鍍銀材料及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供彎曲加工性良好且高溫環(huán)境下使用也能夠抑制接觸電阻的上升的鍍銀材料及其制造方法。在銅或銅合金制原材料的表面或形成于原材料上的由銅或銅合金構(gòu)成的襯底層的表面形成由銀構(gòu)成的表層的鍍銀材料中，{200}面的X射線衍射強(qiáng)度相對于表層的{111}面、{200}面、{220}面與{311}面的X射線衍射強(qiáng)度之和的比例為40%以上。
【專利說明】鍍銀材料及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及鍍銀材料及其制造方法，特別是涉及用作用于車載用或民用電氣布線的連接器、開關(guān)、繼電器等的接點(diǎn)及終端部件的材料的鍍銀材料及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，作為連接器或開關(guān)等的接點(diǎn)及終端部件等的材料，使用在不銹鋼、銅或銅合金等較低價(jià)且耐腐蝕性及機(jī)械特性等優(yōu)良的原材料上，根據(jù)電特性及可焊性等必要的特性，實(shí)施鍍錫、銀、金等而得的鍍材。
[0003]在不銹鋼、銅或銅合金等原材料上鍍錫而得的鍍錫材料雖然低價(jià)，但是高溫環(huán)境下的耐腐蝕性差。此外，在這些原材料上鍍金而得的鍍金材料雖然耐腐蝕性優(yōu)良、可靠性高，但成本高。另一方面，在這些原材料上鍍銀而得的鍍銀材料比鍍金材料低價(jià)，耐腐蝕性優(yōu)于鍍錫材料。
[0004]作為在不銹鋼、銅或銅合金等原材料上鍍銀而得的鍍銀材料提出過在不銹鋼制薄板狀基板的表面形成厚0.1~0.3 μ m的鎳鍍層，在其上形成厚0.1~0.5 μ m的銅鍍層，再在其上形成厚I μ m的銀鍍層的電接點(diǎn)用金屬板(例如，參見日本專利特許第3889718號公報(bào))。此外，提出過在不銹鋼基材的表面形成經(jīng)活化處理的厚0.01~0.1 μ m的鎳襯底層，在其上形成由鎳、鎳合金、 銅、銅合金中的至少一種構(gòu)成的厚0.05~0.2 μ m的中間層，再在其上形成銀或銀合金的厚0.5~2.0 μ m的表層的活動(dòng)接點(diǎn)用銀被覆不銹鋼條(例如，參見日本專利特許第4279285號公報(bào))。還提出過在銅、銅合金、鐵或鐵合金制金屬基體上形成由鎳、鎳合金、鈷或鈷合金的任一種構(gòu)成的厚0.005~0.1 μ m的襯底層,在其上形成由銅或銅合金構(gòu)成的厚0.01~0.2μπι的中間層，再在其上形成由銀或銀合金構(gòu)成的厚0.2~
1.5 μ m的表層，金屬基體的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.001~0.2 μ m，中間層形成后的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.001~0.1 μ m的活動(dòng)接點(diǎn)部件用銀被覆材料(例如，參見日本專利特開2010-146926 號公報(bào))。
[0005]但是，現(xiàn)有的鍍銀材料在高溫環(huán)境下使用時(shí)，存在鍍覆的密合性惡化，鍍覆的接觸電阻變得非常高的情況。日本專利特許第3889718號公報(bào)及日本專利特許第4279285號公報(bào)所提出的鍍銀材料在高溫環(huán)境下使用時(shí)也存在鍍覆的密合性惡化，無法充分抑制鍍覆的接觸電阻上升的情況。另一方面，日本專利特開2010-146926號公報(bào)中所提出的鍍銀材料在高溫環(huán)境下使用時(shí)，鍍覆的密合性良好，能夠抑制鍍覆的接觸電阻的上升，但是必須將壓延輥的算術(shù)平均粗糙度Ra調(diào)整至0.001~0.2 μ m，利用壓延輥轉(zhuǎn)印的金屬基體的算術(shù)平均粗糙度Ra調(diào)整至0.001~0.2 μ m，此外，必須選擇合適的形成中間層時(shí)的電鍍電流密度及鍍浴中的添加劑的種類，將中間層形成后的算術(shù)平均粗糙度Ra調(diào)整至0.001~0.1 μ m，因此工序復(fù)雜，成本增大。
