一種電加熱導(dǎo)電玻璃及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電加熱導(dǎo)電玻璃鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電加熱導(dǎo)電玻璃及其制 作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示近年來得到了快速的發(fā)展，但野外科研等復(fù)雜環(huán)境下環(huán)境溫度、酸堿腐 蝕問題要求較高，對(duì)液晶顯示產(chǎn)品溫度特性、耐酸堿特性均提出了較高的要求。在_30°C的 低溫狀態(tài)下，液晶表現(xiàn)為結(jié)晶態(tài)，液晶的響應(yīng)時(shí)間急劇增加，動(dòng)態(tài)信息拖尾嚴(yán)重，這是由于 當(dāng)溫度發(fā)生變化時(shí)，液晶分子的活動(dòng)能量發(fā)生變化，相應(yīng)的液晶材料的粘滯系數(shù)發(fā)生變化； 當(dāng)溫度高時(shí)，液晶分子的活動(dòng)能量高，粘滯系數(shù)小，液晶在電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下能自由的高速按電場(chǎng) 方向扭曲排列，顯示器的響應(yīng)速度加快；同樣，在低溫的情況下液晶分子的活動(dòng)能量減弱， 粘滯系數(shù)變大，在給液晶分子施加電場(chǎng)的時(shí)候，液晶分子受到的粘滯阻力較大，需要很長(zhǎng)的 時(shí)間才能達(dá)到應(yīng)有的扭曲角度，故顯示器的響應(yīng)速度變慢。為保證液晶顯示屏能夠正常使 用，一般會(huì)采用ITO導(dǎo)電玻璃對(duì)液晶顯示屏進(jìn)行加熱處理。
[0003] 同時(shí)，野外使用時(shí)環(huán)境較為惡劣，導(dǎo)電層容易受到環(huán)境中酸、堿等影響，嚴(yán)重的會(huì) 造成掉膜，影響加熱效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種電加熱導(dǎo)電玻璃及其制作方法，以解決上述技術(shù)問 題。為保護(hù)ITO導(dǎo)電層，本發(fā)明在ITO層上覆蓋一層SiO 2，同時(shí)使用遮擋板在四周邊緣保 留3-5mm區(qū)域不覆蓋，露出ITO導(dǎo)電層，用于后續(xù)制作電極；由于ITO膜層透過率隨膜厚增 加成正弦分布，為保證加熱效果，ITO電阻需低于5ohm，透光性需保證總體膜層透過率大于 8〇%，SiO2B著力彡冊(cè)。
[0005] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：
[0006] -種電加熱導(dǎo)電玻璃，其特征在于：包括普通浮法玻璃、ITO導(dǎo)電層和SiO2膜層， 所述ITO導(dǎo)電層鍍制在普通浮法玻璃的一側(cè)表面，所述SiO 2膜層覆蓋在ITO導(dǎo)電層表面， ITO導(dǎo)電層的邊沿寬度3-5mm的區(qū)域內(nèi)不被5102膜層覆蓋，露出ITO導(dǎo)電層，該區(qū)域用于制 作電極。
[0007] ITO導(dǎo)電層與SiO2膜層的總體透光性為透過率大于80%，ITO導(dǎo)電層電阻低于 5ohm，SiO 2B著力彡 5H。
[0008] ITO導(dǎo)電層的膜厚為4300± 100A，3102膜層厚為700± 1〇〇 A。
[0009] -種電加熱導(dǎo)電玻璃的制作方法，其特征在于，具體步驟如下：
[0010] ⑴在普通浮法玻璃上鍍制ITO導(dǎo)電層，膜層厚度4300± 100 Λ，基板溫度 300-330 0C ；
[0011] ⑵將已鍍制ITO導(dǎo)電層的玻璃再次進(jìn)行清洗，清洗后在凈化環(huán)境中將此玻璃放 置在背板上，背板與玻璃相同尺寸，厚度2mm，材質(zhì)為不銹鋼，背板邊緣與玻璃不接觸部分整 齊排列磁鐵，用于固定玻璃前部遮擋框，遮擋框外邊尺寸與玻璃相同，遮擋框邊寬度3-5_， 遮擋框通過磁鐵固定在玻璃鍍膜面的邊沿；
[0012] (3)鍍制 SiOJ莫層，5102膜層厚度 700± 1〇〇 A，基板溫度 180-220°C。
[0013] 本發(fā)明的有益效果是：
[0014] I) ITO導(dǎo)電膜層上制作一層SiO2膜層，保證ITO導(dǎo)電膜層不受使用環(huán)境影響，同 時(shí)膜層厚度搭配保證總體透過率多80% ;
[0015] 2)制作SiO2膜層時(shí)四周使用專用遮擋框阻擋，保證四周邊緣3-5mm無 SiO 2沉積 覆蓋，漏出邊緣ITO導(dǎo)電膜層，用于后續(xù)制作引線。
【附圖說明】
[0016] 圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017] 圖2為電加熱導(dǎo)電玻璃的透過率曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018] 為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié) 合具體實(shí)施例和附圖，進(jìn)一步闡述本發(fā)明，但下述實(shí)施例僅僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非 全部?；趯?shí)施方式中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得 其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0019] -種電加熱導(dǎo)電玻璃及其制作方法，
