一種碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料及其制備方法，所述碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料包括碳化硅基體材料和ZrB2第二相材料，所述ZrB2第二相材料的含量≤18wt%，優(yōu)選為2～18wt%。綜上本發(fā)明制備的SiC基復(fù)相壓敏陶瓷材料通過(guò)伏安特性測(cè)試，表現(xiàn)為明顯的非線性壓敏特性。其具有特殊的應(yīng)用價(jià)值，有望作為在超高溫、強(qiáng)酸強(qiáng)堿等苛刻環(huán)境下運(yùn)行的電子元件。本發(fā)明所述方法為常壓燒結(jié)，可以制備不同形狀和尺寸的結(jié)構(gòu)陶瓷。
【專利說(shuō)明】
一種碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種碳化硅(SiC)基復(fù)相壓敏陶瓷的制備方法，屬于SiC陶瓷領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]壓敏陶瓷因具有良好的非線性伏安特性，其電阻隨著電壓的增加而急劇減小，在滅電火花、過(guò)電壓保護(hù)、制備避雷針和電壓穩(wěn)定化等方面有著重要的應(yīng)用。
[0003]碳化硅(SiC)壓敏陶瓷性能穩(wěn)定，不易老化，使用壽命長(zhǎng)，同時(shí)SiC陶瓷具有高溫下強(qiáng)度高、高導(dǎo)熱、耐腐蝕、耐中子輻照、抗熱震性好等優(yōu)點(diǎn)；二硼化鋯(ZrB2)熔點(diǎn)高、硬度高、導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能好且抗腐蝕和燒蝕。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明旨在結(jié)合SiC陶瓷和ZrB2陶瓷的優(yōu)點(diǎn)，制備出壓敏電壓可控的SiC/ZrB2復(fù)相陶瓷，以應(yīng)用于微電子領(lǐng)域。
[0005]—方面，本發(fā)明提供了碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料，所述碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料包括碳化硅基體材料和ZrB2第二相材料，所述ZrB2第二相材料的含量為< 18wt %，優(yōu)選為2 ?18wt%。
[0006]由于ZrB2與SiC的膨脹系數(shù)、彈性模量相當(dāng)，和SiC形成的復(fù)相陶瓷具有良好的物理匹配性，而且由于SiC和ZrB2不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，室溫下幾乎不互溶，因此得到的復(fù)合陶瓷可兼具二者各自的優(yōu)勢(shì)，其物理化學(xué)性能具有高溫穩(wěn)定性、耐腐蝕等特性;然而SiC和ZrB2的導(dǎo)電機(jī)理并不相同，前者表現(xiàn)出壓敏電阻的非線性特征(主要由晶粒間的肖特基勢(shì)皇引起)，后者表現(xiàn)出歐姆電阻的線性特征(主要由晶粒間的歐姆接觸引起)。若將二者按一定比例混合，當(dāng)ZrB2第二相材料的含量為在一定范圍內(nèi)變化時(shí)，制備出的復(fù)合陶瓷的導(dǎo)電性能也將發(fā)生相應(yīng)的改變。載流子(電子或者空穴)在SiC晶粒間的肖特基勢(shì)皇和ZrB2歐姆電阻內(nèi)傳導(dǎo)，SiC和ZrB2比例不同，肖特基勢(shì)皇和歐姆電阻發(fā)生變化。據(jù)此我們可以調(diào)控SiC/ZrB2復(fù)相陶瓷的壓敏電阻特性，使得SiC基陶瓷能在微電子領(lǐng)域得到更廣泛的應(yīng)用。
[0007]較佳地，所述碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料具有壓敏特征，當(dāng)ZrB2含量在2_18wt%變化時(shí)，壓敏電壓UimA在1.9V.mm—i'S.1V.mm—1可控，非線性系數(shù)α為1.66?2.44。
[0008]較佳地，所述碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料的密度為3.17?3.44g.cm—3，抗彎強(qiáng)度為310?350MPa。