[0006]為此，本 申請人:提出過制造低價(jià)的鍍銀材料:在不銹鋼制原材料的表面形成由Ni構(gòu)成的襯底層，在其上形成由Cu構(gòu)成的中間層，再在其上形成由Ag構(gòu)成的表層的鍍銀材料中，通過在表層的{111}面使垂直方向的晶粒直徑在300埃以上，籍此即使在高溫環(huán)境下使用，鍍 覆的密合性也良好且也能夠抑制鍍覆的接觸電阻的上升(日本專利申請?zhí)卦?010-253045)。
[0007]但是，在銅或銅合金制原材料的表面或形成于原材料上的由銅或銅合金構(gòu)成的襯底層的表面上鍍銀的鍍銀材料若在高溫環(huán)境下使用，則銅擴(kuò)散，在銀鍍層的表面形成CuO，存在接觸電阻上升的問題。此外，如果將鍍銀材料加工成復(fù)雜形狀或小型連接器或開關(guān)等的接點(diǎn)及終端部件，則存在鍍銀材料產(chǎn)生裂縫，原材料露出的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]因此，鑒于上述現(xiàn)有的問題點(diǎn)，本發(fā)明的目的是提供彎曲加工性良好且高溫環(huán)境下使用也能夠抑制接觸電阻的上升的鍍銀材料及其制造方法。
[0009]本發(fā)明人為了解決上述課題進(jìn)行了深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在原材料的表面或形成于原材料上的襯底層的表面上形成由銀構(gòu)成的表層的鍍銀材料中，通過控制構(gòu)成由銀形成的表層的結(jié)晶方位，具體來說是，通過使{200}面的X射線衍射強(qiáng)度相對于由銀形成的表層的(銀晶體中的主要取向模式){111}面、{200}面、{220}面與{311}面的X射線衍射強(qiáng)度(X射線衍射峰的積分強(qiáng)度)之和所占的比例(以下稱為“{200}取向強(qiáng)度比”)提高至40%以上，籍此能夠制造彎曲加工性良好且高溫環(huán)境下使用也能夠抑制接觸電阻的上升的鍍銀材料，最終完成了本發(fā)明。
[0010]即，本發(fā)明的鍍銀材料的特征是，在原材料的表面或形成于原材料上的襯底層的表面形成由銀構(gòu)成的表層的鍍銀材料中，{200}面的X射線衍射強(qiáng)度相對于表層的{111}面、{200}面、{220}面與{311}面的X射線衍射強(qiáng)度之和的比例為40%以上。在該鍍銀材料中，較好是，由銀構(gòu)成的表層形成于銅或銅合金制原材料的表面、或形成于原材料上的由銅或銅合金構(gòu)成的襯底層的表面。
[0011]還有，本發(fā)明的鍍銀材料的制造方法的特征是，在原材料的表面或形成于原材料上的襯底層的表面形成由銀構(gòu)成的表層的鍍銀材料的制造方法中，通過在含有5~15mg/L硒且銀相對于游離氰的質(zhì)量比為0.9~1.8的銀鍍浴中進(jìn)行電鍍，形成由銀構(gòu)成的表層。在該鍍銀材料的制造方法中，較好是，將由銀構(gòu)成的表層形成于銅或銅合金制原材料的表面、或形成于原材料上的由銅或銅合金構(gòu)成的襯底層的表面。此外，較好是，銀鍍浴由氰化銀鉀、氰化鉀與硒氰酸鉀組成，該銀鍍浴中的硒氰酸鉀的濃度為3~30mg/L。
[0012]還有，本發(fā)明的接點(diǎn)或終端部件的特征是，使用上述鍍銀材料作為材料。
[0013]通過本發(fā)明，可以制造彎曲加工性良好且高溫環(huán)境下使用也能夠抑制接觸電阻的上升的鍍銀材料。
[0014]本發(fā)明的鍍銀材料可以用作用于車載用或民用的電氣布線的連接器、開關(guān)、繼電器等的接點(diǎn)及終端部件的材料。特別是，除了開關(guān)用的彈簧接點(diǎn)構(gòu)件的材料外，還可以用作移動(dòng)電話或電氣設(shè)備的遙控器等的開關(guān)的材料。此外，也可以用作大電流且發(fā)熱量大的混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(HEV)的充電終端或高壓連接器等的材料。
