一種半導(dǎo)體設(shè)備中用于屏蔽成膜區(qū)防打火機(jī)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種接地裝置，確切地說是一種半導(dǎo)體設(shè)備中用于屏蔽成膜區(qū)域打火的接地裝置，屬于半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制備技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備中，有一類設(shè)備的工作原理或薄膜制備工藝要求是，真空反應(yīng)腔體內(nèi)，噴淋裝置位于上方，薄膜襯底及其承載件位于下方，在噴淋裝置上加載射頻電壓使其形成上電極，薄膜襯底下方的承載件接地形成下電極，薄膜生長(zhǎng)過程中通入工藝氣體，在上電極加載高頻電壓，既在工藝氣體均勻地從噴淋裝置中噴出時(shí)，上電極噴淋裝置與下電極接地的薄膜襯底承載件之間產(chǎn)生射頻電場(chǎng)，使工藝氣體發(fā)生輝光放電，獲得足夠的能量在薄膜襯底上反應(yīng)生長(zhǎng)薄膜。但在這一過程中，上電極噴淋裝置與下電極薄膜襯底承載件之間，會(huì)因各種因素，如:承載件表面有尖點(diǎn)等硬件缺陷、射頻電源不穩(wěn)定及反應(yīng)腔體中有顆粒等等，產(chǎn)生打火，直接導(dǎo)致薄膜在襯底上被燒焦，噴淋裝置表面和承載件表面產(chǎn)生焦糊狀印記等嚴(yán)重后果，損壞薄膜襯底致使薄膜生長(zhǎng)失敗，還要將有打火印記的硬件拆卸清洗、若無法恢復(fù)還將報(bào)廢，造成薄膜生產(chǎn)中斷及硬件損壞等重大損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型以消除上電極噴淋裝置與下電極薄膜襯底承載件之間的打火，自身接地并與上電極噴淋裝置形成新的上下電極并產(chǎn)生射頻電場(chǎng)，充分活化工藝氣體分子，并使工藝氣體均勻通過本實(shí)用新型落到薄膜襯底上反應(yīng)生成薄膜為目的確保薄膜襯底上不產(chǎn)生打火，使工藝氣體平穩(wěn)反應(yīng)生成薄膜產(chǎn)品。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用下述技術(shù)方案:
[0005]半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備在進(jìn)行生長(zhǎng)薄膜工藝時(shí)，噴淋裝置加載射頻電壓，噴淋裝置作為上電極，薄膜襯底下方的承載件接地，作為下電極，當(dāng)通入工藝氣體時(shí)，上下電極產(chǎn)生射頻電場(chǎng)，增強(qiáng)工藝氣體化學(xué)反應(yīng)。本實(shí)用新型將安裝于上下電極之間，亦薄膜襯底上方，與上電極形成新的上下電極結(jié)構(gòu)，使工藝氣體分子充分活化的同時(shí)，均勻的從該發(fā)明下方落到襯底上反應(yīng)生長(zhǎng)薄膜，防止打火產(chǎn)生在薄膜襯底上。
[0006]具體技術(shù)方案:一種半導(dǎo)體設(shè)備中用于屏蔽成膜區(qū)防打火機(jī)構(gòu)，該機(jī)構(gòu)將一導(dǎo)電優(yōu)良的金屬，制成片狀，并加工出密集且排列均勻的小孔，將其嵌入到片狀絕緣盤內(nèi)部，使其有一部分露出于絕緣片，再在絕緣片上加工出與此金屬片小孔排列方式相同的小孔。所述絕緣片的小孔略小于金屬片的小孔，這樣，絕緣片除了在某一特定位置露出金屬片的一部分，金屬片的其他部分完全被絕緣片包覆。
