單片集成的三電極cmut設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本文公開了一種電容式微機(jī)械超聲換能器(CMUT)單元，包括如下三個(gè)電極：第一電極，其耦合到單元膜；第二電極，其嵌入到與所述第一電極相對(duì)且與所述第一電極分離開一氣體腔或真空腔的單元層板中；以及第三電極，其在腔體邊上與所述第二電極相對(duì)，其中，電介質(zhì)層夾在所述第二電極和所述第三電極之間以創(chuàng)建所述第二電極和所述第三電極之間的電容關(guān)系。三電極CMUT單元提供具有兩個(gè)受主動(dòng)驅(qū)動(dòng)的(控制的)電極的超聲換能器。
【專利說明】
單片集成的三電極CMUT設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及電容式微機(jī)械超聲換能器(CMUT)單元，其包括基底、與基底相對(duì)的單元膜(所述基底與單元膜之間具有空隙)、耦合到單元膜的第一電極、嵌入到單元層板第二電極，所述單元層板與第一電極相對(duì)且與第一電極分離開一氣體腔或真空腔，其中，所述單元層板包括基底的上表面。此外，本發(fā)明涉及包括根據(jù)本發(fā)明的CMUT單元的陣列探頭，并且涉及包括根據(jù)本發(fā)明的這種探頭超聲成像系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002 ]這種電容式微機(jī)械超聲換能器單元、探頭、成像系統(tǒng)在EPl 944070中公開。
[0003]這些產(chǎn)品用于醫(yī)學(xué)診斷掃描。
[0004]CMUT換能器是數(shù)十個(gè)微米大小的類似隔膜的單元，其通常包括彼此相對(duì)的兩個(gè)電極。為了發(fā)射，應(yīng)用到電極的電容電荷被調(diào)制以使得設(shè)備的隔膜(膜)振動(dòng)/移動(dòng)并由此發(fā)送聲波。在聲波傳播路徑上放置的對(duì)象反射波。被反射的聲波使得膜振動(dòng)，這調(diào)節(jié)CMUT換能器的兩個(gè)電極之間的電容，由此產(chǎn)生電信號(hào)。此信號(hào)表示被反射的聲波擊中膜。
[0005]CMUT單元布置在針對(duì)高頻波束形成的陣列中。
[0006]為了較好的性能，CMUT需要在電極之間應(yīng)用的高偏置電壓(例如，100V)。
[0007]在此情形中，當(dāng)3D成像不可行時(shí)(例如，由于成本原因、有限的可用區(qū)域或者需要的幀速率)，可以應(yīng)用雙平面2D成像。
[0008]在雙平面成像中，CMUT的陣列劃分在基本上沿著兩個(gè)方向布置的兩組換能器單元中，其中，每個(gè)CMUT單元可以在兩個(gè)組中激活。在現(xiàn)有技術(shù)中，這是通過如下來實(shí)現(xiàn)的:將單元的所有頂部電極按照陣列連接到具有沿著X-方向的主朝向的金屬化圖案，并將所有底部電極連接到帶有沿著y-方向的主朝向的金屬化圖案。DC源是通過RC濾波器(也稱為偏置T型濾波器)供應(yīng)給組中的每個(gè)單元的。此偏置T型濾波器將信號(hào)的AC分量與DC分量分開，使得用于對(duì)探頭的檢測信號(hào)進(jìn)行處理的ASIC技術(shù)僅必須應(yīng)對(duì)信號(hào)的AC分量并被防止暴露于高電壓。
[0009]陣列中的偏置T型濾波器包括針對(duì)每個(gè)互連的單元的分立高電壓耦合電容器和分立高阻抗電阻器。在組中有“N”個(gè)單元的情況下，必須提供“N”個(gè)分立高電壓電容器和相同數(shù)量的分立電阻器。由于這些高電壓組件的相對(duì)大的尺寸，偏置T型濾波器在CMUT中的應(yīng)用消除了小型化獲得的益處并可能幾乎無法在例如超聲導(dǎo)管中實(shí)現(xiàn)。此外，這些分立組件的寄生效應(yīng)可以限制陣列的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是為提供在開篇段落中給出的那種電容式微機(jī)械超聲換能器單元，其能夠向CMUT陣列提供改進(jìn)且高效的高電壓供給，更加適于小型化。
[0011]根據(jù)本發(fā)明，此目標(biāo)是通過提供包括第三電極的電容式微機(jī)械超聲換能器單元來實(shí)現(xiàn)的，其中，第一或第二電極與第三電極電容地耦合，其中，所述電容耦合是通過夾在電容地耦合的電極之間并與電容地耦合的電極直接接觸的電介質(zhì)層來實(shí)現(xiàn)的。
[0012]CMUT單元的這種有利設(shè)計(jì)，包括集成到該單元中的三個(gè)電極，提供了改進(jìn)的CMUT設(shè)備，其中，超聲換能器和RC濾波器的電容組件在一個(gè)CMUT單元中實(shí)現(xiàn)。單獨(dú)的第三電極被定位于兩個(gè)電極之間，并與CMUT單元的這兩個(gè)電極中的任一個(gè)具有電容關(guān)系，其中，這兩個(gè)電極是由腔體隔開的。這種電容耦合是由夾在電容地耦合的電極之間的電介質(zhì)層來實(shí)現(xiàn)的。因此，第三電極是經(jīng)由CMUT腔體電容地耦合到兩個(gè)電極中的一個(gè)電極，并通過電介質(zhì)層電容地耦合到另一電極，其中，后一關(guān)系定義了針對(duì)集成到CMUT單元的RC濾波器的電容器。因此，與高偏置電壓有關(guān)的所存儲(chǔ)的電荷可以由兩個(gè)導(dǎo)電金屬板從用戶/患者隔離開。
[0013]在本發(fā)明的實(shí)施例中，第三電極被位于單元層板中在腔體側(cè)與第二電極相對(duì)。該實(shí)施例描述了三電極CMUT單元的特定實(shí)現(xiàn)方式，其中，所述第三電極被定位于所述單元層板中，使得其在所述腔體側(cè)與所述第二電極相對(duì)。在該情況下，對(duì)于第二電極和第三電極兩者，到第一電極的分隔距離包括CMUT腔體。針對(duì)該配置煌可以優(yōu)勢可以是CMUT制造過程的簡化，其中，三個(gè)電極中的兩個(gè)被定位于CMUT腔體的非振動(dòng)層板上。
