專利名稱：除去向下流經(jīng)風(fēng)室的流體的氣泡的制作方法
除去向下流經(jīng)風(fēng)室的流體的氣泡
背景技術(shù)：
如相關(guān)專利申請中所述，已開發(fā)出線型給濕沉積系統(tǒng)來通過位于半導(dǎo)體單晶片的 上方和下方的一對附近(proximity)頭部(heads)將流體(例如水性或溶劑性)沉積到所 述晶片上。這種系統(tǒng)的具體實施中，所述附近頭部有利于半導(dǎo)體晶片上流體彎月面或膜的 形成和維護(hù)。某些情況下，配置線型給濕系統(tǒng)中的附近頭部來沉積僅一相的材料，即流體(例 如，水、去離子水和水性化學(xué)物質(zhì)或溶劑性化學(xué)物質(zhì))；也就是說，沉積的流體應(yīng)沒有氣相 材料。然而，在這種系統(tǒng)的操作過程中，可將氣泡(例如，氣相材料)截留在位于所述晶片 上方的鄰近頭部中，接著可聚集在晶片表面上，所述表面會是既疏水又疏油的。這些泡代表 所述晶片表面上不會發(fā)生流體的均勻沉積的容積。從而，需要一種給濕沉積系統(tǒng)，其在通過位于半導(dǎo)體晶片的上方的附近頭部將無 空氣流體沉積到所述半導(dǎo)體晶片上時，不會造成氣泡聚集。然而，正如將從以下說明書及其 附圖明顯看出的，下面要求保護(hù)的本發(fā)明可廣泛地應(yīng)用于除了本具體應(yīng)用以外的其它應(yīng)用 中。

發(fā)明內(nèi)容
示例實施方案包括消除半導(dǎo)體晶片表面的氣泡的儀器、系統(tǒng)和方法，通過所述晶 片上方的附近頭部將無空氣流體沉積在所述晶片表面上。在一個示例實施方案中，頂部附 近頭部包括輸送孔，其接收從所述頭部外泵送來的無空氣流體。所述頂部附近頭部還包括 風(fēng)室，其通過許多輸入通道與所述輸送孔相連，流體從所述輸送孔向下流入所述輸入通道。 在具體示例實施方案中，所述輸入通道各自具有倒置的V-型開口，所述開口促使所述風(fēng)室 中的所有氣泡向上流。所述流體從所述風(fēng)室經(jīng)輸出通道流出所述頂部附近頭部而在所述半 導(dǎo)體晶片上形成彎月面或膜以進(jìn)行清潔、清洗和/或馬蘭格尼(Marangoni)干燥等操作。在 示例實施方案中，將所述流體從所述彎月面經(jīng)通向返回孔的返回通道抽回到所述頂部附近 頭部，所述返回孔將流體從所述頭部輸出。一通路將所述輸送孔與所述返回孔相連，允許空 氣從輸送孔逃逸到返回孔。所述連接通路允許可忽略量的流體在所述兩孔之間直接流動而 不經(jīng)過所述風(fēng)室。在供選的示例實施方案中，所述流體可用于如蝕刻、涂覆或印刷等操作，而不是清 潔、清洗和/或Marangoni干燥。在這些示例實施方案中，可將所述流體沉積于半導(dǎo)體晶片 而不在所述半導(dǎo)體晶片形成彎月面或膜。通過抽吸孔從附近頭部抽吸和輸出的流體將在所 述輸送孔到所述抽吸孔之間經(jīng)所述連接通路直接流動的可忽略量的流體組成。無論是否形成彎月面，在具體的示例實施方案中，可通過一系列(例如10-15次) 的流體輸送和空轉(zhuǎn)時間的交替循環(huán)使所述頂部附近頭部無氣泡。通過以下詳細(xì)描述，本發(fā)明的優(yōu)點將變得明顯，以下詳細(xì)描述和附圖對本發(fā)明的 原理進(jìn)行示例性說明。


圖IA是一個示例實施方案的具有用于將流體沉積到半導(dǎo)體晶片上的一對附近頭 部的線型給濕系統(tǒng)的簡化示意圖。圖IB是顯示一個示例實施方案的線型給濕系統(tǒng)中運載裝置和附近頭部的俯視圖 的簡化示意圖。圖2是顯示頂部附近頭部的風(fēng)室內(nèi)氣泡的剖視圖。圖3是顯示一個示例實施方案的朝向頂部附近頭部的風(fēng)室的倒置V-型開口的剖 視圖。圖4是顯示一個示例實施方案的在運載裝置上的頂部附近頭部和半導(dǎo)體晶片的 橫截面的透視圖。圖5A是顯示一個示例實施方案的頂部附近頭部內(nèi)輸送孔和返回孔之間連接通路 的示意圖。