專利名稱：光電傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及EMC測(cè)量(噪聲測(cè)量)中典型的測(cè)量現(xiàn)場內(nèi)的電場強(qiáng)度所使用的光電傳感器。
背景技術(shù)：
光波導(dǎo)馬赫-齊德干涉儀已被用來作為電場傳感器，它將光波導(dǎo)分支后把與晶軸平行的電場加到分支后的一方或雙方的光波導(dǎo)上使波導(dǎo)光的位相發(fā)生變化、然后再合成，由于所加的電場使合成后的光強(qiáng)度發(fā)生變化，所以，可以通過測(cè)量光強(qiáng)度來測(cè)量加到與電極部連接的天線上的電場強(qiáng)度。馬赫-齊德干涉儀的出射光強(qiáng)度與加給電極的電場的關(guān)系為三角函數(shù)波曲線。


圖1(a)是先有的光電傳感器的一個(gè)例子。如圖所示，光電傳感器是通過在LiNbO3基板上利用Ti擴(kuò)散制成光波導(dǎo)式分支干涉儀，在分支后的2條光波導(dǎo)中的1條光波導(dǎo)內(nèi)設(shè)置電極構(gòu)成光調(diào)制器，將該光調(diào)制器裝入并固定到塑料等容器1內(nèi)，將光調(diào)制器的電極與天線2連接，并且，將偏振狀態(tài)穩(wěn)定的光纖3與光調(diào)制器的光輸入一側(cè)連接，將單模光纖4與光輸出一側(cè)連接而構(gòu)成。自然或強(qiáng)制產(chǎn)生的電場通過天線傳送到上述電極上，使光波導(dǎo)進(jìn)行位相調(diào)制。然后，合成后的光由于發(fā)生強(qiáng)度調(diào)制而具有可以獲得與電場對(duì)應(yīng)的光強(qiáng)度的特征。
圖2是先有的光波導(dǎo)馬赫-齊德干涉儀，在圖1(a)的光調(diào)制器中使用。如圖2所示，光波導(dǎo)馬赫-齊德干涉儀具有將光波導(dǎo)12，12分支后通過調(diào)制電極22，22將與晶軸平行的電場加到分支后的一方或雙方的光波導(dǎo)12，12上，使波導(dǎo)的位相發(fā)生變化然后再合成的形狀。由于所加的電場使合成后的光強(qiáng)度發(fā)生變化，所以，可以作為電場傳感器使用，通過測(cè)量光強(qiáng)度來測(cè)量通過加到調(diào)制電極22，22上的微小電壓而加到天線2上的電場強(qiáng)度。
圖3是圖2所示的馬赫-齊德干涉儀的光調(diào)制特性圖。如圖3所示，通過馬赫-齊德干涉儀進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制后的光的輸出強(qiáng)度(相時(shí)強(qiáng)度)相對(duì)于外加電壓按三角函數(shù)波(正弦波)曲線變化。因此，當(dāng)外加電壓為0V時(shí)，如果預(yù)先將光強(qiáng)度調(diào)整(光學(xué)偏置調(diào)整)到位于該三角函數(shù)波的直線變化部分(極大值和極小值的中點(diǎn))，則作為電場傳感器其光強(qiáng)度相對(duì)于外加電場的變化量呈正比關(guān)系，從而可以用光強(qiáng)度測(cè)量外加電場。也就是說，作為電場傳感器使用時(shí)需要這種特性。
