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鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層及其制備方法

文檔序號:5283389閱讀:358來源:國知局
鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層及其制備方法
【專利摘要】鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層及其制備方法,它涉及鋁合金表面陶瓷膜層及其制備方法。本發(fā)明的目的是要解決現(xiàn)有易潔陶瓷的制備過程時(shí)間長、能耗高,而且只能應(yīng)用在少數(shù)經(jīng)燒制而成的一些產(chǎn)品上,限制其應(yīng)用的問題。本發(fā)明鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層是鋁合金通過微弧氧化制備而成。方法:以鋁合金工件為陽極,以電解槽的不銹鋼板為陰極,將鋁合金工件陽極浸沒于工作液中,然后在陰極和陽極兩側(cè)施加雙極性脈沖電,進(jìn)行微弧氧化處理,即得到鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層。本發(fā)明用于鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層及其制備。
【專利說明】鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及鋁合金表面陶瓷膜層及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 陶瓷制品以其堅(jiān)固耐用、質(zhì)地精美而被廣泛地應(yīng)用于我們的生活。清洗陶瓷的污 垢很自然地就成了必不可少的環(huán)節(jié)。常見的油污主要是以棕櫚酸和油酸為主的皮質(zhì),還有 植物油、動物油及諸如柴油、潤滑油等為主的礦物油。洗滌的實(shí)質(zhì)就是洗滌劑將油膜從待清 潔物表面置換掉的過程。除去洗滌陶瓷表面的油污過程費(fèi)時(shí)費(fèi)力以外,洗滌劑的使用也會 造成健康和環(huán)境的不良影響。隨著健康意識的不斷增強(qiáng),人們對無需洗滌劑就可清潔具有 抗油污、自清潔的易潔陶瓷制品青睞有加。易潔陶瓷是指,在正常使用過程中,依靠其表面 特殊的物理化學(xué)性質(zhì),使得污染物自發(fā)脫落、不易粘附,而無需使用洗滌劑等外力的作用保 持自身表面清潔的陶瓷。陶瓷表面能是影響陶瓷表面易潔性的最重要因素。隨著陶瓷表面 能的提高,陶瓷表面上的油滴在水中的接觸角變大,即油滴的粘附功變小,此時(shí)油滴變現(xiàn)為 更容易脫離陶瓷的表面,即是說陶瓷的易潔性能變好。相關(guān)研究表明,具有良好易潔性的陶 瓷的表面能一般大于72. 8mJ/m2,并且其極性分子量大于58. OmJ/m2,滿足這樣條件的陶瓷, 水可以在油/陶瓷界面自由擴(kuò)展,進(jìn)而使得油/陶瓷界面慢慢消失,油滴則因失去粘附而脫 離陶瓷表面浮起,陶瓷就實(shí)現(xiàn)了自清潔。現(xiàn)在通用的表征陶瓷易潔性的是陶瓷表面單位面 積油污殘余量,當(dāng)滿足單位面積油污殘余量A < 0. 05 X l(T4g · cm2時(shí),就表明陶瓷的易潔性 良好。
[0003] 調(diào)節(jié)陶瓷釉層內(nèi)堿金屬的含量,適當(dāng)提高表面的粗糙度都會提高陶瓷表面能,從 而提高陶瓷表面的易潔性?,F(xiàn)有的易潔陶瓷制造工藝包括:配料、球磨、熔制、水淬、、揀選、 干磨、過篩、球磨、陳腐、施釉、干燥和燒成,共計(jì)12道工序。其中,燒成溫度在1150°C? 1300°C之間,燒成時(shí)間在8小時(shí)左右。由此可見,該方法工藝復(fù)雜,能耗高,生產(chǎn)時(shí)間長。值 得指出處的是,由于需要高溫?zé)Y(jié)釉層,該方法只能應(yīng)用在能夠涂釉層且耐高溫的陶瓷表 面,金屬及其合金由于熔點(diǎn)低、熱膨脹系數(shù)大而不能采用該技術(shù)實(shí)現(xiàn)其表面自潔功能,這使 得陶瓷表面易潔技術(shù)的進(jìn)一步應(yīng)用受到限制。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的是要解決現(xiàn)有易潔陶瓷的制備過程時(shí)間長、能耗高,而且只能應(yīng)用 在少數(shù)經(jīng)燒制而成的一些產(chǎn)品上,限制其應(yīng)用的問題,而提供鋁合金表面易潔性微弧氧化 陶瓷膜層及其制備方法。
[0005] 鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層是鋁合金通過微弧氧化制備而成表面能大 于73. lmj/m2,極性分子量大于60. OmJ/m2,單位面積油污殘余量A彡0. 05 X 10_4g · cm2的鋁 合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層。
[0006] 鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層的制備方法是按照以下步驟進(jìn)行的:
[0007] 以鋁合金工件為陽極,以電解槽的不銹鋼板為陰極,將鋁合金工件陽極浸沒于工 作液中,然后在陰極和陽極兩側(cè)施加雙極性脈沖電,并在正向電壓為350V?650V、反向 電壓為20V?120V,電流密度為0. 5A/dm2?20A/dm2,頻率為200Hz?2000Hz,占空比為 10%?40%及溫度低于801:的條件下,處理31^11?601^11,即得到鋁合金表面易潔性微弧 氧化陶瓷膜層。
[0008] 本發(fā)明的有益效果是:1、本發(fā)明制備的易潔性微弧氧化陶瓷膜層表面能大于 72. 8mJ/m2,極性分子量大于58. OmJ/m2,其單位面積油污殘余量A < 0. 05X l(T4g μπι2,膜層 厚度為?ο μ m?80 μ m,具有良好的抗油污、自清潔能力。
[0009] 2、本發(fā)明采用的微弧氧化處理工藝簡單,工件無需前處理,只需微弧氧化放電、清 洗和干燥3道工序。微弧放電處理時(shí)間一般在3min?60min。由于微弧氧化處理時(shí)間短, 并且放電只發(fā)生在工件表面,工件基體的溫度在微弧氧化處理前后變化不大,微弧氧化的 能源利用率較現(xiàn)有的易潔陶瓷制造工藝高。值得指出的是微弧氧化技術(shù)使用堿性工作液, 并且可以根據(jù)膜層功能的需要添加懸濁顆粒,這使得利用微弧氧化技術(shù)能夠在鋁鎂鈦等金 屬及其合金表面原位生成一層具有易潔特性的陶瓷膜層。
[0010] 本發(fā)明用于鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層及其制備。

