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MEMS傳感器和電子霧化裝置的制作方法

文檔序號(hào):39710935發(fā)布日期:2024-10-22 12:56閱讀:2來源:國知局
MEMS傳感器和電子霧化裝置的制作方法

本申請(qǐng)涉及傳感器,具體涉及一種mems傳感器和電子霧化裝置。


背景技術(shù):

1、近年來,隨著mems(micro-electro-mechanical?system,微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的快速發(fā)展,mems技術(shù)被廣泛應(yīng)用到傳感器領(lǐng)域。傳統(tǒng)的mems壓阻式壓力傳感器是基于單晶硅壓阻效應(yīng),通常采用惠斯通電橋結(jié)構(gòu)將外界壓力信號(hào)轉(zhuǎn)化成相應(yīng)的電信號(hào),通過測(cè)量該電信號(hào)的數(shù)值從而可知外界壓力信號(hào)的大小。然而,該類mems壓阻式壓力傳感器存在檢測(cè)不精準(zhǔn)的問題。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环Nmems傳感器和電子霧化裝置,用于解決mems傳感器檢測(cè)不準(zhǔn)的問題。

2、根據(jù)本申請(qǐng)的第一個(gè)方面,本申請(qǐng)一些實(shí)施例提供一種mems傳感器,包括襯底、基板、第一極板、第二極板和導(dǎo)電觸點(diǎn);所述襯底具有相對(duì)的第一表面和第二表面;所述第一表面具有凹槽,所述第二表面具有惠斯通電橋電路,所述惠斯通電橋電路的橋臂包括壓敏電阻;所述基板覆蓋所述凹槽以形成密封腔體;所述第一極板,設(shè)置于所述凹槽的底壁上;所述第二極板設(shè)置于所述基板上,與所述第一極板間隔設(shè)置;所述導(dǎo)電觸點(diǎn)設(shè)置于所述襯底和/或所述基板上,且與所述第一極板和所述第二極板中的至少一個(gè)電連接;其中,所述第一極板和所述第二極板被配置為在通電情況下能夠相互排斥或相互吸引。

3、在其中一些實(shí)施例中,所述第一極板和所述第二極板形成平行極板電容器,所述導(dǎo)電觸點(diǎn)包括與所述第一極板電連接的第一導(dǎo)電觸點(diǎn)和與所述第二極板電連接的第二導(dǎo)電觸點(diǎn)。

4、在其中一些實(shí)施例中,所述第一極板設(shè)置于所述凹槽的底面;所述第二極板設(shè)置于所述基板暴露于所述密封腔體的表面;所述第一極板和所述第二極板相對(duì)設(shè)置。

5、在其中一些實(shí)施例中,所述第一極板和所述第二極板中的一個(gè)包括永磁材料,另一個(gè)為電磁鐵;所述導(dǎo)電觸點(diǎn)與所述電磁鐵電連接,用于改變所述電磁鐵的極性。

6、在其中一些實(shí)施例中,所述第一極板和所述第二極板均為電磁鐵;所述導(dǎo)電觸點(diǎn)分別與所述第一極板和所述第二極板電連接,用于改變所述電磁鐵的極性。

7、在其中一些實(shí)施例中,所述基板具有第一導(dǎo)電孔和第二導(dǎo)電孔;所述第一導(dǎo)電觸點(diǎn)設(shè)置于所述基板背離所述襯底的表面且通過所述第一導(dǎo)電孔與所述第一極板電連接,所述第二導(dǎo)電觸點(diǎn)設(shè)置于所述基板背離所述襯底的表面且通過所述第二導(dǎo)電孔與所述第二極板電連接。

8、在其中一些實(shí)施例中,所述惠斯通電橋電路包括四組壓敏電阻和四組導(dǎo)電區(qū),所述壓敏電阻響應(yīng)于作用到所述襯底上的壓力變化而產(chǎn)生電阻變化,從而將壓力信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào);所述導(dǎo)電區(qū)用于將所述電信號(hào)引出。

9、在其中一些實(shí)施例中,所述襯底為半導(dǎo)體襯底;每組所述壓敏電阻分別包括兩個(gè)平行且間隔設(shè)置的子壓敏電阻,以及形成于所述子壓敏電阻之間的重?fù)诫s接觸區(qū),所述重?fù)诫s接觸區(qū)用于電連接兩個(gè)平行且間隔設(shè)置的所述子壓敏電阻。

10、在其中一些實(shí)施例中,所述壓敏電阻和所述重?fù)诫s接觸區(qū)形成于所述襯底上,所述襯底上還覆蓋有介質(zhì)層,四組所述導(dǎo)電區(qū)形成于所述介質(zhì)層上。

11、在其中一些實(shí)施例中,所述介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)還覆蓋有鈍化層,四組所述導(dǎo)電區(qū)分別至少部分裸露于所述鈍化層。