圖5B是顯示一個示例實施方案的頂部附近頭部的橫截面內(nèi)的輸送孔和返回孔的 示意圖。圖6也是顯示一個示例實施方案的輸送孔和返回孔之間的連接通路的示意圖。圖7是顯示一個示例實施方案的頂部附近頭部內(nèi)流體輸送網(wǎng)絡(luò)的幾個尺寸的示 意圖。圖8A是顯示一個示例實施方案的頂部附近頭部內(nèi)的連接通路的幾個尺寸的示意 圖。圖8B是顯示一個示例實施方案的頂部附近頭部的蓋子的示意圖。圖9是一個示例實施方案的除去從頂部附近頭部向下流到彎月面的流體的氣泡 的方法的流程圖。圖10是一個示例實施方案的除去從頂部附近頭部向下流的流體的氣泡的方法的 流程圖。
具體實施例方式以下說明中，給出了許多具體細(xì)節(jié)以提供對示例實施方案的徹底理解。然而，顯而 易見，沒有這些具體細(xì)節(jié)中的一些，本領(lǐng)域技術(shù)人員仍可實施所述示例實施方案。其它情況 下，對于公知的實施細(xì)節(jié)和工藝工序，沒有進(jìn)行詳細(xì)描述。圖IA是一個示例實施方案的用于將流體沉積到半導(dǎo)體晶片上的、具有一對附近 頭部的線型給濕系統(tǒng)的簡化示意圖。圖IA中，線型給濕系統(tǒng)100包括頂部附近頭部103和 底部附近頭部104。這些附近頭部各自形成彎月面105，通過運載裝置101經(jīng)所述彎月面 105輸送半導(dǎo)體晶片102。應(yīng)該理解氣泡不會截留于底部附近頭部104 (例如半導(dǎo)體晶片下 方的附近頭部)中，這是由于空氣會比流體輕，因此會在流體輸送之間的系統(tǒng)空轉(zhuǎn)時間(例 如當(dāng)不存在彎月面時)上升。從而，盡管所述系統(tǒng)可能包括底部附近頭部和頂部附近頭部， 下面描述的示例實施方案不直接涉及底部附近頭部且該附近頭部沒有顯示于相應(yīng)圖中。圖IB是顯示一個示例實施方案的線型給濕系統(tǒng)的運載裝置和附近頭部的俯視圖 的簡化示意圖。如該圖中所示，運載裝置101沿著線型給濕系統(tǒng)100中在頂部附近頭部 103(顯示了其橫截面)下方的一對軌道106輸送半導(dǎo)體晶片102。在此示例實施方案中，頂部附近頭部103的橫截面包括橢圓形輸出通道107，其將流體沉積到晶片102，形成彎月 面或膜。頂部附近頭部103的橫截面還包括一排返回通道108，其將在流體沉積后從晶片抽 吸(例如采用部分真空)流體。一個供選示例實施方案中，在包括內(nèi)部和外部返回通道的 排列中，橢圓形輸出通道107可位于兩橢圓形返回通道之間。如相關(guān)專利申請中所述，也可 使用其它輸出通道和返回通道排列以如相關(guān)專利申請中所述產(chǎn)生彎月面。圖2是顯示頂部附近頭部的風(fēng)室內(nèi)的氣泡的剖視圖。圖2中，所述系統(tǒng)將流體經(jīng)輸 送孔201泵送入頂部附近頭部200。流體從輸送孔201向下經(jīng)輸入通道202流入風(fēng)室203 中。所述流體從風(fēng)室203經(jīng)輸出通道204流出頂部附近頭部200以形成彎月面，其沒有顯 示于圖2中。顯示于圖2中的有氣泡205，其可能在將流體輸送到頂部附近頭部200 (例如 不存在彎月面時)中之間的空轉(zhuǎn)時間內(nèi)形成。這種氣泡205會在空轉(zhuǎn)時間朝輸送孔201上 升，通常截留于輸入通道202進(jìn)入風(fēng)室203的地方。接著，當(dāng)進(jìn)行下一次流體輸送時，氣泡 205被迫經(jīng)輸出通道204向下，在此它們可聚集在半導(dǎo)體晶片上并阻礙流體的均勻沉積。圖3是顯示一個示例實施方案的朝向頂部附近頭部的風(fēng)室的倒置V-型開口的剖 視圖。圖3中，頂部附近頭部300包括輸送孔301，其通過輸入通道302與風(fēng)室303相連，風(fēng) 室303順次與輸出通道304相連。