一種蒸鍍裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開一種蒸鍍裝置，涉及蒸鍍技術(shù)領(lǐng)域，為解決因基板發(fā)生坍塌而導(dǎo)致蒸鍍在基板上的圖案的位置精度降低的問題。所述蒸鍍裝置包括真空蒸鍍室，真空蒸鍍室內(nèi)設(shè)置有蒸鍍源單元、基板載具和冷卻板，其中，基板載具位于蒸鍍源單元的上方，待蒸鍍基板安裝在基板載具，冷卻板位于待蒸鍍基板的上方；冷卻板中設(shè)置有吸附安置孔；吸附安置孔內(nèi)設(shè)置有對待蒸鍍基板進行吸附的吸附件，吸附件可相對待蒸鍍基板上下移動。所述蒸鍍裝置通過吸附件吸附待蒸鍍基板，使待蒸鍍基板與冷卻板接觸，并使待蒸鍍基板保持平整，減小待蒸鍍基板的坍塌程度，改善蒸鍍在待蒸鍍基板上的圖案的位置精度。
【專利說明】
一種蒸鍍裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及蒸鍍技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種蒸鍍裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]真空蒸發(fā)鍍膜法(簡稱真空蒸鍍法)是在真空蒸鍍室中通過蒸鍍源對蒸鍍材料進行加熱，使蒸鍍材料的原子或分子從其表面氣化逸出形成蒸汽流，入射到待蒸鍍基板表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法。真空蒸鍍法已經(jīng)廣泛應(yīng)用于顯示器件的制作過程，例如OLED顯示面板的陰極、陽極以及位于陰極和陽極之間的發(fā)光材料層。
[0003]現(xiàn)有的蒸鍍裝置通常包括真空蒸鍍室，真空蒸鍍室內(nèi)設(shè)置有蒸鍍源單元、掩膜版載具、基板載具和冷卻板，待蒸鍍基板安裝在基板載具上，掩膜版安裝在掩膜版載具上，掩膜版、待蒸鍍基板和冷卻板依次層疊在蒸鍍源單元的上方。當(dāng)對待蒸鍍基板進行蒸鍍時，待蒸鍍基板通常水平安裝在基板載具上，由于待蒸鍍基板的面積較大且厚度較薄，待蒸鍍基板通常會發(fā)生坍塌，因而導(dǎo)致待蒸鍍基板與掩膜版之間的對位不準(zhǔn)，造成蒸鍍在待蒸鍍基板上的圖案的位置精度降低。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的在于提供一種蒸鍍裝置，用于解決因待蒸鍍基板發(fā)生坍塌而導(dǎo)致蒸鍍在待蒸鍍基板上的圖案的位置精度降低的技術(shù)問題。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案:
[0006]—種蒸鍍裝置，包括真空蒸鍍室，所述真空蒸鍍室內(nèi)設(shè)置有蒸鍍源單元、基板載具和冷卻板，其中，所述基板載具位于所述蒸鍍源單元的上方，待蒸鍍基板安裝在所述基板載具上，所述冷卻板位于所述待蒸鍍基板的上方;所述冷卻板中設(shè)置有吸附安置孔，所述吸附安置孔內(nèi)設(shè)置有對所述待蒸鍍基板進行吸附的吸附件，所述吸附件可相對所述待蒸鍍基板上下移動。
[0007]當(dāng)采用本實用新型提供的蒸鍍裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍時，將待蒸鍍基板安裝在基板載具上后，使吸附件向下移動，即吸附件朝向待蒸鍍基板移動，吸附件與待蒸鍍基板接觸，并吸附待蒸鍍基板，此時使吸附件停止向下移動;然后使吸附件向上移動，即吸附件背向待蒸鍍基板移動，以使待蒸鍍基板與冷卻板接觸，并使待蒸鍍基板保持平整，減小待蒸鍍基板的坍塌程度，進而改善蒸鍍在待蒸鍍基板上的圖案的位置精度。
【附圖說明】