[0014]在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述第二電極與所述第三電極之間的電容關(guān)系大于或等于所述第三電極與所述第一電極之間的電容關(guān)系。
[0015]為提供RC濾波器電容性部件的更加有效的實(shí)現(xiàn)方式并且避免信號(hào)衰減，由所述第二電極和第三電極形成的電容將等于或大于由CMUT腔體所限定的電容。
[0016]在本發(fā)明的再另一實(shí)施例中，所述電介質(zhì)層包括具有高介電常數(shù)的材料的層。
[0017]該狀況是對(duì)第二電極與第三電極之間的電容關(guān)系的要求的結(jié)果。為保持該電容在CMUT的電容之上，電介質(zhì)層可以是具有高介電常數(shù)的材料(所謂的高k介電質(zhì))。這也將允許避免電極之間的漏電流并且達(dá)到CMUT的工作中的穩(wěn)定性。由于漏電流是不期望的，擊穿也是不需要的，可以施加降低介電質(zhì)厚度的限制(期望承受施加的偏置電壓)并且因此其將限制電容間的比率(Cc/Cf)。
[0018]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，所述電容式微機(jī)械超聲換能器單元還包括用于向所述第三電極引起相對(duì)于接地電位的DC偏置電壓的DC源，以及耦合到所述第一電極和所述第二電極的用于引起/感測所述膜的振動(dòng)的信號(hào)發(fā)射器/接收器(105)。
[0019]所述DC偏置源是通過獨(dú)立的第三電極提供的，而所述發(fā)射器/接收器(通過ASIC電子器件提供)可以經(jīng)由耦合到分別的信號(hào)(第一和第二)電極來進(jìn)行驅(qū)動(dòng)和/或感測。該電極的配置允許從信號(hào)分量中分離DC偏置分量。結(jié)果是，在第一電極和第二電極被主動(dòng)地控制的情況下，能夠降低對(duì)ASIC技術(shù)的高電壓要求。這還允許利用從兩側(cè)驅(qū)動(dòng)CMUT單元的優(yōu)勢。
[0020]在本發(fā)明的再另一實(shí)施例中，DC偏置源通過電阻器(R)被連接到第三電極，阻抗在CMUT單元的共振頻率大于第一電極和第三電極之間的阻抗。
[0021]該實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了RC濾波器到CMUT單元的完全集成。電容性部件是通過第二電極和第三電極之間的電介質(zhì)層來實(shí)現(xiàn)的，而高阻抗部件是通過與所述第三電極串聯(lián)連接并且經(jīng)由其可以施加DC電壓的電阻器來實(shí)現(xiàn)的。因此，在該實(shí)施例中，每個(gè)換能器CMUT單元可以具有其自己的高阻抗，屏蔽偏置節(jié)點(diǎn)之內(nèi)的電阻器。這使得“cMUT單元故障”不引起大的短路電流并且因此不引起連接的ASIC的整個(gè)隊(duì)列的崩潰。
[0022]在本發(fā)明的另外的實(shí)施例中，所述探頭包括CMUT單元的陣列，所述陣列包括CMUT單元的第一子組和第二子組，其中，CMUT單元的所述第一子組具有沿著兩個(gè)方向中的一個(gè)方向互連的所述第一電極，所述CMUT單元的所述第二子組具有沿著另一個(gè)方向互連的所述第二電極。該實(shí)施例開發(fā)了經(jīng)由陣列中的第一電極和第二電極兩者來驅(qū)動(dòng)CMUT單元的機(jī)會(huì)。第一子組中的第一電極和第二子組中的第二電極的互聯(lián)提供了針對(duì)兩個(gè)子組使用相同的CMUT單元以及獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)每個(gè)子組的可能。
[0023]在本發(fā)明的再另一實(shí)施例中，陣列中的CMUT單元的第三電極經(jīng)由串聯(lián)電阻器而被連接到相同的DC偏置電壓。應(yīng)用相同的DC偏置電壓簡化了探頭中的電子器件互聯(lián)并且允許超聲探頭的尺寸的進(jìn)一步縮小。
[0024]本發(fā)明的這些和其他方面將根據(jù)下文描述的實(shí)施例變得顯而易見，并且將參考下文描述的實(shí)施例得到闡述。
【附圖說明】
[0025]在附圖中:
[0026]圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明的原理的包括三個(gè)電極的CMUT單元，
[0027]圖2圖示了塌陷到單元層板的CMUT單元，
[0028]圖3(a)描繪了具有集成RC濾波器的CMUT單元的功能圖；(b)描繪了本發(fā)明的CMUT單元的符號(hào)表示；(C)圖示了根據(jù)本發(fā)明的原理的CMUT單元的主要單元的示意性表示，
[0029]圖4(a)圖示了高阻抗電阻器到CMUT單元的片上實(shí)現(xiàn)方式；(b)圖示了集成到CMUT單元的基底的電阻器；(C)圖示了第三電極和高阻抗電阻器的組合集成，
[0030]圖5(a)圖示了在信號(hào)的發(fā)射期間使用不同的電路配置的信號(hào)發(fā)射器/接收器的實(shí)現(xiàn)方式；(b)圖示了在回波信號(hào)的接收期間使用不同的電路配置的信號(hào)發(fā)射器/接收器的實(shí)現(xiàn)方式；(C)圖示了使用具有分開的發(fā)射和接收節(jié)點(diǎn)的單端電路配置的信號(hào)發(fā)射器/接收器的實(shí)現(xiàn)方式，
[0031]圖6描繪了在雙平面配置中布置的CMUT單元的2D陣列；
[0032]圖7描繪了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括三個(gè)電極和附加的偏置電極B2的CMUT單元;并且
[0033]圖8以方框圖形式描繪了被布置成要根據(jù)本發(fā)明的原理操作的超聲成像系統(tǒng)。
