一種基于壓敏原理的梁膜結(jié)構(gòu)高壓靜電場(chǎng)傳感器芯片的制作方法
【專利摘要】一種基于壓敏原理的梁膜結(jié)構(gòu)高壓靜電場(chǎng)傳感器芯片，包括基底，在基底上設(shè)有硅結(jié)構(gòu)層，在硅結(jié)構(gòu)層上設(shè)有上極板；基底的上表面與硅結(jié)構(gòu)層的下表面通過陽極鍵合連接，硅結(jié)構(gòu)層的上表面與上極板的下表面通過陽極鍵合連接，采用壓阻原理測(cè)量靜電場(chǎng)力，從而得到靜電場(chǎng)強(qiáng)度；采用梁膜結(jié)合的方式，使得測(cè)量靈敏度極大提高；芯片中心膜不帶質(zhì)量塊，厚度小，并且采用四梁支撐承力膜，提高了結(jié)構(gòu)剛度，傳感器芯片頻響高，連接簡(jiǎn)潔，電阻條和引線布置易于實(shí)現(xiàn)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，制作工藝成熟，采用可靠的封裝方法，可以使芯片適應(yīng)多種不同環(huán)境；芯片批量化生產(chǎn)后單個(gè)成本很低，而且接口和安裝極為簡(jiǎn)便，適合工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)大規(guī)模應(yīng)用。
【專利說明】一種基于壓敏原理的梁膜結(jié)構(gòu)高壓靜電場(chǎng)傳感器芯片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)高壓靜電場(chǎng)傳感器【技術(shù)領(lǐng)域】；具體涉及一種基于壓敏原理的梁膜結(jié)構(gòu)高壓靜電場(chǎng)傳感器芯片。

【背景技術(shù)】
[0002]高壓電力電容器大量應(yīng)用于電力系統(tǒng)及試驗(yàn)站，由于電容器所儲(chǔ)存的電荷處于靜止?fàn)顟B(tài)，很難被一般的測(cè)量方式所感知，包括電磁感應(yīng)，磁場(chǎng)測(cè)量等原理和方法，目前，用于高壓靜電感測(cè)的裝置和產(chǎn)品，包括旋轉(zhuǎn)葉片式、振動(dòng)電容式的靜電測(cè)量裝置，由于其體積、功耗大且成本較高，技術(shù)上、經(jīng)濟(jì)上很難應(yīng)用于電力部門大量裝備的高壓電容器，因此，每年由電容器儲(chǔ)存電荷的不可見性所造成的人身傷亡事故屢見報(bào)道，給家庭、企業(yè)和社會(huì)造成不可挽回的損失。另外，高壓靜電放電時(shí)會(huì)產(chǎn)生瞬態(tài)脈沖大電流，并伴隨著強(qiáng)電磁輻射，直接影響實(shí)驗(yàn)室中控制系統(tǒng)、測(cè)量?jī)x器等電子靜電敏感設(shè)備的正常運(yùn)行，甚至存在引發(fā)火災(zāi)爆炸的隱患。因此高壓靜電的監(jiān)測(cè)成為近年來電氣設(shè)備領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
[0003]對(duì)高壓靜電場(chǎng)進(jìn)行直接接觸式的測(cè)量是最為精確簡(jiǎn)便的方法，然而與儲(chǔ)能設(shè)備連接的母排其靜態(tài)高壓可達(dá)幾十kV至上百kV，這使得直接測(cè)量高壓靜電場(chǎng)的設(shè)備需有較大的絕緣余量，其體積無法實(shí)現(xiàn)小型化。并且高壓母排通常布局復(fù)雜，走線較長，要對(duì)其高壓靜電進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，需大量直接測(cè)量?jī)x器才可完成，這對(duì)空間和成本要求很高。