本發(fā)明涉及微系統(tǒng)（mems）及晶圓級(jí)封裝領(lǐng)域，具體是一種晶圓級(jí)soi硅片陽(yáng)極鍵合方法。

背景技術(shù)：

1、目前在微系統(tǒng)（mems）及晶圓級(jí)封裝領(lǐng)域，基于soi硅片的陽(yáng)極鍵合可應(yīng)用于與外部環(huán)境隔離的器件中，與bcb鍵合、硅硅鍵合相比，具有成本低、易加工等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于壓力傳感器、慣性陀螺、加速度計(jì)中。一般陽(yáng)極鍵合采用單拋硅片或雙拋硅片與玻璃片進(jìn)行鍵合，在加工過程中需要將硅片和玻璃片加熱到200℃~400℃，再施加500~1000v的直流電壓實(shí)現(xiàn)電荷的轉(zhuǎn)移，進(jìn)而在鍵合面形成穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)層。因此在加工過程中，需要硅片具有一定的導(dǎo)電能力，但由于soi硅片具有中間埋氧層，導(dǎo)致soi硅片不具備良好的導(dǎo)電能力，無法形成足夠的鍵合強(qiáng)度。

2、經(jīng)過對(duì)現(xiàn)有專利檢索，中國(guó)專利《一種soi硅片與玻璃的晶圓級(jí)鍵合方法》（專利號(hào)cn202211341952.0）,采用的是將soi片與玻璃片進(jìn)行一定的錯(cuò)位，再將正負(fù)電極分別與soi片裸漏出的硅、玻璃片接觸，進(jìn)而完成電荷轉(zhuǎn)移，可形成良好的鍵合強(qiáng)度。由于此方法需要將兩個(gè)晶圓進(jìn)行一定的錯(cuò)位，因此無法精確對(duì)準(zhǔn)兩個(gè)晶圓上的圖形，并且需要鍵合設(shè)備具有特殊的電極，無法適配大多數(shù)的使用場(chǎng)景。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓級(jí)soi硅片陽(yáng)極鍵合方法，該方法可將soi硅片及玻璃片精確對(duì)準(zhǔn)，并且具備良好的鍵合強(qiáng)度。

2、本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案：

3、一種晶圓級(jí)soi硅片陽(yáng)極鍵合方法，包括以下步驟：

4、s1、取soi硅片，采用濕法腐蝕或干法刻蝕將soi硅片的頂層硅與襯底硅之間裸漏的埋層氧化層去除干凈，保留中間頂層硅部分；

5、s2、采用濺射或蒸發(fā)工藝，在頂層硅面及裸漏的襯底硅面制作一層金屬；

6、s3、采用光刻與腐蝕或刻蝕工藝，去除頂層硅部分金屬，僅保留頂層硅與襯底硅之間的金屬連接，形成頂層硅與襯底硅的導(dǎo)電通道；

7、s4、將soi硅片與玻璃片對(duì)準(zhǔn)，進(jìn)行陽(yáng)極鍵合。

8、本發(fā)明的有益效果是，在soi硅片的頂層硅與襯底硅之間形成導(dǎo)電通道，再與玻璃片進(jìn)行精確的對(duì)準(zhǔn)并鍵合，形成適用絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景的一種晶圓級(jí)soi硅片陽(yáng)極鍵合方法。

技術(shù)特征：

1.一種晶圓級(jí)soi硅片陽(yáng)極鍵合方法，其特征在于包括以下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種晶圓級(jí)SOI硅片陽(yáng)極鍵合方法，包括以下步驟：S1、取SOI硅片，采用濕法腐蝕或干法刻蝕將SOI硅片的頂層硅與襯底硅之間裸漏的埋層氧化層去除干凈，保留中間頂層硅部分；S2、采用濺射或蒸發(fā)工藝，在頂層硅面及裸漏的襯底硅面制作一層金屬；S3、采用光刻與腐蝕或刻蝕工藝，去除頂層硅部分金屬，僅保留頂層硅與襯底硅之間的金屬連接，形成頂層硅與襯底硅的導(dǎo)電通道；S4、將SOI硅片與玻璃片對(duì)準(zhǔn)，進(jìn)行陽(yáng)極鍵合。本發(fā)明的有益效果是，在SOI硅片的頂層硅與襯底硅之間形成導(dǎo)電通道，再與玻璃片進(jìn)行精確的對(duì)準(zhǔn)并鍵合，形成適用絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景的一種晶圓級(jí)SOI硅片陽(yáng)極鍵合方法。

技術(shù)研發(fā)人員：趙斌,白建新,王鵬,王永,宋吉遞
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華東光電集成器件研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10