一種清潔設(shè)備及清潔方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種清潔設(shè)備及清潔方法。其中，清潔設(shè)備用于去除基板上的殘留物，包括：設(shè)置在所述基板上的形變單元；激勵單元，用于生成所述形變單元的激勵源，使所述形變單元在所述激勵源作用下發(fā)生形變，從而帶動所述基板振動，以脫落所述殘留物。本發(fā)明的技術(shù)方案在基板上設(shè)置有形變單元，并控制形變單元在激勵源作用下產(chǎn)生形變，該形變過程能夠輕柔地帶動基板產(chǎn)生振動，從而在不損傷基板的前提下，使基板表面的殘留物脫落下來，以達到清潔效果。
【專利說明】
一種清潔設(shè)備及清潔方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及顯示器的制作領(lǐng)域，特別是一種清潔設(shè)備及清潔方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著平板顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，液晶顯示器(LCD，Liquid Crystal Display)已成功應(yīng)用于便攜式電腦(Notebook)、監(jiān)控器(Monitor)、電視機(TV)等顯示設(shè)備中。目前，LCD已成為信息顯示的主流產(chǎn)品，其顯示品質(zhì)隨著制造工藝技術(shù)的進步而不斷優(yōu)化。
[0003]在LCD面板的生產(chǎn)過程中，為了使液晶分子能夠正確的取向，需要在陣列(Array)基板和彩膜(CF，Color Filter)基板的表面涂上一層聚酰亞胺(PI，Polyimide)膜，然后在PI膜上進行摩擦(Rubbing)工藝，以實現(xiàn)液晶分子的取向。因此，Array基板與CF基板的PI膜涂布(Coater)工藝是非常重要的一步工藝。
[0004]現(xiàn)有涂布設(shè)備的結(jié)構(gòu)如圖1所示，主要包括:設(shè)備框架11、轉(zhuǎn)印板12、輥輪(圖中未直接示出)、輥軸13和工作臺14。其中，輥軸13固定在設(shè)備框架11的側(cè)壁上，輥軸13的轉(zhuǎn)動帶動其連接的輥輪轉(zhuǎn)動，圖1中矩形的轉(zhuǎn)印板12是包裹在輥輪的側(cè)表面上的;轉(zhuǎn)印板12由柔性材料支撐，表面上設(shè)有小坑(約15μπι深)，成網(wǎng)狀排布，排布的密度大約為400Line/inch(線/英寸)，小坑的傾斜角度為45°，目的是使PI液在轉(zhuǎn)印板12上涂布均勻。工作臺14上用于放置玻璃基板(如Array基板、CF基板)，在玻璃基板放置在工作臺14上后，包裹在輥輪上的轉(zhuǎn)印板12與玻璃基板接觸;此時，借助工作臺14的傳動功能，玻璃基板在工作臺14的流水線上傳動，輥輪也同時轉(zhuǎn)動，從而將轉(zhuǎn)印板12上的PI液涂布在玻璃基板上，形成PI膜。
[0005]如果PI膜上有異物或PI膜涂布不均勻，就會嚴重影響IXD面板的畫面品質(zhì)，而且還會造成嚴重的物料浪費。通常在投入Array基板和CF基板前，先投入樣品(Dummy)玻璃基板，在Dummy玻璃基板上涂布PI膜，先通過檢查機進行檢查，然后在Mac/Mic (微觀/宏觀)顯微鏡設(shè)備上進行觀察，看PI膜涂布的是否均勻，是否有異物導(dǎo)致的不良。如果有異物導(dǎo)致的不良，則需要對轉(zhuǎn)印板進行擦拭，清除轉(zhuǎn)印板上的異物，再進行Dummy玻璃基板投入觀察效果，直到?jīng)]有異常再進行Array基板和CF基板的投入。目前對轉(zhuǎn)印板上異物的擦拭工作都是由工作人員進到涂布設(shè)備里進行擦拭，這種方法并不能保證徹底將轉(zhuǎn)印板的殘留物去除干凈，可能會影響后續(xù)PI膜涂布的質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種清潔設(shè)備及清潔方法，能夠有效去除基板在經(jīng)人工清洗后所留下的殘留物。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例提供一種清潔設(shè)備，用于去除基板上的殘留物，包括:
[0008]設(shè)置在所述基板上的形變單元；
