Bi₂O₃-TeO₂-SiO₂-WO₃系玻璃的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃。本發(fā)明目的在于得到具有能夠用于燒穿法的流動性、且可以抑制由于流動的玻璃而導(dǎo)致的n型硅層的侵蝕的玻璃作為晶體Si太陽能電池的電極形成用導(dǎo)電性糊劑。一種Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃，其特征在于，其為將Bi2O3、TeO2、SiO2以及WO3作為必需成分的Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃，該玻璃的成分中以質(zhì)量％計含有30～60的Bi2O3、1～40的TeO2、1～20的SiO2以及1～20的WO3。
【專利說明】
B i 2〇3-Te〇2-S i 〇2-W〇3 系玻璃
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明設(shè)及Bi2〇3-Te化-Si〇2-W化系玻璃，尤其是設(shè)及使用了該玻璃的晶體Si太陽 能電池。
【背景技術(shù)】
[0002] -般而言，晶體Si太陽能電池是在P型娃基板的一面上設(shè)置有η型娃層的結(jié)構(gòu)的半 導(dǎo)體，將該η型娃層側(cè)設(shè)為受光面、在該受光面?zhèn)鹊谋砻娼橛傻弈さ确婪瓷淠ぴO(shè)置與η 型娃層連接的表面電極。進而，上述的Ρ型娃基板的另一面設(shè)置背電極，取出由半導(dǎo)體的ρη 結(jié)產(chǎn)生的電力。為了提高受光效率設(shè)置上述的防反射膜，另一方面其具有比較高的電阻值， 因此通常針對表面電極與η型娃層的接觸部分，將該防反射膜利用蝕刻、烙融來去除，進行 使η型娃層與表面電極的連接良好的操作。
[0003] 作為去除上述的防反射膜的方法，使用被稱為燒穿（fire through)法的方法。燒 穿法是指將表面電極的電極材料直接印刷在防反射膜上后，通過進行燒成由燒成時的熱烙 融?去除該防反射膜的方法，作為該電極材料，可W適宜地利用包含銀粉末、有機賦形劑 (organiC vehiC1 e) W及玻璃粉末材料(玻璃料等）的導(dǎo)電性糊劑(專利文獻1、2)。已知的 是，對于上述的燒穿法，根據(jù)上述電極材料的組成、燒成溫度而性能受到影響，尤其是受玻 璃粉末材料的組成影響。運是因為導(dǎo)電性糊劑的燒成時玻璃粉末材料烙融而去除防反射 膜。燒穿法利用熱，因此為了抑制半導(dǎo)體的損傷或提高作業(yè)效率，要求降低使用的玻璃粉末 材料的軟化點，例如專利文獻3公開了大量地含有Li2〇、含有將玻璃制成低軟化點的鉛的玻 璃粉末材料。但是，大量地包含Li2〇成分的情況下，Li擴散至η型娃層，結(jié)果有使太陽能電池 的性能降低的可能性。
[0004] 此處，作為玻璃粉末材料，使用W往作為在低溫下可W密封、覆蓋的玻璃而被知曉 的粉末材料。作為運樣的玻璃粉末材料，眾所周知的是在成分中含有鉛的Pb〇-B2化系玻璃、 Pb〇-B2〇3-ZnO 系玻璃、Pb〇-B2〇3-Bi2〇3 系玻璃等。
[0005] 例如，專利文獻4公開了在400~600°C下可W密封的饑0-B2化-Zn〇-Te〇2系玻璃粉 末材料。另外，專利文獻5公開了在500°CW下可W密封的WPb0、B2化W及Te化作為主要成分 的玻璃粉末材料，該玻璃粉末材料通過在成分中含有Te化而使玻璃穩(wěn)定化。另外，專利文獻 6公開了在400°C W下可W密封的饑0-B2化-Bi2化系玻璃粉末材料，該玻璃粉末材料通過在 成分中含有Te化而使玻璃的耐水性提高。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0007] 專利文獻
[000引專利文獻1:日本特開昭62-49676號公報
[0009] 專利文獻2:日本特開2001-313400號公報