[0008]此處所說明的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，構(gòu)成本實用新型的一部分，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0009]圖1為本實用新型實施例提供的蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2為圖1中吸附件吸附待蒸鍍基板時的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖3為圖1中吸附件完成對待蒸鍍基板的吸附時的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖4為圖1中吸附件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖5為圖1中待蒸鍍基板與吸附件分離時的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]附圖標(biāo)記:
[0015]10-蒸鍍源單元，20-基板載具，
[0016]21-待蒸鍍基板，30-冷卻板，
[0017]31-吸附安置孔，32-吸附件，
[0018]32a-吸附體，32b_物理吸附面，
[0019]32c-支撐柱，33-距離傳感器，
[0020]34-頂柱安置孔，35-頂柱，
[0021]40-掩膜版，50-緊貼單元，
[0022]60-真空蒸鍍室。
【具體實施方式】
[0023]為了進一步說明本實用新型實施例提供的蒸鍍裝置，下面結(jié)合說明書附圖進行詳細描述。
[0024]請參閱圖1，本實用新型實施例提供的蒸鍍裝置包括真空蒸鍍室60，真空蒸鍍室60內(nèi)設(shè)置有蒸鍍源單元10、基板載具20和冷卻板30，其中，基板載具20位于蒸鍍源單元10的上方，待蒸鍍基板21安裝在基板載具20上，冷卻板30位于待蒸鍍基板21的上方;冷卻板30中設(shè)置有吸附安置孔31，吸附安置孔31內(nèi)設(shè)置有對待蒸鍍基板21進行吸附的吸附件32，吸附件32可相對待蒸鍍基板21上下移動。
[0025]舉例來說，請參閱圖1，本實用新型實施例提供的蒸鍍裝置包括主體和位于主體內(nèi)的真空蒸鍍室60，圖1中真空蒸鍍室60的下部設(shè)置有蒸鍍源單元10，蒸鍍源單元10的噴嘴的開口朝向上方，蒸鍍源單元10的上方設(shè)置有掩膜版載具、基板載具20和冷卻板30，掩膜版載具用于固定掩膜版40，基板載具20用于固定待蒸鍍基板21，掩膜版40、待蒸鍍基板21和冷卻板30由下至上依次設(shè)置在蒸鍍源單元10的上方，待蒸鍍基板21的下表面為蒸鍍面，待蒸鍍基板21的下表面可與掩膜版40緊貼，待蒸鍍基板21的上表面可與冷卻板30接觸;冷卻板30內(nèi)設(shè)置有吸附安置孔31，吸附安置孔31的一端開口位于冷卻板30上朝向待蒸鍍基板21的表面，即吸附安置孔31的一端開口位于圖1中冷卻板30的下表面上，吸附安置孔31內(nèi)設(shè)置有吸附件32，吸附件32可朝向待蒸鍍基板21移動和背向待蒸鍍基板21移動，即吸附件32可沿圖1中上下方向移動，以吸附待蒸鍍基板21。
[0026]當(dāng)使用上述實施例提供的蒸鍍裝置時，可以先將待蒸鍍基板21安裝在基板載具20上，請參閱圖2，然后使吸附件32向下移動，吸附件32與待蒸鍍基板21接觸，并吸附待蒸鍍基板21，此時使吸附件32停止向下移動;請參閱圖3，然后使吸附件32向上移動，帶動待蒸鍍基板21的中部向上移動，以使待蒸鍍基板21與冷卻板30接觸，并使待蒸鍍基板21保持平整;然后將掩膜版40固定在掩膜版載具上，并使掩膜版40與待蒸鍍基板21的蒸鍍面貼合;然后封閉真空蒸鍍室60，對真空蒸鍍室60抽取真空，使真空蒸鍍室60內(nèi)保持真空環(huán)境;然后開啟蒸鍍源單元10，以對待蒸鍍基板21的蒸鍍面進行蒸鍍。
[0027]由上述可知，當(dāng)采用本實用新型實施例提供的蒸鍍裝置對待蒸鍍基板21的蒸鍍面進行蒸鍍時，將待蒸鍍基板21安裝在基板載具20上后，使吸附件32向下移動，也就是使吸附件32朝向待蒸鍍基板21移動，吸附件32與待蒸鍍基板21接觸，并吸附待蒸鍍基板21，此時使吸附件32停止向下移動;然后使吸附件32向上移動，也就是使吸附件32背向待蒸鍍基板21移動，以使待蒸鍍基板21與冷卻板30接觸，并使待蒸鍍基板21保持平整，減小待蒸鍍基板21的坍塌程度，進而改善蒸鍍在待蒸鍍基板21上的圖案的位置精度。