但是，在先有的光電傳感器中，電極間隔非常窄，約為數(shù)μm，若有堿離子等雜質(zhì)混入該電極間，當(dāng)電壓加到電極間時(shí)便作為累積電壓而保留，從而相對(duì)于外加電壓的光調(diào)制度將發(fā)生變化。這種變化在低頻時(shí)比高頻時(shí)更容易發(fā)生(對(duì)直流電壓影響最大的直流漂移)。這樣，光電傳感器的測(cè)量精度將降低。另外，當(dāng)這種光電傳感器發(fā)生溫度變化時(shí)，由于在晶體內(nèi)部將產(chǎn)生載流子，并發(fā)生移動(dòng)，從而在電極附近不均勻地累積電荷，從而產(chǎn)生內(nèi)部電場，結(jié)果是，出射光將變得不穩(wěn)定(溫度漂移)。溫度變化越急劇，這種特性變化越顯著，如果溫度變化非常緩慢，這種變化就很小。下面，利用圖1(b)和圖1(c)簡單地說明溫度漂移。在圖1(b)中，光電傳感器置于周圍溫度高于室溫的30℃的條件下。這時(shí)，入射到偏振狀態(tài)穩(wěn)定光纖3(圖1(a))上的光通過先有的光電傳感器從單模光纖4輸出的正常的光的波形為A，橫軸表示外加電場，縱軸表示光強(qiáng)度，這里，當(dāng)加到天線上的外加電場為0(V)時(shí)，光強(qiáng)度調(diào)節(jié)到位于極大值和極小值的中點(diǎn)。進(jìn)行正常的工作時(shí)，具有與圖1(b)所示的同樣的波形。當(dāng)受溫度漂移影響時(shí)，如圖1(c)所示的那樣，從單模光纖4出射的光的波形成為B。在波形B中，當(dāng)加到天線上的外加電場為0(V)時(shí)，光強(qiáng)度在位相上從入射光的波形A偏移π／4。該偏移為溫度漂移，使光電傳感器的溫度特性變壞，從而使靈敏度不穩(wěn)定。
作為該溫度特性的改善對(duì)策，有間接的補(bǔ)償方法在先有的光電傳感器使用的光調(diào)制器中，向光學(xué)晶體施加由佩爾蒂元件等產(chǎn)生的物理應(yīng)力使其產(chǎn)生與漂移量相等、極性相反的畸變，或者向調(diào)制電場追加與畸變相反的電場等。另外，采用在基板表面上形成導(dǎo)電性膜從而將晶體內(nèi)的電荷抵消的結(jié)構(gòu)，可以防止這種特性變化，這也是大家熟知的。
但是，實(shí)質(zhì)上成為溫度特性變壞的原因是向光調(diào)制器的熱傳導(dǎo)，具有抑制該熱傳導(dǎo)的結(jié)構(gòu)的光電傳感器以往還沒有。另外，如上所述，為了監(jiān)視光調(diào)制器的輸出，測(cè)量溫度漂移量并施加抵消該漂移的畸變，需要有使這些機(jī)構(gòu)工作的裝置，并且也要求精度高。并且，如上所述，對(duì)于一般的光調(diào)制器，雖然利用半導(dǎo)體膜Si等的導(dǎo)電性膜可以抑制這種特性變化，但是，由于必須采用濺射或真空鍍膜等方法，所以，制造工序的時(shí)間必然延長。
另一方面。通常制作上述那樣的馬赫-齊德干涉儀時(shí)，相對(duì)于上述外加電壓的光調(diào)制特性隨作為基板的LiNbO3特性及元件的制作條件等而不同。具體說來，雖然可以獲得半波長電壓及損耗等特性的再現(xiàn)性，但是，卻很難使外加電壓0V時(shí)的光強(qiáng)度與作為電場傳感器所需要的極大值和極小值的中點(diǎn)一致。因此，一般采用對(duì)制作之后的波導(dǎo)施加應(yīng)變進(jìn)行調(diào)整的方法(光學(xué)偏置調(diào)整)。
