本發(fā)明涉及真空鍍膜,具體涉及一種鈦鋁結(jié)合件pvd膜層退鍍工藝及其應(yīng)用。
背景技術(shù):
1、pvd是英文physical?vapor?deposition即物理氣相沉積的縮寫,pvd工藝是物理過程實(shí)現(xiàn)物質(zhì)轉(zhuǎn)移,將原子或分子由材料源轉(zhuǎn)移到基材表面上的過程。具體來說,是指在真空條件下,采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù),利用氣體放電使靶材蒸發(fā)并使被蒸發(fā)物質(zhì)與氣體都發(fā)生電離,利用電場(chǎng)的加速作用,使被蒸發(fā)物質(zhì)及其反應(yīng)產(chǎn)物沉積在工件上的工藝。pvd鍍膜技術(shù)鍍出的膜層,具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系數(shù))、耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn),膜層的壽命長(zhǎng),同時(shí)膜層也能對(duì)工件的外觀起到很好的裝飾作用。在手機(jī)行業(yè),pvd鍍膜技術(shù)可以應(yīng)用于手機(jī)中框、外殼、按鍵、攝像頭鏡片、手機(jī)膜等部分的鍍膜。目前,一些高端品牌手機(jī)邊框已經(jīng)采用了鈦合金材質(zhì)上鍍pvd,它的強(qiáng)度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于鋁合金材質(zhì),而相比不銹鋼材質(zhì)來說又起到了輕質(zhì)化效果。
2、然而,在實(shí)際生產(chǎn)過程中即使再成熟的鍍膜工藝,也會(huì)出現(xiàn)膜層品質(zhì)不良的情況,如果直接將工件作廢處理,會(huì)浪費(fèi)大量的材料成本。如手機(jī)中框從材料加工到鍍膜階段,耗費(fèi)了大量的材料、加工過程及人力,若報(bào)廢處理其成本浪費(fèi)太高,因此需要退膜返工處理以便再次鍍膜。傳統(tǒng)的退膜工藝多采用有機(jī)堿、無機(jī)堿等強(qiáng)堿性溶液配合氧化劑、絡(luò)合劑等,或者采用含氟的退鍍液去除pvd膜層,但是這種工藝對(duì)于含有鋁合金氧化膜中板的手機(jī)中框工件會(huì)造成腐蝕。因此目前亟需一種能夠退除邊框鈦合金表面的pvd膜層的同時(shí)又不損傷中板鋁合金氧化膜的退膜工藝。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷,本發(fā)明提出了一種鈦鋁結(jié)合件pvd膜層退鍍工藝及其應(yīng)用。
2、本發(fā)明提供一種鈦鋁結(jié)合件pvd膜層退鍍工藝,包括如下步驟:
3、s1:將工件上掛并確保工件不同位置導(dǎo)電性良好;
4、s2:將上述工件置于退鍍液a中退除pvd膜層;
5、s3:將s2處理后的工件進(jìn)行漂洗;
6、s4:將s3處理后的工件置于退膜液b中去黃膜;
7、s5:將s4處理后的工件進(jìn)行漂洗;
8、s6:將s5處理后的工件進(jìn)行干燥處理;
9、所述退鍍液a為經(jīng)ph調(diào)節(jié)劑調(diào)節(jié)ph值至7-8的td311;
10、所述退膜液b為tm312。
11、將td311進(jìn)行ph調(diào)節(jié)能夠避免原液堿性過強(qiáng)進(jìn)而腐蝕鈦鋁結(jié)合件的鋁氧化層。步驟s3進(jìn)行漂洗能夠去除殘留于工件和掛具中的退鍍液a,防止其帶入到退膜液b槽液中而造成污染,漂洗采用純水漂洗2-3道;步驟s2中退除pvd膜層后裸露在外的鈦合金在外加電壓8-13?v的作用下,在退鍍液a中會(huì)進(jìn)行陽(yáng)極氧化反應(yīng)生成非晶態(tài)不定型鈦氧化膜,其在薄膜干涉作用下顯示出一層黃膜,影響工件外觀,因此設(shè)置步驟s4能夠去除步驟s2中生成的黃色鈦氧化膜。步驟s4中的酸性退膜藥水在外加陰極通電下,使鈦合金表面的氧化物膜在h+侵蝕下發(fā)生溶解而去除。
12、進(jìn)一步地,所述ph調(diào)節(jié)劑為檸檬酸;用檸檬酸來調(diào)節(jié)td311原液的ph值,一方面能夠降低退鍍液a的堿性,另一方面檸檬酸根還能夠作為金屬絡(luò)合劑促進(jìn)pvd膜層的脫除。
13、進(jìn)一步地,所述步驟s2中,陽(yáng)極連接工件,陰極板為不銹鋼板或高純度石墨板中的任意一種。
14、進(jìn)一步地,所述步驟s2中操作電壓為8-13?v,操作溫度為20-30℃,退鍍時(shí)間為10-20?min。操作電壓過低,表面的pvd膜層退不掉或者退不干凈;操作電壓過高,雖然使退鍍效率加快,但會(huì)使裸露出的鈦合金表面生成顏色更黃甚至紫色的鈦氧化膜,增加后工序退膜難度。