[0009]激勵單元，用于生成所述形變單元的激勵源，使所述形變單元在所述激勵源作用下發(fā)生形變，從而帶動所述基板振動，以脫落所述殘留物。
[0010]可選地，所述形變單元為彈性腔體，所述激勵源為氣體或液體;所述激勵單元用于向所述彈性腔體內(nèi)輸送氣體或液體，使該彈性腔體發(fā)生形變，帶動所述基板振動，以脫落所述殘留物。
[0011]可選地，所所述形變單元為膨脹膜，且該膨脹膜具有隨溫度變化的膨脹系數(shù)，所述激勵源用于改變所述膨脹膜的溫度；
[0012]其中，所述膨脹膜在所述激勵源作用下熱脹冷縮，進而帶動所述基板發(fā)生振動，以脫落所述殘留物。
[0013]可選地，所述膨脹膜至少一部分由塑料纖維制成。
[0014]可選地，所述塑料纖維為聚己二酰己二胺纖維。
[0015]可選地，所述膨脹膜表面形成有吸盤結(jié)構(gòu)，并通過該吸盤結(jié)構(gòu)吸附在所述基板上。
[0016]可選地，所述激勵源為氣體，所述激勵單元包括:溫度控制部，用于通過輸出不同溫度的氣體，對設(shè)置有所述膨脹膜的基板進行冷熱循環(huán)處理。
[0017]可選地，所述清潔設(shè)備包括:正對所述基板設(shè)置的靜電模塊，用于對所述基板和所述殘留物電離，使所述基板和所述殘留物攜帶相同極性的電荷。
[0018]可選地，所述清潔設(shè)備包括:清潔腔室，所述激勵單元以及設(shè)置有所述形變單元的基板位于所述清潔腔室內(nèi)；
[0019]氣流循環(huán)部，設(shè)置在所述清潔腔室的腔壁上，用于排出溫度控制部輸出的氣體，以保持清潔腔室內(nèi)外的氣體流動性。
[0020]可選地，所述清潔設(shè)備還包括:設(shè)置在該清潔腔室內(nèi)的排污槽，用于排放從所述基板脫落的殘留物。
[0021]另一方面，本發(fā)明還提供一種清潔方法，用于去基板上的殘留物。其中所述基板上設(shè)置有形變單元，所述形變單元能夠在激勵源作用下發(fā)生形變;所述清潔方法包括:
[0022]生成所述形變單元的激勵源，使所述形變單元在所述激勵源作用下發(fā)生形變，從而帶動所述基板振動，以脫落所述殘留物。
[0023]可選地，所述形變單元為膨脹膜，所述膨脹膜具有隨溫度變化的膨脹系數(shù);生成所述形變單元的激勵源，包括:對貼附有所述膨脹膜的基板進行冷熱循環(huán)處理，使所述膨脹膜熱脹冷縮進而帶動所述基板發(fā)生形變，脫落所述殘留物。
[0024]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0025]本發(fā)明的技術(shù)方案在基板上設(shè)置有形變單元，并控制形變單元在激勵源作用下產(chǎn)生形變，該形變過程能夠輕柔地帶動基板產(chǎn)生振動，從而在不損傷基板的前提下，使基板表面的殘留物脫落下來，以達到清潔效果。
【附圖說明】
[0026]圖1為現(xiàn)有的PI膜涂布設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明的清潔設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3為本發(fā)明的設(shè)置有洗吸盤結(jié)構(gòu)的膨脹膜；
[0029]圖4為本發(fā)明的清潔設(shè)備的詳細結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0030]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0031]針對目前基板(如轉(zhuǎn)印板)在人工清洗后存在殘留物的問題，本發(fā)明提供一種解決方案。
[0032]—方面，本發(fā)明的實施例提供一種清潔設(shè)備，用于去除基板上的殘留物。
[0033]如圖2所示，基板21表面貼附有形變單元22(形變單元22優(yōu)選貼附在基板不設(shè)置功能圖案的表面上)，該形變單元22可以在激勵源作用下發(fā)生形變。
[0034]對應(yīng)地，本實施例的清潔設(shè)備包括:
[0035]激勵單元23，用于生成該形變單元22的激勵源，使形變單元22發(fā)生形變，從而帶動基板21振動，將殘留物從基板21上脫落下來。
[0036]在本實施例中，利用形變單元產(chǎn)生的形變可以實現(xiàn)較大的振動幅度，從而能夠有效脫落基板上的殘留物。同時，這種形變方式產(chǎn)生的振動較為柔和，因此能夠避免對基板的結(jié)構(gòu)以及基板表面已形成的功能圖形帶來損傷。