近年來大量研究開始側(cè)重于對(duì)高壓電場(chǎng)的非接觸式間接測(cè)量，研究設(shè)計(jì)了多種基于機(jī)械式或者光學(xué)式的電場(chǎng)傳感器。然而在靜電場(chǎng)中，電場(chǎng)無法給傳感器提供持續(xù)的能量，高壓導(dǎo)體上的電荷是不能持續(xù)維持宏觀運(yùn)動(dòng)的，這成為了靜電場(chǎng)測(cè)量的難點(diǎn)，使得目前電場(chǎng)傳感器對(duì)低頻或靜電場(chǎng)的靈敏度較低。同時(shí)，目前能夠用于測(cè)量高壓靜電場(chǎng)的傳感器存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積較大、成本較高等缺點(diǎn)，無法實(shí)現(xiàn)大批量的生產(chǎn)。而在電力系統(tǒng)或者電氣實(shí)驗(yàn)室運(yùn)行過程中，需用大量的非接觸式間接測(cè)量?jī)x器對(duì)高壓母排的各個(gè)事故易發(fā)點(diǎn)進(jìn)行在線監(jiān)測(cè)，以保證操作人員和電子設(shè)備的安全，因此現(xiàn)有電場(chǎng)傳感器無法滿足此要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種基于壓敏原理的梁膜結(jié)構(gòu)高壓靜電場(chǎng)傳感器芯片，具有靈敏度高、頻響高、性能穩(wěn)定、適用環(huán)境廣、成本低、易于大規(guī)模應(yīng)用等優(yōu)點(diǎn)。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為:
[0006]一種基于壓敏原理的梁膜結(jié)構(gòu)高壓靜電場(chǎng)傳感器芯片，包括基底3，在基底3上設(shè)有娃結(jié)構(gòu)層2,在娃結(jié)構(gòu)層2上設(shè)有上極板I ;基底3的上表面與娃結(jié)構(gòu)層2的下表面通過陽極鍵合連接，硅結(jié)構(gòu)層2的上表面與上極板I的下表面通過陽極鍵合連接。
[0007]所述的上極板I是玻璃板1-1沉積金屬而成的電極，在玻璃板1-1下表面中部區(qū)域布置有長方形固定金屬膜電極1-2，固定金屬膜電極1-2的長邊一側(cè)旁邊布置第一電極連接盤1-4，固定金屬膜電極1-2通過第一引線1-3與第一電極連接盤1-4連接。
[0008]所述的硅結(jié)構(gòu)層2包括硅基體2-1，在硅基體2-1上部刻蝕形成防吸附通槽2-2，防吸附通槽2-2下方布置矩形的承力薄膜2-3，承力薄膜2-3通過四根敏感梁與硅基體2-1的矩形基座連接，四根敏感梁為第一敏感梁2-5-1、第二敏感梁2-5-2、第三敏感梁2-5-3、第四敏感梁2-5-4，敏感梁布置在硅基體2-1的矩形基座短邊和矩形的承力薄膜2-3的短邊之間，平行于承力薄膜2-3的長邊，且每根敏感梁的外側(cè)長邊與承力薄膜2-3的長邊平齊，承力薄膜2-3上表面完全覆蓋有可動(dòng)金屬膜電極2-6，可動(dòng)金屬膜電極2-6通過第二引線2-8連接到位于硅結(jié)構(gòu)上表面短邊一側(cè)8只焊盤2-11中第一焊盤，硅基體下部即承力薄膜下方布置背腔2-4，壓敏電阻條布置在兩根敏感梁上，其中，第一電阻條2-7-1和第二電阻條2-7-2布置在第三敏感梁2-5-3上表面，靠近第三敏感梁2-5-3固定端的應(yīng)力集中區(qū)域；第三電阻條2-7-3和第四電阻條2-7-4布置在第四敏感梁2-5-4上表面，靠近第四敏感梁2-5-4固定端的應(yīng)力集中區(qū)域，四根電阻條通過第三引線2-9連接到焊盤2-11中第二到第七焊盤，通過外接電路形成惠斯通電橋，硅結(jié)構(gòu)上部防吸附通槽2-2—側(cè)的矩形凸臺(tái)上表面布置用于上下電極連通的第二電極連接盤2-12，第二電極連接盤2-12通過第四引線2-10與焊盤2-11中第八焊盤連接；