[0010] 專利文獻3:日本特開2012-015409號公報 [0011 ] 專利文獻4:日本特開昭62-36040號公報 [0012] 專利文獻5:日本特開平7-53237號公報
[0013] 專利文獻6:日本特開平8-253344號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014] 發(fā)明要解決的問題
[0015] 如前所述，作為適于燒穿法的玻璃粉末材料，需求軟化點低。但是另一方面，可知 使用Bi2〇3-Te化系、Pb〇-Te〇2系等軟化點過低的玻璃粉末材料的情況下，存在流動的玻璃不 僅去除防反射膜、還侵蝕至η型娃層之虞。最近存在如下問題轉(zhuǎn)化效率提高作為目的，η 型娃層有變薄的傾向，因此因流動的玻璃導(dǎo)致的侵蝕變得更顯著。
[0016] 因此，本發(fā)明目的在于得到具有能用于燒穿法的流動性、且能夠抑制由于流動的 玻璃導(dǎo)致的η型娃層的侵蝕的玻璃作為晶體Si太陽能電池的電極的形成用導(dǎo)電性糊劑。
[0017] 用于解決問題的方案
[0018] -般而言，利用前述的燒穿法去除防反射膜時，將電極材料加熱至800°CW上，使 電極材料中的玻璃粉末材料燒成。粉末材料中使用的玻璃要求在該燒成時的流動性高，另 一方面，流動性優(yōu)異的玻璃在去除了防反射膜后進一步繼續(xù)流動，侵蝕η型娃層?；谏鲜?的見解，本發(fā)明人等進行深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)使用成分中含有W〇3和Si化的玻璃時，能夠兼顧 燒成時的流動性和抑制η型娃層的侵蝕運兩個乍看相反的性質(zhì)。
[0019]因此，本發(fā)明設(shè)及一種Bi2〇3-Te〇2-Si〇2-W〇3系玻璃，其特征在于，其為將Bi2〇3、 Te〇2、Si化W及W〇3作為必需成分的Bi2〇3-Te化-Si〇2-W〇3系玻璃，該玻璃成分中W質(zhì)量％計含 有30~60的Bi2〇3、l~40的Te化、1~20的Si〇2W及1~20的W〇3。
[0020] 本發(fā)明的Bi2〇3-Te〇2-Si〇2-W〇3系玻璃為將812〇3、了6〇2、51〇2^及胖〇3作為必需成分 的玻璃。另外，也可W在該4種成分的必需成分之外，在總計0~25質(zhì)量％的范圍內(nèi)含有任意 成分。
[00別]作為上述的任意成分，可列舉出ZnO、饑0、82〇3、412〇3、1?2〇成分化2〇、化2〇^及山0) W及R0成分(MgO、CaO、Sr〇W及BaO)等調(diào)節(jié)玻璃軟化點、玻璃穩(wěn)定性的成分，V2〇5、Sb2〇5、 2'〇2少62〇3、加0、11〇2、1112〇3、812〇3、1^曰0、〔6〇、師0^及511〇2等^提高玻璃的流動性、穩(wěn)定性、 表面電極的歐姆接觸為目的的成分。
[0022] 另外，上述的任意成分中，用作晶體Si太陽能電池的電極形成用電極材料時，如前 所述為了不使太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率降低，優(yōu)選設(shè)為盡量不含R20成分的玻璃組成，例如優(yōu) 選設(shè)為10質(zhì)量％^下。另外，含有B2化時，有時對η型娃層起受主元素作用，結(jié)果有使太陽能 電池的性能降低的傾向，因此與R20成分同樣地優(yōu)選盡量不含有，例如優(yōu)選設(shè)為10質(zhì)量％ W 下。
[0023] 發(fā)明的效果
[0024] 本發(fā)明可W得到具有可利用的流動性、能夠抑制η型娃層的侵蝕的玻璃作為晶體 S i太陽能電池的電極形成用導(dǎo)電性糊劑。
【附圖說明】
[0025] 圖1為示出晶體Si太陽能電池的截面示意圖。
[00%] 附圖標記說明
[0027] 1: P型娃基板、2: η型娃層、3:防反射膜、4:表面電極、5: P+層、6:侶電極
【具體實施方式】