【具體實(shí)施方式】
[0011] 本發(fā)明技術(shù)方案不局限于以下所列舉的【具體實(shí)施方式】,還包括各【具體實(shí)施方式】之 間的任意組合。

【具體實(shí)施方式】 [0012] 一:本實(shí)施方式鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層是鋁合金通過 微弧氧化制備而成表面能大于73. lmj/m2,極性分子量大于60. OmJ/m2,單位面積油污殘余 量A < 0. 05 X 10_4g · cm2的鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層。
[0013] 本實(shí)施方式優(yōu)點(diǎn):本實(shí)施方式制備的易潔性微弧氧化陶瓷膜層表面能大于 72. 8mJ/m2,極性分子量大于58. OmJ/m2,其單位面積油污殘余量A < 0. 05X l(T4g μπι2,膜層 厚度為10?80 μ m,具有良好的抗油污、自清潔能力。

【具體實(shí)施方式】 [0014] 二:本實(shí)施方式與一不同的是:所述的錯(cuò)合金表面易 潔性微弧氧化陶瓷膜層厚度為10 μ m?80 μ m。其它與一相同。

【具體實(shí)施方式】 [0015] 三:本實(shí)施方式鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層的制備方法是 按照以下步驟進(jìn)行的:
[0016] 以鋁合金工件為陽極,以電解槽的不銹鋼板為陰極,將鋁合金工件陽極浸沒于工 作液中,然后在陰極和陽極兩側(cè)施加雙極性脈沖電源,并在正向電壓為350V?650V、反向 電壓為20V?120V,電流密度為0. 5A/dm2?20A/dm2,頻率為200Hz?2000Hz,占空比為 10%?40%及溫度低于801:的條件下,處理31^11?601^11,即得到鋁合金表面易潔性微弧 氧化陶瓷膜層。
[0017] 本實(shí)施方式中,所用微弧氧化電源為雙極性脈沖式微弧氧化電源。脈寬、脈間可 調(diào),正反向目標(biāo)電壓電流可以設(shè)定。
[0018] 微弧氧化技術(shù)(又稱等離子體電解氧化、等離子體增強(qiáng)電解沉積、火花放電陽極 沉積等)是通過微弧放電在鋁鎂鈦等閥金屬及其合金表面原位生成一層陶瓷膜的表面處 理新技術(shù)。微弧氧化處理時(shí),金屬工件接微弧氧化電源的陽極,浸沒于堿性的工作液中,工 作液裝在不銹鋼電解槽里面,電解槽接微弧氧化電源的陰極,并且保證金屬工件與電解槽 不直接接觸。接通電源后,當(dāng)陰陽兩極間的電壓超過法拉第放電區(qū)時(shí),就會在金屬表面產(chǎn)生 微弧等離子體放電,放電使工件表面的金屬、工作液中的離子以及懸濁顆粒發(fā)生等離子體 化學(xué)反應(yīng),最終在工件表面原位生成一層陶瓷膜。微弧氧化陶瓷膜具有耐腐蝕、耐磨、絕緣 電阻高、與基體之間的結(jié)合強(qiáng)度高、膜層厚度和粗糙度可控等諸多優(yōu)點(diǎn)。
[0019] 本實(shí)施方式優(yōu)點(diǎn):本實(shí)施方式采用的微弧氧化處理工藝簡單,工件無需前處理,只 需微弧氧化放電、清洗和干燥3道工序。微弧放電處理時(shí)間一般在3min?60min。由于微 弧氧化處理時(shí)間短,并且放電只發(fā)生在工件表面,工件基體的溫度在微弧氧化處理前后變 化不大,微弧氧化的能源利用率較現(xiàn)有的易潔陶瓷制造工藝高。值得指出的是微弧氧化技 術(shù)使用堿性工作液,并且可以根據(jù)膜層功能的需要添加懸濁顆粒,這使得利用微弧氧化技 術(shù)能夠在鋁鎂鈦等金屬及其合金表面原位生成一層具有易潔特性的陶瓷膜層。

【具體實(shí)施方式】 [0020] 四:本實(shí)施方式與三不同的是:所述的工作液的pH值 為8?14。其它與三相同。

【具體實(shí)施方式】 [0021] 五:本實(shí)施方式與三或四之一不同的是:所述的工作 液由三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鐵、四氧化三鐵、碳化硅、碳化硼和碳化鈦中的一種或者幾 種混合物及水和無機(jī)鹽組成。其它與三或四相同。

【具體實(shí)施方式】 [0022] 六:本實(shí)施方式與三至五之一不同的是:所述的工作 液由三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鐵、四氧化三鐵、碳化硅、碳化硼和碳化鈦中的一種或者幾 種混合物及水和堿組成。其它與三至五相同。

【具體實(shí)施方式】 [0023] 七:本實(shí)施方式與三至六之一不同的是:所述的工作 液由三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鐵、四氧化三鐵、碳化硅、碳化硼和碳化鈦中的一種或者幾 種混合物及水和有機(jī)醇組成。其它與三至六相同。

【具體實(shí)施方式】 [0024] 八:本實(shí)施方式與三至七之一不同的是:所述的工作 液由三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鐵、四氧化三鐵、碳化硅、碳化硼和碳化鈦中的一種或者幾 種混合物及水、有機(jī)醇和無機(jī)鹽組成。其它與三至七相同。

【具體實(shí)施方式】 [0025] 九:本實(shí)施方式與三至八之一不同的是:所述的工作 液由三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鐵、四氧化三鐵、碳化硅、碳化硼和碳化鈦中的一種或者幾 種混合物及水、有機(jī)醇和堿組成。其它與三至八相同。