另外，電場傳感器采用由金屬制的天線接收電場、在光調(diào)制器的電極部分發(fā)生外加電壓的形狀。這時(shí)，當(dāng)傳感器周圍存在天線以外的金屬時(shí)，將會(huì)干擾電場傳感器周圍發(fā)生的電場。因此，為了除去天線以外的金屬部分，其外殼也可以用非金屬制造。通常，使用塑料等樹脂。這樣制作的電場傳感器，根據(jù)其特性，由于是測(cè)量數(shù)mV／m量級(jí)的電場強(qiáng)度，所以，容易受其周圍發(fā)生的電場影響。另外，在塑料等樹脂制的外殼等上產(chǎn)生的靜電場也會(huì)達(dá)到能使光學(xué)偏置發(fā)生變化的程度。由于這種外殼的靜電場與濕度等的變化關(guān)系很大，所以，難于獲得總是恒定的光學(xué)偏置的元件。但是，為了補(bǔ)償靜電場引起的光學(xué)偏置的移動(dòng)，以往重點(diǎn)放在進(jìn)行裝配之后的光學(xué)偏置的調(diào)節(jié)。
因此，本發(fā)明的目的之一旨在消除裝配后的外殼材料產(chǎn)生的靜電場，同時(shí)提高光波導(dǎo)元件的保溫性能來消除由馬赫-齊德干涉儀的溫度漂移引起的光學(xué)偏置的變化。
另外，本發(fā)明的第2個(gè)目的旨在提供一種利用抑制光電傳感器外部的熱變動(dòng)向光學(xué)晶體的熱傳導(dǎo)的結(jié)構(gòu)，不需要精度要求高的裝置而可以提高溫度特性的光電傳感器。
本發(fā)明的第3個(gè)目的旨在提供一種利用廉價(jià)并且簡單的工序形成導(dǎo)電性膜的光電傳感器。
本發(fā)明的第4個(gè)目的旨在提供一種通過在容易混入雜質(zhì)的電極間涂敷具有穩(wěn)定的特性的物質(zhì)隔斷與外界的干涉從而可以很容易地防止污染及雜質(zhì)混入的光電傳感器。
進(jìn)而，本發(fā)明的第5個(gè)目的是要提供一種具有消除裝配后的外殼材料的靜電場從而不會(huì)干擾測(cè)量電場的結(jié)構(gòu)的光電傳感器。
這里，在本發(fā)明中，具有上述絕熱性的材料最好至少是從陶瓷材料和玻璃材料中選擇的一種，也可以使用含有石英等的玻璃材料代替陶瓷材料。另外，不論哪種情況，外殼表面的一部分或全部(包括內(nèi)表面)最好加工成梨皮(磨砂)狀。
另外，在本發(fā)明中，使用對(duì)以往使用的塑料等樹脂表面進(jìn)行了防帶電處理的塑料材料，通過使該表面具有與半導(dǎo)體相同的電導(dǎo)率可以防止其帶電。該塑料材料最好是含氯乙烯的材料。
還有，在本發(fā)明中，上述電場最好是通過連接的天線加到上述光學(xué)晶體上的。
進(jìn)而，在本發(fā)明中，上述外殼最好是用發(fā)泡苯乙烯樹脂等具有絕熱效果的材料包圍固定。
另外，在本發(fā)明的光電傳感器中，上述光學(xué)部件最好是在具有電光效應(yīng)的光學(xué)晶體基板上形成的光波導(dǎo)附近至少設(shè)置1對(duì)調(diào)制電極，并且具有將自然或強(qiáng)制發(fā)生的電場導(dǎo)向上述1對(duì)調(diào)制電極的結(jié)構(gòu)。
按照本發(fā)明，可以得到一種在具有電光效應(yīng)的光學(xué)晶體基板上形成的光波導(dǎo)附近至少設(shè)置1對(duì)調(diào)制電極并利用將自然或強(qiáng)制發(fā)生的電場導(dǎo)向上述1對(duì)調(diào)制電極而產(chǎn)生的光強(qiáng)度、位相和偏振方向中的至少一種的變化來測(cè)量電場強(qiáng)度的光電傳感器，其特征在于，施行在上述整個(gè)光學(xué)晶體基板上涂敷導(dǎo)電性樹脂和在上述調(diào)制電極間涂敷硅樹脂中的至少一種處理。
