一種設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻pecvd裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻PECVD裝置，包括爐管、進(jìn)氣口、勻氣板、爐門、控制勻氣板與爐門同時(shí)開啟和關(guān)閉的中控單元，所述的勻氣板上設(shè)有勻氣孔，所述中控單元與勻氣板和爐門分別連接，所述勻氣板設(shè)置在爐管的進(jìn)氣端。通過在爐管的進(jìn)氣端設(shè)置勻氣板，使得進(jìn)入爐管的反應(yīng)氣體在到達(dá)反應(yīng)區(qū)域之前被勻氣板打散并混合均勻，從而改善了等離子體分布，可有效提高鍍膜均勻性，同時(shí)裝置簡單，改造成本不高。
【專利說明】
_種設(shè)有勻氣)板裝置的管式低頻PEGVD裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本實(shí)用新型屬于晶體硅太陽電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種設(shè)有勻氣板裝置的管式 低頻PECVD。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前晶體硅太陽電池產(chǎn)業(yè)中仍舊占據(jù)著90%的市場份額，表明該種太陽電池具有 著強(qiáng)大的生命力和競爭力。在其傳統(tǒng)制備工藝中，使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD) 的方法在發(fā)射極表面沉積一層SiN x薄膜是其中非常重要一步。SiNx薄膜具有鈍化硅片表面 和減反射的作用。決定SiN x薄膜鈍化及減反射效果的主要因素有:SiNx薄膜成膜致密性;薄 膜中硅氮比例以及薄膜的厚薄度。
[0003] 目前實(shí)際生產(chǎn)中常用的管式低頻直接法PECVD采用電阻式加熱將整個(gè)腔體加熱到 所需的溫度，在腔體中放置具有很多夾板的石墨舟，夾板的兩側(cè)放置硅片，利用兩片硅片之 間形成電勢差與反應(yīng)氣體完成輝光放電進(jìn)行鍍膜，這種方法具有鈍化效果好，同時(shí)成膜致 密性高等優(yōu)點(diǎn)。然而這種鍍膜方法輝光等離子體在空間的分布受爐管內(nèi)溫區(qū)分布，硅片表 面狀態(tài)影響較大，易形成色差片。色差現(xiàn)象實(shí)際反映出的是鍍膜成膜厚度和折射率的不均 勻，對于電池效率以及電池外觀有較大影響。其中反應(yīng)氣體在爐管中分布及其流速對鍍膜 均勻性的影響巨大。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004] 實(shí)用新型目的：提供一種設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻PECVD裝置，改善成膜出現(xiàn)色 差的均勾性，提尚良品率。
[0005] 技術(shù)方案：一種設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻PECVD裝置，包括爐管、進(jìn)氣口、勻氣 板、爐門、控制勻氣板與爐門同時(shí)開啟和關(guān)閉的中控單元，所述的勻氣板上設(shè)有勻氣孔，所 述中控單元與勻氣板和爐門分別連接，所述勻氣板設(shè)置在爐管的進(jìn)氣端。
[0006]在進(jìn)氣口之后設(shè)置勻氣板，進(jìn)入爐管的反應(yīng)氣體能在到達(dá)反應(yīng)區(qū)域之前被勻氣板 打散并混合均勻，均勻的氣體從勻氣板上的勻氣孔進(jìn)入爐管內(nèi)，從而提高了等離子體分布， 可有效改善鍍膜均勻性。中控單元能控制爐門和勻氣板的同時(shí)開啟和關(guān)閉，操作方便。
[0007] 作為本實(shí)用新型的優(yōu)選，所述的勻氣板，其直徑為350mm~400mm。
[0008] 作為本實(shí)用新型的優(yōu)選，所述勻氣板的直徑與爐管直徑相同，這樣能達(dá)到最佳的 勻氣效果。
[0009] 作為本實(shí)用新型的優(yōu)選，其特征在于，所述勻氣孔均勻分布在勻氣板上。
[0010] 作為本實(shí)用新型的優(yōu)選，所述的勻氣孔的數(shù)目為300~500個(gè)，所述的勻氣孔的數(shù) 目優(yōu)選為400個(gè)。
[0011] 作為本實(shí)用新型的優(yōu)選，所述勻氣板到爐門距離的距離為3~10cm，所述勻氣板到 爐門距離的距離優(yōu)選為5cm〇
[0012] 作為本實(shí)用新型的優(yōu)選，所述進(jìn)氣口設(shè)置在爐門和勾氣板之間。
[0013] 作為本實(shí)用新型的優(yōu)選，所述勻氣板的材質(zhì)為耐高溫材料。
[0014] 有益效果：
[0015] 本實(shí)用新型提供了一種設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻PECVD裝置，通過在爐管的進(jìn) 氣端設(shè)置勻氣板，使得進(jìn)入爐管的反應(yīng)氣體在到達(dá)反應(yīng)區(qū)域之前被勻氣板打散并混合均 勻，從而提高了等離子體分布，可有效改善鍍膜均勻性，同時(shí)裝置簡單，改造成本不高。
【附圖說明】
[0016] 圖1本實(shí)用新型提供的設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻PECVD裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017] 圖2本實(shí)用新型提供的設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻PECVD裝置中勻氣板的結(jié)構(gòu)示 意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018] 根據(jù)下述實(shí)施例，可以更好地理解本發(fā)明。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，實(shí) 施例所描述的內(nèi)容僅用于說明本發(fā)明，而不應(yīng)當(dāng)也不會限制權(quán)利要求書中所詳細(xì)描述的本 發(fā)明。