[0015]附圖的簡單說明
[0016]圖1為制造實(shí)施例1~8及比較例I~5的鍍銀材料所使用的銀鍍浴中Se濃度相對于Ag/游離CN質(zhì)量比的示意圖。
[0017]圖2為實(shí)施例1~8及比較例I~5所得的鍍銀材料中{200}取向強(qiáng)度比與耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻的關(guān)系的示意圖。
[0018]圖3為實(shí)施例1~8及比較例I~2所得的鍍銀材料中{200}取向強(qiáng)度比與耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻的關(guān)系的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]本發(fā)明的鍍銀材料的實(shí)施方式是，在原材料的表面或形成于原材料上的襯底層的表面形成由銀構(gòu)成的表層的鍍銀材料中，{200}面的X射線衍射強(qiáng)度相對于表層的{111}面、{200}面、{220}面與{311}面的X射線衍射強(qiáng)度之和所占的比例為40%以上。在該鍍銀材料中，較好是，由銀構(gòu)成的表層形成于銅或銅合金制原材料的表面、或形成于原材料上的由銅或銅合金構(gòu)成的襯底層的表面。
[0020]本發(fā)明的鍍銀材料的制造方法的實(shí)施方式是，在原材料的表面或形成于原材料上的襯底層的表面形成由銀構(gòu)成的表層的鍍銀材料的制造方法中，按照使得{200}面的X射線衍射強(qiáng)度相對于表層的{111}面、{200}面、{220}面與{311}面的X射線衍射強(qiáng)度之和所占的比例達(dá)到40%以上的條件形成表層。
[0021]具體是，在原材料的表面或形成于原材料上的襯底層的表面形成由銀構(gòu)成的表層的鍍銀材料的制造方法中，通過在含有5~15mg/L硒且銀相對于游離氰的質(zhì)量比為0.9~1.8的銀鍍浴中進(jìn)行電鍍，形成(優(yōu)選厚度10 μ m以下的)表層。在該鍍銀材料的制造方法中，較好是，將由銀構(gòu)成的表層形成于由銅或銅合金制原材料的表面、或形成于原材料上的由銅或銅合金構(gòu)成的襯底層的表面。再有，電鍍時(shí)的液溫優(yōu)選10~40°C、更好是15~30°C，電流密度優(yōu)選I~15A/dm2、更好是3~10A/dm2。
[0022]銀鍍浴由氰化銀鉀(KAg(CN)2)、氰化鉀(KCN)與3~30mg/L的硒氰酸鉀(KSeCN)組成，較好是使用該銀鍍浴中的硒濃度為5~15mg/L且銀相對于游離氰的質(zhì)量比為0.9~
1.8的銀鍍浴。
[0023]鍍銀材料的表層是含銀的表層，只要是能夠通過在含有5~15mg/L硒且銀相對于游離氰的質(zhì)量比為0.9~1.8的銀鍍浴中進(jìn)行電鍍，形成{200}面的X射線衍射強(qiáng)度相對于{111}面、{200}面、{220}面與{311}面的X射線衍射強(qiáng)度之和所占的比例達(dá)到40%以上，則可以是銀合金的表層。
[0024]以下，對本發(fā)明的鍍銀材料及其制造方法的實(shí)施例作詳細(xì)說明。
[0025]實(shí)施例1
[0026]首先，作為原材料(被鍍材料)準(zhǔn)備67mm X 50mm X 0.3mm的純銅板,將該被鍍材料與SUS板放入堿性脫脂液，以被鍍材料為陰極，以SUS板為陽極，以電壓5V進(jìn)行30秒鐘電解脫脂，水洗后，在3%硫酸中進(jìn)行15秒鐘酸洗。
[0027]接著，在由3g/L氰化銀鉀和90g/L氰化鉀組成的觸擊鍍銀浴中，以被鍍材料為陰極，以由鉬被覆的鈦電極板為陽極，一邊用攪拌器以400rpm進(jìn)行攪拌，一邊以電流密度
2.5A/dm2進(jìn)行10秒鐘電鍍(觸擊鍍銀)。