然而，在此示例實施方案中，頂部附近頭部300還包括倒 置的V-型開口 305，其促使氣泡向上流入輸入通道302并最終流入輸送孔301。在具體的示 例實施方案中，倒置V的側(cè)邊與V的中分線之間的角度接近45°。應(yīng)該理解所述角度取決 于材料、輸送流速等，且不是特定的。在具體的示例實施方案中，附近頭部300的構(gòu)件可由 高度不反應(yīng)的熱塑性材料如(a)聚偏二氯乙烯(PVDF)(其還稱為KYNAR或HYLAR或SYGEF) 或(b)乙烯-三氟氯乙烯(ECTFE，其還稱為Halar)制備。圖4是顯示一個示例實施方案的頂部附近頭部和半導(dǎo)體晶片的橫截面的透視圖。 圖4中，頂部附近頭部300包括輸送孔301，其通過輸入通道302與風(fēng)室303相連，風(fēng)室303 順次與輸出通道304相連。再次，頂部附近頭部300還包括倒置的V-型開口 305，其促使氣 泡向上流入輸入通道302并最終流入輸送孔301。還顯示于圖4中的有半導(dǎo)體晶片102和 運載裝置101，所述系統(tǒng)采用運載裝置101來將所述半導(dǎo)體晶片102定位于頂部附近頭部 300下方。圖5A是顯示一個示例實施方案的頂部附近頭部內(nèi)輸送孔和返回孔之間連接通路 的示意圖。圖5中，頂部附近頭部300包括輸送孔301和返回孔306 (這里內(nèi)部返回孔標(biāo)記 為IR)，通過通路307相連。還顯示于圖5中的有頂部附近頭部300內(nèi)的輸入通道302、風(fēng) 室303和輸出通道304。在風(fēng)室303上方的是倒置的V-型開口 305，所述系統(tǒng)采用開口 305 來促使氣泡向上進(jìn)入輸送孔301，經(jīng)過連接通路307，并最終進(jìn)入返回孔306。圖5B是顯示一個示例實施方案的頂部附近頭部的橫截面內(nèi)的輸送孔和返回孔的 示意圖。應(yīng)理解的是圖5B對應(yīng)圖5A中的A-A切割面。圖5B中，頂部附近頭部300包括輸 送孔301，其與輸入通道302相連，輸入通道302順次與風(fēng)室303相連，風(fēng)室303又與輸出 通道304相連。輸入通道302終止于倒置的V-型開口 305。還顯示于圖B中的有返回孔 306，其與返回通道308相連。如該圖中所示，流體從輸出通道304流到返回通道308。在示 例實施方案中，流體在晶片上形成膜或彎月面。在別的地方討論的另一示例實施方案中，流 體可能僅沉積于晶片上。圖6是也顯示一個示例實施方案的輸送孔和返回孔之間的連接通路的示意圖。圖6中，頂部附近頭部300包括輸送孔301a和返回孔306 (內(nèi)部返回孔再次標(biāo)記為IR)，通過 通路307相連。一個示例實施方案中，所述通路包括孔309，約.02英寸寬，例如足夠在輸送 孔301a和返回孔306之間產(chǎn)生5torr壓差，足夠克服毛細(xì)管和重力。還顯示于圖6中的有 倒置的V-型開口 305 (其中倒置V的側(cè)邊與V的中分線之間的角度約45° )，所述系統(tǒng)采 用開口 305來促使氣泡向上進(jìn)入輸送孔301，經(jīng)過連接通路307，并最終進(jìn)入返回孔306。在 示例實施方案中，輸送孔301b可為用于輸送流體的附加孔，可通過類似于連接通路307的 連接通路與返回孔306相連，所述類似的連接通路沒有顯示。應(yīng)理解的是孔309的寬度取 決于材料、輸送流速等，且不是特定的。圖7是顯示一個示例實施方案的頂部附近頭部內(nèi)流體輸送網(wǎng)絡(luò)的幾個尺寸的示 意圖。如該圖中所示，頂部附近頭部300包括輸送孔301 (例如輸送)，其與輸入通道302和 通路307都相連，所述通路307通向返回孔306 (例如內(nèi)部返回孔)。連接通路307允許可 忽略量的流體在所述兩孔之間直接流動而不經(jīng)過風(fēng)室。