[0028]在上述實施例中，利用吸附件32吸附待蒸鍍基板21時，可以采用多種方式，例如，可以將吸附件32與真空抽取裝置連通，當(dāng)利用吸附件32對待蒸鍍基板21吸附時，則開啟真空抽取裝置，使吸附件32與待蒸鍍基板21之間保持真空，實現(xiàn)吸附件32對待蒸鍍基板21的吸附。
[0029]在本實用新型實施例中，采用物理吸附的方式使吸附件32吸附待蒸鍍基板21。請參閱圖1和圖4，吸附件32包括吸附體32a和支撐柱32c，吸附體32a呈梯形臺結(jié)構(gòu)，吸附體32a的大端面為物理吸附面32b;支撐柱32c與吸附驅(qū)動裝置連接，吸附驅(qū)動裝置驅(qū)動吸附件相對待蒸鍍基板21上下移動。當(dāng)使用時，將待蒸鍍基板21安裝在基板載具20上后，啟動吸附驅(qū)動裝置，通過吸附驅(qū)動裝置驅(qū)動支撐柱32c，以帶動吸附體32a朝向待蒸鍍基板21移動，吸附件32的物理吸附面32b與待蒸鍍基板21接觸后，停止使吸附件32朝向待蒸鍍基板21移動，例如關(guān)閉吸附驅(qū)動裝置，此時，物理吸附面32b與待蒸鍍基板21接觸，物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間產(chǎn)生物理吸附，即吸附件32吸附待蒸鍍基板21;然后通過吸附驅(qū)動裝置使吸附件32背向待蒸鍍基板21移動，帶動待蒸鍍基板21的中部移動，以使待蒸鍍基板21與冷卻板30接觸，并使待蒸鍍基板21保持平整。
[0030]上述實施例中，采用物理吸附的方式使吸附件32吸附待蒸鍍基板21，即物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間產(chǎn)生物理吸附，為了改善物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的吸附可靠性，物理吸附面32b的表面粗糙度優(yōu)選為5μπι?ΙΟμπι。如此設(shè)計，由于物理吸附面32b具有一定的表面粗糙度，物理吸附面32b與待蒸鍍基板21接觸時，可以增加物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的吸附力，進而改善物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的吸附可靠性，防止因物理吸附面32b的表面粗糙度較低而導(dǎo)致物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的吸附可靠性降低，同時還可以防止因物理吸附面32b的表面粗糙度較高而導(dǎo)致物理吸附面32b劃傷待蒸鍍基板21。
[0031]上述實施例中，冷卻板30中的吸附安置孔31可以為一個，也可以為多個，吸附件32的數(shù)量也可以根據(jù)實際需要進行設(shè)定，例如，在冷卻板30中設(shè)置一個吸附安置孔31，并在該吸附安置孔31內(nèi)設(shè)置一個吸附件32;或者，在冷卻板30中設(shè)置兩個或兩個以上的吸附安置孔31，并在每個吸附安置孔31中設(shè)置一個吸附件32。
[0032]在本實用新型實施例中，請繼續(xù)參閱圖1，吸附安置孔31的數(shù)量為多個，多個吸附安置孔31均勻分布在冷卻板30中，且每個吸附安置孔31內(nèi)設(shè)置有一個吸附件32。如此設(shè)計，當(dāng)利用吸附件32對待蒸鍍基板21進行吸附時，待蒸鍍基板21的各個區(qū)域均可以受到對應(yīng)的吸附件32的吸附力，因而待蒸鍍基板21的各個區(qū)域受力較均勻，防止待蒸鍍基板21的各個區(qū)域受力不均而導(dǎo)致待蒸鍍基板21的變形。另外，當(dāng)利用吸附件32對待蒸鍍基板21進行吸附時，由于待蒸鍍基板21的各個區(qū)域均可以受到對應(yīng)的吸附件32的吸附力，因而可以改善待蒸鍍基板21的平整度，進一步減小待蒸鍍基板21的坍塌程度。
