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單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置的制造方法

文檔序號:10754698閱讀:745來源:國知局
單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置,包括安裝在機(jī)臺上的氣壓壓床、滴蠟器、加熱器、晶片擺放臺以及晶片上料機(jī)構(gòu),所述加熱器上設(shè)有陶瓷板,所述晶片擺放臺與所述晶片上料機(jī)構(gòu)之間設(shè)有支撐件,所述支撐件上安裝有推料氣缸,所述機(jī)臺上設(shè)有控制面板。本實(shí)用新型單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置形成半自動(dòng)的晶片上蠟的加工流程,操作方便,以提高晶片上蠟的效率;其次,通過氣壓壓床將晶片上的蠟層壓平,以使晶片上的蠟層厚度均勻平整。
【專利說明】
單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]單面研磨拋光機(jī)在晶片加工行業(yè)中應(yīng)用比較廣泛,主要用于晶片的銅拋光與CMP拋光,屬于高精密加工,產(chǎn)品尺寸的精度要求較高。目前,晶片采用粘蠟的方式裝夾在陶瓷板上,晶片上蠟的效率低,導(dǎo)致晶片的拋光加工效率降低;其次,晶片上的蠟層厚度不均勻,影響拋光后晶片的尺寸精度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于以上所述,本實(shí)用新型有必要提供一種晶片上蠟效率高且蠟層厚度均勻的單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置。
[0004]本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案如下:單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置,包括安裝在機(jī)臺上的氣壓壓床、滴蠟器、加熱器、晶片擺放臺以及晶片上料機(jī)構(gòu),所述加熱器上設(shè)有陶瓷板,所述晶片擺放臺與所述晶片上料機(jī)構(gòu)之間設(shè)有支撐件,所述支撐件上安裝有推料氣缸,所述機(jī)臺上設(shè)有控制面板。
[0005]進(jìn)一步的,所述氣壓壓床包括壓板、基板、導(dǎo)柱、拉板以及基座,所述壓板置于基板的下部,且壓板與基板平行地設(shè)置在一起,所述基板與所述拉板通過所述導(dǎo)柱安裝在基座上,所述基座固定在機(jī)臺上。
[0006]進(jìn)一步的,所述機(jī)臺上固設(shè)有保護(hù)罩,所述保護(hù)罩上開設(shè)有觀察窗口,所述保護(hù)罩的頂端部安裝有可扣設(shè)在觀察窗口上的門板。
[0007]進(jìn)一步的,所述氣壓壓床安裝在所述機(jī)臺的左側(cè)。
[0008]進(jìn)一步的,所述滴蠟器安裝在所述機(jī)臺的中后部位置。
[0009]進(jìn)一步的,所述晶片擺放臺安裝在所述機(jī)臺的右側(cè)前部位置。
[0010]進(jìn)一步的,所述晶片上料機(jī)構(gòu)安裝在所述機(jī)臺的右側(cè)后部位置。
[0011 ]進(jìn)一步的,所述控制面板設(shè)置在所述保護(hù)罩上。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置形成半自動(dòng)的晶片上蠟的加工流程,操作方便,以提高晶片上蠟的效率;其次,通過氣壓壓床將晶片上的蠟層壓平,以使晶片上的蠟層厚度均勻平整。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置的結(jié)構(gòu)主視圖;
[0014]圖2是本實(shí)用新型單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置的結(jié)構(gòu)左視圖;
[0015]圖3是本實(shí)用新型單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置的結(jié)構(gòu)俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例,在不沖突的情況下,本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合,下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本實(shí)用新型。
[0017]請參閱圖1至圖3,單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置,包括安裝在機(jī)臺100上的氣壓壓床10、滴蠟器20、加熱器(圖未示)、晶片擺放臺30以及晶片上料機(jī)構(gòu)40。
[0018]請參閱圖1至圖2,機(jī)臺100上固設(shè)有保護(hù)罩101,防止加工件飛濺至加工區(qū)域外。具體地,保護(hù)罩101上開設(shè)有觀察窗口,保護(hù)罩101的頂端部安裝有可扣設(shè)在觀察窗口上的門板103,便于取放工件。
[0019]保護(hù)罩101的頂端部與門板103之間安裝有彈性部件104,用以將門板103自動(dòng)彈起。具體地,彈性部件104為氮?dú)鈴椈桑緦?shí)施例中,氮?dú)鈴椈傻膫€(gè)數(shù)為兩條,且分居在門板103兩側(cè)。
[0020]請參閱圖1及圖3,氣壓壓床10安裝在機(jī)臺100的左側(cè)且置于保護(hù)罩101內(nèi)部,用于將晶片壓平。具體地,氣壓壓床10包括壓板11、基板12、導(dǎo)柱13、拉板以及基座(拉板、基座圖未示)。基座固定在機(jī)臺100上。