在示例實施方案中，輸入通道302 通過一狹窄部分302a與輸送孔301相連，所述狹窄部分302a反過來與寬闊部分302b相連。 寬闊部分302b與倒置的V-型開口 305相連，其開設(shè)在風(fēng)室303上。風(fēng)室303順次與輸出 通道304相連。在示例實施方案中，根據(jù)所需的流動參數(shù)，返回孔306可具有寬范圍的直徑。通常 直徑在0.250英寸至0.750英寸之間。輸送孔301可具有與返回孔接近的直徑范圍。如其 它地方所述，連接通路307可具有約.02英寸的開口。目的是進(jìn)行限制，使得對流體的導(dǎo)率 足夠小以允許總輸送流的小部分通過，而對氣體(或任何氣體)的導(dǎo)率足夠高以允許清除 系統(tǒng)的空氣(或任何氣體)。這可通過采用大致直徑在0. 005英寸-0. 050英寸之間的孔 來實現(xiàn)。狹窄部分302a的大致直徑可在0. 050英寸-0. 125英寸之間，寬闊部分302b的大 致直徑在0. 100英寸-0.250英寸之間。一個示例實施方案中，如上所述，角310(θ)可為 約45°，盡管其它示例實施方案中可以使用低于60°的其它角度。該角大約等于所用流體 (在該案例中，水)的10微升液滴在所用材料(在該案例中，PVDF)上形成的摩擦角。同 樣，在一個示例實施方案中，風(fēng)室303的大致高度在0. 100英寸-1. 000英寸之間，輸出通道 304的大致高度可在0. 100英寸-1. 000英寸之間。應(yīng)該理解的是圖7沒有按照比例繪制。圖8Α是顯示一個示例實施方案的頂部附近頭部內(nèi)的連接通路的幾個尺寸的示意 圖。圖8Α中，將覆蓋物313安裝到頂部附近頭部300的主體部分內(nèi)的空腔315內(nèi)，形成連 接通路。在一個示例實施方案中，覆蓋物313約1.5英寸寬和約.25英寸高。覆蓋物313 的端部314約.3英寸寬。覆蓋物313 (及其端部314)產(chǎn)生具有空腔315的洞。在圖8Α所 示示例實施方案中，所述洞的尺寸為約1.5英寸Χ.1英寸X. 02英寸。頂部附近頭部300 的主體部分包括通過空腔315相連的輸送孔301和返回孔306 (內(nèi)部返回孔標(biāo)記為IR)。輸 送孔301與凹穴311相連，具有孔309的限流器312安裝在所述凹穴311內(nèi)。在一個示例 實施方案中，限流器705的高度為約.1英寸，孔309的直徑為約.02英寸。應(yīng)該理解的是 圖8Α中所示的尺寸不是特定的，根據(jù)材料、輸送流速等可使用其它合適的尺寸。圖8Β是顯示一個示例實施方案的頂部附近頭部的蓋子的示意圖。如此圖中所示， 頂部附近頭部300包括空腔315，其與用于設(shè)置限流器312的凹穴311相連。該空腔還包括 縫隙316，其與內(nèi)部返回孔306 (其未顯示)相連。還顯示于圖8Β中的有具有端部314的蓋 子313。應(yīng)該理解的是當(dāng)安裝附近頭部300時，蓋子313 (及其端部314)嵌入空腔315中。還應(yīng)該理解的是圖8B不是按照比例繪制的。圖9是一個示例實施方案除去從頂部附近頭部向下流到彎月面的流體的氣泡的 方法的流程圖。在工序901中，所述系統(tǒng)將無空氣流體泵送入所述頂部附近頭部內(nèi)輸送孔 中，在工序902中，所述系統(tǒng)允許所述流體從所述輸送孔向下流入通向所述頂部附近頭部 內(nèi)風(fēng)室的輸入通道。在示例實施方案中，所述輸入通道終止于倒置的V-型開口，其促使風(fēng) 室內(nèi)的氣泡向上流。在工序903中，所述系統(tǒng)允許所述流體經(jīng)朝向所述風(fēng)室外部的輸出通 道向下流以在頂部附近頭部外面形成彎月面。接著在工序904中，所述系統(tǒng)通過所述附近 頭部內(nèi)的返回通道從所述半導(dǎo)體晶片抽吸流體，所述返回通道與同樣位于所述頂部附近頭 部內(nèi)的返回孔相連。