[002引本發(fā)明為Bi203-Te02-Si02-W03系玻璃，其特征在于，其為將81203、了602、5102^及 W03作為必需成分的Bi203-化化-Si02-W03系玻璃，該玻璃的成分中W質(zhì)量％計含有30~60的 81203、1~40的了6化、1~20的5102^及1~20的胖03。
[0029] 對于本說明書中的"流動性"，將下述情況稱為流動性高：在后述的實施例中將玻 璃粉末材料的壓制成形體(2mmx 10mmq>)在890°C下燒成30秒時，該燒成后的壓制成形體 的外徑擴展到13mm W上的情況。
[0030] 另外，評價能夠抑制η型娃層的侵蝕的Bi2〇3-Te〇2-Si〇2-W〇3系玻璃，結(jié)果可知任一 玻璃在前述的流動性評價后均產(chǎn)生結(jié)晶化。預(yù)想該結(jié)晶化在燒成過程中逐漸產(chǎn)生。因此，將 在流動性的評價試驗后產(chǎn)生結(jié)晶化的情況設(shè)為能夠抑制η型娃層的侵蝕。需要說明的是，抑 審虹型娃層的侵蝕的機理尚未確定，但根據(jù)上述可見的結(jié)果，推測由于在一定時間加熱后發(fā) 生結(jié)晶化，因此玻璃的流動停止。
[0031] 將前述Bi2〇3-Te〇2-Si〇2-W〇3系玻璃用作晶體Si太陽能電池的電極材料時，由電極 圖案形成的容易程度出發(fā)，期望W粉末狀玻璃粉末材料的形式使用。
[0032] 上述的玻璃粉末材料的平均粒徑化0優(yōu)選為如mW下。近年來，W鋪展太陽光的入射 面積為目的使電極圖案高精細化。通過將平均粒徑化0設(shè)為扣mW下，能形成更高精細的電極 圖案，其結(jié)果，提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。另外，下限值沒有特別限定，例如可W設(shè)為 O.lymW上。為了將該玻璃粉末材料制成上述范圍內(nèi)，也可W使用研鉢、球磨機W及噴射粉 碎機方式的粉碎機等。需要說明的是，本說明書的實施例中，進行粉碎使平均粒徑化0處于上 述的0.1~扣m的范圍內(nèi)。平均粒徑是使用日機裝株式會社制MicrotracMTSOOO利用激光衍 射·散射法來測定。具體而言，在溶劑中使玻璃粉末材料分散后，照射激光而得到的粒度分 布的累積值50 %的粒徑值設(shè)為平均粒徑化0。
[0033] W下，針對本發(fā)明的Bi2〇3-Te〇2-Si化-W〇3系玻璃的各成分進行記載。
[0034] Bi2化是構(gòu)成玻璃骨架的成分之一，是對玻璃賦予流動性、提高去除防反射膜效果 (W下有時也記作"燒穿性"）的成分，玻璃中含有30~60質(zhì)量％。不足30質(zhì)量％時不能發(fā)揮 其作用，超過60質(zhì)量％時脫離玻璃化范圍之外，玻璃原料的烙融時變得容易結(jié)晶化?？蒞優(yōu) 選將下限值設(shè)為35質(zhì)量％ ^上、上限值設(shè)為55質(zhì)量％ W下。
[0035] Te化與Bi2〇3同樣地是對玻璃賦予流動性、提高燒穿性的成分，玻璃中含有1~40質(zhì) 量％。另外，是在燒成時良好地烙融銀等導(dǎo)電性材料，進而是在與η型娃層的界面附近促進 導(dǎo)電性材料的再結(jié)晶化的成分。由此，降低表面電極與η型娃層的接觸電阻，提高光電轉(zhuǎn)換 效率。不足1質(zhì)量％時不能發(fā)揮其作用，超過40質(zhì)量％時脫離玻璃化范圍之外、玻璃原料的 烙融時變得容易結(jié)晶化?？蒞優(yōu)選將下限值設(shè)為3質(zhì)量％ ^上、更優(yōu)選設(shè)為5質(zhì)量％ ^上、上 限值設(shè)為35質(zhì)量％ W下。
