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一種PM芯片檢測電路的制作方法

文檔序號:39727266發(fā)布日期:2024-10-22 13:28閱讀:2來源:國知局
一種PM芯片檢測電路的制作方法

本發(fā)明涉及芯片測試的,尤其是涉及一種pm芯片檢測電路。


背景技術(shù):

1、pm,英文全稱為particulate?matter(顆粒物)。如科學(xué)家用pm2.5表示每立方米空氣中這種顆粒的含量,這個(gè)值越高,就代表空氣污染越嚴(yán)重。

2、pm芯片如圖1所示,芯片正常情況下,1電極和4電極以及2電極和3電極的電阻約為10ω,1電極和3電極間電阻無窮大(大于50mω),pm芯片在出廠時(shí)需要對1電極和4電極、2電極和3電極以及1電極和3電極進(jìn)行短路、斷路、阻值性能檢測。

3、原有pm芯片檢測使用萬用表測量芯片短路、斷路、及芯片電阻絲的阻值范圍,效率低下,檢測功能不全面,不利于批量生產(chǎn)。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本部分的目的在于概述本發(fā)明的實(shí)施例的一些方面以及簡要介紹一些較佳實(shí)施例。在本部分以及本發(fā)明的說明書摘要和發(fā)明名稱中可能會做些簡化或省略以避免使本部分、說明書摘要和發(fā)明名稱的目的模糊,而這種簡化或省略不能用于限制本發(fā)明的范圍。

2、因此,本發(fā)明目的是提供一種pm芯片檢測電路,能夠進(jìn)行短路、斷路、阻值性能自動(dòng)批量檢測,提高了檢測效率、減少了人工誤差;電路低成本、電路原理巧妙,功能可靠,操作簡單智能。

3、為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種pm芯片檢測電路,采用如下的技術(shù)方案:包括pm芯片及pm芯片的電極1、電極2、電極3和電極4,還包括第一處理電路和第二處理電路;開關(guān)電路,用于控制供電電壓通過第一處理電路或者第二處理電路;單片機(jī),用于控制開關(guān)電路,并根據(jù)第一處理電路或者第二處理電路的對應(yīng)采樣電壓計(jì)算電極1和電極4之間的阻值、電極2和電極3之間的阻值或者電極1和電極3之間的阻值。

4、可選的,所述開關(guān)電路包括場效應(yīng)管q5、場效應(yīng)管q6和場效應(yīng)管q7,所述場效應(yīng)管q5的漏極連接電極4,所述供電電壓端連接電極1和場效應(yīng)管q6的漏極,所述場效應(yīng)管q6的源極連接電極2,所述場效應(yīng)管q7的漏極連接電極3和第二處理電路,所述場效應(yīng)管q5的源極和場效應(yīng)管q7的源極連接第一處理電路。

5、可選的,所述場效應(yīng)管q5、場效應(yīng)管q6和場效應(yīng)管q7的柵極分別連接單片機(jī)的mos1端、mos2端和mos3端。

6、可選的,所述單片機(jī)包括第一ad采樣器,用于采集第一處理電路輸出的采樣電壓;第二ad采樣器,用于采集第二處理電路輸出的采樣電壓。

7、可選的,所述第一處理電路包括分壓電阻r40,場效應(yīng)管q5的源極和場效應(yīng)管q7的源極連接分壓電阻r40的第一端和電阻r45的第一端,所述電阻r45的第二端連接運(yùn)算放大器u3a的引腳3,所述運(yùn)算放大器u3a的引腳2連接電阻r42的第一端和電阻r43的第一端,所述運(yùn)算放大器u3a的引腳1連接電阻r43的第二端和電阻r41的第一端,所述電阻r41的第二端連接電容c15和第一ad采樣器。

8、可選的,所述第二處理電路包括分壓電阻r13,所述場效應(yīng)管q7的漏極和電極3連接分壓電阻r13的第一端和電阻r9的第一端,所述電阻r45的第二端連接電容c12和運(yùn)算放大器u3b的引腳5,所述運(yùn)算放大器u3b的引腳6連接電阻r15的第一端,所述運(yùn)算放大器u3b的引腳7連接電阻r15的第二端和電阻r12的第一端,所述電阻r12的第二端連接電容c14和第二ad采樣器。

9、一種pm芯片檢測系統(tǒng),包括多個(gè)如上述的芯片檢測電路,每個(gè)芯片檢測電路對應(yīng)連接一個(gè)pm芯片,多個(gè)芯片檢測電路與具有單片機(jī)的電腦上位機(jī)連接。

10、可選的,還包括多工位檢測夾具,每個(gè)工位安裝一個(gè)pm芯片。

11、一種pm芯片檢測方法,利用如上述的芯片檢測電路實(shí)現(xiàn),所述pm芯片檢測方法包括以下步驟:

12、一、當(dāng)測量電極1和電極4之間的阻值時(shí),單片機(jī)控制場效應(yīng)管q5導(dǎo)通,場效應(yīng)管q6和場效應(yīng)管q7截止,

13、電路供電電壓36v,由電極1和電極4之間的被測電極rh與采樣電阻r40分壓,經(jīng)過運(yùn)算放大器u3a后將電壓信號送到單片機(jī),通過第一ad采樣器采集電壓vh后,單片機(jī)進(jìn)行計(jì)算,即可得到電極1和電極4之間的被測電阻的阻值rh=(36*r42/vh*(r42+r43))-r40;