[0009]另一方面，本發(fā)明還提供了一種碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料的制備方法，包括: 配置原料粉料:包括質(zhì)量百分比為82?98wt^^SiC粉體和質(zhì)量百分比為2?18的％的
ZrB2粉體;
將所述原料粉料通過(guò)球磨混合，配成固含量為40?45wt %的楽料；
將所得漿料噴霧造粒，依次進(jìn)行干壓成型和等靜壓成型或直接進(jìn)行等靜壓成型，獲得坯體;將所得坯體真空脫粘后，在常壓惰性氣氛條件下于1900?2300°C下燒結(jié)I?2小時(shí)，得所述碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料。
[0010]較佳地，所述SiC粉體的粒徑為0.1?Ιμπι。
[00111 較佳地，所述ZrB粉體的粒徑為I?5μηι。
[0012]較佳地，配置原料時(shí)還在原料粉體中加入燒結(jié)助劑，所述燒結(jié)助劑為B或B4C。所述燒結(jié)助劑的加入質(zhì)量為SiC粉體和ZrB2粉體總質(zhì)量的lwt%以下。
[0013]較佳地，配置原料時(shí)還在原料粉體中加入粘結(jié)劑，所述粘結(jié)劑為酚醛樹(shù)脂、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)中的至少一種。所述粘結(jié)劑的加入質(zhì)量為SiC粉體和ZrB2粉體總質(zhì)量的5?10wt%。
[0014]較佳地，所述干壓成型的壓力為10?lOOMPa，所述等靜壓的壓力為150?210MPa。
[0015]本發(fā)明還提供了一種調(diào)節(jié)碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料的壓敏電阻特性的方法，以B或B4C中的至少一種作為燒結(jié)助劑，以酚醛樹(shù)脂或PVA和/或PVB為粘結(jié)劑無(wú)壓固相燒結(jié)制備碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料，通過(guò)控制ZrB2第二相材料的量以調(diào)節(jié)碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料的壓敏電阻特性以使其壓敏電壓UimA在1.9V.mm—1?5.1V.mm—1可控。
[0016]綜上本發(fā)明制備的SiC基復(fù)相壓敏陶瓷材料通過(guò)伏安特性測(cè)試，表現(xiàn)為明顯的非線性壓敏特性，即電阻率隨著電壓的增加而降低，其壓敏電壓UlmA(電流密度ImA.Cm—2)在1.9V -mm^ilJS.lV.mm—1可控，相應(yīng)的非線性系數(shù):α在1.66?2.44范圍內(nèi)變化。其具有特殊的應(yīng)用價(jià)值，有望作為在超高溫、強(qiáng)酸強(qiáng)堿等苛刻環(huán)境下運(yùn)行的電子元件。本發(fā)明所述方法為常壓燒結(jié)，可以制備不同形狀和尺寸的結(jié)構(gòu)陶瓷。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為不同ZrB2含量SiC基復(fù)相壓敏陶瓷伏安特性曲線；
圖2為20wt%ZrB2含量的SiC基復(fù)相壓敏陶瓷的伏安特性曲線；
圖3為不同ZrB2含量SiC基復(fù)相壓敏陶瓷微觀結(jié)構(gòu)。
【具體實(shí)施方式】
[0018]以下通過(guò)下述實(shí)施方式進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，應(yīng)理解，下述實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。
[0019]本發(fā)明以可耐受超高溫的導(dǎo)電陶瓷ZrB2和SiC為原料，旨在提供一種碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料，所述碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料包括碳化硅基體材料和ZrB2第二相材料，所述ZrB2第二相材料的含量不超過(guò)18wt%，優(yōu)選為2-18wt%。當(dāng)ZrB2第二相材料含量大于18^%時(shí)，材料表現(xiàn)出了歐姆電阻的線性特征。此時(shí)，載流子基本不需要躍迀SiC晶粒間的肖特基勢(shì)皇，只需要通過(guò)ZrB2歐姆電阻。當(dāng)通過(guò)無(wú)壓固相燒結(jié)以及控制ZrB2第二相材料的含量以調(diào)節(jié)碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料的壓敏電阻特性以使其壓敏電壓瓜^在1.9V.mm—1?5.1V.mm—1可控，且具有很好的非線性伏安特性。
