蒸鍍材料進(jìn)行加執(zhí).JtW ， 在蒸鍍所述蒸鍍材料的工序中，在將所述進(jìn)氣口關(guān)閉了的狀態(tài)下將所述蒸鍍材料蒸鍍于所述蒸鍍對(duì)象物上。13.如權(quán)利要求11所述的蒸鍍方法， 在將所述蒸鍍材料維持為脫氣溫度附近的溫度的工序中，一邊經(jīng)由將開設(shè)于所述殼體的進(jìn)氣口與所述腔室外連通的進(jìn)氣管使氣體進(jìn)入所述殼體內(nèi)，一邊對(duì)所述蒸鍍材料進(jìn)行加執(zhí).JtW ， 在蒸鍍所述蒸鍍材料的工序中，一邊經(jīng)由所述進(jìn)氣管向所述殼體內(nèi)供給氣體，一邊將所述蒸鍍材料蒸鍍于所述蒸鍍對(duì)象物上。14.如權(quán)利要求1O所述的蒸鍍方法， 在將所述蒸鍍材料維持為脫氣溫度附近的溫度的工序中，一邊經(jīng)由所述排氣口將所述殼體內(nèi)的氣體向所述殼體外的所述腔室內(nèi)的空間排氣，一邊對(duì)所述蒸鍍材料進(jìn)行加熱； 在蒸鍍所述蒸鍍材料的工序中，在將所述排氣口關(guān)閉了的狀態(tài)下將所述蒸鍍材料蒸鍍于所述蒸鍍對(duì)象物上。15.一種器件的制造方法， 使用如權(quán)利要求10至14的任意I項(xiàng)所述的蒸鍍方法，在所述蒸鍍對(duì)象物上形成由所述蒸鍍材料構(gòu)成的層。
【文檔編號(hào)】C23C14/24GK106062240SQ201580012609
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2015年2月24日 公開號(hào)201580012609.3, CN 106062240 A, CN 106062240A, CN 201580012609, CN-A-106062240, CN106062240 A, CN106062240A, CN201580012609, CN201580012609.3, PCT/2015/902, PCT/JP/15/000902, PCT/JP/15/00902, PCT/JP/2015/000902, PCT/JP/2015/00902, PCT/JP15/000902, PCT/JP15/00902, PCT/JP15000902, PCT/JP1500902, PCT/JP2015/000902, PCT/JP2015/00902, PCT/JP2015000902, PCT/JP201500902
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