[0028]接著，在由74g/L氰化銀鉀(KAg(CN)2)、100g/L氰化鉀(KCN)與18mg/L硒氰酸鉀(KSeCN)組成的銀鍍浴中，以被鍍材料為陰極、以銀電極板為陽極、一邊用攪拌器以400rpm進(jìn)行攪拌，一邊在液溫18°C下以電流密度5A/dm2進(jìn)行電鍍(鍍銀)直至銀的膜厚達(dá)到3 μ m。再有，所使用的銀鍍浴中的Se濃度為10mg/L、Ag濃度為40g/L、游離CN濃度為40g/L、Ag/訪子尚CN質(zhì)星比為1.00
[0029]對這樣制得的鍍銀材料，計(jì)算{200}取向強(qiáng)度比，評價(jià)耐熱試驗(yàn)前后的接觸電阻及彎曲加工性。
[0030]鍍銀材料的{200}取向強(qiáng)度比使用X射線衍射(XRD)分析裝置(理學(xué)電氣株式會(huì)社(理學(xué)電気株式會(huì)社)制RINT-3C)，以管球Cu、管電壓30kV、管電流30mA、采樣寬度
0.020°的條件，從使用單色器和玻璃的樣品架而得的X射線衍射圖，求出銀鍍膜的{111}面、{200}面、{220}面及{311}面的各自的X射線衍射峰的積分強(qiáng)度，計(jì)算相對于其總和，{200}面的X射線衍射峰的積分強(qiáng)度所占的比例。其結(jié)果，{200}取向強(qiáng)度比為62.3%。
[0031]鍍銀材料的耐熱性通過在將鍍銀材料用干燥機(jī)(亞速旺株式會(huì)社(7 X 7 >社)制的0F450)以200°C加熱144小時(shí)的耐熱試驗(yàn)的前后，利用電接點(diǎn)模擬器(山崎精機(jī)研究所株式會(huì)社(山崎精機(jī)研究所)制的CRS-1)以荷重50gf測定接觸電阻來進(jìn)行評價(jià)。其結(jié)果，鍍銀材料的接觸電阻在耐熱試驗(yàn)前為0.9ηιΩ、耐熱試驗(yàn)后為2.3ηιΩ、耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻也良好、在5πιΩ以下，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻的上升得到抑制。
[0032]鍍銀材料的彎曲加工性如下評價(jià):按照J(rèn)IS Ζ2248的V型模法(V寸口夕法)，將鍍銀材料在相對于原材料的壓延方向垂直的方向以R=0.1彎折成90度后，通過顯微鏡(基恩士公司(々一二 > 7社)制的數(shù)字顯微鏡VHX-1000)將該彎折的部位放大1000倍進(jìn)行觀察，根據(jù)有無裂縫來進(jìn)行評價(jià)。其結(jié)果，未觀察到裂縫，彎曲加工性良好。[0033]實(shí)施例2
[0034]除了在由lllg/L氰化銀鉀、100g/L氰化鉀與18mg/L硒氰酸鉀組成的銀鍍浴中，以被鍍材料為陰極，以銀電極板為陽極，一邊用攪拌器以400rpm進(jìn)行攪拌，一邊在液溫18°C下以電流密度5A/dm2進(jìn)行電鍍(鍍銀)直至膜厚達(dá)到3μπι以外，通過與實(shí)施例1同樣的方法制得鍍銀材料。此外，所使用的銀鍍浴中的Se濃度為10mg/L、Ag濃度為60g/L、游離CN濃度為40g/L、Ag/游離CN質(zhì)量比為1.5。
[0035]對這樣制得的鍍銀材料，通過與實(shí)施例1同樣的方法，計(jì)算{200}取向強(qiáng)度比，評價(jià)耐熱試驗(yàn)前后的接觸電阻及彎曲加工性。其結(jié)果，{200}取向強(qiáng)度比為61.6%。此外，鍍銀材料的接觸電阻在耐熱試驗(yàn)前為0.8ηιΩ、耐熱試驗(yàn)后為2.5ηιΩ，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻也良好、在5πιΩ以下，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻的上升得到抑制。而且，彎折后的鍍銀材料中未觀察到裂縫，彎曲加工性良好。
[0036]實(shí)施例3
[0037]除了在由lllg/L氰化銀鉀、120g/L氰化鉀與18mg/L硒氰酸鉀組成的銀鍍浴中，以被鍍材料為陰極，以銀電極板為陽極，一邊用攪拌器以400rpm進(jìn)行攪拌，一邊在液溫18°C下以電流密度5A/dm2進(jìn)行電鍍(鍍銀)直至膜厚達(dá)到3μπι以外，通過與實(shí)施例1同樣的方法制得鍍銀材料。此外，所使用的銀鍍浴中的Se濃度為10mg/L、Ag濃度為60g/L、游離CN濃度為48g/L、Ag/游離CN質(zhì)量比為1.3。