【具體實(shí)施方式】 [0026] 十:本實(shí)施方式與三至九之一不同的是:所述的工作 液由三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鐵、四氧化三鐵、碳化硅、碳化硼和碳化鈦中的一種或者幾 種混合物及水、堿和無機(jī)鹽組成。其它與三至九相同

【具體實(shí)施方式】 [0027] 十一:本實(shí)施方式與三至十之一不同的是:所述的工 作液由三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鐵、四氧化三鐵、碳化硅、碳化硼和碳化鈦中的一種或者 幾種混合物及水、有機(jī)醇、堿和無機(jī)鹽組成。其它與三至十相同。

【具體實(shí)施方式】 [0028] 十二:本實(shí)施方式與三至i^一之一不同的是:所述的 水為去離子水。其它與三至十一相同

【具體實(shí)施方式】 [0029] 十三:本實(shí)施方式與三至十二之一不同的是:所述的 無機(jī)鹽為硅酸鹽、磷酸鹽、硼酸鹽、鈦酸鹽、高鐵酸鹽、鎢酸鹽、鑰酸鹽、氟酸鹽和鋁酸鹽中的 一種或者幾種的混合物。其它與三至十二相同。
[0030]

【具體實(shí)施方式】十四:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】三至十三之一不同的是:所述的 有機(jī)醇為甲醇、乙醇、乙二醇、丙三醇、異丙醇和丁醇中的一種或者幾種的混合物。其它與具 體實(shí)施方式三至十三相同。