即，在本發(fā)明中，采用通過使用導(dǎo)電性樹脂膜作為導(dǎo)電性膜并將該導(dǎo)電性膜涂敷到整個(gè)晶體基板上使由于溫度變化而產(chǎn)生的不穩(wěn)定的電荷移動(dòng)從而將其消除的結(jié)構(gòu)。使用的導(dǎo)電性膜必須具有對(duì)漂移無影響的阻值及材質(zhì)。另外，在本發(fā)明中，使用硅樹脂。這種物質(zhì)不僅與外界的隔絕性好，而且具有速干性和容易涂敷的優(yōu)點(diǎn)。并且，由于不存在多余的不穩(wěn)定離子，所以，因其本身不會(huì)成為引起電壓變化的雜質(zhì)、是具有長期可靠性的物質(zhì)而受到注目。在本發(fā)明中，上述光學(xué)晶體基板的周圍最好使用具有絕熱效果的材料包圍固定。即，在本發(fā)明中，通過將光調(diào)制器裝配并固定到使用熱傳異率低的材料、包含有氣泡的材料、或兩者兼?zhèn)涞牟牧系染哂薪^熱效果的材料制造的容器內(nèi)，或者使用具有絕熱效果的材料將裝配并固定了光調(diào)制器的容器覆蓋起來，從而抑制從光調(diào)制器外部進(jìn)行的熱傳導(dǎo)。
圖2(d)是圖2(a)的光電傳感器的輸出光的時(shí)間與光強(qiáng)度的關(guān)系圖，圖3是圖2的光電傳感器隨外加電壓的光調(diào)制特性圖，圖4是將外殼的上半部去掉后示出的本發(fā)明實(shí)施例2的光電傳感器的結(jié)構(gòu)的視斜圖，圖5(a)是本發(fā)明實(shí)施例3的光電傳感器圖，圖5(b)和圖5(c)是用于說明溫度對(duì)圖5(a)的光電傳感器的光強(qiáng)度與電場的關(guān)系影響的圖，圖6(a)是本發(fā)明實(shí)施例4的光電傳感器圖，圖6(b)是圖6(a)的光電傳感器沿A-A′的剖面圖，圖7是圖6的光電傳感器的外加電壓與輸出光的關(guān)系圖，圖8(a)是本發(fā)明實(shí)施例5的光電傳感器的平面圖，圖8(b)是圖8(a)的光電傳感器沿B-B′的剖面圖，圖9是圖8(a)和圖8(b)的光電傳感器的外加電壓與輸出光的關(guān)系圖，圖10是本發(fā)明實(shí)施例6的光電傳感器圖。
即，光電傳感器通過在LiNbO3基板上利用Ti擴(kuò)散制作光波導(dǎo)式分支干涉儀，將電極設(shè)置到分支后的2條光波導(dǎo)中的1條光波導(dǎo)上，將該光調(diào)制器裝配并固定到玻璃容器內(nèi)，將光調(diào)制器的電極與天線2連接。并且將偏振狀態(tài)穩(wěn)定光纖與光調(diào)制器的光入射一側(cè)連接、將單模光纖與光出射一側(cè)連接而構(gòu)成。
即使將這樣構(gòu)成的實(shí)施例1的光電傳感器置于高于室溫的30℃環(huán)境下，光調(diào)制特性也不發(fā)生變化。
為了證實(shí)本發(fā)明的效果，在將電極短路的狀態(tài)下用丙烯?；＞d將制成的各器件包起來，通過在室溫下放置1天對(duì)外殼加上靜電場后，測(cè)量各個(gè)光電傳感器的光調(diào)制特性，已確認(rèn)先有型的光電傳感器發(fā)生了光學(xué)偏置變化，但是，本發(fā)明的光電傳感器則未見發(fā)生變化。另外，關(guān)于外部溫度變化，在使用丙烯?；盗兴芰现频耐鈿さ南扔械墓怆妭鞲衅髦邪l(fā)生光學(xué)偏置變化的狀態(tài)下(室溫+10℃)，在使用本發(fā)明的石英外殼的光電傳感器中光學(xué)偏置也不發(fā)生變化。