[0038]對這樣制得的鍍銀材料，通過與實(shí)施例1同樣的方法，計(jì)算{200}取向強(qiáng)度比，評價(jià)耐熱試驗(yàn)前后的接觸電阻及彎曲加工性。其結(jié)果，{200}取向強(qiáng)度比為74.4%。此外，鍍銀材料的接觸電阻在耐熱試驗(yàn)前為0.9ηιΩ、耐熱試驗(yàn)后為2.5ηιΩ，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻也良好、在5πιΩ以下，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻的上升得到抑制。而且，彎折后的鍍銀材料中未觀察到裂縫，彎曲加工性良好。[0039]實(shí)施例4
[0040]除了在由1118/1氰化銀鉀、14(^/1氰化鉀與18mg/L硒氰酸鉀組成的銀鍍浴中，以被鍍材料為陰極，以銀電極板為陽極，一邊用攪拌器以400rpm進(jìn)行攪拌，一邊在液溫18°C下以電流密度5A/dm2進(jìn)行電鍍(鍍銀)直至膜厚達(dá)到3μπι以外，通過與實(shí)施例1同樣的方法制得鍍銀材料。此外，所使用的銀鍍浴中的Se濃度為10mg/L、Ag濃度為60g/L、游離CN濃度為58g/L、Ag/游離CN質(zhì)量比為1.1。
[0041]對這樣制得的鍍銀材料，通過與實(shí)施例1同樣的方法，計(jì)算{200}取向強(qiáng)度比，評價(jià)耐熱試驗(yàn)前后的接觸電阻及彎曲加工性。其結(jié)果，{200}取向強(qiáng)度比為60.4%。此外，鍍銀材料的接觸電阻在耐熱試驗(yàn)前為0.8ηιΩ、耐熱試驗(yàn)后為3.2ηιΩ，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻也良好、在5πιΩ以下，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻的上升得到抑制。而且，彎折后的鍍銀材料中未觀察到裂縫，彎曲加工性良好。
[0042]實(shí)施例5
[0043]除了在由148g/L氰化銀鉀、120g/L氰化鉀與18mg/L硒氰酸鉀組成的銀鍍浴中，以被鍍材料為陰極，以銀電極板為陽極，一邊用攪拌器以400rpm進(jìn)行攪拌，一邊在液溫18°C下以電流密度5A/dm2進(jìn)行電鍍(鍍銀)直至膜厚達(dá)到3μπι以外，通過與實(shí)施例1同樣的方法制得鍍銀材料。此外，所使用的銀鍍浴中的Se濃度為10mg/L、Ag濃度為80g/L、游離CN濃度為48g/L、Ag/游離CN質(zhì)量比為1.7。
[0044]對這樣制得的鍍銀材料，通過與實(shí)施例1同樣的方法，計(jì)算{200}取向強(qiáng)度比，評價(jià)耐熱試驗(yàn)前后的接觸電阻及彎曲加工性。其結(jié)果，{200}取向強(qiáng)度比為79.9%。此外，鍍銀材料的接觸電阻在耐熱試驗(yàn)前為0.7ηιΩ、耐熱試驗(yàn)后為2.Οι?Ω，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻也良好、在5πιΩ以下，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻的上升得到抑制。而且，彎折后的鍍銀材料中未觀察到裂縫，彎曲加工性良好。
[0045]實(shí)施例6
[0046]除了在由148g/L氰化銀鉀、140g/L氰化鉀與18mg/L硒氰酸鉀組成的銀鍍浴中，以被鍍材料為陰極，以銀電極板為陽極，一邊用攪拌器以400rpm進(jìn)行攪拌，一邊在液溫18°C下以電流密度5A/dm2進(jìn)行電鍍(鍍銀)直至膜厚達(dá)到3μπι以外，通過與實(shí)施例1同樣的方法制得鍍銀材料。此外，所使用的銀鍍浴中的Se濃度為10mg/L、Ag濃度為80g/L、游離CN濃度為56g/L、Ag/游離CN質(zhì)量比為1.4。