【具體實(shí)施方式】 [0031] 十五:本實(shí)施方式與三至十四之一不同的是:所述的 堿為氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化鈣、氫氧化鋰和氫氧化鋇中的一種或者幾種的混合物。其 它與三至十四相同。
[0032] 采用以下實(shí)施例驗(yàn)證本發(fā)明的有益效果:
[0033] 實(shí)施例一:鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層的制備方法是按照以下步驟進(jìn)行 的:
[0034] 以鋁合金2024為陽極,以電解槽的不銹鋼板為陰極,將鋁合金2024陽極浸沒于 工作液中,然后在陰極和陽極兩側(cè)施加雙極性脈沖電源,并在正向電壓為580V、反向電壓為 63V,電流密度為1. 2A/dm2,頻率為1500Hz,占空比為15%及溫度低于80°C的條件下,處理 40min,即得到鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層。
[0035] 所述的工作液由去離子水、氫氧化鈉、硅酸鈉、丙三醇、四硼酸鈉和碳化硅微細(xì)粉 末混合而成;所述的工作液中氫氧化鈉的濃度為0. 5g/L ;所述的工作液中硅酸鈉的濃度 為0. 5g/L ;所述的工作液中丙三醇的濃度為30mL/L ;所述的工作液中四硼酸鈉的濃度為 1. 75g/L ;所述的工作液中碳化硅微細(xì)粉末的濃度為1. 5g/L。
[0036] 所述的鋁合金2024尺寸為35mmX 70mm。
[0037] 本實(shí)施例初始水溫25 °C。
[0038] 本實(shí)施例制備的鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層厚度為38μπι? 43 μ m,其表面能為74. 2mJ/m2,其極性分子量為66. 9mJ/m2,單位面積油污殘余量Α為 0· 042X10、· cm2。
[0039] 實(shí)施例二:鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層的制備方法是按照以下步驟進(jìn)行 的:
[0040] 以鋁合金3003為陽極,以電解槽的不銹鋼板為陰極,將鋁合金3003陽極浸沒于 工作液中,然后在陰極和陽極兩側(cè)施加雙極性脈沖電源,并在正向電壓為520V、反向電壓為 72V,電流密度為2. 5A/dm2,頻率為1000Hz,占空比為12. 5%及溫度低于80°C的條件下,處 理40min,即得到鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層。
[0041 ] 所述的工作液由去離子水、氫氧化鈉、硅酸鈉、鎢酸鈉、鑰酸鈉、氧化鐵微細(xì)粉末 混合而成;所述的工作液中氫氧化鈉的濃度為1. 25g/L ;所述的工作液中硅酸鈉的濃度為 2. 5g/L ;所述的工作液中鎢酸鈉的濃度為8g/L ;所述的工作液中鑰酸鈉的濃度為1. 75g/L ; 所述的工作液中氧化鐵微細(xì)粉末的濃度為1. 5g/L。
[0042] 所述的鋁合金3003尺寸為40mmX40mm。
[0043] 本實(shí)施例初始水溫25 °C。
[0044] 本實(shí)施例制備的鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層厚度為41 μπι? 45μπι,其表面能為73.3mJ/m2,其極性分量為67.9mJ/m2,單位面積油污殘余量Α為 0· 037X10、· cm2。
[0045] 實(shí)施例三:鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層的制備方法是按照以下步驟進(jìn)行 的:
[0046] 以鋁合金5054為陽極,以電解槽的不銹鋼板為陰極,將鋁合金5054陽極浸沒于 工作液中,然后在陰極和陽極兩側(cè)施加雙極性脈沖電源,并在正向電壓為535V、反向電壓為 92V,電流密度為2. 5A/dm2,頻率為500Hz,占空比為25%及溫度低于80°C的條件下,處理 40min,即得到鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層。