[0009]所述的第一電阻條2-7-1和第四電阻條2-7-4為雙折，即U形結(jié)構(gòu)，平行于應(yīng)力方向即沿著壓阻系數(shù)最大方向布置；第二電阻條2-7-2和第三電阻條2-7-3是四折，即W形結(jié)構(gòu)，垂直于應(yīng)力方向布置，四根電阻條的有效長度相等，所處區(qū)域應(yīng)力分布相近，便于后續(xù)搭建電橋；
[0010]所述的固定金屬膜電極1-2和可動(dòng)金屬膜電極2-6之間通過第一電極連接盤1-4和和第二電極連接盤2-12互連。
[0011]所述的防吸附通槽2-2深度為2 μ m。
[0012]所述的承力薄膜2-3厚度為30 μ m,長度3500 μ m,寬度2000 μ m,膜長邊與硅基體2-1內(nèi)側(cè)長邊的間隙為10 μ m。
[0013]所述的四根敏感梁2-5-1、2-5-2、2-5-3和2-5-4厚度為30 μ m,長度為500 μ m，寬度為140 μ m。
[0014]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明采用壓阻原理測(cè)量靜電場(chǎng)力，從而得到靜電場(chǎng)強(qiáng)度。在傳感器芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中采用梁膜結(jié)合的方式，通過優(yōu)化提高了敏感區(qū)域應(yīng)力集中效果，使得測(cè)量靈敏度極大提高。芯片中心膜不帶質(zhì)量塊，厚度小，并且采用四梁支撐承力膜，提高了結(jié)構(gòu)剛度，因而傳感器芯片頻響高。傳感器芯片承力膜與支撐梁處于同一平面，連接簡(jiǎn)潔，電阻條和引線布置易于實(shí)現(xiàn)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，所采用的制作工藝成熟，因而芯片性能穩(wěn)定；采用可靠的封裝方法，可以使芯片適應(yīng)多種不同環(huán)境；芯片批量化生產(chǎn)后單個(gè)成本很低，而且接口和安裝極為簡(jiǎn)便，適合工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)大規(guī)模應(yīng)用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖，其中圖(a)為縱向剖視圖，圖(b)為橫向剖視圖。
[0016]圖2為上極板I結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖3為硅結(jié)構(gòu)層2的橫向剖視圖。
[0018]圖4為硅結(jié)構(gòu)層2主視圖。
[0019]圖5為傳感器工作原理不意圖。
[0020]圖6為電阻條組成惠斯通電橋示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做詳細(xì)描述。
[0022]參照?qǐng)D1，一種基于壓敏原理的梁膜結(jié)構(gòu)高壓靜電場(chǎng)傳感器芯片，包括基底3，在基底3上設(shè)有娃結(jié)構(gòu)層2,在娃結(jié)構(gòu)層2上設(shè)有上極板I ;基底3的上表面與娃結(jié)構(gòu)層2的下表面通過陽極鍵合連接，硅結(jié)構(gòu)層2的上表面與上極板I的下表面通過陽極鍵合連接。
[0023]參照?qǐng)D2，所述的上極板I是玻璃板1-1沉積金屬而成的電極，在玻璃板1-1下表面中部區(qū)域布置有長方形固定金屬膜電極1-2，固定金屬膜電極1-2的長邊一側(cè)旁邊布置第一電極連接盤1-4，固定金屬膜電極1-2通過第一引線1-3與第一電極連接盤1-4連接。