另外，作為本發(fā)明的光電傳感器，對(duì)于對(duì)石英外殼施行了梨皮狀加工后的光電傳感器，和上述一樣進(jìn)行比較時(shí)，可以獲得比上述情況更好的結(jié)果。另外，作為外殼使用陶瓷時(shí)，也可以獲得與使用石英時(shí)相同的結(jié)果。
上述本發(fā)明實(shí)施例2的光電傳感器，通過使用玻璃(石英)或陶瓷作為外殼，可以獲得組裝之后的光調(diào)制特性不變、對(duì)于室溫的溫度變化光學(xué)偏置也不發(fā)生變化的穩(wěn)定的特性。即，本發(fā)明實(shí)施例2的光電傳感器，由于器件的保溫狀態(tài)穩(wěn)定，所以，只要在室溫下使用(主要在電波暗室內(nèi)使用的EMC測(cè)量是在室溫環(huán)境下進(jìn)行的)就可以不考慮溫度漂移的影響，從而可以提供去掉針對(duì)溫度漂移的加工工序的生產(chǎn)效率高的光電傳感器。
在本發(fā)明的實(shí)施例2中，通過使用這樣的方法，可以消除外殼材質(zhì)產(chǎn)生的靜電場，另外，可以減小外部溫度的變化對(duì)外殼內(nèi)部的溫度變化的影響。
在本發(fā)明實(shí)施例3的光電傳感器中，如圖5(b)所示，當(dāng)入射到偏振狀態(tài)穩(wěn)定光纖3內(nèi)的光經(jīng)過該光電傳感器從單模光纖4射出的光的正常波形為C而進(jìn)行0點(diǎn)調(diào)整時(shí)，在加給天線的外加電場為0V時(shí)將光強(qiáng)度調(diào)節(jié)到位于極大值與極小值的中點(diǎn)，和先有例是一樣的，但是，如圖5(c)所示，從單模光纖4射出的光的波形D與波形C重合，不受溫度漂移影響，這一點(diǎn)是不同的。即，在波形D中，加給天線的外加電場為0V時(shí)，光強(qiáng)度為0，與正常的出射光波形C沒有變化。因此，利用發(fā)泡苯乙烯5抑制光電傳感器的溫度漂移(參見圖1(c))，可以獲得溫度特性好并且穩(wěn)定的靈敏度。
根據(jù)上述結(jié)果，本發(fā)明實(shí)施例3使用了具有絕熱效果的光電傳感器，可以抑制周圍的溫度變化引起的溫度漂移的影響，從而可以提高溫度特性、保持傳感器靈敏度的穩(wěn)定。另外，在本發(fā)明的實(shí)施例3中，可以減小光電傳感器的周圍溫度變化引起的對(duì)光調(diào)制器的光學(xué)晶體的影響，從而可以提供溫度特性好的光電傳感器。在本發(fā)明的實(shí)施例3中，不僅可以提高以往成為問題的光電傳感器的溫度特性，而且成本較低、不必增加生產(chǎn)工序時(shí)間，從而可以提供生產(chǎn)效率高的光傳感器。
在這樣制作的光電傳感器的光調(diào)制器部分涂敷本發(fā)明的導(dǎo)電性涂料形成導(dǎo)電性樹脂膜14(工序時(shí)間約為5秒／個(gè))，并在恒溫槽內(nèi)確認(rèn)出射光強(qiáng)度相對(duì)于溫度變化如何變化。在-10℃～60℃的溫度范圍內(nèi)，逐次變化10℃進(jìn)行了試驗(yàn)。為了進(jìn)行比較對(duì)照，對(duì)于未進(jìn)行導(dǎo)電性涂層等加工的光電傳感器也進(jìn)行了同樣的試驗(yàn)。試驗(yàn)的數(shù)據(jù)，根據(jù)圖7的SG曲線25將光強(qiáng)度作為電壓偏移來處理，并用半波長電壓Vπ進(jìn)行規(guī)格化。