[0020]下面說(shuō)明本發(fā)明的碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料的示例制備方法。本發(fā)明以SiC粉體、ZrB2粉體為原料，還可加入燒結(jié)助劑、粘結(jié)劑(例如，酚醛樹(shù)脂、PVA、PVB等)通過(guò)球磨混合配成楽料。所述SiC粉體的粒徑可為0.1?Ιμπι。所述ZrB粉體的粒徑可為1-5μηι。粒徑在此范圍時(shí)具有較高的燒結(jié)活性。其中，SiC粉體優(yōu)選為高純SiC粉體，其氧含量<1.8wt%，F(xiàn)e含量<0.02wt%，以免影響陶瓷的電學(xué)性能。以固體粉體的總重量為基準(zhǔn)計(jì)，燒結(jié)助劑優(yōu)選為B和B4C中的至少一種，質(zhì)量百分含量可為O?1^%。粘結(jié)劑可選為酚醛樹(shù)脂、？￥41￥8等有機(jī)物，質(zhì)量百分含量可為5?1wt %，也可根據(jù)需要把粘結(jié)劑配成溶液在球磨混時(shí)添加。在球磨混合時(shí)可選用SiC球作為研磨球，以保證球磨過(guò)程中研磨球損料不會(huì)作為新的雜質(zhì)原料出現(xiàn)，其中SiC球質(zhì)量和原料粉料質(zhì)量比可為2:1。在球磨過(guò)程中添加水或其他溶劑，最后形成粉體質(zhì)量比為40?45wt%的楽;料。
[0021]然后將漿料噴霧造粒制成粉體，再將粉體經(jīng)過(guò)干壓成型和等靜壓成型制成坯體。干壓成型的壓力可選為10?lOOMpa，，隨后在壓力下進(jìn)行等靜壓成型處理時(shí)壓力可選為150?21010^，時(shí)間2111；[11。或直接進(jìn)行等靜壓成型，壓力可選為150?21010^，時(shí)間2111；[11。
[0022]在真空脫粘后，坯體在常壓惰性氣體條件下進(jìn)行燒結(jié)，便可得所述碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料。燒結(jié)氣氛可選為常壓氬氣氣氛，燒結(jié)溫度為1900?2300°C，燒結(jié)時(shí)間為I?2小時(shí)。
[0023]作為一個(gè)示例，進(jìn)一步具體地描述低壓SiC壓敏陶瓷制備過(guò)程，包括如下:I)配置原料粉料:所述原料粉體主要包括SiC粉體和ZrB2粉體，其中SiC粉體的加入量為SiC粉體和ZrB2粉體總量的82?98wt% ,ZrB2粉體的加入量為SiC粉體和ZrB2粉體總量的2?18wt%。還可以加入燒結(jié)助劑，燒結(jié)助劑的加入量為SiC粉體和ZrB2粉體總質(zhì)量的1?丨％以下為宜。同時(shí)還可以加入適量的粘結(jié)劑，該粘結(jié)劑的加入量為Si C粉體和ZrB2粉體總質(zhì)量的5?1wt % ; 2)楽;料制備:將所述原料粉料通過(guò)球磨混合，配成固含量為40?45wt%的楽料;3)成型:將所得漿料噴霧造粒，依次進(jìn)行干壓成型和等靜壓成型或直接進(jìn)行等靜壓成型，獲得坯體;4)燒成:將所得坯體真空脫粘后，在常壓惰性氣氛條件下于1900?2300°C下燒結(jié)I?2小時(shí)，得所述碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料。所述SiC粉體的粒徑為0.1?Ιμπι，所述ZrB粉體的粒徑為1-5μπι。所述燒結(jié)助劑為B或B4C。所述粘結(jié)劑為酚醛樹(shù)脂、PVA、PVB等。所述干壓成型的壓力為10?lOOMPa，所述等靜壓的壓力為150?210MPa。
[0024]將獲得的SiC基復(fù)相壓敏陶瓷材料加工成Φ12mm厚度2mm的圓片，并將其兩端磨平，在其兩端均勻涂覆上銀漿電極，然后將其在馬弗爐中750°C保溫lOmin。
[0025]獲得的SiC陶瓷圓片經(jīng)Keithley(吉時(shí)利)2450多通道測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試，其壓敏電壓UlmA(電流密度ImA.cm—2)在1.9V.mm—1到5.IV.mm—1之間可控，非線性系數(shù)α在1.66?2.44變化。