[0007]使用時(shí)，將絕緣片安裝于反應(yīng)腔中，置于上電極噴淋裝置與下電極薄膜襯底承載件之間，使暴露于絕緣片外部的一部分優(yōu)良導(dǎo)電金屬與腔體或其他接地零件接觸，這時(shí)，上電極噴淋裝置與包覆導(dǎo)電金屬片的絕緣片就形成了上下電極，工藝反應(yīng)使將射頻電壓加載到噴淋裝置上，噴淋裝置與絕緣片之間就產(chǎn)生了射頻電場(chǎng)，使工藝氣體輝光放電，在輝光放電區(qū)域產(chǎn)生大量高能電子，促使工藝氣體分子活化，均勻地通過絕緣片密集而排列均勻的小孔并吸附在薄膜襯底上，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成薄膜。同時(shí)，將可能產(chǎn)生打火的區(qū)域限定在噴淋裝置與絕緣片之間，消除絕緣片與薄膜襯底之間的區(qū)域的電位差，使工藝反應(yīng)平穩(wěn)進(jìn)行。
[0008]本實(shí)用新型的有益效果及特點(diǎn)在于:
[0009]使用具有簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的絕緣件，將優(yōu)良導(dǎo)電性能的金屬片嵌入到絕緣件中，金屬片與絕緣件都有排列規(guī)律相同的密集小孔且金屬片的小孔略小于絕緣件小孔，使絕緣件完全包覆金屬片而僅暴露出絕緣件一部分金屬。另，這一部分金屬接觸腔體或其他接地零件，與加載射頻電壓的噴淋裝置組成上下電極，使薄膜襯底脫離射頻電場(chǎng)區(qū)域，避免薄膜因打火而制備失敗。
【附圖說明】
[0010]圖1是本實(shí)用新型的導(dǎo)電金屬件結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2是本實(shí)用新型的安裝示意圖。
[0012]圖3是圖2的局部放大圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]實(shí)施例
[0014]參照?qǐng)D1，一種半導(dǎo)體設(shè)備中用于屏蔽成膜區(qū)防打火機(jī)構(gòu)，該機(jī)構(gòu)選用金屬鉬材料，制成圓形薄片2，在圓形薄片2的邊緣處，連接一條金屬鉬圓柱3，在金屬鉬圓柱3的另一端連接一片狀金屬鉬圓環(huán)1，圓環(huán)1外徑為A，在圓形薄片2上，均勻并規(guī)律排列鉬金屬片小孔4，所有鉬金屬片小孔4的直徑為D。
[0015]參照?qǐng)D2和圖3，加工一圓筒形陶瓷件6，使陶瓷件6完全包覆金屬鉬零件，即陶瓷件6底面及厚度完全包覆金屬鉬圓形薄片2，加工與金屬鉬薄片2具有相同排列規(guī)律的小孔10，使小孔10直徑d略小于鉬金屬片小孔4直徑D。陶瓷件6的圓筒壁完全包覆金屬鉬的圓柱3。圓筒形陶瓷件6筒壁外徑為B，使金屬鉬圓環(huán)1外徑A略大于圓筒形陶瓷件6的筒壁外徑B，則陶瓷件6筒壁上端包覆金屬鉬的圓環(huán)1時(shí)，圓環(huán)1露出陶瓷件6筒壁上端邊緣。
[0016]所述圓環(huán)1露出陶瓷件6筒壁上端邊緣的尺寸是金屬鉬圓環(huán)1外徑A與筒壁外徑B差的1/2。
[0017]安裝時(shí)，將陶瓷件6放入薄膜襯底承載件11上方，薄膜襯底承載件11為接地狀態(tài)，金屬鉬圓環(huán)1露出陶瓷件6筒壁上端邊緣(A-B) /2的部分接觸接地狀態(tài)的腔體9，此時(shí)，包覆金屬鉬的陶瓷件6與薄膜襯底承載件11之間同為零電勢(shì)，二者之間沒有電位差。