[0024]所述的玻璃板1-1為Pyrex7740玻璃，所述的固定金屬膜電極1_2、第一引線1_3以及第一電極連接均為Cr/Au復(fù)合層，其中Cr保證了金屬層與玻璃的緊密結(jié)合，Au是導(dǎo)電層。
[0025]參照?qǐng)D3和圖4，所述的硅結(jié)構(gòu)層2包括硅基體2-1，在硅基體2_1上部刻蝕形成防吸附通槽2-2，防吸附通槽2-2下方布置矩形的承力薄膜2-3，承力薄膜2-3通過四根敏感梁與硅基體2-1的矩形基座連接，四根敏感梁為第一敏感梁2-5-1、第二敏感梁2-5-2、第三敏感梁2-5-3、第四敏感梁2-5-4，敏感梁布置在硅基體2-1的矩形基座短邊和矩形的承力薄膜2-3的短邊之間，平行于承力薄膜2-3的長邊，且每根敏感梁的外側(cè)長邊與承力薄膜2-3的長邊平齊，承力薄膜2-3上表面完全覆蓋有可動(dòng)金屬膜電極2-6，可動(dòng)金屬膜電極2-6通過第二引線2-8連接到位于硅結(jié)構(gòu)上表面短邊一側(cè)8只焊盤2-11中第一焊盤，硅基體下部即承力薄膜下方布置背腔2-4，壓敏電阻條布置在兩根敏感梁上，其中，第一電阻條2-7-1和第二 2-7-2布置在第三敏感梁2-5-3上表面，靠近第三敏感梁2_5_3固定端的應(yīng)力集中區(qū)域；第三電阻條2-7-3和第四電阻條2-7-4布置在第四敏感梁2-5-4上表面，靠近第四敏感梁2-5-4固定端的應(yīng)力集中區(qū)域，四根電阻條通過第三引線2-9連接到焊盤2-11中第二到第七焊盤，通過外接電路形成惠斯通電橋，硅結(jié)構(gòu)上部防吸附通槽2-2 —側(cè)的矩形凸臺(tái)上表面布置用于上下電極連通的第二電極連接盤2-12，第二電極連接盤2-12通過第四引線2-10與焊盤2-11中第八焊盤連接。
[0026]首先在硅基體2-1正面上通過離子刻蝕制作出防吸附通槽2-2，其作用是預(yù)留出固定金屬膜電極1-2與可動(dòng)金屬膜電極2-6之間的空隙，防止二者吸附導(dǎo)致傳感器失效。然后用各向異性刻蝕在硅基體2-1的下方刻蝕得到背腔2-4，再用RIE刻蝕在硅基體2-1正面對(duì)應(yīng)于背腔四邊刻蝕釋放承力膜2-3和四根敏感梁2-5-1、2-5-2、2-5-3、2-5-4，得到用于承受靜電場(chǎng)力的承力薄膜2-3，承力薄膜2-3的厚度是30 μ m,長度3500 μ m,寬度是200(^111，用于感受應(yīng)力的四根敏感梁2-5-1、2-5-2、2-5-3、2-5-4。四根敏感梁的厚度為30 μ m，長度500 μ m，寬度140 μ m。如圖4，梁布置在硅基體2-1內(nèi)側(cè)短邊和承力薄膜2-3的短邊之間，平行于承力薄膜2-3長邊，且每根梁的一側(cè)長邊與膜的長邊平齊。在承力薄膜2-3上表面沉積金屬膜,該金屬膜可以隨著承力膜上下移動(dòng)，作為可動(dòng)金屬膜電極2-6，通過第二引線2-8連接到位于硅結(jié)構(gòu)上表面短邊一側(cè)的焊盤2-11 (共8只焊盤)中第一焊盤。通過離子注入方法在敏感梁上2-5-3上部靠近固定端制作第一電阻條2-7-1和第二電阻條2-7-2 ;在敏感梁2-5-4上部靠近固定端制作第三電阻條2-7-3和第四電阻條2_7_4 ；四根電阻條通過第三引線2-9連接到焊盤2-11中第二到第七焊盤，通過外接電路組合形成半開環(huán)惠斯通電橋，用于應(yīng)力檢測(cè)。
[0027]第一電阻條2-7-1和第四電阻條2-7-4為雙折，即U形結(jié)構(gòu)，平行于應(yīng)力沿著壓阻系數(shù)最大方向布置，第二電阻條2-7-2和第三電阻條2-7-3是四折，即W形結(jié)構(gòu)，垂直于應(yīng)力方向布置。四根電阻條的有效長度相等，所處區(qū)域應(yīng)力分布相近，便于后續(xù)搭建電橋。
[0028]所述的固定金屬膜電極1-2和可動(dòng)金屬膜電極2-6之間通過第一電極連接盤1-4和和第二電極連接盤2-12互連。