【具體實(shí)施方式】
[0034]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中，超聲換能器陣列10’(圖8)的單元包括CMUT單元。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的CMUT單元I的實(shí)施例。柔性膜或隔膜114懸在基底112上方(或者與基底112相對(duì))并且在其之間具有空隙8。基底可以由硅或諸如玻璃的另一 CMOS可兼容材料制成。第一電極SI耦合到單元膜114，并可以與膜114 一起移動(dòng)。在圖1示出的實(shí)施例中，第三極B嵌入到包括單元的層板130中，層板130包括基底112的上表面?？梢钥紤]電極SI設(shè)計(jì)的其它實(shí)現(xiàn)方式，諸如，電極SI可以嵌入在膜114中，或者其可以作為附加層沉積于膜114上。在此例子中，底部電極B被以圓形的方式配置并嵌入到單元層板130中。另外，膜層114相對(duì)于基底層112的頂面是固定的，并被配置和定尺寸為使得定義膜層114和基底層112之間的球狀或圓柱狀腔體8。
[0035]單元及其腔體8可以具有可選的幾何形態(tài)。例如，腔體8可以定義矩形或方形橫截面、六角形橫截面、橢圓形橫截面或者不規(guī)則的橫截面。因此，對(duì)CMUT單元的直徑的提及應(yīng)當(dāng)理解為單元的最大橫向尺寸。
[0036]第三電極B典型地在其面對(duì)腔體的表面(具有另外的絕緣層132)上是絕緣的。優(yōu)選的絕緣層是二氧化硅(Si02)電介質(zhì)層，其沉積在基于四乙基氧硅烷的PECVD過程中，形成在第三電極B的上面且第一電極SI的下面。用于絕緣層132的可選材料可以是氧化物-氮化物-氧化物(ONO)、高k電介質(zhì)和氧化物(氧化鋁、各種等級(jí)包括基于硅烷、SiH4的PECVD二氧化硅)。高k電介質(zhì)和氧化物還可以使用原子層沉積技術(shù)來沉積。絕緣層可以有利地減少電荷積聚，該電荷積聚導(dǎo)致設(shè)備不穩(wěn)定以及聲輸出壓的漂移和減小。絕緣層的使用對(duì)于具有塌陷膜的CMUT是期望的，塌陷膜將在下面參照?qǐng)D2來描述。相比以懸浮膜操作的CMUT而言，這種類型的CMUT較易受電荷保持能力的影響。本文公開的部件可以由CMOS兼容的材料(例如，鋁、鈦、氮化物(例如，氮化硅)、氧化物(各種等級(jí):基于熱或者TE0S/SiH4LPCVD/PECVD的)、多晶硅等)制作而成。在CMOS制作中，例如，氧化物和氮化物可以是通過化學(xué)氣相沉積形成的并且金屬化(電極)層是通過濺射過程來放下的。適當(dāng)?shù)腃MOS過程是LPCVD和PECVD，后者具有少于400°C的相對(duì)低的工作溫度。用于生成所公開的腔體8的示例技術(shù)包含:在添加膜層114的頂面之前在膜層114的初始部分中定義腔體。在圖1描繪的示例性實(shí)施例中，腔體8的直徑可以大于第二電極B的直徑。第一電極SI可以具有與第三電極B相比相同的外徑，但是這種一致性是不需要的。因而，在本發(fā)明的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，第一電極SI相對(duì)于膜層114的頂面是固定的，以便在下面與第三電極B對(duì)齊。
[0037]CMUT制作過程可以包括:“犧牲釋放過程”，其中，膜的腔體底部是通過先在基底上應(yīng)用犧牲層，然后應(yīng)用膜層，隨后用選擇性蝕刻劑移除犧牲層;或者“晶圓接合過程”，其中，腔體在第一晶圓片上形成且膜在另一晶圓片上形成，然后這兩個(gè)晶圓片結(jié)合一起，諸如形成由膜限制的腔體(B.T.Khur1-Yakub，J.Micromech.Microeng.21 (2011 )054004)。
[0038]根據(jù)本發(fā)明的原理，CMUT的第二電極S2在與腔體8相對(duì)的邊上相對(duì)于第三電極B而沉積到基底112上。從而，第三電極B位于第一電極SI和第二電極S2之間。厚度為“t”的電介質(zhì)層131直接接觸第二和第三電極并且夾在第二和第三電極之間；從而，提供這兩個(gè)電極之間的電容關(guān)系。
[0039]CMUT的第一電極SI和第三電極B提供了CMUT設(shè)備的電容板，并且厚度為“D”的腔體8的空隙結(jié)合附加的絕緣層132形成電容器的板之間的電介質(zhì)。
[0040]第一電極(SI)可以利用適于在第二電極S2和第一電極SI上應(yīng)用AC電壓的信號(hào)發(fā)射器/接收器105帶來振動(dòng)，這導(dǎo)致聲束的產(chǎn)生。當(dāng)稍后膜由于接收的聲信號(hào)而振動(dòng)時(shí)，電極之間的電介質(zhì)空隙的變化的尺寸致使CMUT的變化的電容，該變化的電容由耦合到膜和第二電極的信號(hào)發(fā)射器/接收器105檢測，作為CMUT單元對(duì)接收的聲回波的響應(yīng)。
[0041]CMUT設(shè)備靈敏度可以通過增加通過腔體8的電場來提升，這可以通過下列方式來實(shí)現(xiàn):1)CMUT的減小的有效電介質(zhì)厚度，其由第一和第二電極之間的間隔以及電介質(zhì)的介電常數(shù)定義，以及2)在電極上收集的“自由”電荷的增加的量。有效的電介質(zhì)厚度是在倒塌模式下減小的，這是通過應(yīng)用充足的DC電壓來實(shí)現(xiàn)的；并且所收集的電荷的量可以隨著DC偏置電壓的增加而增加。