[0026]經(jīng)Keithley(吉時(shí)利)2450多通道測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試獲得不同ZrB2含量常壓固相燒結(jié)SiC陶瓷的伏安特性曲線如圖1和圖2所示。
[0027]經(jīng)阿基米德方法測(cè)量所得碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料的密度為3.17?3.44g.cm—3，經(jīng)三點(diǎn)彎曲法測(cè)量所得碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料抗彎強(qiáng)度為310?350MPa。
[0028]下面進(jìn)一步例舉實(shí)施例以詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。同樣應(yīng)理解，以下實(shí)施例只用于對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明，不能理解為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的上述內(nèi)容作出的一些非本質(zhì)的改進(jìn)和調(diào)整均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。下述示例具體的工藝參數(shù)等也僅是合適范圍中的一個(gè)示例，即本領(lǐng)域技術(shù)人員可以通過(guò)本文的說(shuō)明做合適的范圍內(nèi)選擇，而并非要限定于下文示例的具體數(shù)值。
[0029]實(shí)施例1
SiC、ZrB2 (2wt%) 一共10g、燒結(jié)助劑B4C加入0.6g，酚醛樹(shù)脂1g，將粉體配成固含量為45wt%的漿料，以SiC球200g為球磨介質(zhì)，混合24h。然后干燥過(guò)篩，得到的粉體在平板機(jī)上15MPa壓力成型，然后在200MPa壓力下等靜壓。脫粘后在常壓Ar氣氛下燒結(jié)，燒結(jié)溫度為2100°C，保溫時(shí)間lh，得到的SiC基復(fù)相壓敏陶瓷材料密度為3.17g.cm—3，抗彎強(qiáng)度為350MPa。將獲得的陶瓷制成Φ 12mm厚度2mm的小圓片，兩端涂覆銀漿電極，然后將其在馬弗爐中7 50 °C保溫I Omi η，獲得的電子元件經(jīng)Ke i th I ey (吉時(shí)利)2450多通道測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試，其壓敏電壓UimA(電流密度ImA.cm—2)為5.1OV.mm—1，非線性系數(shù)α = 2.44。
[0030]實(shí)施例2
51(:、2池2(6被％)—共10(^、燒結(jié)助劑84(:加入0.68，酚醛樹(shù)脂88，將粉體配成固含量為45wt%的漿料，以SiC球200g為球磨介質(zhì)，混合24h。然后干燥過(guò)篩，得到的粉體在平板機(jī)上15MPa壓力成型，然后在200MPa壓力下等靜壓。脫粘后在常壓Ar氣氛下燒結(jié)，燒結(jié)溫度為2100°C，保溫時(shí)間lh，得到的SiC基復(fù)相壓敏陶瓷材料密度為3.22g.cm—3，抗彎強(qiáng)度為338MPa。將獲得的陶瓷制成Φ 12mm厚度2mm的小圓片，兩端涂覆銀漿電極，然后將其在馬弗爐中7 50 °C保溫I Omi η，獲得的電子元件經(jīng)Ke i th I ey (吉時(shí)利)2450多通道測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試，其壓敏電壓UimA(電流密度ImA.cm—2)為4.37V.mm—S非線性系數(shù)α = 2.38。
[0031]實(shí)施例3
31(:、2池2(10的％)—共10(^，燒結(jié)助劑84(:加入0.68，酚醛樹(shù)脂58，將粉體配成固含量為45wt%的漿料，以SiC球200g為球磨介質(zhì)，混合24h。然后干燥過(guò)篩，得到的粉體在平板機(jī)上15MPa壓力成型，然后在200MPa壓力下等靜壓。脫粘后在常壓Ar氣氛下燒結(jié)，燒結(jié)溫度為19 O O °C，保溫時(shí)間2 h，得到的S i C基復(fù)相壓敏陶瓷材料密度為3.2 8 g.c m—3，抗彎強(qiáng)度為309MPa。將獲得的陶瓷制成Φ 12mm厚度2mm的小圓片，兩端涂覆銀漿電極，然后將其在馬弗爐中7 50 °C保溫I Omi η，獲得的電子元件經(jīng)Ke i th I ey (吉時(shí)利)2450多通道測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試，其壓敏電壓UimA(電流密度ImA.cm—2)為3.66V.πιπι—S非線性系數(shù)α = 2.15。