[0029]所述的防吸附通槽2-2深度為2 μ m。
[0030]所述的承力薄膜2-3厚度為30 μ m,長度3500 μ m,寬度2000 μ m,膜長邊與硅基體2-1內(nèi)側(cè)長邊的間隙為10 μ m。
[0031]所述的四根敏感梁2-5-1、2-5-2、2-5-3和2-5-4厚度為30 μ m,長度為500 μ m，寬度為140 μ m。
[0032]本發(fā)明工作原理為:
[0033]參照?qǐng)D5，將制作完成的上極板I下表面和硅結(jié)構(gòu)層2上表面對(duì)準(zhǔn)，通過陽極鍵合方法連接到一起，使得固定金屬膜電極1-2與可動(dòng)金屬膜電極2-6形成可靠的平行板電極對(duì)。固定金屬膜電極1-2與可動(dòng)金屬膜電極2-6通過第一電極連接盤1-4和第二電極連接盤2-12實(shí)現(xiàn)互連，測(cè)量中二者接觸帶電體形成等位體。隨著電壓變化，電極板之間的電場(chǎng)強(qiáng)度增大，相互作用力增大；上極板I相對(duì)于承力薄膜2-3厚度很大，因而可以視作剛體，于是承力薄膜2-3在靜電場(chǎng)力的推動(dòng)下向下移動(dòng)，從而敏感梁在膜的帶動(dòng)下向下彎曲，在電阻條布置區(qū)域出現(xiàn)大的應(yīng)力，引起電阻條阻值變化，四根電阻條組成惠斯通電橋，通過電橋輸出電壓將應(yīng)力測(cè)量出來，于是可以得到電場(chǎng)力的大小，進(jìn)而得到所測(cè)量的靜電場(chǎng)強(qiáng)度。
[0034]本發(fā)明中傳感器的惠斯通電橋組橋方式如圖6所示，采用半開環(huán)形式，可以方便地測(cè)得每個(gè)電阻條的阻值并進(jìn)行所需補(bǔ)償。
[0035]由于本發(fā)明應(yīng)用壓阻原理測(cè)量靜電場(chǎng)力，傳感器在工作中僅需要用5V電壓源供電；由于電阻條阻值較大，在IkV左右，因此傳感器工作中耗電極低。相對(duì)于振動(dòng)?xùn)诺刃问降膫鞲衅?，其能耗幾乎可以忽略不?jì)。傳感器結(jié)構(gòu)主體是硅片制作的薄膜與敏感梁結(jié)合的形式，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制作工藝簡(jiǎn)潔，因而制作成品率高而且工作性能穩(wěn)定，可以適用于更多場(chǎng)合。相比振動(dòng)?xùn)藕凸鈱W(xué)式等傳感器，其性能穩(wěn)定特性和系統(tǒng)簡(jiǎn)潔特性可以保證長時(shí)間大范圍應(yīng)用，對(duì)于解決工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)問題更具有實(shí)用性。
【權(quán)利要求】
1.一種基于壓敏原理的梁膜結(jié)構(gòu)高壓靜電場(chǎng)傳感器芯片，包括基底(3)，其特征在于:在基底(3)上設(shè)有硅結(jié)構(gòu)層(2)，在硅結(jié)構(gòu)層(2)上設(shè)有上極板(I);基底(3)的上表面與硅結(jié)構(gòu)層(2)的下表面通過陽極鍵合連接，硅結(jié)構(gòu)層(2)的上表面與上極板(I)的下表面通過陽極鍵合連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于壓敏原理的梁膜結(jié)構(gòu)高壓靜電場(chǎng)傳感器芯片，其特征在于:所述的上極板(I)是玻璃板(1-1)沉積金屬而成的電極，在玻璃板(1-1)下表面中部區(qū)域布置有長方形固定金屬膜電極(1-2)，固定金屬膜電極(1-2)的長邊一側(cè)旁邊布置第一電極連接盤(1-4)，固定金屬膜電極(1-2)通過第一引線(1-3)與第一電極連接盤(1-4)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