[0021]壓板11置于基板12的下部,且壓板11與基板12平行地設(shè)置在一起,以保證氣壓壓床10的精度,本實(shí)施例中,上蠟后的晶片的平行度在0.005_以內(nèi)。
[0022]基板12與拉板通過導(dǎo)柱13安裝在基座上。
[0023]加熱器(圖未示)安裝在機(jī)臺100的中部位置,加熱器上設(shè)有陶瓷板21,加熱器將陶瓷板21加熱。滴蠟器20安裝在機(jī)臺100的中后部位置,本實(shí)施例中,滴蠟器20上安裝熱熔膠槍,熱熔膠槍定量噴出熱熔的蠟,按照預(yù)設(shè)平均分布滴在陶瓷板21上。
[0024]請參閱圖3,晶片擺放臺30安裝在機(jī)臺100的右側(cè)前部位置,用以擺放晶片。
[0025]晶片上料機(jī)構(gòu)40安裝在機(jī)臺100的右側(cè)后部位置,用以將晶片從晶片擺放臺30取出放在加熱器20上的陶瓷,21上,晶片與陶瓷板21上的液體蠟粘合。
[0026]晶片擺放臺30與晶片上料機(jī)構(gòu)40之間設(shè)有支撐件,支撐件上安裝有推料氣缸50,用以將帶有晶片的陶瓷板21推到氣壓壓床10上,氣壓壓床10將陶瓷板21冷卻,熱熔的蠟?zāi)滩⒐潭ň?br>[0027]請?jiān)俅螀㈤唸D1,所述機(jī)臺100上設(shè)有控制面板60,用以控制所述晶片上蠟裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)過程。具體地,控制面板60設(shè)置在保護(hù)罩101上,且位于觀察窗口的右側(cè),便于工作人員操作??刂泼姘?0上設(shè)有啟閉開關(guān)、氣壓壓床按鈕、冷卻按鈕、推料按鈕以及擺料按鈕,通過按壓各控制按鈕,即可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制模式。
[0028]晶片上蠟時(shí),工作人員把晶片有規(guī)律擺放在晶片擺放臺30上,將陶瓷板21擺放在加熱器上加熱,并在陶瓷板21的表面處滴上已經(jīng)熱熔的固體蠟,通過按壓控制面板60上的按鍵進(jìn)入自動(dòng)控制模式,晶片上料機(jī)構(gòu)40將晶片從晶片擺放臺30上取出,并將晶片擺放在陶瓷板21上的液體蠟上,推料氣缸50將裝有晶片的陶瓷板21推入至氣壓壓床10內(nèi),氣壓壓床10將晶片上的蠟層壓平,以使晶片上的蠟層厚度均勻平整,并冷卻凝固晶片上的蠟層,以提尚晶片拋光加工后的尺寸精度。
[0029]綜上所述,本實(shí)用新型單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置形成半自動(dòng)的晶片上蠟的加工流程,操作方便,以提高晶片上蠟的效率;其次,通過氣壓壓床將晶片上的蠟層壓平,以使晶片上的蠟層厚度均勻平整。
[0030]以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例,并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍,凡是利用本實(shí)用新型說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置,其特征在于:包括安裝在機(jī)臺(100)上的氣壓壓床(10)、滴蠟器(20)、加熱器、晶片擺放臺(30)以及晶片上料機(jī)構(gòu)(40),所述加熱器上設(shè)有陶瓷板(21),所述晶片擺放臺(30)與所述晶片上料機(jī)構(gòu)(40)之間設(shè)有支撐件,所述支撐件上安裝有推料氣缸(50),所述機(jī)臺(100)上設(shè)有控制面板(60)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置,其特征在于:所述氣壓壓床(10)包括壓板(11)、基板(12)、導(dǎo)柱(13)、拉板以及基座,所述壓板(11)置于基板(12)的下部,且壓板(11)與基板(12)平行地設(shè)置在一起,所述基板(12)與所述拉板通過導(dǎo)柱(13)安裝在基座上,所述基座固定在機(jī)臺(100)上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置,其特征在于:所述機(jī)臺(100)上固設(shè)有保護(hù)罩(101),所述保護(hù)罩(101)上開設(shè)有觀察窗口,所述保護(hù)罩(101)的頂端部安裝有可扣設(shè)在觀察窗口上的門板(103)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置,其特征在于:所述氣壓壓床(10)安裝在所述機(jī)臺(100)的左側(cè)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置,其特征在于:所述滴蠟器(20)安裝在所述機(jī)臺(100)的中后部位置。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置,其特征在于:所述晶片擺放臺(30)安裝在所述機(jī)臺(100)的右側(cè)前部位置。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置,其特征在于:所述晶片上料機(jī)構(gòu)(40)安裝在所述機(jī)臺(100)的右側(cè)后部位置。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單面研磨拋光機(jī)的晶片上蠟裝置,其特征在于:所述控制面板(60)設(shè)置在所述保護(hù)罩(1I)上。
【文檔編號】B05C11/00GK205436174SQ201620163117
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年3月3日
【發(fā)明人】洪志清
【申請人】東莞金研精密研磨機(jī)械制造有限公司
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