12、根據(jù)本申請(qǐng)的第二個(gè)方面,本申請(qǐng)一些實(shí)施例提供一種電子霧化裝置,包括儲(chǔ)液單元、霧化組件、mems傳感器、電源和控制電路;所述儲(chǔ)液單元用于存儲(chǔ)氣溶膠生成基質(zhì),所述儲(chǔ)液單元具有氣溶膠進(jìn)氣端和出氣端;所述霧化組件設(shè)置于所述進(jìn)氣端到所述出氣端的氣流路徑上,用于霧化所述氣溶膠生成基質(zhì);所述mems傳感器為上述任一實(shí)施例提供的所述mems傳感器;所述mems傳感器設(shè)置于所述電子霧化裝置的氣流通道上,用于檢測(cè)所述氣流通道內(nèi)的氣壓變化;所述電源用于向所述霧化組件和所述mems傳感器提供電壓;所述控制電路分別與所述電源、所述霧化組件和所述mems傳感器電連接;所述控制電路用于根據(jù)所述mems傳感器在所述氣流通道內(nèi)的氣壓變化引起的輸出電壓的變化量,向所述第一極板和所述第二極板施加電信號(hào),從而使所述第一極板和所述第二極板相互吸引或相互排斥,以使得所述mems傳感器的輸出電壓的變化量小于或等于預(yù)設(shè)閾值。

13、在其中一些實(shí)施例中,所述預(yù)設(shè)閾值為零;所述控制電路還用于檢測(cè)所述mems傳感器的輸出電壓的變化量是否為零;以及在檢測(cè)到所述mems傳感器的輸出電壓的變化量為零時(shí),根據(jù)向所述第一極板和所述第二極板施加的電信號(hào)確定所述氣壓的大小。

14、依據(jù)上述實(shí)施例的mems傳感器,通過使第一極板設(shè)置于凹槽的底壁上,第二極板設(shè)置于基板上,與第一極板間隔設(shè)置,第一極板和第二極板被配置為在通電情況下能夠相互排斥或相互吸引,當(dāng)傳感器的襯底在受到靠近基板的方向的壓力時(shí),可以通過對(duì)第一極板和所述第二極板通電,使第一極板上的電荷與第二極板上的電荷相同,從而使第一極板向遠(yuǎn)離基板的方向位移,進(jìn)而抵消氣流等變化所引起的襯底向靠近基板的方向的位移;當(dāng)傳感器的襯底在受到遠(yuǎn)離基板的方向的壓力時(shí),可以通過對(duì)第一極板和所述第二極板通電,使第一極板上的電荷與第二極板上的電荷相反,從而使第一極板向靠近基板的方向位移,進(jìn)而抵消由于氣流等變化所引起的襯底向遠(yuǎn)離基板的方向的位移;因此在使用mems傳感器的過程中,應(yīng)變膜的撓度始終較小,由此,很好地改善了襯底的形變不會(huì)與壓力呈理想線性變化的問題,從而提高了本申請(qǐng)實(shí)施例mems傳感器的檢測(cè)精度。



技術(shù)特征:

1.一種mems傳感器,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems傳感器,其特征在于,

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems傳感器,其特征在于,

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems傳感器,其特征在于,

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems傳感器,其特征在于,

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems傳感器,其特征在于,所述基板具有第一導(dǎo)電孔和第二導(dǎo)電孔;所述第一導(dǎo)電觸點(diǎn)設(shè)置于所述基板背離所述襯底的表面且通過所述第一導(dǎo)電孔與所述第一極板電連接,所述第二導(dǎo)電觸點(diǎn)設(shè)置于所述基板背離所述襯底的表面且通過所述第二導(dǎo)電孔與所述第二極板電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems傳感器,其特征在于,所述惠斯通電橋電路包括四組壓敏電阻和四組導(dǎo)電區(qū),所述壓敏電阻響應(yīng)于作用到所述襯底上的壓力變化而產(chǎn)生電阻變化,從而將壓力信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),所述導(dǎo)電區(qū)用于將所述電信號(hào)引出。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的mems傳感器,其特征在于,所述襯底為半導(dǎo)體襯底;每組所述壓敏電阻分別包括兩個(gè)平行且間隔設(shè)置的子壓敏電阻,以及形成于所述子壓敏電阻之間的重?fù)诫s接觸區(qū),所述重?fù)诫s接觸區(qū)用于電連接兩個(gè)平行且間隔設(shè)置的所述子壓敏電阻。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的mems傳感器,其特征在于,所述壓敏電阻和所述重?fù)诫s接觸區(qū)形成于所述襯底上,所述襯底上還覆蓋有介質(zhì)層,四組所述導(dǎo)電區(qū)形成于所述介質(zhì)層上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的mems傳感器,其特征在于,所述介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)還覆蓋有鈍化層,四組所述導(dǎo)電區(qū)分別至少部分裸露于所述鈍化層。

11.一種電子霧化裝置,其特征在于,包括:

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子霧化裝置,其特征在于,


技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種MEMS傳感器和電子霧化裝置,MEMS傳感器包括襯底、基板、第一極板、第二極板和導(dǎo)電觸點(diǎn);襯底的第一表面具有凹槽,襯底的第二表面具有惠斯通電橋電路,惠斯通電橋電路的橋臂包括壓敏電阻;基板覆蓋凹槽以形成密封腔體;第一極板,設(shè)置于凹槽的底壁上;第二極板設(shè)置于基板上,與第一極板間隔設(shè)置;導(dǎo)電觸點(diǎn)設(shè)置于襯底和/或基板上,且與第一極板和第二極板中的至少一個(gè)電連接;其中,第一極板和第二極板被配置為在通電情況下能夠相互排斥或相互吸引。通過這樣的方式,應(yīng)變膜的撓度始終較小,由此,很好地改善了襯底的形變不會(huì)與壓力呈理想線性變化的問題,從而提高了MEMS傳感器的檢測(cè)精度。

技術(shù)研發(fā)人員:黃鷹
受保護(hù)的技術(shù)使用者:愛奇跡創(chuàng)造有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/10/21
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