[0020] 如圖1所示，電加熱導(dǎo)電玻璃包括普通浮法玻璃1、ITO導(dǎo)電層2和SiO2膜層3， ITO導(dǎo)電層2鍍制在普通浮法玻璃1的表面，SiO2膜層3覆蓋在ITO導(dǎo)電層2表面，ITO導(dǎo) 電層2的邊沿寬度3-5mm的區(qū)域內(nèi)不被SiOJ莫層3覆蓋，露出ITO導(dǎo)電層2,該區(qū)域用于制 作電極。
[0021] 電加熱導(dǎo)電玻璃的制作方法，
[0022] 1)先在浮法玻璃上制作一層ITO導(dǎo)電層，再在已鍍制ITO導(dǎo)電層的表面上鍍制一 層SiO 2膜層，按照ITO導(dǎo)電膜層4300± 100A，SiO2膜厚700± 1〇〇 A進(jìn)行設(shè)計(jì)并鍍制， 此時(shí)透過率能夠達(dá)到多80%要求，同時(shí)SiO2附著力、屏蔽性均能滿足要求，其中ITO鍍膜時(shí) 基板溫度300-330°C，SiOj^膜時(shí)基板溫度180-220°C
[0023] 2)制作SiOJ莫層時(shí)，為使四周邊緣3-5mm不被SiO2覆蓋，須在四周邊緣使用專用 邊框（遮擋框）阻擋，保證四周邊緣無 SiO2沉積，漏出ITO導(dǎo)電層用于后續(xù)制作引線。
[0024] 如圖2所示，本發(fā)明的電加熱導(dǎo)電玻璃550nm處透過率可以達(dá)到80%以上。
[0025] 以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù) 人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的僅為本發(fā)明 的優(yōu)選例，并不用來限制本發(fā)明，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種 變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所 附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電加熱導(dǎo)電玻璃，其特征在于：包括普通浮法玻璃、ITO導(dǎo)電層和SiO J莫層，所 述ITO導(dǎo)電層鍍制在普通浮法玻璃的一側(cè)表面，所述SiO2膜層覆蓋在ITO導(dǎo)電層表面，ITO 導(dǎo)電層的邊沿寬度3-5mm的區(qū)域內(nèi)不被SiOJ莫層覆蓋，露出ITO導(dǎo)電層，該區(qū)域用于制作 電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電加熱導(dǎo)電玻璃，其特征在于：ΙΤ0導(dǎo)電層與SiO 2膜層的總 體透光性為透過率大于80%，ITO導(dǎo)電層電阻低于5ohm，SiO2B著力彡5Η。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電加熱導(dǎo)電玻璃，其特征在于：ΙΤ0導(dǎo)電層的膜厚為 43〇o±1〇oA，SiO^層厚為 700±10〇 Α。
4. 一種權(quán)利要求1所述的電加熱導(dǎo)電玻璃的制作方法，其特征在于，具體步驟如下： ⑴在普通浮法玻璃上鍍制ITO導(dǎo)電層，膜層厚度4300± 100 Α，基板溫度 300-330 0C ； (2) 將已鍍制ITO導(dǎo)電層的玻璃再次進(jìn)行清洗，清洗后在凈化環(huán)境中將此玻璃放置在 背板上，背板與玻璃相同尺寸，厚度2mm，材質(zhì)為不銹鋼，背板邊緣與玻璃不接觸部分整齊排 列磁鐵，用于固定玻璃前部遮擋框，遮擋框外邊尺寸與玻璃相同，遮擋框邊寬度3-5_，遮擋 框通過磁鐵固定在玻璃鍍膜面的邊沿； (3) 鍍制51〇2膜層，5比2膜層厚度700±100>\，基板溫度180-220°〇。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電加熱導(dǎo)電玻璃及其制作方法，涉及電加熱導(dǎo)電玻璃鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，包括普通浮法玻璃、ITO導(dǎo)電層和SiO2膜層，所述ITO導(dǎo)電層鍍制在普通浮法玻璃的一側(cè)表面，所述SiO2膜層覆蓋在ITO導(dǎo)電層表面，ITO導(dǎo)電層的邊沿寬度3-5mm的區(qū)域內(nèi)不被SiO2膜層覆蓋，露出ITO導(dǎo)電層，該區(qū)域用于制作電極。本發(fā)明在ITO導(dǎo)電膜層上制作一層SiO2膜層,保證ITO導(dǎo)電膜層不受使用環(huán)境影響，同時(shí)膜層厚度搭配保證總體透過率≥80％；制作SiO2膜層時(shí)四周使用專用遮擋框阻擋，保證四周邊緣3-5mm無SiO2沉積覆蓋，漏出邊緣ITO導(dǎo)電膜層，用于后續(xù)制作引線。
【IPC分類】C03C17-34
【公開號(hào)】CN104860549
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510188665
【發(fā)明人】胡超川, 傅強(qiáng), 李加海, 朱磊, 江雪峰
【申請(qǐng)人】安徽立光電子材料股份有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2015年4月20日