一種新型制造高純度金屬納米材料的裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種新型制造高純度金屬納米材料的裝置，包括送絲室和爆炸室，所述送絲室包括設(shè)置在爆炸室兩側(cè)的第一送絲室和第二送絲室，送絲室內(nèi)設(shè)置有送絲裝置，爆炸室設(shè)置有導(dǎo)電套、絕緣套及靠左側(cè)的高壓電極，所述導(dǎo)電套與儲能電容的低壓端相連，所述高壓電極與儲能電容的高壓端相連，導(dǎo)電套上設(shè)置有低壓電極，儲能電容與高壓發(fā)生器H.V相連；所述爆炸室內(nèi)導(dǎo)電套上側(cè)還設(shè)置有絕緣隔板，在絕緣隔板上高壓電極與低壓電極之間設(shè)置一導(dǎo)電電極。本實(shí)用新型在保證穩(wěn)定生產(chǎn)的同時增加了金屬粉末的生產(chǎn)效率，且結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，制造成本低。
【專利說明】 一種新型制造高純度金屬納米材料的裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于納米材料制備【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種新型電爆炸制造高純度金屬納米材料的裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]納米粉體材料是指粒徑小于10nm的三維納米材料，該尺度下的粉體有著傳統(tǒng)材料所不具備的特殊性能，成為現(xiàn)今高新【技術(shù)領(lǐng)域】研宄開發(fā)的重點(diǎn)。金屬納米粉體用途廣泛，如可用作工業(yè)催化劑、高性能磁記錄材料及殺菌抗菌材料等。
[0003]電爆炸法作為目前生產(chǎn)金屬納米粉體的方法之一，現(xiàn)階段已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了小批量生產(chǎn)，但對于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)還存在許多技術(shù)問題，主要表現(xiàn)在生產(chǎn)效率受到送絲速度影響較大，如果送絲速度過快容易造成金屬絲斷裂進(jìn)而造成無法穩(wěn)定生產(chǎn)，若送絲速度過慢則生產(chǎn)效率低下。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供了一種新型制造高純度金屬納米材料的裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中金屬粉末生產(chǎn)效率受進(jìn)絲速度的影響的問題，且其結(jié)構(gòu)簡單，制作成本低。
[0005]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種新型制造高純度金屬納米材料的裝置，包括送絲室和爆炸室，所述送絲室包括設(shè)置在爆炸室兩側(cè)的第一送絲室和第二送絲室，送絲室內(nèi)設(shè)置有送絲裝置，爆炸室設(shè)置有第一導(dǎo)向管、第二導(dǎo)向管、導(dǎo)電套、絕緣套及靠左側(cè)的高壓電極，所述導(dǎo)電套與儲能電容C的低壓端相連，所述高壓電極與儲能電容C的高壓端相連，導(dǎo)電套向右延伸靠近爆炸室右側(cè)，其上設(shè)置有低壓電極，所述絕緣套設(shè)置在高壓電極與導(dǎo)電套之間，儲能電容C與高壓發(fā)生器H.V相連；所述爆炸室內(nèi)導(dǎo)電套上側(cè)還設(shè)置有絕緣隔板，在絕緣隔板上高壓電極與低壓電極之間設(shè)置一導(dǎo)電電極；所述爆炸室上還設(shè)置有用于循環(huán)保護(hù)氣的進(jìn)氣閥和出氣閥以及管狀氣體導(dǎo)管，所述管狀氣體導(dǎo)管與金屬粉末收集裝置相連，所述金屬粉末收集裝置的出氣口經(jīng)送風(fēng)機(jī)與爆炸室相連。
[0006]優(yōu)選的，所述送絲裝置包括依次設(shè)置的導(dǎo)線線軸、前期導(dǎo)向管、準(zhǔn)直器及傳送滑輪。
[0007]優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)向管及第二導(dǎo)向管分別與相應(yīng)送絲裝置的出絲口對應(yīng)設(shè)置，所述高壓電極和低壓電極的尖端與金屬絲相接觸。