[0042]CMUT電極(SI和B)之間的間隔是通過從DC偏置源104將DC偏置電壓應(yīng)用到第三電極B來控制的。為了發(fā)射，第一電極SI和第二電極S2是由r.f.發(fā)生器(概括為信號(hào)發(fā)射器/接收器105)來驅(qū)動(dòng)的(控制的)，射頻發(fā)生器的a.c.信號(hào)促使膜振動(dòng)并發(fā)送聲信號(hào)。CMUT單元I的基底112可以耦合到專用集成電路(ASIC)層的頂面37，其中，第二電極S2和ASIC層的頂面37之間的距離被標(biāo)示為“d”。通常，距離“d”可以由所謂的“埋氧”層(未在圖中示出)定義，該“埋氧”層具有針對(duì)第二電極S2對(duì)于集成電路電子器件(此例子中的ASIC)的絕緣功能?！奥裱酢睂涌梢允呛穸燃s為2微米的氧化硅層。雖然在圖1中將信號(hào)發(fā)射器/接收器105描繪為單獨(dú)的單元，但是應(yīng)當(dāng)理解，信號(hào)發(fā)射器/接收器105可以作為由ASIC提供的電路電子器件的部分來實(shí)現(xiàn)。CMUT單元可以在ASIC的上面在一系列CMOS過程中制造或者通過例如倒裝芯片技術(shù)附加到ASIC。
[0043]圖3示出了CMUT單元操作的優(yōu)選且非限制性例子，其中，CMUT單元I的膜114是塌陷膜。在CMUT操作期間的塌陷膜7可以相對(duì)于單元層板130而塌陷，并且膜的懸浮部分7可以適于在應(yīng)用的電信號(hào)下在電極之間移動(dòng)/振動(dòng)。從技術(shù)的角度，具有塌陷膜的CMUT原則上可以以任何傳統(tǒng)的方式制造，包括如下步驟:提供具有膜的CMUT并應(yīng)用不同的手段，例如電子的(偏置電壓)、機(jī)械的、膜應(yīng)力或壓力，以便將膜引入到塌陷狀態(tài)。
[0044]在塌陷模式下，CMUT電容式主要是由附加的絕緣層132和應(yīng)用的電壓來確定。例如，直徑為60微米的圓形的CMUT設(shè)備可以具有500nm厚度的附加絕緣層。CMUT電容在應(yīng)用零DC電壓處約為0.04pF，在塌陷模式下在140V的DC偏置電壓處約為0.1pF(2.5倍高)。對(duì)于其它CMUT幾何結(jié)構(gòu)，這種比率可以改變。
[0045]CMUT單元的基底中的第二電極S2的實(shí)現(xiàn)方式允許將a.c.信號(hào)分量從通常應(yīng)用于CMUT設(shè)備的DC偏置電壓分離。這減小了超聲探頭中CMUT相關(guān)的電子器件的尺寸，在兩個(gè)信號(hào)(膜和基底)電極被主動(dòng)地控制的情況下。
[0046]將CMUT設(shè)備布置在陣列中的一種方式，特別是針對(duì)雙平面成像，是將RC濾波器的網(wǎng)絡(luò)提供給CMUT陣列，其中，DC偏置電壓是通過RC濾波器應(yīng)用到每個(gè)CMUT設(shè)備的。在這種布置中，CMUT陣列將針對(duì)每個(gè)互連的CMUT設(shè)備包括分立的高電壓耦合電容器以及分立的高阻抗電阻器。分立的RC濾波器組件的尺寸可能是不利于用于縮減包括CMUT陣列的超聲探頭的。
[0047]根據(jù)本發(fā)明的原理的三電極CMUT單元表示的CMUT設(shè)備具有RC濾波器的集成電容部分，如下面參照?qǐng)D3詳細(xì)描述地。第三電極B被用于向CMUT單元提供DC偏置電壓，而集成RC濾波器的電容部分是通過由電介質(zhì)層131分離開的第三電極B和第二電極S2的導(dǎo)電板來實(shí)現(xiàn)的。
[0048]參照?qǐng)D3A，在優(yōu)選的實(shí)施例中，為了提供高效的RC-濾波，第三電極B與第二電極S2之間的電容關(guān)系Cf應(yīng)當(dāng)?shù)扔诨虼笥谀I和第三電極B之間的CMUT電容關(guān)系Cc( S卩，CMUT設(shè)備電容)。這種條件源于如下事實(shí):對(duì)于高頻率，Ce和Cf的串聯(lián)造成根據(jù)(Cc+Cf)/Cf的信號(hào)衰減，Cf越高，信號(hào)被衰減的越低。該信號(hào)衰減發(fā)生在發(fā)送和接收兩者期間，并可以受限于Cf的增加。在Ce固定的情況下，Cf彡Ce的條件可以通過調(diào)諧電介質(zhì)層131的厚度“t”和/或該層的材料的介電常數(shù)來實(shí)現(xiàn)。集成RC-濾波器的電容Cf的值可以通過增加第三電極B和第二電極S2關(guān)于第一電極的重疊區(qū)域來進(jìn)一步提升。這種例子圖示在圖3C中(為了簡化，僅示出了CMUT單元的對(duì)于當(dāng)前實(shí)施例有關(guān)的主要單元)，其中，圓形形狀的第一電極SI具有相比第三電極B和第二電極S2的尺寸而言較小的直徑，第三電極B和第二電極S2兩者都有相同的矩形形狀。注意，典型的Ce值隨著陣列中的CMUT單元的數(shù)量而縮放。
[0049 ]電介質(zhì)層131可以由通常已知的絕緣材料(諸如，二氧化硅、氮化物(例如，氮化硅)或者高k電介質(zhì))制成。電介質(zhì)層131還可以包括多層(例如，ΟΝΟ)。在CMOS制作中，例如，氧化物和氮化物層可以通過化學(xué)氣相沉積來形成。適當(dāng)?shù)腃MOS過程還有LPCVD和PECVD，后者具有低于400°C的相對(duì)低的工作溫度。
[0050]例如，橢圓截面CMUT單元的典型電容在OV(非塌陷模式)或者140V(塌陷模式)的DC偏置電壓處分別是Cc = 0.04pF或者0.lpF。因此，為了最優(yōu)三電極CMUT的操作，RC濾波器的電容應(yīng)當(dāng)至少等于前述的Ce值。根據(jù)優(yōu)選的電容值并知道電介質(zhì)層131的介電常數(shù)，人們可以計(jì)算層131的優(yōu)選的厚度“t”。在此例子中，使用二氧化硅(ε = 3.9)，在CMUT單元的非塌陷操作中t〈2630nm或者在CMUT單元操作的塌陷模式中t =〈1050nm。實(shí)踐中，Ce和Cf之間的優(yōu)選比率是5，其中Cf>5*Cc。對(duì)于相同的幾何形狀和層堆疊，這表示優(yōu)選的二氧化硅厚度在非塌陷模式下是t〈525nm或者在塌陷操作模式下是t〈210nm。注意，較低側(cè)的層厚度是受擊穿電壓/偏置電壓所限制。