這樣，在位于上蓋板8中的有絕緣陶瓷件7隔離的噴淋裝置5上加載射頻電壓，并通入工藝氣體，工藝氣體從噴淋裝置5噴出，工藝氣體粒子被作為上電極的噴淋裝置5和包覆金屬鉬的下電極陶瓷件6之間產(chǎn)生的射頻電場(chǎng)活化，經(jīng)過陶瓷件6上與金屬鉬薄片2具有相同排列規(guī)律的小孔10均勻落在承載件11的薄膜襯底上，形成薄膜，這一過程中，打火將發(fā)生在上電極的噴淋裝置5和包覆金屬鉬的下電極陶瓷件6之間，而薄膜在薄膜襯底上形成的這一過程則發(fā)生在包覆金屬鉬的陶瓷件6與薄膜襯底承載件11之間，由于二者沒有電位差，覆膜反應(yīng)不會(huì)受到打火的干擾。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體設(shè)備中用于屏蔽成膜區(qū)防打火機(jī)構(gòu)，其特征在于:將一導(dǎo)電金屬制成片狀，并加工出密集且排列均勻的小孔，將其嵌入到片狀絕緣盤內(nèi)部，使其有一部分露出于絕緣片，再在絕緣片上加工出與此金屬片小孔排列方式相同的小孔，所述絕緣片的小孔略小于金屬片的小孔。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備中用于屏蔽成膜區(qū)防打火機(jī)構(gòu)，其特征在于:選用金屬鉬材料，制成圓形薄片，在圓形薄片的邊緣處，連接一條金屬鉬圓柱，在金屬鉬圓柱的另一端連接一片狀金屬鉬圓環(huán)，圓環(huán)外徑為A，在圓形薄片上，均勻并規(guī)律排列鉬金屬片小孔，鉬金屬片小孔的直徑為D。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備中用于屏蔽成膜區(qū)防打火機(jī)構(gòu)，其特征在于:加工一圓筒形陶瓷件，使陶瓷件完全包覆金屬鉬零件，即陶瓷件底面及厚度完全包覆金屬鉬圓形薄片，加工與金屬鉬薄片具有相同排列規(guī)律的小孔，使小孔直徑d略小于鉬金屬片小孔直徑D，陶瓷件的圓筒壁完全包覆金屬鉬的圓柱，圓筒形陶瓷件的筒壁外徑為B，使金屬鉬圓環(huán)外徑A略大于圓筒形陶瓷件的筒壁外徑B，則陶瓷件筒壁上端包覆金屬鉬的圓環(huán)時(shí)，圓環(huán)露出陶瓷件筒壁上端邊緣。4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體設(shè)備中用于屏蔽成膜區(qū)防打火機(jī)構(gòu)，其特征在于:所述圓環(huán)露出陶瓷件筒壁上端邊緣的尺寸是金屬鉬圓環(huán)外徑A與陶瓷件筒壁外徑B差的1/2。
【專利摘要】一種半導(dǎo)體設(shè)備中用于屏蔽成膜區(qū)防打火機(jī)構(gòu)，是以消除上電極噴淋裝置與下電極薄膜襯底承載件之間打火為目的。該機(jī)構(gòu)將一導(dǎo)電優(yōu)良的金屬，制成片狀，并加工出密集且排列均勻的小孔，將其嵌入到片狀絕緣盤內(nèi)部，使其有一部分露出于絕緣片，再在絕緣片上加工出與此金屬片小孔排列方式相同的小孔。所述絕緣片的小孔略小于金屬片的小孔，這樣，絕緣片除了在某一特定位置露出金屬片的一部分，金屬片的其他部分完全被絕緣片包覆。使用時(shí)，將絕緣片安裝于反應(yīng)腔中，置于上電極噴淋裝置與下電極薄膜襯底承載件之間，使暴露于絕緣片外部的一部分優(yōu)良導(dǎo)電金屬與腔體或其他接地零件接觸，消除絕緣片與薄膜襯底之間的區(qū)域的電位差，使工藝反應(yīng)平穩(wěn)進(jìn)行，避免薄膜因打火而制備失敗。
【IPC分類】C23C16/452
【公開號(hào)】CN205077138
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520821972
【發(fā)明人】呂光泉, 蘇欣, 吳鳳麗
【申請(qǐng)人】沈陽(yáng)拓荊科技有限公司
【公開日】2016年3月9日
【申請(qǐng)日】2015年10月21日