未使用導(dǎo)電性涂料的光電傳感器，光強(qiáng)度不穩(wěn)定，在25℃附近也發(fā)生強(qiáng)弱的變化。另外，還確認(rèn)了相對(duì)于溫度變化大于半波長電壓的偏移量。與此相反，使用了本發(fā)明的光電傳感器，可以確認(rèn)在25℃附近光強(qiáng)度不變化，在-10℃～60℃的溫度環(huán)境下，光學(xué)偏量的偏移量小于±0．3％(用半波長電壓規(guī)格化)。
根據(jù)上述結(jié)果，可以確認(rèn)按照本發(fā)明的實(shí)施例4，對(duì)于提高光電傳感器的溫度特性是有效的。另外，根據(jù)實(shí)施例4還可以確認(rèn)本發(fā)明與先有的方法相比，以非常低的成本和很容易的工序便可達(dá)到要求，所以，對(duì)提高生產(chǎn)效率作用很大。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例4中，已判明可以提供利用低成本和簡單的工序形成導(dǎo)電性膜的光電傳感器。
測(cè)量之后，為了制造一種惡劣的環(huán)境，進(jìn)行100小時(shí)的用普通自來水加濕的60℃及60％的恒溫恒濕試驗(yàn)后，進(jìn)行同樣的直流偏移測(cè)量時(shí)，涂敷了硅樹脂的樣品直至產(chǎn)生初始直流偏移為止的時(shí)間沒有變化，而未涂硅樹脂的樣品的時(shí)間則縮短了10倍以上。另外，在本發(fā)明的實(shí)施例5中，容易混入雜質(zhì)的電極間具有穩(wěn)定的特性，即不存在多余的離子，可靠性高，通過涂敷物質(zhì)可以切斷與外界的干涉，從而可以提供可以很容易防止污染及混入雜質(zhì)的光電傳感器。并且，現(xiàn)已確認(rèn)，若利用本發(fā)明實(shí)施例5的光電傳感器，則可提供不僅生產(chǎn)工序非常容易，而且可以抑制直流漂移量的變化的穩(wěn)定的光電傳感器。另外，在本發(fā)明的實(shí)施例5中，只要能避免涂敷硅樹脂時(shí)混入雜質(zhì)，就可以提供具有長期的穩(wěn)定特性的光電傳感器。并且，不需要特定的設(shè)備，作業(yè)非常容易，幾乎不會(huì)增加工序時(shí)間。
這時(shí)，使用本發(fā)明實(shí)施例6的經(jīng)過防帶電處理的氯乙烯板和比較用的未經(jīng)任何處理的氯乙烯板分別組裝成外殼后進(jìn)行帶電測(cè)量。首先，將相同強(qiáng)度的電場加到上述2種外殼上，經(jīng)過一定時(shí)間后分別測(cè)量它們的帶電量，比較它們的數(shù)值。結(jié)果，加電場30秒后，在本發(fā)明實(shí)施例6的經(jīng)過防帶電處理的外殼上幾乎未發(fā)現(xiàn)帶電量，相反，在未經(jīng)任何處理的比較例的外殼上，則測(cè)量到了與外加電場強(qiáng)度的大約二分之一相當(dāng)?shù)膸щ娏俊?br> 根據(jù)上述結(jié)果，使用本發(fā)明實(shí)施例6的外殼的光電傳感器，由于沒有因外殼帶電而對(duì)周圍電場的干擾影響，所以，可以只對(duì)要測(cè)量的電場進(jìn)行光調(diào)制。進(jìn)而，在本發(fā)明的實(shí)施例6中，可以提供消除組裝后外殼材料產(chǎn)生的靜電場、具有不會(huì)干擾測(cè)量電場的結(jié)構(gòu)的光電傳感器。另外，在本發(fā)明的實(shí)施例6中，通過使用經(jīng)過防帶電處理的塑料材料，可以消除外殼材質(zhì)發(fā)生的靜電場，從而可以提供能測(cè)量未受干擾影響的電場的光電傳感器。在本發(fā)明的實(shí)施例6中，可以減小光電傳感器的周圍溫度變化對(duì)光調(diào)制器的的光學(xué)晶軸的影響，從而可以提供溫度特性好的光電傳感器。在本發(fā)明的實(shí)施例6中，不僅可以提高以往成為問題的光電傳感器的溫度特性，而且可以提供成本較低、不增加生產(chǎn)工序時(shí)間、生產(chǎn)效率高的光電傳感器。