[0033]當(dāng)將待蒸鍍基板21固定在基板載具20上后，待蒸鍍基板21的中部因受重力發(fā)生坍塌，因而利用吸附件32對待蒸鍍基板21進行吸附時，待蒸鍍基板21的各個區(qū)域?qū)?yīng)的吸附件32所需要移動的距離不同，因此，為了調(diào)節(jié)各個吸附件32的移動距離，以改善待蒸鍍基板21的各個區(qū)域的受力均勻性，請參閱圖4，每個吸附件32上設(shè)置有檢測對應(yīng)的吸附件32與待蒸鍍基板21之間的初始距離的距離傳感器33，距離傳感器33與蒸鍍裝置的控制器連接。當(dāng)將待蒸鍍基板21安裝在基板載具20上后，距離傳感器33則檢測對應(yīng)的吸附件32的物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的初始距離，并將對應(yīng)的吸附件32的物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的初始距離傳送給控制器，控制器則根據(jù)距離傳感器33所檢測的對應(yīng)的吸附件32的物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的初始距離獲取對應(yīng)的吸附件32的移動距離，并向吸附驅(qū)動裝置發(fā)送使吸附驅(qū)動裝置驅(qū)動對應(yīng)的吸附件32移動的指令。
[0034]例如，如圖1所示，左側(cè)的吸附件32上的距離傳感器33檢測到左側(cè)的吸附件32的物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的初始距離為3cm，中間的吸附件32上的距離傳感器33檢測到中間的吸附件32的物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的初始距離為4cm，右側(cè)的吸附件32上的距離傳感器33檢測到右側(cè)的吸附件32的物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的初始距離為3cm，即當(dāng)使吸附件32朝向待蒸鍍基板21移動和使吸附件32背向待蒸鍍基板21移動時，左側(cè)的吸附件32向下移動時的移動距離和向上移動時的移動距離均為3cm，中間的吸附件32向下移動時的移動距離和向上移動時的移動距離均為4cm，右側(cè)的吸附件32向下移動時的移動距離和向上移動時的移動距離均為3cm，距離傳感器33將對應(yīng)的距離信息傳遞給控制器，控制器則控制吸附驅(qū)動裝置，驅(qū)動對應(yīng)的吸附件32向下移動和向上移動。
[0035]如此設(shè)計，當(dāng)將待蒸鍍基板21安裝在基板載具20上后，距離傳感器33檢測對應(yīng)的吸附件32的物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的初始距離，以確定對應(yīng)的吸附件32向下移動時的移動距離，使吸附件32向下移動后，各吸附件32均與待蒸鍍基板21接觸，且不會對待蒸鍍基板21產(chǎn)生向下的壓力，以防止待蒸鍍基板21受力太大而導(dǎo)致待蒸鍍基板21變形。另外，當(dāng)將待蒸鍍基板21安裝在基板載具20上后，距離傳感器33檢測對應(yīng)的吸附件32的物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的初始距離，以確定對應(yīng)的吸附件32向上移動時的移動距離，即當(dāng)吸附件32背向待蒸鍍基板21移動時，根據(jù)距離傳感器33所檢測的結(jié)果，調(diào)整對應(yīng)的吸附件32背向待蒸鍍基板21移動時的移動距離，以使待蒸鍍基板21保持平整，改善待蒸鍍基板21的平整性。