[0036] Si化是構(gòu)成玻璃骨架的成分之一，是調(diào)節(jié)燒成時流動性的成分。由此能夠抑制η型 娃層的侵蝕。本發(fā)明中在1~20質(zhì)量％的范圍含有。不足1質(zhì)量％時玻璃容易變得不穩(wěn)定，超 過20質(zhì)量％時玻璃的軟化點上升，不適于本發(fā)明的目的?？蒞優(yōu)選將下限值設(shè)為2質(zhì)量％ W 上、更優(yōu)選設(shè)為5質(zhì)量％ ^上，將上限值設(shè)為18質(zhì)量％ ^下、更優(yōu)選為設(shè)為16質(zhì)量％ W下的 范圍。
[0037] W化是在燒成時促進結(jié)晶化的成分之一，在1~20質(zhì)量％的范圍含有。燒成時去除 防反射膜后，在與玻璃中含有的Bi2〇3之間引起結(jié)晶化。不足1質(zhì)量％時不能發(fā)揮其作用，另 夕h超過20質(zhì)量％時玻璃變得不穩(wěn)定?？蒞優(yōu)選將下限值設(shè)為2質(zhì)量％^上、更優(yōu)選設(shè)為5質(zhì) 量％^上，將上限值設(shè)為18質(zhì)量％^下、更優(yōu)選設(shè)為16質(zhì)量％ W下。
[003引如前所述，本發(fā)明的玻璃粉末材料是將Bi203、Te化、Si02W及W化作為必需成分的 Bi203-Te02-Si02-W03系玻璃，通過將Bi203和Te化作為主要成分，從而具有高燒穿性，通過向 其添加 Si化和W03從而能夠抑制η型娃層的侵蝕。也可W在除該4成分的必需成分之外，W0~ 25質(zhì)量％的范圍內(nèi)的形式含有任意成分。
[0039] 作為上述的任意成分，如前所述，可列舉出2〇0、？60、82〇3、412〇3、1?2〇成分化2〇、船2〇 W 及 Li2〇)、RO 成分（]\%0、〔曰0、5'0^及8曰0)、￥2〇5、562〇5、2'〇2、化2〇3、加0、11〇2、1112〇3、812〇3、 1^曰0、〔6〇、佩0^及511〇2等。
[0040] 另外，作為本發(fā)明的適宜的實施方式之一，含有總計0.1~25質(zhì)量％的任意成分， 該任意成分優(yōu)選為選自由化〇、化0、B203、A12〇3、R20成分（選自由Κ2〇、化2〇 W及L i 2〇組成的組 中的至少一種）W及R0成分(選自由MgO、化0、SrO W及BaO組成的組中的至少一種)組成的組 中的至少一種。
[0041] ZnO為降低玻璃的軟化點的成分，也可W在玻璃組成中在0~15質(zhì)量％的范圍內(nèi)含 有。超過15質(zhì)量％時脫離玻璃化范圍之外，玻璃原料的烙融時變得容易結(jié)晶化。
[0042] 饑0是對玻璃賦予流動性、提高燒穿性的成分，在玻璃組成中可W在0~15質(zhì)量％ 的范圍內(nèi)含有。超過15質(zhì)量％時，流動性過度，變得容易侵蝕η型娃層。
[0043] Β2化是構(gòu)成玻璃骨架的成分之一，通過在玻璃組成中含有能夠形成穩(wěn)定的玻璃。本 發(fā)明中也可W在0~10質(zhì)量％的范圍內(nèi)含有。超過10質(zhì)量％時，如前所述，有時對η型娃層起 受主元素作用，結(jié)果光電轉(zhuǎn)換效率變得容易降低。
[0044] Ah化是抑制玻璃的結(jié)晶化的成分，在玻璃組成中也可W在10質(zhì)量％ W下的范圍內(nèi) 含有。超過10質(zhì)量％時有損玻璃的流動性，因此不適于本發(fā)明的目的。
[0045] R20成分是降低玻璃軟化點的成分，在玻璃組成中也可WLi2〇、化2〇W及Κ2〇的總計 在0~10質(zhì)量％的范圍內(nèi)含有。另外，該R20成分可W使用1種成分，也可W使用多種成分。另 一方面，如前所述，超過10質(zhì)量％時，堿金屬向η型娃層擴散，因此不適于本發(fā)明的目的。
[0046] R0成分為抑制玻璃結(jié)晶化的成分，也可W在玻璃組成中WMgOXaO、Sr〇W及BaO的 總計在10質(zhì)量％ ^下的范圍內(nèi)含有。另外，該R0成分可W使用1種成分也可W使用多種成 分。超過10質(zhì)量％時，玻璃的軟化點上升，因此不適于本發(fā)明的目的。