[0047]對這樣制得的鍍銀材料，通過與實(shí)施例1同樣的方法，計(jì)算{200}取向強(qiáng)度比，評價(jià)耐熱試驗(yàn)前后的接觸電阻及彎曲加工性。其結(jié)果，{200}取向強(qiáng)度比為72.7%。此外，鍍銀材料的接觸電阻在耐熱試驗(yàn)前為0.9ηιΩ、耐熱試驗(yàn)后為2.4ηιΩ，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻也良好、在5πιΩ以下，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻的上升得到抑制。而且，彎折后的鍍銀材料中未觀察到裂縫，彎曲加工性良好。
[0048]實(shí)施例7
[0049] 除了在由148g/L氰化銀鉀、140g/L氰化鉀與llmg/L硒氰酸鉀組成的銀鍍浴中，以被鍍材料為陰極，以銀電極板為陽極，一邊用攪拌器以400rpm進(jìn)行攪拌，一邊在液溫18°C下以電流密度5A/dm2進(jìn)行電鍍(鍍銀)直至膜厚達(dá)到3μπι以外，通過與實(shí)施例1同樣的方法制得鍍銀材料。此外，所使用的銀鍍浴中的Se濃度為6mg/L、Ag濃度為80g/L、游離CN濃度為56g/L、Ag/游離CN質(zhì)量比為1.4。[0050]對這樣制得的鍍銀材料，通過與實(shí)施例1同樣的方法，計(jì)算{200}取向強(qiáng)度比，評價(jià)耐熱試驗(yàn)前后的接觸電阻及彎曲加工性。其結(jié)果，{200}取向強(qiáng)度比為81.2%。此外，鍍銀材料的接觸電阻在耐熱試驗(yàn)前為1.Οι?Ω、耐熱試驗(yàn)后為2.4ηιΩ，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻也良好、在5πιΩ以下，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻的上升得到抑制。而且，彎折后的鍍銀材料中未觀察到裂縫，彎曲加工性良好。
[0051]實(shí)施例8
[0052]除了在由148g/L氰化銀鉀、140g/L氰化鉀與26mg/L硒氰酸鉀組成的銀鍍浴中，以被鍍材料為陰極，以銀電極板為陽極，一邊用攪拌器以400rpm進(jìn)行攪拌，一邊在液溫18°C下以電流密度5A/dm2進(jìn)行電鍍(鍍銀)直至膜厚達(dá)到3μπι以外，通過與實(shí)施例1同樣的方法制得鍍銀材料。此外，所使用的銀鍍浴中的Se濃度為14g/L、Ag濃度為80g/L、游離CN濃度為56g/L、Ag/游離CN質(zhì)量比為1.4。
[0053]對這樣制得的鍍銀材料，通過與實(shí)施例1同樣的方法，計(jì)算{200}取向強(qiáng)度比，評價(jià)耐熱試驗(yàn)前后的接觸電阻及彎曲加工性。其結(jié)果，{200}取向強(qiáng)度比為48.1%。此外，鍍銀材料的接觸電阻在耐熱試驗(yàn)前為0.8ηιΩ、耐熱試驗(yàn)后為3.6ηιΩ，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻也良好、在5πιΩ以下，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻的上升得到抑制。而且，彎折后的鍍銀材料中未觀察到裂縫，彎曲加工性良好。
[0054]比較例I
[0055]除了在由74g/L氰化銀鉀、140g/L氰化鉀與18mg/L硒氰酸鉀組成的銀鍍浴中，以被鍍材料為陰極，以銀電極板為陽極，一邊用攪拌器以400rpm進(jìn)行攪拌，一邊在液溫18°C下以電流密度5A/dm2進(jìn)行電鍍(鍍銀)直至膜厚達(dá)到3μπι以外，通過與實(shí)施例1同樣的方法制得鍍銀材料。此外，所使用的銀鍍浴中的Se濃度為10g/L、Ag濃度為40g/L、游離CN濃度為56g/L、Ag/游離CN質(zhì)量比為0.7。