[0036]在上述實施例中，對吸附件32的移動距離的調(diào)節(jié)根據(jù)距離傳感器33檢測對應(yīng)的吸附件32的物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的初始距離來進行，在實際應(yīng)用中，還可以通過壓力傳感器檢測對應(yīng)的吸附件32的物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的壓力來調(diào)節(jié)吸附件32的移動。具體實施時，每個吸附件32上設(shè)置有檢測對應(yīng)的吸附件32與待蒸鍍基板21之間的壓力壓力傳感器，壓力傳感器與蒸鍍裝置的控制器連接。當(dāng)將待蒸鍍基板21安裝在基板載具20上后，使吸附件32朝向待蒸鍍基板21移動，壓力傳感器則檢測對應(yīng)的吸附件32的物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的壓力，并將對應(yīng)的吸附件32的物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的壓力信息傳遞至控制器，當(dāng)控制器確認得知對應(yīng)的吸附件32的物理吸附面32b與待蒸鍍基板21之間的壓力達到預(yù)設(shè)壓力時，使對應(yīng)的吸附件32停止朝向待蒸鍍基板21移動，當(dāng)所有的吸附件32停止朝向待蒸鍍基板21移動后，即所有的吸附件32與待蒸鍍基板21接觸并吸附待蒸鍍基板21后，使吸附件32背向待蒸鍍基板21移動，以使待蒸鍍基板21與冷卻板30接觸，并使待蒸鍍基板21保持平整。
[0037]在上述實施例中，當(dāng)完成對待蒸鍍基板21的蒸鍍后，可以采用手動的方式使待蒸鍍基板21與吸附件32分離，也可以采用自動的方式使待蒸鍍基板21與吸附件32分離。在本實施例中，請參閱圖1和圖5，冷卻板30中還設(shè)置有頂柱安置孔34，頂柱安置孔34內(nèi)設(shè)置有頂柱35，頂柱35可相對待蒸鍍基板21上下移動。請參閱圖5，當(dāng)完成對待蒸鍍基板21的蒸鍍后，使基板載具20帶動待蒸鍍基板21向下移動，同時使頂柱35向下移動，頂柱35與待蒸鍍基板21接觸，并對待蒸鍍基板21產(chǎn)生向下的推力，以使待蒸鍍基板21與吸附件32分離，然后將待蒸鍍基板21從基板載具20上取下，并使頂柱35回歸原位。
[0038]上述實施例中，頂柱安置孔34和頂柱35的數(shù)量可以根據(jù)需求進行設(shè)定，例如，可以在冷卻板30中設(shè)置一個頂柱安置孔34，并在該頂柱安置孔34內(nèi)設(shè)置一個頂柱35;或者，可以在冷卻板30中設(shè)置兩個或兩個以上的頂柱安置孔34，并在每個頂柱安置孔34內(nèi)設(shè)置一個頂柱35。
[0039]在本實施例中，請繼續(xù)參閱圖1，頂柱安置孔34的數(shù)量為多個，多個頂柱安置孔34均勻分布在冷卻板30中，且每個頂柱安置孔34內(nèi)設(shè)置有一個頂柱35 ο如此設(shè)計，利用頂柱35使待蒸鍍基板21與吸附件32分離時，可以使待蒸鍍基板21的各個區(qū)域受力均勻，防止待蒸鍍基板21受力不均而導(dǎo)致待蒸鍍基板21發(fā)生變形。
[0040]請繼續(xù)參閱圖1，在本實施例中，真空蒸鍍室60內(nèi)還設(shè)置有掩膜版載具，安裝在掩膜版載具上的掩膜版40位于待蒸鍍基板21與蒸鍍源單元10之間，真空蒸鍍室60內(nèi)還設(shè)置有使掩膜版40與待蒸鍍基板21緊貼的緊貼單元50。當(dāng)對待蒸鍍基板21進行蒸鍍時，掩膜版40設(shè)置在待蒸鍍基板21的蒸鍍面，并與待蒸鍍基板21的蒸鍍面緊貼，蒸鍍源由蒸鍍源單元10的噴嘴蒸發(fā)至待蒸鍍基板21的蒸鍍面上，并在蒸鍍基板21的蒸鍍面上形成與掩膜版40相匹配的圖案。緊貼單元50的設(shè)置，使掩膜版40與待蒸鍍基板21緊貼，可以防止掩膜版40與待蒸鍍基板21之間具有較大的空隙，從而進一步改善蒸鍍在待蒸鍍基板21上的圖案的位置精度。