在工序905中，所述系統(tǒng)將氣泡從所述風(fēng)室經(jīng)所述倒置的V-型開口抽 吸到所述輸送孔中，經(jīng)連接通路，進(jìn)入所述返回孔。在該工序中，量可忽略的流體從所述輸 送孔直接流入所述返回孔。接著在工序906中，所述系統(tǒng)將所述流體泵出所述返回孔。在 所述方法的工序907中，所述系統(tǒng)重復(fù)工序901至906 (例如，采用它們“襲擊彎月面”)約 10-15次來使得所述頂部附近頭部無氣泡。使得無氣泡后，所述頂部附近頭部可保持在該狀 態(tài)(例如充滿流體)幾小時，盡管在流體輸送之間的空轉(zhuǎn)時間內(nèi)。在一個示例實施方案中，工序907中的交替循環(huán)次數(shù)可取決于輸送流速，例如，大 的流速需要較小的交替循環(huán)次數(shù)來使所述頂部附近頭部無氣泡。在一個示例實施方案中， 流體輸送流速可能為約1.5升/分鐘，盡管供選示例實施方案可采用較小(例如，約1升/ 分鐘)和較大(例如，約2. 4升/分鐘)輸送流速。應(yīng)該理解的是交替循環(huán)可考慮為頂部 附近頭部的自吸。在一個示例實施方案中，當(dāng)沉積清潔流體時，所述頂部附近頭部可采用圖9中所 示的方法。這種清潔流體可為水性或溶劑性的。這種清潔流體可包括清潔化學(xué)物質(zhì)如DIW/ 過氧化氫、氫氧化銨、DIW/HC1/H202、DIW/H2S04/H202、DIW/HF、DIW/HF/H202及專有清潔化學(xué)物 質(zhì)。在同一或供選的示例性實施方案中，當(dāng)沉積清洗流體如DIW(去離子水)或 IPA(異丙醇)時，所述頂部附近頭部可采用圖9中所示的方法。在同一或供選示例性實施 方案中，當(dāng)采用包含IPA和氮氣的干燥流體進(jìn)行Marangoni干燥時，所述頂部附近頭部可采 用圖9中所示的方法。在其它供選的示例實施方案中，流體可用于蝕刻、涂覆或印刷等操作而不是清潔、 清洗和/或Marangoni干燥。在這些示例實施方案中，流體可沉積于半導(dǎo)體晶片而不在半 導(dǎo)體晶片上形成彎月面或膜。在這些示例實施方案中，通過抽吸孔從所述附近頭部抽吸和 輸出的流體將由在所述輸送孔與所述抽吸孔之間經(jīng)連接通路直接流動的量可忽略的流體 組成。圖10是一個示例實施方案不涉及半導(dǎo)體晶片上的彎月面的方法的流程圖。在工 序1001中，所述系統(tǒng)將無空氣流體泵送入所述頂部附近頭部內(nèi)的輸送孔中，在工序1002 中，所述系統(tǒng)允許所述流體從所述輸送孔向下流入通向所述頂部附近頭部內(nèi)風(fēng)室的輸入通 道。在示例實施方案中，所述輸入通道終止于倒置的V-型開口，其促使風(fēng)室內(nèi)的氣泡向上 流。在工序1003中，所述系統(tǒng)允許所述流體向下經(jīng)從所述風(fēng)室導(dǎo)出的輸出通道流到所述基 底上。在工序1004中，所述系統(tǒng)經(jīng)所述倒置的V-型開口從所述風(fēng)室抽吸氣泡進(jìn)入所述輸 送孔，接著經(jīng)連接通路進(jìn)入抽吸孔。在此工序中，量可忽略的流體從所述輸送孔直接流入所述抽吸孔而不進(jìn)入所述風(fēng)室。在所述方法的工序1005中，所述系統(tǒng)重復(fù)工序1001至1004 約10-15次來使得所述頂部附近頭部無氣泡。使得無氣泡后，所述頂部附近頭部可保持在 該狀態(tài)(例如充滿流體)幾小時，盡管在流體輸送之間的空轉(zhuǎn)時間內(nèi)。同樣，工序1005中的交替循環(huán)次數(shù)可取決于輸送流速，例如，大的流速需要較小 的交替循環(huán)次數(shù)來使頂部附近頭部無氣泡。在一個示例實施方案中，流體輸送流速可能為 約1. 5升/分鐘，盡管供選示例實施方案可采用較小(例如，約1升/分鐘)和較大(例如， 約2. 4升/分鐘)輸送流速。