[0051]當(dāng)優(yōu)化Cf值時(shí)可以考慮的另一要素是朝向基底112的寄生電容Cp(主要由厚度“d”定義)。該Cp可能造成驅(qū)向第二電極S2或者從第二電極S2接收時(shí)電路電子器件上的附加的負(fù)載。為了避免向基底112的a.c.信號(hào)泄漏，Cp值優(yōu)選低于或等于CMUT的電容Ce: Cp<Cc。因弓丨，包括RC-濾波器的集成電容部分的CMUT單元的提升性能可以通過將優(yōu)化的RC-濾波器性能的條件(Cf彡Ce)與寄生電容影響的限制(Cp〈Cc)合并來實(shí)現(xiàn)。對(duì)于橢圓CMUT單元的提及的例子，氧化硅層的適當(dāng)厚度大于5.25微米或者針對(duì)塌陷模式的2.1微米。在實(shí)踐中，Cp和Ce之間的優(yōu)選的倍數(shù)為2或5，其中，Cp〈Cc/2或者Cp〈Cc/5。在后面的情況中，這表示優(yōu)選的氧化物厚度為2.5倍高(S卩，高于13.1微米或在塌陷模式下高于5.2微米)。
[0052]然而，其它厚度“t”和“d”也是可行的。其確切值取決于針對(duì)每個(gè)給定的CMUT單元(陣列)對(duì)于RC濾波器實(shí)現(xiàn)方式所需的截止頻率。
[0053]本發(fā)明可以不限于特定的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白第三電極也可以實(shí)現(xiàn)到膜層114中，其中，電介質(zhì)層131可以定位于膜層114中并將第一電極SI和第三電極電容地隔絕。RC濾波器的電容部分(Cf)將由第三電極與第一電極之間的電容關(guān)系來定義。
[0054]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，DC偏置源(104)是通過高阻抗電阻器(R)連接到第三電極的，如在圖3A中示意示出地。為了方便，在圖3B中示出了三電極CMUT單元的符號(hào)性表示。此實(shí)施例描述了所有RC濾波器組件完全集成到CMUT單元中。電阻器可以作為例如彎曲形狀的導(dǎo)電層來實(shí)現(xiàn)。彎曲電阻等于所使用的導(dǎo)電材料的由導(dǎo)電路徑長度除以導(dǎo)電層的截面積的電阻率。在彎曲情況下，電阻器的電阻可以通過改變彎曲的長度、其厚度和導(dǎo)電材料選擇來調(diào)諧。
[0055]為了防止第三電極B中的信號(hào)泄漏，高阻抗電阻器R的電阻的優(yōu)選值在給定的操作頻率處為比CMUT單元的阻抗高約一個(gè)數(shù)量級(jí)。
[0056]例如，對(duì)于在頻率f = 5MHz處工作的2D陣列，CMUT電容值約為Cc = 0.5pF(對(duì)于直徑120微米和塌陷操作模式而言)οCMUT單元阻抗Z = I/(2對(duì)Ce) =63k0hm。因而，電阻R的優(yōu)選值可以高于或等于500k0hm。
[0057]對(duì)于包含具有相同直徑并工作在如先前例子中的相同頻率處的42個(gè)CMUT單元的ID陣列的另一例子，Ce值將隨單元數(shù)而縮放C_c = 0.5*42 = 21pF。因而，相比先前的例子而言，優(yōu)選值高阻抗電阻器將減少由ID陣列中的單元的數(shù)量R多500/42= 11.9k0hm。注意，集成RC濾波器的截止頻率也可以由電阻器值來確定。
[0058]如在圖4A中所示出地，電阻器可以是片上電阻器(集成到基底112)，例如，位于CMUT單元旁。在圖4B中，示出了另一實(shí)施例，其中，電阻器R(在面對(duì)ASIC的頂面37的方向上)較深地集成到第二電極S2下的基底中。此實(shí)施例允許更進(jìn)一步地最小化CMUT陣列，其中，第三電極S2和高阻抗電阻器R之間的互連可以通過層間金屬接觸(S卩，通路(via))來實(shí)現(xiàn)。
[0059]用于電阻器的實(shí)現(xiàn)方式的優(yōu)選導(dǎo)電材料是CMOS兼容的材料并具有相對(duì)高的電阻率，例如TiW、NiCr或者多晶硅具有的電阻率為70/100-150/>250微Ohm.cm。
[0060]參照?qǐng)D5A，本發(fā)明的另一實(shí)施例描述了在利用全差分電子器件發(fā)射超聲信號(hào)期間的信號(hào)發(fā)射器/接收器105的具體實(shí)現(xiàn)方式。解耦DC偏置電壓的可能性簡化了換能器中的差分電子器件的實(shí)現(xiàn)方式。應(yīng)用到三電極CMUT的差分電子器件的重要益處在于減小了為激活信號(hào)發(fā)射所需的供應(yīng)電壓。第一電極SI和第二電極S2可以耦合到高電壓發(fā)射脈沖源的差分輸出Tx，其中，驅(qū)動(dòng)信號(hào)的有效幅值為應(yīng)用到第一電極(Vm+)和第二電極(Vm-)的a.c.信號(hào)之間的差，并且可以最高為供應(yīng)電壓的幅值的兩倍(2xVith)。在發(fā)射模式中的這種電子器件配置導(dǎo)致第二信號(hào)諧波的最小化失真和良好定義的電流回路，其中信號(hào)沒有通過偏置節(jié)點(diǎn)傳遞。
[0061]在實(shí)踐中，這意味著a.c.供應(yīng)電壓可以較低(例如，30V而不是60V)，這減低了ASIC技術(shù)的電壓需求以及換能器系統(tǒng)的電壓調(diào)整有關(guān)的需求，諸如爬電。注意，雖然所需的偏置電壓仍然較高，但是第三電極B但無需提供任何相關(guān)的電流。因此，出于安全的原因，高阻抗系列的電阻(例如，IMOhm)可以集成在系統(tǒng)中。
[0062]為在回波信號(hào)的接收期間使用信號(hào)發(fā)射器/接收器105的類似差分電子器件實(shí)現(xiàn)，第一電極SI和第二電極S2可以耦合到低噪聲接收放大器的差分輸入Rx，如在圖5B中圖示地。如在發(fā)射情形中，這最小化了第二信號(hào)諧波的失真并帶來良好定義的電流回路、較好的電源抑制比(PSRR)和CMUT單元間的降低的串?dāng)_。根據(jù)本發(fā)明的原理實(shí)現(xiàn)信號(hào)的發(fā)射和接收的另一可能性圖示在圖5C中。在發(fā)射期間，信號(hào)電極中的一個(gè)(在該例子中，第一電極SI)可以耦合到輸出Txl(高電壓發(fā)射脈沖源)。在接收期間，另一信號(hào)電極(在該例子中，第二電極S2)可以耦合到輸入RX2(低噪聲接收放大器)。由于將DC偏置電壓去親，TX和RX的“接地”(GND)可以是相同的，這簡化了電子器件并提升了電源抑制比。此外，通過僅使用低電壓組件來實(shí)現(xiàn)接收器電子器件是可行的，這提升了接收器性能。然后，由發(fā)射器造成的寄生電容將幾乎不影響接收器的性能。最后，通常使用的發(fā)射-接收開關(guān)16(圖8)在此實(shí)施例中是不需要的，這是由于兩個(gè)信號(hào)電極(SI和S2)之間的接收和發(fā)射功能的分離。