[0032]實(shí)施例4
31(:、2池2(14的％)—共10(^、燒結(jié)助劑硼8加入0.68，聚乙烯醇縮丁醛?￥8 8g，將粉體配成固含量為45wt%的漿料，以SiC球200g為球磨介質(zhì)，混合24h。然后干燥過(guò)篩，得到的粉體在平板機(jī)上15MPa壓力成型，然后在200MPa壓力下等靜壓。脫粘后在常壓Ar氣氛下燒結(jié)，燒結(jié)溫度為2300°C，保溫時(shí)間Ih，得到的SiC基復(fù)相壓敏陶瓷材料密度為3.35g.cm—3，抗彎強(qiáng)度為332MPa。將獲得的陶瓷制成Φ 12mm厚度2mm的小圓片，兩端涂覆銀漿電極，然后將其在馬弗爐中750°C保溫lOmin，獲得的電子元件經(jīng)Keithley(吉時(shí)利)2450多通道測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試，其壓敏電壓UlmA(電流密度ImA.cm—2)為3.12V.πιπι—S非線性系數(shù)α = 1.95。
[0033]實(shí)施例5
SiC、ZrB2(18wt%)—共100g，燒結(jié)助劑B4C加入0.6g，聚乙烯醇PVA 8g，將粉體配成固含量為45wt%的漿料，以SiC球200g為球磨介質(zhì)，混合24h。然后噴霧造粒，得到的粉體在200MPa壓力下直接等靜壓成型，脫粘后在常壓Ar氣氣氛下燒結(jié)，燒結(jié)溫度為2100°C，保溫時(shí)間Ih，得到的SiC基復(fù)相壓敏陶瓷材料密度為3.44g.cm—3，抗彎強(qiáng)度為31MPa。將獲得的陶瓷制成Φ 12 mm厚度2 mm的小圓片，兩端涂覆銀漿電極，然后將其在馬弗爐中7 5 O °C保溫lOmin，獲得的電子元件經(jīng)Keithley(吉時(shí)利)2450多通道測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試，其壓敏電壓UlmA(電流密度ImA.cm—2)為1.90V.mm—S非線性系數(shù)α = 1.66。
[0034]圖1為不同ZrB2含量SiC基復(fù)相壓敏陶瓷伏安特性曲線，從圖1中可以看出SiC復(fù)相陶瓷表現(xiàn)為明顯的非線性電阻特性。圖2為20wt%ZrB2含量的SiC基復(fù)相壓敏陶瓷的伏安特性曲線，從圖2中可以看出其伏安特性表現(xiàn)出歐姆電阻的線性特征，α = I，電阻率為220 Ω.cm。圖3為不同ZrB2含量SiC基復(fù)相壓敏陶瓷微觀結(jié)構(gòu)，其中(a)、(b)、(c)、(d)、(e)分別為本發(fā)明制備的ZrB2含量為、2wt%、6wt%、10wt%、14wt%、18wt%的3;[(]基復(fù)相壓敏陶瓷，從圖3中可以看出不同ZrB2含量的SiC復(fù)相陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)。其中圖(b)箭頭指的是ZrB2。
[0035] 對(duì)比例I
SiC、ZrB2(20wt % )一共10g，燒結(jié)助劑B4C加入0.6g，酚醛樹(shù)脂8g，將粉體配成固含量為45wt%的漿料，以SiC球200g為球磨介質(zhì)，混合24h。然后干燥過(guò)篩，得到的粉體在平板機(jī)上15MPa壓力成型，然后在200MPa壓力下等靜壓。脫粘后在常壓Ar氣氛下燒結(jié)，燒結(jié)溫度為2100°C，保溫時(shí)間lh，得到的SiC基復(fù)相壓敏陶瓷材料密度為3.48g.cm—3，抗彎強(qiáng)度為313MPaο將獲得的陶瓷制成Φ 12mm厚度2mm的小圓片，兩端涂覆銀漿電極，然后將其在馬弗爐中7 50 °C保溫I Omi η，獲得的電子元件經(jīng)Ke i th I ey (吉時(shí)利)2450多通道測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試，其伏安特性表現(xiàn)出歐姆電阻的線性特征，α = I，電阻率為220 Ω.cm。