[0019] 圖1和圖2中，1為爐管，2為進(jìn)氣口，3為勻氣板，4為爐門，5為中控單元，6為石墨舟。
[0020] 一種設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻PECVD裝置，包括爐管1、進(jìn)氣口 2、勻氣板3、爐門 4、控制勻氣板與爐門同時(shí)開啟和關(guān)閉的中控單元5,所述的勻氣板3上設(shè)有勻氣孔，所述中 控單元5與勻氣板3和爐門4分別連接，所述勻氣板3設(shè)置在爐管1的進(jìn)氣端。
[0021] 在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述的勻氣板3,其直徑為350mm~400mm。
[0022] 在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述勻氣板3的直徑與爐管1直徑相同。
[0023] 在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述勻氣孔均勻分布在勻氣板3上。
[0024]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述的勻氣孔的數(shù)目為300~500個(gè)。
[0025]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述勻氣板3到爐門4距離的距離為3~10cm。
[0026] 在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述進(jìn)氣口2設(shè)置在爐門4和勻氣板3之間。
[0027] 在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述勻氣板3的材質(zhì)為耐高溫材質(zhì)。
[0028] 實(shí)施例1:
[0029]選用上述結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的勻氣板裝置對捷佳創(chuàng)管式PECVD進(jìn)行改造(參照附圖1、圖2)， 勻氣板直徑與爐管直徑相同為380mm。勻氣板目數(shù)選取為400個(gè)，勻氣板至爐門距離設(shè)置為 5cm〇
[0030]本實(shí)用新型在原有設(shè)備基礎(chǔ)上在爐管進(jìn)氣口處增加勻氣板裝置，之后采用常規(guī)多 晶硅沉積氮化硅工藝對硅片進(jìn)行氮化硅薄膜沉積工藝。工藝完成后對石墨舟內(nèi)的色差片比 例進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，色差片比例明顯下降。
[0032]本實(shí)用新型通過中控單元控制爐門與勻氣板同時(shí)開啟和閉合，當(dāng)爐門以及勻氣板 閉合后開始進(jìn)行鍍膜工藝，勻氣板位于進(jìn)氣口與承載樣品的石墨舟之間。反應(yīng)開始后反應(yīng) 氣體通過勻氣板氣體會被打散并混合均勻，之后氣體得以更加均勻的到達(dá)石墨舟參與等離 子體的生成完成鍍膜反應(yīng)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻PECVD裝置，其特征在于，包括爐管（1)、進(jìn)氣口（2)、 勻氣板(3)、爐門（4)、控制勻氣板與爐門同時(shí)開啟和關(guān)閉的中控單元(5)，所述的勻氣板(3) 上設(shè)有勻氣孔，所述中控單元(5)與勻氣板(3)和爐門（4)分別連接，所述勻氣板(3)設(shè)置在 爐管（1)的進(jìn)氣端。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻PECVD裝置，其特征在于，所述的 勾氣板(3)，其直徑為350mm~400mm。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻PECVD裝置，其特征在于，所述勻 氣板(3)的直徑與爐管（1)直徑相同。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻PECVD裝置，其特征在于，所述勻 氣孔均勾分布在勾氣板(3)上。5. 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻PECVD裝置，其特征在于，所述 的勻氣孔的數(shù)目為300~500個(gè)。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻PECVD裝置，其特征在于，所述勻 氣板(3)到爐門（4)距離的距離為3~10cm〇7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻PECVD裝置，其特征在于，所述進(jìn) 氣口（2)設(shè)置在爐門（4)和勻氣板(3)之間。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)有勻氣板裝置的管式低頻PECVD裝置，其特征在于，所述勻 氣板(3)的材質(zhì)為耐高溫材料。
【文檔編號】C23C16/455GK205653506SQ201521028415
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2015年12月11日 公開號201521028415.6, CN 201521028415, CN 205653506 U, CN 205653506U, CN-U-205653506, CN201521028415, CN201521028415.6, CN205653506 U, CN205653506U
【發(fā)明人】陳文浩, 劉仁中, 張斌
【申請人】奧特斯維能源（太倉）有限公司