[0063]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，在圖6中給出三電極CMUT的二維(2D)陣列10’。陣列中的CMUT單元是以雙平面成像配置來布置的。陣列10’包括CMUT單元的基本上沿兩個(gè)方向(在圖6的非限制性例子中為水平的和垂直的)布置的兩個(gè)子組33、34<XMUT單元的第一子組34具有沿著兩個(gè)方向中的一個(gè)方向(在給定的例子中為水平的)互連的第一電極SI，CMUT單元的第二子組35具有沿著另一個(gè)方向(在給定的例子中為垂直的)互連的第二電極S2。在此實(shí)施例中，可以通過控制通過第一電極SI或者第二電極S2的信號(hào)在“子組”33、34中主動(dòng)地使用陣列的所有CMUT單元。
[0064]在第一子組34內(nèi)，沿著水平方向(行)的所有單元互連在一起，而在第二子組33內(nèi)，沿著垂直方向(列)的所有單元互連在一起。此互連配置允許在超聲探針中實(shí)現(xiàn)雙平面成像。每行(列)多個(gè)CMUT單元可以被并行地激活，并可以表示一個(gè)換能器元件。因此，CMUT的每個(gè)子組的元件可以表示一維超聲陣列。包括這種子組的二維陣列10 ’將具有NxM個(gè)元件，其中，N是第一子組中的元件(行)的數(shù)量，M是第二子組中的元件(列)的數(shù)量。行和列連接到第一子組31和第二子組32的信號(hào)發(fā)射器/接收器電路。通過激活行電路31而將列電路32接地，波束控制在垂直方向上“在平面外”是可行的;而激活列電路32而將行電路31接地，波束控制在水平方向上“在平面外”是可行的。在陣列10’中，單元的第三電極可以連接到分開的DC偏置源(未示出)或者具有到一個(gè)DC偏置源104的公共連接。在后一情形中，針對(duì)所述子組中的任一子組的每個(gè)元件，僅可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)高阻抗電阻器35。偏壓-電極連接的方向的朝向等于第二電極S2互連的方向。
[0065]在3D成像不可行(例如，由于成本)的情況下且在普通2D成像不足以例如用于體內(nèi)超聲成像的情況下，雙平面2D成像的此實(shí)施例具有特定的潛力。
[0066]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，CMUT單元可以包括附加的偏置電極B2，其位置使得第三電極B和附加的偏置電極B2通過CMUT單元的腔體相互相對(duì)，如在圖7中圖示地那樣。為了方便，一部分重復(fù)的附圖標(biāo)記沒有示出。在此實(shí)施例中，DC偏置電壓被應(yīng)用在第三電極B和附加的偏置電極B2之間。附加的偏置電極可以嵌入到膜中，并可以用膜電介質(zhì)層133與第一電極SI電分離。
[0067]參考圖8，以方框圖形式示出了具有CMUT陣列探針10的超聲診斷成像系統(tǒng)。CMUT換能器陣列10’是換能器元件的二維陣列，其能夠在2D平面或在三維中掃描3D成像。在3D成像的情況下并且有時(shí)在2D成像中，換能器陣列耦合到探針中的微波束形成器12，微波束形成器12控制由CMUT陣列單元對(duì)信號(hào)的發(fā)射和接收。微波束形成器能夠至少部分地對(duì)由換能器元件的組或“面片”接收的信號(hào)進(jìn)行波束形成，如美國專利5997479(Savord等)、6013032(Savord)和6，623，432(Powers等)中所描述。微波束形成器由探針線纜親合到發(fā)射/接收(T/R)開關(guān)16，其在發(fā)射和接收模式之間切換。在微波束形成器的控制下從換能器陣列10發(fā)射超聲波束是由耦合到T/R開關(guān)和主系統(tǒng)波束形成器20的換能器控制器18指示的，主系統(tǒng)波束形成器20接收來自用戶對(duì)用戶接口或控制面板38的操作的輸入。由換能器控制器控制的功能中的一個(gè)功能是用于控制和聚集波束的方向。波束可以被控制成從(正交于)換能器陣列直向前，或者被控制為處于不同的角度以獲得較寬的視野。換能器控制器18可以耦合以控制針對(duì)CMUT陣列10’的DC偏置控制45 JC偏置控制45控制DC偏置電壓源104用于設(shè)置可以應(yīng)用到CMUT單元的DC偏置電壓。CMUT陣列的信號(hào)發(fā)射器/接收器105可以直接地或者通過微波束形成器12耦合到波束形成器20。
[0068]在接收期間，由微波束形成器(當(dāng)其被使用時(shí))生成的部分波束形成的信號(hào)耦合到主波束形成器，其中，來自各個(gè)換能器單元塊的部分波束形成的信號(hào)組合成完全波束形成的信號(hào)。例如，主波束形成器可以具有128個(gè)信道，每個(gè)信道從一塊幾十或幾百的CMUT換能器單元接收部分波束形成的信號(hào)。以此方式，CMUT換能器陣列的成千的換能器單元接收的信號(hào)可以有效地貢獻(xiàn)于單個(gè)波束形成的信號(hào)。
[0069]經(jīng)波束形成的信號(hào)被耦合到信號(hào)處理器22。信號(hào)處理器22可以以諸如帶通濾波、抽取、I和Q分量分離和諧波信號(hào)分離之類的各種方式處理接收到的回波信號(hào)，諧波信號(hào)分離用以分離線性和非線性信號(hào)以使得能夠識(shí)別從組織和微泡中返回的非線性(基礎(chǔ)頻率的較高諧波)回波信號(hào)。信號(hào)處理器還可以執(zhí)行附加的信號(hào)增強(qiáng)，諸如斑紋抑制、信號(hào)合成和噪音消除。