[0041 ]在本實施例中，掩膜版40可以采用金屬掩膜版，緊貼單元50可以包括磁鐵，磁鐵位于冷卻板30的上方。將金屬掩膜版安裝在掩膜版載具上后，緊貼單元50中的磁鐵對金屬掩膜版產(chǎn)生引力，以使金屬掩膜版與待蒸鍍基板21緊貼，從而進一步改善蒸鍍在待蒸鍍基板21上的圖案的位置精度。
[0042]在上述實施方式的描述中，具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0043]以上所述，僅為本實用新型的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種蒸鍍裝置，包括真空蒸鍍室，所述真空蒸鍍室內(nèi)設(shè)置有蒸鍍源單元、基板載具和冷卻板，其中，所述基板載具位于所述蒸鍍源單元的上方，待蒸鍍基板安裝在所述基板載具上，所述冷卻板位于所述待蒸鍍基板的上方;其特征在于，所述冷卻板中設(shè)置有吸附安置孔，所述吸附安置孔內(nèi)設(shè)置有對所述待蒸鍍基板進行吸附的吸附件，所述吸附件可相對所述待蒸鍍基板上下移動。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述吸附件包括吸附體和支撐柱，所述吸附體呈梯形臺結(jié)構(gòu)，所述吸附體的大端面為物理吸附面;所述支撐柱與吸附驅(qū)動裝置連接，所述吸附驅(qū)動裝置驅(qū)動所述吸附件相對所述待蒸鍍基板上下移動。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述物理吸附面的表面粗糙度為5μπι?1um04.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述吸附安置孔的數(shù)量為多個，多個所述吸附安置孔均勻分布在所述冷卻板中，且各所述吸附安置孔內(nèi)均設(shè)置有一個所述吸附件。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蒸鍍裝置，其特征在于，每個所述吸附件上設(shè)置有檢測對應(yīng)的所述吸附件與所述待蒸鍍基板之間的初始距離的距離傳感器。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蒸鍍裝置，其特征在于，每個所述吸附件上設(shè)置有檢測對應(yīng)的所述吸附件與所述待蒸鍍基板之間的壓力的壓力傳感器。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述冷卻板中還設(shè)置有頂柱安置孔，所述頂柱安置孔內(nèi)設(shè)置有頂柱，所述頂柱可相對所述待蒸鍍基板上下移動。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述頂柱安置孔的數(shù)量為多個，多個所述頂柱安置孔均勻分布在所述冷卻板中，且各所述頂柱安置孔內(nèi)均設(shè)置有一個所述頂柱。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述真空蒸鍍室內(nèi)還設(shè)置有掩膜版載具，安裝在所述掩膜版載具上的掩膜版位于所述待蒸鍍基板與所述蒸鍍源單元之間，所述真空蒸鍍室內(nèi)還設(shè)置有使所述掩膜版與所述待蒸鍍基板緊貼的緊貼單元。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述掩膜版為金屬掩膜版，所述緊貼單元包括磁鐵，所述磁鐵位于所述冷卻板的上方。
【文檔編號】C23C14/50GK205420529SQ201620208282
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年3月16日
【發(fā)明人】崔富毅, 陳旭, 張金中
【申請人】鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司, 京東方科技集團股份有限公司