如上所述，在本發(fā)明的實(shí)施例1-6中，利用可以抑制光電傳感器外部的熱變化向光學(xué)晶體的熱傳遞的結(jié)構(gòu)，便可提供不需要要求精度高的裝置而可以提高溫度特性的光電傳感器。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性如上所述，本發(fā)明的光電傳感器可以應(yīng)用于EMC測(cè)量(噪聲測(cè)量)中典型的測(cè)量現(xiàn)場內(nèi)的電場強(qiáng)度的情況。
權(quán)利要求
1．一種光電傳感器，由含光學(xué)晶體的光學(xué)部件構(gòu)成，利用光通過電場時(shí)的強(qiáng)度、相位和偏振方向三者中的至少一種的變化測(cè)定自然或強(qiáng)制產(chǎn)生的電場的強(qiáng)度，其特征在于，所述光學(xué)部件配置在表面經(jīng)過防止靜電處理的塑料制成外殼中。
2．如權(quán)利要求1所述的光電傳感器，其特征在于，所述外殼表面的主要部分加工成梨皮狀。
3．如權(quán)利要求1所述的光電傳感器，其特征在于，所述塑料材料包括氯乙烯。
4．如權(quán)利要求1所述的光電傳感器，其特征在于，所述電場通過與所述光學(xué)晶體連接的天線施加到上述光學(xué)晶體上。
5．如權(quán)利要求1所述的光電傳感器，其特征在于，所述外殼還用絕熱材料固定包圍起來。
6．如權(quán)利要求5所述的光電傳感器，其特征在于，所述絕熱材料由發(fā)泡苯乙烯樹脂組成。
7．如權(quán)利要求1所述的光電傳感器，其特征在于，所述光學(xué)部件具有這樣的結(jié)構(gòu)在具有光電效應(yīng)的光學(xué)晶體基板上形成有光波導(dǎo)，光波導(dǎo)附近配置有至少一對(duì)調(diào)制電極，自然或強(qiáng)制產(chǎn)生的電場即引到此一對(duì)調(diào)制電極上。
全文摘要
是由包含光學(xué)晶體的光學(xué)部件2—4和11—13構(gòu)成的,利用通過電場的光的強(qiáng)度、位相和偏振方向中的至少一種的變化來測(cè)量該自然或強(qiáng)制發(fā)生的電場的強(qiáng)度的光電傳感器,其特征是上述光學(xué)部件裝配并密封到使用由石英等玻璃材料、陶瓷材料和由對(duì)表面進(jìn)行過防帶電處理的氯乙烯等構(gòu)成的塑料材料中的至少一種材料制造的外殼7內(nèi)。另外,若將外殼7的表面的主要部分加工成梨皮狀,則效果更好。另一方面,使用具有絕熱效果的材料將具有電光效應(yīng)的光學(xué)晶體包圍固定。另外,在光學(xué)晶體基板的整個(gè)表面上涂敷導(dǎo)電性樹脂,在調(diào)制電極間涂敷硅樹脂。
文檔編號(hào)G01R29/08GK1289929SQ0012418
公開日2001年4月4日 申請(qǐng)日期2000年8月15日 優(yōu)先權(quán)日1993年7月7日
發(fā)明者戶葉祐一, 田邊高信 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東金