[0070]經(jīng)處理的信號(hào)耦合到B模式處理器26和多普勒處理器28』模式處理器26將對(duì)接收到的回波信號(hào)的檢測用于諸如人體中的器官和血管的組織的人體中的結(jié)構(gòu)的成像。人體的結(jié)構(gòu)的B模式圖像可以在諧波圖像模式或基礎(chǔ)圖像模式或兩者的組合中形成，如在美國專利6283919(1?01111(111丨11等人)和美國專利6458083(拓80等人)中所描述。多普勒處理器28時(shí)間地處理來自組織運(yùn)動(dòng)和血液流動(dòng)的不同信號(hào)，用于檢測諸如圖像場中的血液細(xì)胞的流動(dòng)之類的物質(zhì)運(yùn)動(dòng)。多普勒處理器典型包括壁濾波器，壁濾波器的參數(shù)可以被設(shè)置為通過和/或拒絕從人體中的選定類型的材質(zhì)返回的回波。例如，壁濾波器可以被設(shè)置為具有通帶特性，該通帶特性通過來自較高速率材質(zhì)的具有相對(duì)低的幅值的信號(hào)而拒絕來自較低或者零速率材質(zhì)的相對(duì)強(qiáng)的信號(hào)。此通帶特性將通過來自流動(dòng)血液的信號(hào)而拒絕來自附近的靜止或者緩慢移動(dòng)的對(duì)象(諸如心壁)的信號(hào)。相逆的特性將通過來自心臟的移動(dòng)組織的信號(hào)而拒絕血液流動(dòng)信號(hào)，用于對(duì)所謂的組織多普勒成像、檢測以及組織的運(yùn)動(dòng)的描繪。多普勒處理器接收并處理來自圖像場中的不同的點(diǎn)的時(shí)間地分立的回波信號(hào)的序列，所述回波的序列來自被稱為集合的特定點(diǎn)。在相對(duì)短的時(shí)間間隔上快速連續(xù)地接收的回波的集合可以用以估計(jì)流動(dòng)血液的多普勒頻移，其中多普勒頻率與速率的對(duì)應(yīng)關(guān)系指示血液流動(dòng)速率。在較長的時(shí)段上接收的回波的集合用以估計(jì)流動(dòng)緩慢的血液或移動(dòng)緩慢的組織的速率。
[0071]由B模式和多普勒處理器生成的結(jié)構(gòu)和運(yùn)動(dòng)信號(hào)耦合到掃描轉(zhuǎn)換器32和多平面重定格式器44。掃描轉(zhuǎn)換器以空間關(guān)系布置回波信號(hào)，其中回波信號(hào)是根據(jù)該空間關(guān)系以期望圖像格式接收的。例如，掃描轉(zhuǎn)換器可以將回波信號(hào)布置成二維(2D)扇形格式或者錐狀三維(3D)圖像。掃描轉(zhuǎn)換器可以用與在圖像場中的點(diǎn)(與其多普勒估計(jì)速率對(duì)應(yīng)的)處的運(yùn)動(dòng)對(duì)應(yīng)的色彩來覆蓋B模式結(jié)構(gòu)圖像，以產(chǎn)生對(duì)圖像場中的組織運(yùn)動(dòng)和血液流動(dòng)進(jìn)行描繪的彩色多普勒?qǐng)D像。多平面重定格式器將從人體的體積區(qū)域中的公共平面中的點(diǎn)接收的回波轉(zhuǎn)換成該平面的超聲圖像，如在美國專利6443896(Detmer)中所描述地。體積繪制器42將3D數(shù)據(jù)集的回波信號(hào)轉(zhuǎn)換成如從給定的參考點(diǎn)觀看到的經(jīng)投射的3D圖像，如在美國專利6530885 (Entrekin等)中所描述地。2D或3D圖像是從掃描轉(zhuǎn)換器32、多平面重定格式器44和體積繪制器42耦合到圖像處理器30用于進(jìn)一步增強(qiáng)、緩沖以及暫時(shí)存儲(chǔ)，以便顯示在圖像顯示器40上。除了用于成像，由多普勒處理器28生成的血液流動(dòng)速率值以及由B模式處理器26生成的組織結(jié)構(gòu)信息耦合到量化處理器34。流動(dòng)量化處理器生成諸如血液流動(dòng)的容積率之類的對(duì)不同的流動(dòng)狀況的測量，以及諸如器官大小和孕齡之類的結(jié)構(gòu)測量。量化處理器可以接收來自用戶控制平面38的輸入，諸如將被測量的圖像的解剖中的點(diǎn)。來自量化處理器的輸出數(shù)據(jù)耦合到圖形處理器36用于以顯示器40上的圖像再生測量圖形和值。圖形處理器36還可以產(chǎn)生圖形覆蓋，用于以超聲圖像進(jìn)行顯示。這些圖形覆蓋可以包含標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)識(shí)信息，諸如患者名字、圖像的日期和時(shí)間、成像參數(shù)等。出于這些目的，圖形處理器接收來自用戶接口 38的輸入，諸如鍵入的患者名字。用戶接口還耦合到發(fā)射控制器18，以控制產(chǎn)生來自換能器陣列10’的超聲信號(hào)以及因此的由換能器陣列和超聲系統(tǒng)生成的圖像。用戶接口還耦合到多平面重定格式器44，用于選擇和控制多個(gè)多平面重定格式(MPR)圖像的平面，這可以用于執(zhí)行MPR圖像的圖像場中的量化測量。
[0072]本發(fā)明對(duì)于在超聲導(dǎo)管陣列中應(yīng)用CMUT單元是尤為令人關(guān)注的，這是由于:
[0073 ] CMUT偏置相關(guān)的電子器件的小型化；
[0074]用戶安全提升。與尚偏置電壓相關(guān)的存儲(chǔ)的電荷由可能實(shí)現(xiàn)有超尚阻抗串聯(lián)電阻器的第三和第一電極的兩個(gè)導(dǎo)電金屬板從用戶/患者隔離。
[0075]系統(tǒng)供應(yīng)電壓的降低。
[0076]此發(fā)明還在產(chǎn)量上受益。由于每個(gè)換能器CMUT單元在偏置-節(jié)點(diǎn)連接中具有其自身的高阻抗屏蔽電阻器，“故障的CMUT單元”將不造成大的短路電流，并因此將不造成整個(gè)陣列或連接的ASIC的故障。