[0056]對這樣制得的鍍銀材料，通過與實(shí)施例1同樣的方法，計(jì)算{200}取向強(qiáng)度比，評價(jià)耐熱試驗(yàn)前后的接觸電阻及彎曲加工性。其結(jié)果，{200}取向強(qiáng)度比為33.6%。此外，鍍銀材料的接觸電阻在耐熱試驗(yàn)前為0.8ηιΩ、耐熱試驗(yàn)后為5.6ηιΩ，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻不佳、達(dá)5mΩ以上，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻上升。耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻不佳、達(dá)5mΩ以上，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻上升。而且，在彎折后的鍍銀材料中觀察到裂縫，露出原材料，彎曲加工性不佳。而且，在彎折后的鍍銀材料中觀察到裂縫，露出原材料，彎曲加工性不佳。
[0057]比較例2
[0058]除了在由148g/L氰化銀鉀、100g/L氰化鉀與18mg/L硒氰酸鉀組成的銀鍍浴中，以被鍍材料為陰極，以銀電極板為陽極，一邊用攪拌器以400rpm進(jìn)行攪拌，一邊在液溫18°C下以電流密度5A/dm2進(jìn)行電鍍(鍍銀)直至膜厚達(dá)到3μπι以外，通過與實(shí)施例1同樣的方法制得鍍銀材料。此外，所使用的銀鍍浴中的Se濃度為10g/L、Ag濃度為80g/L、游離CN濃度為40g/L、Ag/游離CN質(zhì)量比為2.0。
[0059]對這樣制得的鍍銀材料，通過與實(shí)施例1同樣的方法，計(jì)算{200}取向強(qiáng)度比，評價(jià)耐熱試驗(yàn)前后的接觸電阻及彎曲加工性。其結(jié)果，{200}取向強(qiáng)度比為25.9%。此外，鍍銀材料的接觸電阻在耐熱試驗(yàn)前為0.9ι?Ω、耐熱試驗(yàn)后為12.3ι?Ω，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻不佳、達(dá)5πιΩ以上，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻上升。而且，在彎折后的鍍銀材料中觀察到裂縫，露出原材料，彎曲加工性不佳。[0060]比較例3
[0061]除了在由148g/L氰化銀鉀、140g/L氰化鉀與36mg/L硒氰酸鉀組成的銀鍍浴中，以被鍍材料為陰極，以銀電極板為陽極，一邊用攪拌器以400rpm進(jìn)行攪拌，一邊在液溫18°C下以電流密度5A/dm2進(jìn)行電鍍(鍍銀)直至膜厚達(dá)到3μπι以外，通過與實(shí)施例1同樣的方法制得鍍銀材料。此外，所使用的銀鍍浴中的Se濃度為20g/L、Ag濃度為80g/L、游離CN濃度為56g/L、Ag/游離CN質(zhì)量比為1.4。
[0062]對這樣制得的鍍銀材料，通過與實(shí)施例1同樣的方法，計(jì)算{200}取向強(qiáng)度比，評價(jià)耐熱試驗(yàn)前后的接觸電阻及彎曲加工性。其結(jié)果，{200}取向強(qiáng)度比為5.4%。此外，鍍銀材料的接觸電阻在耐熱試驗(yàn)前為0.9ηιΩ、耐熱試驗(yàn)后為15.7ηιΩ，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻不佳、達(dá)5πιΩ以上，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻上升。而且，在彎折后的鍍銀材料中觀察到裂縫，露出原材料，彎曲加工性不佳。
[0063]比較例4
[0064]除了在由148g/L氰化銀鉀、140g/L氰化鉀與55mg/L硒氰酸鉀組成的銀鍍浴中，以被鍍材料為陰極，以銀電極板為陽極，一邊用攪拌器以400rpm進(jìn)行攪拌，一邊在液溫18°C下以電流密度5A/dm2進(jìn)行電鍍(鍍銀)直至膜厚達(dá)到3μπι以外，通過與實(shí)施例1同樣的方法制得鍍銀材料。此外，所使用的銀鍍浴中的Se濃度為30g/L、Ag濃度為80g/L、游離CN濃度為56g/L、Ag/游離CN質(zhì)量比為1.4。