[0008]本實(shí)用新型的積極效果:本實(shí)用新型采用了雙向送絲裝置，可以在不過快加快進(jìn)絲速度的情況下進(jìn)行電爆炸生產(chǎn)，在保證金屬絲不被拉斷的同時也增加了金屬粉末的生產(chǎn)效率，同時本實(shí)用新型包括送絲裝置在內(nèi)的各個組成部分結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，制造成本低。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0011]參照圖1，本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例提供一種新型制造高純度金屬納米材料的裝置，包括送絲室和爆炸室I，所述送絲室包括設(shè)置在爆炸室I兩側(cè)的第一送絲室2和第二送絲室3，送絲室內(nèi)設(shè)置有送絲裝置，爆炸室I設(shè)置有第一導(dǎo)向管4、第二導(dǎo)向管5、導(dǎo)電套6、絕緣套7及靠左側(cè)的高壓電極8，所述導(dǎo)電套6與儲能電容9的低壓端相連，所述高壓電極8與儲能電容9的高壓端相連，導(dǎo)電套6向右延伸靠近爆炸室I右側(cè)，其上設(shè)置有低壓電極10，所述絕緣套7設(shè)置在高壓電極8與導(dǎo)電套6之間，儲能電容9與高壓發(fā)生器相連；所述爆炸室
I內(nèi)導(dǎo)電套6上側(cè)還設(shè)置有絕緣隔板11，在絕緣隔板11上高壓電極8與低壓電極10之間設(shè)置一導(dǎo)電電極12 ;所述爆炸室I上還設(shè)置有用于循環(huán)保護(hù)氣的進(jìn)氣閥13和出氣閥14以及管狀氣體導(dǎo)管15，所述管狀氣體導(dǎo)管15與金屬粉末收集裝置16相連，所述金屬粉末收集裝置16的出氣口經(jīng)送風(fēng)機(jī)17與爆炸室I相連。
[0012]所述送絲裝置包括依次設(shè)置的導(dǎo)線線軸18、前期導(dǎo)向管19、準(zhǔn)直器20及傳送滑輪
21ο
[0013]所述第一導(dǎo)向管4及第二導(dǎo)向管5分別與相應(yīng)送絲裝置的出絲口對應(yīng)設(shè)置，所述高壓電極和低壓電極的尖端與金屬絲相連。
[0014]本實(shí)用新型工作時左右送絲裝置同時進(jìn)絲，在相應(yīng)合適的進(jìn)絲速度下，左右的導(dǎo)線與導(dǎo)電電極接觸，發(fā)生高壓下電爆炸，產(chǎn)生的電爆炸產(chǎn)物在惰性氣體作用下經(jīng)管狀氣體導(dǎo)管進(jìn)入金屬粉末收集裝置，而分離出的純凈惰性氣體經(jīng)送風(fēng)機(jī)返回到爆炸室內(nèi)再次使用。
[0015]以上所述的僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，所應(yīng)理解的是，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想，并不用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡在本實(shí)用新型的思想和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換等等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種新型制造高純度金屬納米材料的裝置，包括送絲室和爆炸室，其特征在于:所述送絲室包括設(shè)置在爆炸室兩側(cè)的第一送絲室和第二送絲室，送絲室內(nèi)設(shè)置有送絲裝置，爆炸室設(shè)置有第一導(dǎo)向管、第二導(dǎo)向管、導(dǎo)電套、絕緣套及靠左側(cè)的高壓電極，所述導(dǎo)電套與儲能電容的低壓端相連，所述高壓電極與儲能電容的高壓端相連，導(dǎo)電套向右延伸靠近爆炸室右側(cè)，其上設(shè)置有低壓電極，所述絕緣套設(shè)置在高壓電極與導(dǎo)電套之間，儲能電容與高壓發(fā)生器相連；所述爆炸室內(nèi)導(dǎo)電套上側(cè)還設(shè)置有絕緣隔板，在絕緣隔板上高壓電極與低壓電極之間設(shè)置一導(dǎo)電電極；所述爆炸室上還設(shè)置有用于循環(huán)保護(hù)氣的進(jìn)氣閥和出氣閥以及管狀氣體導(dǎo)管，所述管狀氣體導(dǎo)管與金屬粉末收集裝置相連，所述金屬粉末收集裝置的出氣口經(jīng)送風(fēng)機(jī)與爆炸室相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型制造高純度金屬納米材料的裝置，其特征在于:所述送絲裝置包括依次設(shè)置的導(dǎo)線線軸、前期導(dǎo)向管、準(zhǔn)直器及傳送滑輪。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型制造高純度金屬納米材料的裝置，其特征在于:所述第一導(dǎo)向管及第二導(dǎo)向管分別與相應(yīng)送絲裝置的出絲口對應(yīng)設(shè)置，所述高壓電極和低壓電極的尖端與金屬絲相接觸。
【文檔編號】B82Y40/00GK204182918SQ201420643202
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年11月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月2日
【發(fā)明者】崔建勛 申請人:崔建勛