[0037]在涉及到實際應(yīng)用中，像PI膜涂布設(shè)備的轉(zhuǎn)印板就具有很高的清潔要求，在人工清洗過后，轉(zhuǎn)印板上仍然會殘留一些顆粒物，因此采用本實施例的清潔裝置可以進一步對人工清洗后的轉(zhuǎn)印板進行二次清潔，且不會破壞轉(zhuǎn)印板上的網(wǎng)狀摩擦表面，這保證了 PI膜的工藝質(zhì)量，有益于提尚顯不廣品的良品率。
[0038]當(dāng)然，在具體實施過程中，上述形變單元可以有很多種實現(xiàn)方式。例如，本實施例的形變單元可以為彈性腔體，對應(yīng)的激勵源為氣體或液體，上述激勵單元通過向彈性腔體內(nèi)輸送氣體或液體，使該彈性腔體發(fā)生形變，帶動所述基板振動。或者本實施例的形變單元為膨脹膜，且該膨脹膜具有隨溫度變化的膨脹系數(shù)，對應(yīng)的激勵源為溫度，上述激勵單元通過溫度調(diào)整，控制膨脹膜熱脹冷縮，進而帶動所述基板發(fā)生振動。不管本實施例采用何種形變方式，可以知道到是，但凡是通過形變單元的形變帶動基板振動脫落殘留物的技術(shù)方案都應(yīng)屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0039]下面以脫落轉(zhuǎn)印板的殘留物為例，對本實施例采用膨脹膜的方案進行詳細介紹。
[0040]本實施例的膨脹膜至少一部分可以由具有良好膨脹特性的塑料纖維制成，如聚己二酰己二胺纖維。如圖3所示，膨脹膜22在貼附轉(zhuǎn)印板的一側(cè)形成有吸盤結(jié)構(gòu)221，本實施例的膨脹膜22通過其一側(cè)的吸盤結(jié)構(gòu)221吸附在轉(zhuǎn)印板上。
[0041]當(dāng)然需要給予說明的是，圖3中僅用于示例性介紹本實施例的吸盤結(jié)構(gòu)。在實際應(yīng)用中，本實施例的吸盤結(jié)構(gòu)可以是均勻分布在膨脹膜一側(cè)的多個凹槽結(jié)構(gòu)，通過按壓在轉(zhuǎn)印板上的膨脹膜，使凹槽結(jié)構(gòu)在內(nèi)部空氣被擠出后，真空吸附在轉(zhuǎn)印板上。
[0042]進一步地，本實施例的膨脹膜與轉(zhuǎn)印板的形狀相對應(yīng)，均為矩形。其中，膨脹膜的兩個側(cè)分別與轉(zhuǎn)印板的兩個側(cè)邊相固定。在進行冷熱交替的處理時，膨脹膜發(fā)生形變，不斷對轉(zhuǎn)印板的兩個側(cè)邊進行扯動，使轉(zhuǎn)印板兩個側(cè)邊發(fā)生翹起，從而振動脫落殘留物。其中，作為優(yōu)選方案，膨脹膜的一側(cè)邊可以非活動固定在轉(zhuǎn)印板，而另一側(cè)邊則可以通過吸盤結(jié)構(gòu)吸附在轉(zhuǎn)印板上。在發(fā)生形變的過程中，膨脹膜設(shè)置有吸盤結(jié)構(gòu)的一側(cè)會向另一側(cè)不斷靠攏或遠離，這使得膨脹膜對轉(zhuǎn)印板扯動的力度與方向會根據(jù)形變發(fā)生變化，從而提高了殘留物的脫落效果。
[0043]當(dāng)然，上述實現(xiàn)方式僅用于示例性介紹本實施例的膨脹膜。在實際應(yīng)用中，還可以進一步根據(jù)轉(zhuǎn)印板的強度來合理設(shè)置吸盤結(jié)構(gòu)的面積。例如針對高強度的轉(zhuǎn)印板，膨脹膜可以具有大面積的吸盤結(jié)構(gòu)，能夠幾乎完全吸附在轉(zhuǎn)印板上，從而在熱脹冷縮的過程中，帶動轉(zhuǎn)印板發(fā)生較強烈的振動，以獲得更好的清潔效果;或者，針對低強度的轉(zhuǎn)印板，則可以在膨脹膜的邊緣區(qū)域設(shè)置吸盤結(jié)構(gòu)，只讓膨脹膜的邊緣帶動轉(zhuǎn)印板振動，從而降低對轉(zhuǎn)印板帶來損傷。
[0044]這里需要給予說明的是，作為其他可行方案，本實施例的膨脹膜也可以不設(shè)置吸盤結(jié)構(gòu)，直接通過膠體與轉(zhuǎn)印板固定。
[0045]此外，本實施例的膨脹膜可以是部分由塑料纖維制成，也可以是全部由塑料纖維制成。作為示例性介紹，膨脹膜用于與轉(zhuǎn)印板連接的兩側(cè)可以由塑料纖維制成，在進行溫度控制時，膨脹膜主要是兩側(cè)發(fā)生熱脹冷縮，從而提高拉拽轉(zhuǎn)印板的效果。