[0047] 所述的工作液由去離子水、氫氧化鉀、硅酸鈉、四硼酸鈉、四氧化三鐵微細(xì)粉末、碳 化鈦微細(xì)粉末混合而成;所述的工作液中氫氧化鉀的濃度為1. 5g/L ;所述的工作液中硅酸 鈉的濃度為3. 5g/L ;所述的工作液中四硼酸鈉的濃度為3. 5g/L ;所述的工作液中四氧化三 鐵微細(xì)粉末的濃度為1. 5g/L ;所述的工作液中碳化鈦微細(xì)粉末的濃度為1. 5g/L。
[0048] 所述的錯(cuò)合金5054尺寸為50mmX 100mm。
[0049] 本實(shí)施例初始水溫25 °C。
[0050] 本實(shí)施例制備的鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層厚度為36 μ m?43 μ m,其 表面能為74. 7mJ/m2,其極性分量為68. 6mJ/m2,單位面積油污殘余量A為0. 04X 10_4g μπι2。
[0051] 實(shí)施例四:鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層的制備方法是按照以下步驟進(jìn)行 的:
[0052] 以鋁合金6063為陽極,以電解槽的不銹鋼板為陰極,將鋁合金6063陽極浸沒于 工作液中,然后在陰極和陽極兩側(cè)施加雙極性脈沖電源,并在正向電壓為560V、反向電壓為 83V,電流密度為3. 5A/dm2,頻率為2000Hz,占空比為30%及溫度低于80°C的條件下,處理 40min,即得到鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層。
[0053] 所述的工作液由去離子水、氫氧化鈉、硅酸鈉、丙三醇、四硼酸鈉、二氧化硅微細(xì)粉 末混合而成;所述的工作液中氫氧化鈉的濃度為2. 5g/L ;所述的工作液中硅酸鈉的濃度為 5g/L ;所述的工作液中丙三醇的濃度為15mL/L ;所述的工作液中四硼酸鈉的濃度為10g/L ; 所述的工作液中二氧化硅微細(xì)粉末的濃度為1. 5g/L。
[0054] 所述的鋁合金6063尺寸為Φ 35mm。
[0055] 本實(shí)施例初始水溫25 °C。
[0056] 本實(shí)施例制備的鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層層厚度為47μπι? 53μπι,其表面能為75.4mJ/m 2,其極性分量為88.9mJ/m2,單位面積油污殘余量Α為 0· 045X10、· cm2。
[0057] 實(shí)施例五:鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層的制備方法是按照以下步驟進(jìn)行 的:
[0058] 以鋁合金ADC12為陽極,以電解槽的不銹鋼板為陰極,將鋁合金ADC12陽極浸沒于 工作液中,然后在陰極和陽極兩側(cè)施加雙極性脈沖電源,并在正向電壓為560V、反向電壓為 73V,電流密度為3. 5A/dm2,頻率為1200Hz,占空比為25%及溫度低于80°C的條件下,處理 50min,即得到鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層。
[0059] 所述的工作液由去離子水、氫氧化鈉、硅酸鈉、磷酸三鈉、四硼酸鈉、碳化硅微細(xì)粉 末混合而成;所述的工作液中氫氧化鈉的濃度為2. 5g/L ;所述的工作液中硅酸鈉的濃度為 3. 5g/L ;所述的工作液中磷酸三鈉的濃度為5g/L ;所述的工作液中四硼酸鈉的濃度為5g/ L ;所述的工作液中碳化硅微細(xì)粉末的濃度為1. 5g/L。
[0060] 所述的鋁合金ADC12尺寸為50mmX 120mm。
[0061] 本實(shí)施例初始水溫25 °C。
[0062] 本實(shí)施例制備的鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層層厚度為35μπι?
【權(quán)利要求】
1. 鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層,其特征在于鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷 膜層是鋁合金通過微弧氧化制備而成表面能大于73. lmj/m2,極性分子量大于60. OmJ/m2, 單位面積油污殘余量A < 0. 05 Xl(T4g · cm2的鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層,其特征在于所述的鋁 合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層厚度為10 μ m?80 μ m。