盡管已對以上示例實施方案進(jìn)行詳細(xì)地描述以便于清晰地理解，應(yīng)該理解的是在 附錄的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)可進(jìn)行某些改變和改進(jìn)。因此，在供選的示例實施方案中，所述 系統(tǒng)可采用不是倒置的V-型的形狀來促使氣泡向上?；蛘咄ㄟ^所述系統(tǒng)消除的氣體可能 為不是空氣的氣體?；蛘?，附近頭部可能不是螺旋給濕系統(tǒng)而是線型給濕系統(tǒng)中的組件。從 而，示例實施方案應(yīng)理解為說明性而非限定性的，本發(fā)明不局限于這里給出的細(xì)節(jié)，而可在 附錄權(quán)利要求書的范圍和等同內(nèi)容內(nèi)進(jìn)行改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種儀器，包括在頭部內(nèi)的輸送通路，其接收來自所述頭部外面的流體；在所述頭部內(nèi)的風(fēng)室，與允許所述流體從所述輸送通路流入所述風(fēng)室的輸入通道相 連，其中所述輸入通道各自具有朝向所述風(fēng)室的倒置V-型開口以促使所述風(fēng)室中的所有 氣泡經(jīng)所述倒置的V-型開口向上流；在所述頭部內(nèi)的輸出通道，允許流體從所述風(fēng)室向下流到基底上；在所述頭部內(nèi)的返回通路，其提供來自所述附近頭部外面的抽吸力；和在所述頭部內(nèi)的連接通路，其將所述輸送通路與所述返回通路相連并讓一定量的流體 從所述輸送通路流到所述返回通路，其中所述量比從所述輸送通路流到所述風(fēng)室的流體總 量小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儀器，還包括與所述返回通路相連的、在所述頭部內(nèi)的返回 通道，其中所述返回通道從所述基底抽吸所述流體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儀器，其中已通過一次或多次流體輸送和空轉(zhuǎn)時間的交替循 環(huán)將所述儀器初始化以消除所述輸出通道、所述風(fēng)室、所述輸入通道和所述輸送通道中的 所述氣泡。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的儀器，其中交替循環(huán)的次數(shù)的大致范圍為10-15。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儀器，其中所述基底為半導(dǎo)體晶片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儀器，其中所述頭部在基底上形成彎月面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的儀器，其中所述基底為半導(dǎo)體晶片。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的儀器，其中所述流體為蝕刻流體。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的儀器，其中所述流體為選自清潔流體和清洗流體的流體。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的儀器，其中所述流體為進(jìn)行Marangoni干燥的流體。