[0046]下面結(jié)合一個實際應(yīng)用對本實施例的清潔設(shè)備的整體設(shè)計進行詳細介紹。
[0047]如圖4所示，本實施例的清潔設(shè)備具有一清潔腔室，在該清潔腔室內(nèi)部設(shè)置有溫度控制部41(即本文上述的激勵單元)、支架42以及氣流循環(huán)部43。其中，
[0048]支架42具有多個在豎直方向上排列的支撐板44，每一支撐板44可盛放貼附有膨脹膜的轉(zhuǎn)印板45。
[0049]溫度控制部41設(shè)置在支架42側(cè)面，按照圖4箭頭所示的方向，向支架42盛放的轉(zhuǎn)印板45輸送不同溫度的氣體(一般為空氣)，使得設(shè)置有膨脹膜的轉(zhuǎn)印板45受到冷熱交替的循環(huán)處理。
[0050]氣流循環(huán)部43設(shè)置在清潔腔室的腔壁上，用于排出溫度控制部41輸出的氣體，以保持清潔腔室內(nèi)外的氣體流動性。
[0051]此外，為進一步加速殘留物從轉(zhuǎn)印板上脫落，本實施例的清潔腔室內(nèi)還設(shè)置有正對轉(zhuǎn)印板45的靜電模塊46，該靜電模塊46用于產(chǎn)生靜電場，該靜電場能夠?qū)D(zhuǎn)印板45及其表面殘留物進行電離，使轉(zhuǎn)印板45和殘留物攜帶相同極性的電荷后相互排斥。在具體的實際應(yīng)用中，上述靜電模塊46可以是電極結(jié)構(gòu)，通過對該電極結(jié)構(gòu)進行通電可以產(chǎn)生強靜電場。
[0052]進一步地，本實際應(yīng)用中，還可以在清潔腔室設(shè)置排污槽47，該排污槽47用于排放從轉(zhuǎn)印板脫落的殘留物。優(yōu)選地，排污槽可以是水槽，設(shè)置在轉(zhuǎn)印板45的下方，轉(zhuǎn)印板45上的殘留物在脫落后掉入水槽中，使得水槽內(nèi)的流水將殘留物帶走，從而防止殘留物再揮發(fā)到清潔腔室中。
[0053]綜上所述，本發(fā)明的實際應(yīng)用具有以下優(yōu)點:
[0054]I)通過吹風(fēng)的方式使膨脹膜熱脹冷縮，在一定程度上可以吹走轉(zhuǎn)印板上的殘留物，從而提高轉(zhuǎn)印板清潔效果。
[0055]2)通過設(shè)置的靜電場可以使轉(zhuǎn)印板與其殘留物攜帶相同電荷，從而相互排斥，易于脫落。
[0056]3)通過支架可以在豎直方向上盛放多個待清潔的轉(zhuǎn)印板，溫度控制部從支架側(cè)邊可以同時對多個待清潔的轉(zhuǎn)印板輸出空氣，提高了清潔效率，對于大生產(chǎn)線，高工作效率對應(yīng)高稼動率。此外，來自側(cè)向的風(fēng)力還能夠?qū)⑥D(zhuǎn)印板上的殘留物吹落，更有益于清潔。
[0057]4)在清潔完成后，操作人員可直接將盛放有轉(zhuǎn)印板的支架放在倉庫中進行保存，等待下次印刷PI薄膜時使用。
[0058]另一方面，本發(fā)明的實施例還提供一種清潔方法，用于去除基板上的殘留物。其中，基板上設(shè)置有形變單元，該形變單元能夠在激勵源作用下發(fā)生形變，本實施例清潔方法包括:
[0059]生成形變單元的激勵源，使改形變單元在激勵源作用下發(fā)生形變，從而帶動所基板振動，以脫落基板上的殘留物。
[0060]本實施例的方法通過激勵源使形變單元發(fā)生形變，在形變過程中，形變單元能夠輕柔地帶動基板產(chǎn)生振動，從而在不損傷基板的前提下，使基板表面的殘留物脫落下來，以達到清潔效果。
[0061]在具體實現(xiàn)中，上述形變單元可以是膨脹膜，該膨脹膜具有隨溫度變化的膨脹系數(shù)。其中，本實施例可以對設(shè)置有所述膨脹膜的基板進行冷熱循環(huán)處理，控制所述膨脹膜熱脹冷縮，進而帶動所述基板發(fā)生振動，以脫落基板上的殘留物。
[0062]當(dāng)然，作為優(yōu)選方案，本實施例可以對設(shè)置有膨脹膜的基板輸出不同溫度的氣體，以使膨脹膜受到冷熱循環(huán)處理，該方案的優(yōu)點是可以進一步借助風(fēng)力吹走基板上的殘留物，從而實現(xiàn)更好的清潔效果。
[0063]顯然，本實施例的清潔方法與本發(fā)明的清潔裝置相對應(yīng)，因此均能夠?qū)崿F(xiàn)相同的技術(shù)效果。