于壓敏原理的梁膜結(jié)構(gòu)高壓靜電場(chǎng)傳感器芯片，其特征在于:所述的硅結(jié)構(gòu)層(2)包括硅基體(2-1)，在硅基體(2-1)上部刻蝕形成防吸附通槽(2-2)，防吸附通槽(2-2)下方布置矩形的承力薄膜(2-3)，承力薄膜(2-3)通過四根敏感梁與硅基體(2-1)的矩形基座連接，四根敏感梁為第一敏感梁(2-5-1)、第二敏感梁(2-5-2)、第三敏感梁(2-5-3)、第四敏感梁(2-5-4)，敏感梁布置在硅基體(2_1)的矩形基座短邊和矩形的承力薄膜(2-3)的短邊之間，平行于承力薄膜(2-3)的長邊，且每根敏感梁的外側(cè)長邊與承力薄膜(2-3)的長邊平齊，承力薄膜(2-3)上表面完全覆蓋有可動(dòng)金屬膜電極(2-6)，可動(dòng)金屬膜電極(2-6)通過第二引線(2-8)連接到位于硅結(jié)構(gòu)上表面短邊一側(cè)8只焊盤(2-11)中第一焊盤，硅基體下部即承力薄膜下方布置背腔(2-4)，壓敏電阻條布置在兩根敏感梁上，其中，第一電阻條(2-7-1)和第二電阻條(2-7-2)布置在第三敏感梁(2-5-3)上表面，靠近第三敏感梁(2-5-3)固定端的應(yīng)力集中區(qū)域；第三電阻條(2-7-3)和第四電阻條(2-7-4)布置在第四敏感梁(2-5-4)上表面，靠近第四敏感梁(2-5-4)固定端的應(yīng)力集中區(qū)域，四根電阻條通過第三引線(2-9)連接到焊盤(2-11)中第二到第七焊盤，通過外接電路形成惠斯通電橋，硅結(jié)構(gòu)上部防吸附通槽(2-2) —側(cè)的矩形凸臺(tái)上表面布置用于上下電極連通的第二電極連接盤(2-12)，第二電極連接盤(2-12)通過第四引線(2-10)與焊盤(2-11)中第八焊盤連接； 所述的第一電阻條(2-7-1)和第四電阻條(2-7-4)為雙折，即U形結(jié)構(gòu)，平行于應(yīng)力方向即沿著壓阻系數(shù)最大方向布置；第二電阻條(2-7-2)和第三電阻條(2-7-3)是四折，SPW形結(jié)構(gòu)，垂直于應(yīng)力方向布置，四根電阻條的有效長度相等，所處區(qū)域應(yīng)力分布相近，便于后續(xù)彳合建電橋； 所述的固定金屬膜電極(1-2)和可動(dòng)金屬膜電極(2-6)之間通過第一電極連接盤(1-4)和第二電極連接盤(2-12)互連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于壓敏原理的梁膜結(jié)構(gòu)高壓靜電場(chǎng)傳感器芯片，其特征在于:所述的防吸附通槽(2-2)深度為2 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于壓敏原理的梁膜結(jié)構(gòu)高壓靜電場(chǎng)傳感器芯片，其特征在于:所述的承力薄膜(2-3)厚度為30 μ m,長度3500 μ m,寬度2000 μ m,膜長邊與硅基體(2-1)內(nèi)側(cè)長邊的間隙為10 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于壓敏原理的梁膜結(jié)構(gòu)高壓靜電場(chǎng)傳感器芯片，其特征在于:所述的四根敏感梁(2-5-1、2-5-2、2-5-3、2-5-4)厚度為30 μ m，長度為500 μ m，寬度為140 μ m。
【文檔編號(hào)】G01R29/12GK104237652SQ201410443797
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年9月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月3日
【發(fā)明者】趙玉龍, 白民宇, 耿英三, 翟小社 申請(qǐng)人:西安交通大學(xué)