15、進(jìn)一步地,所述步驟s4中操作電壓為2-5?v,操作溫度20-30℃,時(shí)間5-10?min。操作電壓過低,退膜速度慢難以進(jìn)行退膜,操作電壓過高,會(huì)使速度加快,但退膜后容易起灰,需要進(jìn)行超聲波除灰,增加了工藝的繁瑣性;操作溫度過低時(shí)會(huì)降低退膜速度,操作溫度過高時(shí),會(huì)對(duì)工件造成腐蝕。
16、進(jìn)一步地,所述步驟s4中陰極連接工件,陽(yáng)極板為高純度石墨板;由于槽液呈酸性,因此采用高純度石墨板能夠避免陽(yáng)極板被腐蝕。
17、進(jìn)一步地,所述td311的成分包括質(zhì)量百分比為3-5%的主劑,0.5-1%的絡(luò)合劑及0.1-0.2%的分散劑;所述主劑為焦磷酸鉀,所述絡(luò)合劑為三乙醇胺或乙二胺四乙酸二鈉中的一種或兩種,所述分散劑為nno。
18、進(jìn)一步地,所述tm312的成分包括質(zhì)量百分比為6-8%的有機(jī)酸及0.2-0.5%的緩蝕劑。
19、進(jìn)一步地,所述有機(jī)酸為酒石酸、檸檬酸、蘋果酸中的一種或多種,所述緩蝕劑為鉬酸鈉、苯并三氮唑中的一種或多種。
20、進(jìn)一步地,所述步驟s1中將工件上掛,可采用專用掛具將工件上掛或者將工件置于夾具再上掛,其主要目的是保證產(chǎn)品導(dǎo)電良好??梢酝ㄟ^萬用表一端連接掛具,另一端連接工件鈦合金邊框的不同部位來確認(rèn)導(dǎo)電性以確保工件不同位置均導(dǎo)電良好。
21、進(jìn)一步地,所述步驟s5對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行漂洗的目的是去除工件表面藥劑殘留并清潔產(chǎn)品。
22、進(jìn)一步地,所述步驟s6對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行干燥的目的是為了防止水分殘留造成水印,可以是吹干、甩干或者烘干,將產(chǎn)品干燥后即可進(jìn)行下掛包裝。
23、本發(fā)明還提供所述退鍍工藝在鈦鋁結(jié)合件退鍍中的應(yīng)用,尤其是在含有鋁合金氧化膜中板的手機(jī)中框pvd膜層退鍍中的應(yīng)用。
24、綜上,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明達(dá)到了以下技術(shù)效果:
25、(1)本發(fā)明提供的鈦鋁結(jié)合件pvd膜層退鍍工藝,退鍍后的工件退膜完全且能夠保持原有鈦合金光澤,退鍍后的工件顏色為鈦合金本色;
26、(2)本發(fā)明提供的鈦鋁結(jié)合件pvd膜層退鍍工藝退膜效率高;
27、(3)本發(fā)明提供的鈦鋁結(jié)合件pvd膜層退鍍工藝應(yīng)用于鈦鋁結(jié)合件中能夠保持鋁氧化膜不被腐蝕;
28、(4)本發(fā)明提供的鈦鋁結(jié)合件pvd膜層退鍍工藝能夠滿足不良品退膜合格并再次利用的要求,且工藝簡(jiǎn)便,能夠大規(guī)模推廣。
1.一種鈦鋁結(jié)合件pvd膜層退鍍工藝,其特征在于,包括如下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的退鍍工藝,其特征在于,所述ph調(diào)節(jié)劑為檸檬酸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的退鍍工藝,其特征在于,所述步驟s2中,陽(yáng)極連接工件,陰極板為不銹鋼板或高純度石墨板中的任意一種。
4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的退鍍工藝,其特征在于,所述步驟s2中操作電壓為8-13?v,操作溫度為20-30℃,退鍍時(shí)間為10-20?min。
5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的退鍍工藝,其特征在于,所述步驟s4中操作電壓為2-5?v,操作溫度20-30℃,時(shí)間5-10?min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的退鍍工藝,其特征在于,所述步驟s4中陰極連接工件,陽(yáng)極板為高純度石墨板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的退鍍工藝,其特征在于,所述td311的成分包括質(zhì)量百分比為3-5%的主劑,0.5-1%絡(luò)合劑及0.1-0.2%的分散劑;
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的退鍍工藝,其特征在于,所述tm312的成分包括質(zhì)量百分比為6-8%的有機(jī)酸及0.2-0.5%的緩蝕劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的退鍍工藝,其特征在于,所述有機(jī)酸為酒石酸、檸檬酸、蘋果酸、草酸中的一種或多種,所述緩蝕劑為鉬酸鈉、苯并三氮唑中的一種或多種。
10.權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的退鍍工藝在鈦鋁結(jié)合件退鍍中的應(yīng)用。