3. 如權(quán)利要求1所述的鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層的制備方法,其特征在于 鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層的制備方法是按照以下步驟進(jìn)行的: 以鋁合金工件為陽極,以電解槽的不銹鋼板為陰極,將鋁合金工件陽極浸沒于工作液 中,然后在陰極和陽極兩側(cè)施加雙極性脈沖電,并在正向電壓為350V?650V、反向電壓為 20¥?12(^,電流密度為0.5六/(1111 2?2(^/(11112,頻率為200泡?2000取,占空比為10%? 40%及溫度低于80°C的條件下,處理3min?60min,即得到鋁合金表面易潔性微弧氧化陶 瓷膜層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層的制備方法,其特征在 于所述的工作液的pH值為8?14。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層的制備方法,其特征在 于所述的工作液由三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鐵、四氧化三鐵、碳化硅、碳化硼和碳化鈦中 的一種或者幾種混合物及水和無機(jī)鹽組成;或所述的工作液由三氧化二鋁、二氧化硅、氧化 鐵、四氧化三鐵、碳化硅、碳化硼和碳化鈦中的一種或者幾種混合物及水和堿組成;或所述 的工作液由三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鐵、四氧化三鐵、碳化硅、碳化硼和碳化鈦中的一種 或者幾種混合物及水和有機(jī)醇組成;或所述的工作液由三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鐵、四 氧化三鐵、碳化硅、碳化硼和碳化鈦中的一種或者幾種混合物及水、有機(jī)醇和無機(jī)鹽組成; 或所述的工作液由三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鐵、四氧化三鐵、碳化硅、碳化硼和碳化鈦中 的一種或者幾種混合物及水、有機(jī)醇和堿組成;或所述的工作液由三氧化二鋁、二氧化硅、 氧化鐵、四氧化三鐵、碳化硅、碳化硼和碳化鈦中的一種或者幾種混合物及水、堿和無機(jī)鹽 組成;或所述的工作液由三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鐵、四氧化三鐵、碳化硅、碳化硼和碳 化鈦中的一種或者幾種混合物及水、有機(jī)醇、堿和無機(jī)鹽組成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層的制備方法,其特征在 于所述的水為去離子水。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層的制備方法,其特征在 于所述的無機(jī)鹽為硅酸鹽、磷酸鹽、硼酸鹽、鈦酸鹽、高鐵酸鹽、鎢酸鹽、鑰酸鹽、氟酸鹽和鋁 酸鹽中的一種或者幾種的混合物。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層的制備方法,其特征在 于所述的有機(jī)醇為甲醇、乙醇、乙二醇、丙三醇、異丙醇和丁醇中的一種或者幾種的混合物。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的鋁合金表面易潔性微弧氧化陶瓷膜層的制備方法,其特征在 于所述的堿為氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化鈣、氫氧化鋰和氫氧化鋇中的一種或者幾種的混 合物。
【文檔編號】C25D11/06GK104087996SQ201410363363
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年7月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月28日
【發(fā)明者】呂鵬翔 申請人:呂鵬翔
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