[0065]對這樣制 得的鍍銀材料，通過與實(shí)施例1同樣的方法，計(jì)算{200}取向強(qiáng)度比，評價(jià)耐熱試驗(yàn)前后的接觸電阻及彎曲加工性。其結(jié)果，{200}取向強(qiáng)度比為5.1%。此外，鍍銀材料的接觸電阻在耐熱試驗(yàn)前為0.7ηιΩ、耐熱試驗(yàn)后為94.2ηιΩ，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻不佳、達(dá)5πιΩ以上，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻上升。而且，在彎折后的鍍銀材料中觀察到裂縫，露出原材料，彎曲加工性不佳。
[0066]比較例5
[0067]除了在由148g/L氰化銀鉀、140g/L氰化鉀與73mg/L硒氰酸鉀組成的銀鍍浴中，以被鍍材料為陰極，以銀電極板為陽極，一邊用攪拌器以400rpm進(jìn)行攪拌，一邊在液溫18°C下以電流密度5A/dm2進(jìn)行電鍍(鍍銀)直至膜厚達(dá)到3μπι以外，通過與實(shí)施例1同樣的方法制得鍍銀材料。此外，所使用的銀鍍浴中的Se濃度為40g/L、Ag濃度為80g/L、游離CN濃度為56g/L、Ag/游離CN質(zhì)量比為1.4。
[0068]對這樣制得的鍍銀材料，通過與實(shí)施例1同樣的方法，計(jì)算{200}取向強(qiáng)度比，評價(jià)耐熱試驗(yàn)前后的接觸電阻及彎曲加工性。其結(jié)果，{200}取向強(qiáng)度比為4.8%。此外，鍍銀材料的接觸電阻在耐熱試驗(yàn)前為0.7πιΩ、耐熱試驗(yàn)后為574.5πιΩ，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻不佳、達(dá)5πιΩ以上，耐熱試驗(yàn)后的接觸電阻上升。而且，在彎折后的鍍銀材料中觀察到裂縫，露出原材料，彎曲加工性不佳。
[0069]制造這些實(shí)施例1~8及比較例I~5鍍銀材料所使用的銀鍍浴的組成示于表1，鍍銀材料的特性示于表2。
[0070]表1
[0071]
【權(quán)利要求】
1.鍍銀材料，其特征在于，在原材料的表面或形成于原材料上的襯底層的表面形成由銀構(gòu)成的表層的鍍銀材料中，{200}面的X射線衍射強(qiáng)度相對于表層的{111}面、{200}面、{220}面與{311}面的X射線衍射強(qiáng)度之和的比例為40%以上。
2.如權(quán)利要求1所述的鍍銀材料，其特征在于，由所述銀構(gòu)成的表層形成于銅或銅合金制原材料的表面、或形成于原材料上的由銅或銅合金構(gòu)成的襯底層的表面。
3.鍍銀材料的制造方法，其特征在于，在原材料的表面或形成于原材料上的襯底層的表面形成由銀構(gòu)成的表層的鍍銀材料的制造方法中，通過在含有5~15mg/L硒且相對于游離氰的銀的質(zhì)量比為0.9~1.8的銀鍍浴中進(jìn)行電鍍，形成由銀構(gòu)成的表層。
4.如權(quán)利要求3所述的鍍銀材料的制造方法，其特征在于，將由銀構(gòu)成的表層形成于銅或銅合金制原材料的表面、或形成于原材料上的由銅或銅合金構(gòu)成的襯底層的表面。
5.如權(quán)利要求3或4所述的鍍銀材料的制造方法，其特征在于，所述銀鍍浴由氰化銀鉀、氰化鉀與硒氰酸鉀組成，該銀鍍浴中的硒氰酸鉀的濃度為3~30mg/L。
6.接點(diǎn)或終端 部件，其特征在于，使用權(quán)利要求1或2所述的鍍銀材料作為材料。
【文檔編號】C25D7/00GK103917697SQ201280048163
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2012年9月20日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月30日
【發(fā)明者】篠原圭介, 尾形雅史, 宮澤寬, 菅原章 申請人:同和金屬技術(shù)有限公司