11.除去頭部的風(fēng)室內(nèi)流體中的氣泡的方法，包括將所述流體泵送入所述頭部內(nèi)的輸送通路；允許所述流體流入所述頭部內(nèi)的所述風(fēng)室中，其中所述風(fēng)室與允許所述流體從所述 輸送通路流入所述風(fēng)室的輸入通道相連，其中所述輸入通道各自具有朝向所述風(fēng)室的倒置 V-型開口以促使所述風(fēng)室中的所有氣泡經(jīng)所述倒置的V-型開口向上流；允許所述流體從所述風(fēng)室經(jīng)所述頭部內(nèi)與所述風(fēng)室相連的輸出通道向下流到基底上；在頭部內(nèi)返回通路中產(chǎn)生抽吸力，其中連接通路將所述輸送通路和返回通路相連并允 許一定量的流體從所述輸送通路流到所述返回通路，其中所述量比從所述輸送通路流到所 述風(fēng)室的流體總量小。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括與所述返回通路相連的、在所述頭部內(nèi)的返 回通道，其中所述返回通道從所述基底抽吸所述流體。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括通過一次或多次流體輸送和空轉(zhuǎn)時間的交替 循環(huán)將所述頭部初始化以消除所述輸出通道、所述風(fēng)室、所述輸入通道和所述輸送通道中 的所述氣泡的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中交替循環(huán)的次數(shù)的大致范圍為10-15。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述基底為半導(dǎo)體晶片。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述頭部在基底上形成彎月面。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述基底為半導(dǎo)體晶片。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述流體為選自清潔流體和清洗流體的流體。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述流體為進(jìn)行Marangoni干燥的流體。
20.一種自吸頭部的方法，包括通過一次或多次重復(fù)以下工序?qū)⑺鲱^部初始化以在基底上產(chǎn)生彎月面 將流體泵送入所述頭部內(nèi)的輸送通道，所述輸送通道允許所述流體向下經(jīng)多條輸入 通道進(jìn)入所述頭部內(nèi)的風(fēng)室中，所述風(fēng)室允許所述流體向下經(jīng)多條輸出通道流到所述基底 上，其中所述輸入通道各自具有倒置的V-型開口 ；和通過經(jīng)所述風(fēng)室和經(jīng)朝向所述輸送通道的倒置V-型開口和經(jīng)將所述輸送通道與輸出 氣泡的返回通道相連的連接通路向上抽吸所述氣泡除去所述輸出通道、所述風(fēng)室、所述輸 入通道和所述輸送通道的所述氣泡，其中所述連接通路允許一定量的流體從所述輸送通路 流到所述返回通路，所述量比從所述輸送通路流到所述風(fēng)室的流體總量??；和 通過將所述流體泵送入所述輸送通道來在基底上形成所述彎月面。
全文摘要
一個示例實施方案中，用于將流體沉積在半導(dǎo)體晶片上的頂部附近頭部包括接收流體的輸送孔。所述頂部附近頭部包括風(fēng)室，其通過許多輸入通道與所述輸送孔相連，流體從所述輸送孔流入所述輸入通道。各輸入通道具有倒置的V-型開口，其促使所有氣泡向上流。所述流體從所述風(fēng)室流經(jīng)頂部附近頭部外的輸出通道而形成彎月面。通過通向返回孔的返回通道將所述流體從所述彎月面吸回到所述頂部附近頭部。一通路將所述輸送孔與所述返回孔相連，允許氣泡從所述輸送孔逃逸到所述返回孔。所述通路允許可忽略量的流體在所述兩孔之間直接流動而不經(jīng)過所述風(fēng)室。
文檔編號B01D19/00GK102112193SQ200980130735
公開日2011年6月29日 申請日期2009年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月19日
發(fā)明者恩里科·馬尼, 拉塞爾·馬丁 申請人:朗姆研究公司