[0077]雖然已在附圖和前述說明書中詳細(xì)圖示并描述了本發(fā)明，但是這種圖示和描述將被視為圖示性的或者示例性的且并非限制性的；本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例。領(lǐng)域技術(shù)人員通過研究附圖、公開內(nèi)容和所附權(quán)利要求書，在實(shí)踐要求保護(hù)的本發(fā)明時(shí)可以理解并實(shí)施對(duì)所公開的實(shí)施例的各種變型。
[0078]在權(quán)利要求書中，詞語“包括”不排除其它元件或步驟，詞語“一”或“一個(gè)”不排除多個(gè)。單個(gè)元件或其它單元可以實(shí)行在權(quán)利要求書中記載的若干項(xiàng)的功能。盡管在在相互不同的從屬權(quán)利要求中記載了特定措施，但是這并不表示不能組合這些措施以獲利。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電容式微機(jī)械超聲換能器單元(I)，包括: -基底(112)， -單元膜(114)，其與所述基底(112)相對(duì)，在所述基底與所述單元膜之間具有空隙(8); -第一電極(SI)，其被親合到所述單元膜(114)， -第二電極(S2)，其被嵌入到單元層板(130)中，所述單元層板與所述第一電極相對(duì)且與所述第一電極分離開一氣體腔或真空腔(8)，其中，所述單元層板(130)包括所述基底(112)的上表面，以及 第三電極(B)， 其特征在于， 所述第三電極(B)被電容地耦合到所述第一電極或第二電極，其中，電容耦合是通過夾在所述電容地耦合的電極之間并與所述電容地耦合的電極直接接觸的電介質(zhì)層(131)來實(shí)現(xiàn)的。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式微機(jī)械超聲換能器單元，其中，所述第三電極被定位于單元層板中在腔體側(cè)與所述第二電極相對(duì)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容式微機(jī)械超聲換能器單元，其中，所述第二電極(S2)與所述第三電極(B)之間的電容關(guān)系大于或等于所述第三電極(B)與所述第一電極(SI)之間的電容關(guān)系。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的電容式微機(jī)械超聲換能器單元，其中，所述電介質(zhì)層(131)包括具有高介電常數(shù)的材料的層。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式微機(jī)械超聲換能器單元，其中，所述第三電極(B)與所述第一電極(SI)之間的電容關(guān)系大于CMUT單元I朝向所述基底(112)的寄生電容(Cp)。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電容式微機(jī)械超聲換能器單元，還包括: DC源(104)，其用于向所述第三電極引起相對(duì)于接地電位的DC偏置電壓，以及 信號(hào)發(fā)射器/接收器(105)，其被耦合到所述第一電極和所述第二電極用于引起/感測所述膜的振動(dòng)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容式微機(jī)械超聲換能器單元，其中，所述DC偏置源(104)是通過電阻器(R)被耦合到所述第三電極的。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電容式微機(jī)械超聲換能器單元，其中，所述電阻器(R)是片上電阻器。9.根據(jù)權(quán)利要 求8所述的電容式微機(jī)械超聲換能器單元，其中，所述DC偏置源(104)適于將CMUT膜(114)設(shè)置為要在所述CMUT設(shè)備的操作期間塌陷到所述單元層板。10.—種超聲探頭，其包括根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的至少一個(gè)CMUT單元。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的超聲探頭，其中，所述探頭包括所述CMUT單元的陣列(10’)，所述陣列包括所述CMUT單元的第一子組和第二子組，其中，CMUT單元的所述第一子組(34)具有沿著兩個(gè)方向中的一個(gè)方向互連的所述第一電極，并且所述CMUT單元的所述第二子組(35)具有沿著另一個(gè)方向互連的所述第二電極。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的超聲探頭，其中，所述陣列中的所述CMUT單元的所述第三電極是經(jīng)由串聯(lián)電阻器而被耦合到DC偏置電壓源的。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的超聲探頭，其中，所述偏置電極互連到所述DC偏置源的方向是所述第二子組互連的方向。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的超聲探頭，其中，所述陣列中的所述CMUT單元的所述子組中的任一子組的沿著所述兩個(gè)方向中的一個(gè)方向互連的所述第三電極是經(jīng)由針對(duì)每個(gè)互連的一個(gè)串聯(lián)電阻器而被耦合到所述DC偏置電壓源的。15.—種超聲成像系統(tǒng)，包括根據(jù)權(quán)利要求11至14中的任一項(xiàng)所述的超聲探頭。
【文檔編號(hào)】B06B1/02GK105828962SQ201480067581
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2014年12月4日
【發(fā)明人】A·C·范倫斯, A·W·格倫蘭德
【申請(qǐng)人】皇家飛利浦有限公司