[0064]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種清潔設(shè)備，用于去除基板上的殘留物，其特征在于，包括: 設(shè)置在所述基板上的形變單元； 激勵單元，用于生成所述形變單元的激勵源，使所述形變單元在所述激勵源作用下發(fā)生形變，從而帶動所述基板振動，以脫落所述殘留物。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔設(shè)備，其特征在于， 所述形變單元為彈性腔體，所述激勵源為氣體或液體； 所述激勵單元用于向所述彈性腔體內(nèi)輸送氣體或液體，使該彈性腔體發(fā)生形變，帶動所述基板振動，以脫落所述殘留物。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔設(shè)備，其特征在于， 所述形變單元為膨脹膜，且該膨脹膜具有隨溫度變化的膨脹系數(shù)，所述激勵源用于改變所述膨脹膜的溫度； 其中，所述膨脹膜在所述激勵源作用下熱脹冷縮，進而帶動所述基板發(fā)生振動，以脫落所述殘留物。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的清潔設(shè)備，其特征在于， 所述膨脹膜至少一部分由塑料纖維制成。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的清潔設(shè)備，其特征在于， 所述塑料纖維為聚己二酰己二胺纖維。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的清潔設(shè)備，其特征在于， 所述膨脹膜表面形成有吸盤結(jié)構(gòu)，并通過所述吸盤結(jié)構(gòu)吸附在所述基板上。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的清潔設(shè)備，其特征在于， 所述激勵源為氣體，所述激勵單元包括: 溫度控制部，用于通過輸出不同溫度的氣體，對設(shè)置有所述膨脹膜的基板進行冷熱循環(huán)處理。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔設(shè)備，其特征在于，還包括: 正對所述基板設(shè)置的靜電模塊，用于對所述基板和所述殘留物電離，使所述基板和所述殘留物攜帶相同極性的電荷。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的清潔設(shè)備，其特征在于，還包括: 清潔腔室，所述激勵單元以及設(shè)置有所述形變單元的基板位于所述清潔腔室內(nèi)； 氣流循環(huán)部，設(shè)置在所述清潔腔室的腔壁上，用于排出溫度控制部輸出的氣體，以保持清潔腔室內(nèi)外的氣體流動性。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的清潔設(shè)備，其特征在于，還包括: 設(shè)置在該清潔腔室內(nèi)的排污槽，用于排放從所述基板脫落的殘留物。11.一種清潔方法，用于去除基板上的殘留物，其特征在于，所述基板上設(shè)置有形變單元，所述形變單元能夠在激勵源作用下發(fā)生形變;所述清潔方法包括: 生成所述形變單元的激勵源，使所述形變單元在所述激勵源作用下發(fā)生形變，從而帶動所述基板振動，以脫落所述殘留物。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的清潔方法，其特征在于， 所述形變單元為膨脹膜，所述膨脹膜具有隨溫度變化的膨脹系數(shù)； 生成所述形變單元的激勵源，包括: 對設(shè)置有所述膨脹膜的基板進行冷熱循環(huán)處理，控制所述膨脹膜熱脹冷縮，進而帶動所述基板發(fā)生振動，以脫落所述殘留物。
【文檔編號】G02F1/1337GK106076980SQ201610384100
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月1日 公開號201610384100.8, CN 106076980 A, CN 106076980A, CN 201610384100, CN-A-106076980, CN106076980 A, CN106076980A, CN201610384100, CN201610384100.8
【發(fā)明人】井楊坤, 劉飛, 徐志偉, 車曉盼, 陳傳輝
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司