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料，其特征在于，所述碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料包括碳化硅基體材料和ZrB2第二相材料，所述ZrB2第二相材料的含量彡18wt%，優(yōu)選為2?18wt%02.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料，其特征在于，所述碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料具有壓敏特征，當(dāng)ZrB2含量在2?18wt%變化時(shí)，壓敏電壓UlmA在1.9V.mm—1?5.1 V* mm—1可控，非線性系數(shù)α為1.66?2.44。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料，其特征在于，所述碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料的密度為3.17?3.44g.cm—3，抗彎強(qiáng)度為310?350MPa。4.一種如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料的制備方法，其特征在于，包括: 配置原料粉料:包括質(zhì)量百分比為82?98wt°/c^SiC粉體和質(zhì)量百分比為2?18#%的ZrB2粉體; 將所述原料粉料通過(guò)球磨混合，配成固含量為40?45wt%的楽料； 將所得漿料噴霧造粒，依次進(jìn)行干壓成型和等靜壓成型或直接進(jìn)行等靜壓成型，獲得坯體； 將所得坯體真空脫粘后，在常壓惰性氣氛條件下于1900?2300°C下燒結(jié)I?2小時(shí)，得所述碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述SiC粉體的粒徑為0.1?Ιμπι。6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制備方法，其特征在于，所述ZrB粉體的粒徑為I?5μηι。7.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，配置原料時(shí)還在原料粉體中加入燒結(jié)助劑，所述燒結(jié)助劑為B或B4C。8.根據(jù)權(quán)利要求4至7中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，配置原料時(shí)還在原料粉體中加入粘結(jié)劑，所述粘結(jié)劑優(yōu)選為酚醛樹(shù)脂、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)中的至少一種。9.根據(jù)權(quán)利要求4至8中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述干壓成型的壓力為10?lOOMPa，所述等靜壓的壓力為150?210MPa。10.—種調(diào)節(jié)碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料的壓敏電阻特性的方法，其特征在于，以B或B4C中的至少一種作為燒結(jié)助劑，以酚醛樹(shù)脂、PVA、PVB中的至少一種作為粘結(jié)劑無(wú)壓固相燒結(jié)制備碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料，通過(guò)控制ZrB2第二相材料的含量以調(diào)節(jié)碳化硅基復(fù)相壓敏陶瓷材料的壓敏電阻特性以使其壓敏電壓UimA在1.9V.mm—1?5.1 V.mm—1可控。
【文檔編號(hào)】C04B35/64GK106083058SQ201610414390
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月13日 公開(kāi)號(hào)201610414390.6, CN 106083058 A, CN 106083058A, CN 201610414390, CN-A-106083058, CN106083058 A, CN106083058A, CN201610414390, CN201610414390.6
【發(fā)明人】陳健, 陳軍軍, 黃政仁, 陳忠明, 劉學(xué)建
【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所