[0047] 另外，上述的成分之外，若在不損害本發(fā)明的Bi2〇3-Te化-Si〇2-W〇3系玻璃性質(zhì)的范 圍內(nèi)，W提高玻璃的流動性、穩(wěn)定性、歐姆接觸等作為目的，也可W在5質(zhì)量％ W下的范圍內(nèi) 添加化化、Fe2〇3、化0、Ti〇2、Ιπ2〇3、P2O日、V2O 日、Sb2〇3、La2〇3、Ce〇2、師 2〇日 W 及Sn〇2 等作為任意成 分。
[004引另外，本發(fā)明適宜的實施方式之一是一種在玻璃內(nèi)含有導(dǎo)電性材料的Bi203-Te^- Si化-WO3系玻璃。該實施方式可列舉出在玻璃內(nèi)部分散有導(dǎo)電性材料的方式，在玻璃內(nèi)部、 表面形成導(dǎo)電性材料的層的方式等。具體而言，例如可W通過將玻璃粉末材料和導(dǎo)電性材 料混合后進行燒成來得到，能夠用作電極構(gòu)件等。
[0049]上述的導(dǎo)電性材料只要具有導(dǎo)電性，就沒有特別限定，優(yōu)選為選自由導(dǎo)電性優(yōu)異 的八邑、411、口(1、化、化、41^及口*組成的組中的至少1種。
[0050] 另外，本發(fā)明的適宜的實施方式之一是一種導(dǎo)電性糊劑，其特征在于含有前述玻 璃粉末材料、有機賦形劑和導(dǎo)電性材料。
[0051] 導(dǎo)電性糊劑中包含的玻璃粉末材料相對于導(dǎo)電性材料100質(zhì)量％優(yōu)選設(shè)為1~20 質(zhì)量％的范圍內(nèi)。超過20質(zhì)量％時，有時電極的電阻變得過高。另外，不足1質(zhì)量％時，有時 玻璃成分不足，不能形成致密的電極。
[0052] 導(dǎo)電性糊劑中使用的導(dǎo)電性材料與前述的導(dǎo)電性材料同樣地，優(yōu)選為選自由具有 良好導(dǎo)電性的4旨、411、口(1、化、加、41^及口*組成的組中的至少1種。另外，為了使導(dǎo)電性糊劑 的涂布、燒成容易，期望該導(dǎo)電性材料為粉末狀的導(dǎo)電性粉末。
[0053] 有機賦形劑包含有機溶劑和有機粘結(jié)劑，為使導(dǎo)電性糊劑在加熱、燒成后通過燃 燒、分解或揮發(fā)等而消失的物質(zhì)。需要說明的是，有機粘結(jié)劑是指使玻璃粉末材料在導(dǎo)電性 糊劑中分散?負載的物質(zhì)。有機溶劑和有機粘結(jié)劑可W適宜選擇，只要能在加熱時從導(dǎo)電 性糊劑去除，就沒有特別限定。
[0054] 另外，本發(fā)明的適宜的實施方式之一是一種晶體Si太陽能電池的制造方法，其特 征在于，其含有:在形成于η型娃層之上的防反射膜上涂布前述導(dǎo)電性糊劑作為表面電極形 成用材料的工序、將該導(dǎo)電性糊劑加熱至800°CW上的工序W及將前述防反射膜利用燒穿 法去除的工序。
[0055] 圖1示出晶體Si太陽能電池的截面示意圖。W下記載晶體Si太陽能電池的制造方 法的一個例子。
[0056] 對于晶體Si太陽能電池，首先在P型娃基板1上涂布棚擴散劑和憐擴散劑，進行加 熱、離子注入等，由此形成P+層5、n型娃層2。
[0057] 接著，在形成的η型娃層2上形成防反射膜3。作為該防反射膜3,可列舉出一般使用 的氮化娃等。
[0058] 接著，在Ρ+層5上形成作為背電極的侶電極6。涂布含有侶粉末的糊劑等、進行燒 結(jié)，由此可W形成侶電極。
[0059] 接著，在防反射膜3上涂布導(dǎo)電性糊劑。該導(dǎo)電性糊劑為了在燒成后成為表面電極 4,涂布成所期望的形狀。涂布方法使用已有的方法即可，例如使用絲網(wǎng)印刷時圖案形成也 可W適宜地進行，因此是有用的。涂布該導(dǎo)電性糊劑后，進行加熱至800°CW上。此時，導(dǎo)電 性糊劑內(nèi)包含的有機賦形劑被去除，同時發(fā)生玻璃粉末材料的燒成和表面電極4的部分的 防反射膜3的去除，可W得到與η型娃層連接的表面電極4。
[0060] 實施例
[0061] 實施例1~6