14、二、當(dāng)測量電極2和電極3之間的阻值時(shí),單片機(jī)控制場效應(yīng)管q5截止,場效應(yīng)管q6和場效應(yīng)管q7導(dǎo)通,

15、電路供電電壓36v,由電極2和電極3之間的被測電極rs與采樣電阻r40分壓,經(jīng)過運(yùn)算放大器u3a后將電壓信號送到單片機(jī),通過第一ad采樣器采集電壓vh后,單片機(jī)進(jìn)行計(jì)算,即可得到電極2和電極3之間的被測電阻的阻值rs=(36*r42/vh*(r42+r43))-r40;

16、三、當(dāng)測量電極1和電極3之間的阻值時(shí),單片機(jī)控制場效應(yīng)管q5、場效應(yīng)管q6和場效應(yīng)管q7全部截止,

17、電路供電電壓36v,由電極1和電極3之間的被測電極rn與采樣電阻r13分壓,經(jīng)過運(yùn)算放大器u3b后將電壓信號送到單片機(jī),通過第二ad采樣器采集電壓vn后,單片機(jī)進(jìn)行計(jì)算,即可得到電極1和電極3之間的被測電阻的阻值rn=36/(vn*r13)-r13。

18、綜上所述,本發(fā)明包括以下至少一種有益效果:

19、本發(fā)明通過一個(gè)芯片檢測電路可同時(shí)對pm芯片電極1和電極4之間的阻值、電極2和電極3之間的阻值以及電極1和電極3之間的阻值進(jìn)行短路、斷路、阻值性能自動(dòng)批量檢測,提高了檢測效率、減少了人工誤差;電路低成本、電路原理巧妙,功能可靠,操作簡單智能。



技術(shù)特征:

1.一種pm芯片檢測電路,包括pm芯片及pm芯片的電極1、電極2、電極3和電極4,其特征在于:還包括

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種pm芯片檢測電路,其特征在于:所述開關(guān)電路包括場效應(yīng)管q5、場效應(yīng)管q6和場效應(yīng)管q7,所述場效應(yīng)管q5的漏極連接電極4,所述供電電壓端連接電極1和場效應(yīng)管q6的漏極,所述場效應(yīng)管q6的源極連接電極2,所述場效應(yīng)管q7的漏極連接電極3和第二處理電路,所述場效應(yīng)管q5的源極和場效應(yīng)管q7的源極連接第一處理電路。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種pm芯片檢測電路,其特征在于:所述場效應(yīng)管q5、場效應(yīng)管q6和場效應(yīng)管q7的柵極分別連接單片機(jī)的mos1端、mos2端和mos3端。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種pm芯片檢測電路,其特征在于:所述單片機(jī)包括

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種pm芯片檢測電路,其特征在于:所述第一處理電路包括分壓電阻r40,場效應(yīng)管q5的源極和場效應(yīng)管q7的源極連接分壓電阻r40的第一端和電阻r45的第一端,所述電阻r45的第二端連接運(yùn)算放大器u3a的引腳3,所述運(yùn)算放大器u3a的引腳2連接電阻r42的第一端和電阻r43的第一端,所述運(yùn)算放大器u3a的引腳1連接電阻r43的第二端和電阻r41的第一端,所述電阻r41的第二端連接電容c15和第一ad采樣器。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種pm芯片檢測電路,其特征在于:所述第二處理電路包括分壓電阻r13,所述場效應(yīng)管q7的漏極和電極3連接分壓電阻r13的第一端和電阻r9的第一端,所述電阻r45的第二端連接電容c12和運(yùn)算放大器u3b的引腳5,所述運(yùn)算放大器u3b的引腳6連接電阻r15的第一端,所述運(yùn)算放大器u3b的引腳7連接電阻r15的第二端和電阻r12的第一端,所述電阻r12的第二端連接電容c14和第二ad采樣器。

7.一種pm芯片檢測系統(tǒng),其特征在于:包括多個(gè)如權(quán)利要求1-6任一一項(xiàng)所述的芯片檢測電路,每個(gè)芯片檢測電路對應(yīng)連接一個(gè)pm芯片,多個(gè)芯片檢測電路與具有單片機(jī)的電腦上位機(jī)連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種pm芯片檢測電路,其特征在于:還包括多工位檢測夾具,每個(gè)工位安裝一個(gè)pm芯片。

9.一種pm芯片檢測方法,其特征在于:利用如權(quán)利要求6所述的芯片檢測電路實(shí)現(xiàn),所述pm芯片檢測方法包括以下步驟:


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了芯片測試技術(shù)領(lǐng)域的一種PM芯片檢測電路,包括PM芯片及PM芯片的電極1、電極2、電極3和電極4,還包括第一處理電路和第二處理電路;開關(guān)電路,用于控制供電電壓通過第一處理電路或者第二處理電路;單片機(jī),用于控制開關(guān)電路,并根據(jù)第一處理電路或者第二處理電路的對應(yīng)采樣電壓計(jì)算電極1和電極4之間的阻值、電極2和電極3之間的阻值或者電極1和電極3之間的阻值;能夠進(jìn)行短路、斷路、阻值性能自動(dòng)批量檢測,提高了檢測效率、減少了人工誤差;電路低成本、電路原理巧妙,功能可靠,操作簡單智能。

技術(shù)研發(fā)人員:鮑黎明,劉成明,周誠,張志靜
受保護(hù)的技術(shù)使用者:湖北丹瑞新材料科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/10/21
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