石英堝蓋的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及用于直拉單晶硅的石英禍，具體涉及一種石英禍蓋。
【背景技術(shù)】
[0002]單晶硅生長(zhǎng)主要有直拉法和區(qū)熔法。直拉單晶硅生長(zhǎng)由于其成本較低、品質(zhì)良好而得到廣泛應(yīng)用，對(duì)于單晶硅的氧含量的控制范圍也有了更高的要求，為了能更好的滿足客戶的需求，需要在控氧方面有所新的突破。
[0003]直拉單晶硅的氧進(jìn)入硅溶液主要是因?yàn)槭⒌湹娜芙?，一小部分氧?huì)由固液界面進(jìn)入單晶棒中，大部分的氧則會(huì)由硅溶液表面以S1的形態(tài)揮發(fā)掉。硅溶液內(nèi)的氧含量實(shí)際就等于石英禍的溶解速度與硅溶液表面以S1的形態(tài)揮發(fā)掉的量之差值，差值越大硅溶液內(nèi)的氧越多，進(jìn)入到固液界面的氧也就越多，反之進(jìn)入硅液界面的氧也就越少。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型的目的是為了控制單晶硅的氧含量，特別設(shè)計(jì)一種石英禍蓋，即采取在石英禍頂部增加石英禍蓋的方案來控制直拉單晶硅的氧含量。
[0005]控制單晶硅的氧含量有以下幾種方式:
[0006]1.通過改變氣流方向、爐壓、氬氣流量改變硅溶液表面的S1的揮發(fā)速度。
[0007]2.改變晶轉(zhuǎn)禍轉(zhuǎn)速度，以增加磁場(chǎng)強(qiáng)度來增強(qiáng)硅溶液內(nèi)的對(duì)流，從而改變硅溶液與石英禍的反應(yīng)速度，減小石英禍的溶解速度。
[0008]3.通過改變石英禍形態(tài)，增大石英禍面積來增加硅溶液表面S1的揮發(fā)速度。
[0009]本實(shí)用新型采取以上的第一種方式來控制單晶硅的氧含量。
[0010]本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案是:一種石英禍蓋，其特征在于:所述的石英禍蓋上設(shè)有用于單晶硅生長(zhǎng)的中心孔，石英禍蓋的下沿內(nèi)表面與石英禍上端外表面緊密配合。
[0011]本實(shí)用新型產(chǎn)生的有益效果是:通過對(duì)石英禍頭部增加石英禍蓋，可以有效的減少AR(氬氣)進(jìn)入石英禍內(nèi)的含量，從而減少液面S1的揮發(fā)速度，增加單晶硅的氧含量。常規(guī)采用沒有石英禍蓋制備單晶硅的氧含量為9-llE16atm/cm3(E16是10的負(fù)16次方，atm/cm3是單位)，而增加本石英禍蓋后，制備單晶硅的氧含量為15-17E16 atm/cm3ο
【附圖說明】
[0012]圖1是本實(shí)用新型與石英禍整體結(jié)構(gòu)正視圖；
[0013]圖2是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明:
[0015]參照?qǐng)D1和圖2，石英禍蓋I上設(shè)有用于單晶硅3生長(zhǎng)的中心孔1-1，石英禍蓋I的下沿1-2內(nèi)表面與石英禍2上端外表面緊密配合。
[0016]實(shí)施例:石英禍蓋上的中心孔1-1直徑為120mm。石英禍蓋的外直徑為300mm;內(nèi)直徑為290mm。石英禍蓋的下沿1-2的高度為10mm。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種石英禍蓋，其特征在于:所述的石英禍蓋(I)上設(shè)有用于單晶硅生長(zhǎng)的中心孔(1-1)，石英禍蓋(I)的下沿(1-2)內(nèi)表面與石英禍(2)上端外表面緊密配合。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石英禍蓋，其特征在于:所述石英禍蓋上的中心孔(1-1)直徑為120mmo3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石英禍蓋，其特征在于:所述石英禍蓋的外直徑為300mm;內(nèi)直徑為290mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石英禍蓋，其特征在于:所述石英禍蓋的下沿(1-2)的高度為1mm0
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種用于直拉單晶硅的石英堝的石英堝蓋。石英堝蓋上設(shè)有用于單晶硅生長(zhǎng)的中心孔，石英堝蓋的下沿內(nèi)表面與石英堝上端外表面緊密配合。通過對(duì)石英堝頭部增加石英堝蓋，可以有效的減少AR（氬氣）進(jìn)入石英堝內(nèi)的含量，從而減少液面SiO的揮發(fā)速度，增加單晶硅的氧含量。常規(guī)采用沒有石英堝蓋制備單晶硅的氧含量為9-11E16atm/cm3,而增加本石英堝蓋后，制備單晶硅的氧含量為15-17E16？atm/cm3。
【IPC分類】C30B15/10, C30B29/06
【公開號(hào)】CN205258653
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521016983
【發(fā)明人】宋都明, 孫毅, 王林, 張頌越
【申請(qǐng)人】天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2015年12月9日