[0062] 首先，按照表1記載的特定組成砰量各種無機原料并混合，制作原料母料。將該原 料母料投入銷相蝸，在電氣加熱爐內(nèi)W1000~1200°C、1~2小時進行加熱烙融，得到表1的 實施例1~6所示組成的玻璃。所得玻璃由驟冷雙漉成形機制成片狀，用粉碎裝置整粒成平 均粒徑1~如m、最大粒徑不足20μπι的粉末狀，得到玻璃粉末材料。
[0063] 另外，針對玻璃粉末材料，使用手動沖床化and press)壓制成形成2iTim>< 1 Οιτπτκρ 的紐扣狀。接著，將壓制成形體置于娃基板上，在890°C下燒成30秒。壓制成形體燒成后的鋪 展程度越大流動性變得越高，可W有效地進行燒穿法，因此是適宜的。燒成后的壓制成形體 的外徑鋪展到13mmW上的情況記作0(流動性高）、鋪展不充分的記作X(流動性低），進而， 將燒成后的壓制體有無結(jié)晶化記入表1。
[0064]酷]
[00 化]
[0066] 比較例1~5
[0067] 除了按照表2記載的特定組成稱量各種無機原料并混合，制作原料母料W外，W與 實施例同樣的方法進行玻璃的制作。但是，針對比較例1，由于未玻璃化，因此不進行流動性 的評價，比較例2、3、5的流動是不充分的。另外，比較例4流動性是良好的且適于燒穿法，但 不產(chǎn)生結(jié)晶化，因此推測不適于抑制η型娃層的侵蝕。
[006引[表2]
[0069]
[0070] 如實施例1~6所示可知，在本發(fā)明的組成范圍內(nèi)時，玻璃的流動性是良好的，也發(fā) 現(xiàn)高溫時的結(jié)晶化，因此能夠用作晶體Si太陽能電池的表面電極形成用導(dǎo)電性糊劑。另一 方面，對于比較例1~5,未玻璃化、流動性低、或雖流動性高但未結(jié)晶化等，不適于本發(fā)明的 目的。
【主權(quán)項】
1. 一種Bi2O3-TeO2-SiO 2-WO3系玻璃，其特征在于，其為將Bi2〇3、Te02、Si〇2以及WO 3作為必 需成分的Bi2O3-TeO2-SiO 2-WO3系玻璃，該玻璃的成分中以質(zhì)量％計含有30~60的Bi2〇3、l~ 40的Te02、l~20的SiO2以及1~20的W03。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的Bi2O3-TeO2-SiO2-WO 3系玻璃，其特征在于，所述Bi2O3-TeO2-SiO 2-WO3系玻璃含有總計0.1~25質(zhì)量％的任意成分，該任意成分為選自由ZnO、PbO、B2〇 3、 Al2〇3、R20成分以及RO成分組成的組中的至少一種，其中，R 2O成分為選自由K20、Na20以及 Li 20組成的組中的至少一種，RO成分為選自由MgO、CaO、SrO以及BaO組成的組中的至少一 種。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的Bi2O3-TeO2-SiO 2-WO3系玻璃，其特征在于，玻璃內(nèi) 具有導(dǎo)電性材料。4. 一種玻璃粉末材料，其特征在于，其為權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的Bi2O3-TeO2-SiO 2-WO3系玻璃的玻璃粉末。5. -種導(dǎo)電性糊劑，其特征在于，其含有權(quán)利要求4所述的玻璃粉末材料、有機賦形劑 和導(dǎo)電性材料。6. -種晶體Si太陽能電池的制造方法，其特征在于，其含有下述工序:在形成于η型硅 層之上的防反射膜上涂布權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電性糊劑作為表面電極形成用材料的工序、 將該導(dǎo)電性糊劑加熱至800°C以上的工序、以及 利用燒穿法去除所述防反射膜的工序。
【文檔編號】C03C3/07GK105906199SQ201610089951
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年2月17日
【發(fā)明人】濱田潤, 木田貴久, 柳澤誠通
【申請人】中央硝子株式會社