專利名稱：提拉工藝裝料時(shí)測量多晶塊大小和分布的方法和設(shè)備的制作方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明一般地涉及硅晶體生長方法的改良，具體涉及提拉硅晶體生長工藝裝料中觀測多晶硅塊的大小和分布的方法和設(shè)備。
單晶或單一晶格的硅在大多數(shù)制造半導(dǎo)體電子元件中是原料。采用引上工藝提拉機(jī)制得的晶體生產(chǎn)單晶硅的主體。大體說來，提拉工藝涉及使高純多硅或多晶硅裝料熔化，熔化是在位于專門設(shè)計(jì)爐體內(nèi)的石英坩堝中進(jìn)行。裝料一般是通過例如Siemens工藝制造的不規(guī)則形狀的多晶硅塊。多晶硅塊的制備和特性一般陳述在F.Shimura的著作半導(dǎo)體硅晶體技術(shù)中，Academic Press(San Diego CA,1989)出版，116-121頁，本文結(jié)合引用。多硅裝在坩堝內(nèi)熔化后，晶體提拉機(jī)械降低籽晶，使之接觸硅熔體。然后該機(jī)械提拉籽晶，將生長的晶體自硅熔體拉上來。
提拉工藝生產(chǎn)單晶硅毛坯中最大的憂慮是必須防止在單晶晶格結(jié)構(gòu)內(nèi)形成位錯，空缺或其他缺陷。一般而言，位錯是晶體幾何學(xué)中不合要求的故障，來源于熱沖擊、震顫或機(jī)械振動、局部冷卻速度差異造成的內(nèi)應(yīng)力、晶體生長界面處熔體中的固體顆粒、熔體捕獲的氣泡以及表面張力效應(yīng)等等。位錯一旦產(chǎn)生，就會損傷晶體電性能的均勻性并讓雜質(zhì)在單晶上附著。另一個(gè)煩人的問題是，單晶中任何局部缺陷或位錯通常會傳播，常常造成更多的毛坯不合要求。因此，盡可能生長最大零位錯長度的單晶毛坯是合乎要求的。理想的是毛坯整個(gè)可用長度都是零位錯。
盡管目前可用的提拉生長方法對生長單晶硅的廣泛應(yīng)用比較滿意，仍然希望進(jìn)一步改良。特別是用來裝載坩堝的多硅塊料，由于它們一般是化學(xué)氣相沉積生長的U-型棒通過人工破碎得到的，存在不同的形狀和大小。因?yàn)槎嗑Ч杼烊坏拇嘈圆⑶沂侨斯て扑樽鳂I(yè)，塊料沒有固定形狀。況且塊料由大塊小塊構(gòu)成并帶有鋒利、遲鈍和尖銳圓邊相結(jié)合的形狀。塊料的形狀和大小以及尺寸分布變化很大，取決于多晶硅的生產(chǎn)商。同樣工序可以制造尺寸變化很大的多硅塊。
塊體的尺寸分布對裝料的熔化行為和位錯及其他缺陷出現(xiàn)在最終毛坯的可能性方面起至關(guān)重要的作用。例如，多晶硅塊的尺寸分布影響分配器，造成生長工藝期間的結(jié)構(gòu)損失，諸如噴濺邊緣氧化物，剝落，橋接以及石英碎片。目前多晶硅的制造商按常規(guī)并不測量硅塊的大小或其尺寸分布。多硅制造商最多用標(biāo)尺測量硅塊長度和寬度。恐怕這種測量方法是繁復(fù)耗時(shí)而且不精確的。對尺寸數(shù)據(jù)的了解將有助于決定最佳硅塊大小和尺寸分布，結(jié)果，會改良效率和產(chǎn)量。
出于這些原因，需要一種改良的設(shè)備和方法，以在提拉工藝中測量多晶硅塊的平均大小和尺寸分布。
發(fā)明概述本發(fā)明滿足了上述需要，克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，而提供了一種改良的設(shè)備和方法，以分析多晶硅塊的平均大小和尺寸分布。這將通過一種圖像處理器或視覺設(shè)備來實(shí)現(xiàn)，它比現(xiàn)有技術(shù)更加有效且耗時(shí)更少。更優(yōu)越的是，本發(fā)明提供的參數(shù)測量范圍包括硅塊的平均直徑，周邊尺寸，表面積，長寬比和尺寸分布。另外，該設(shè)備經(jīng)濟(jì)上能承受而且可商業(yè)化實(shí)施，該方法能有效且廉價(jià)地進(jìn)行。
概括說來，本發(fā)明方法的實(shí)施方面使得能夠測量用于提拉生長工藝中多晶硅塊的大小。該方法包括，在測量背景臺上排列一個(gè)或多個(gè)硅塊，該背景臺在多晶硅塊和測量背景臺之間提供一種圖象對比。用攝像機(jī)在測量背景臺上產(chǎn)生多晶硅塊的圖象。圖象有多個(gè)象素，每個(gè)象素有代表產(chǎn)生圖象的光學(xué)特征的一個(gè)值。將圖象處理成象素值的一種函數(shù)，以探測圖象邊緣。根據(jù)這種方法，將所探測的邊緣集合，來確定圖象中相應(yīng)于多晶硅塊的一個(gè)或多個(gè)目標(biāo)。該方法進(jìn)一步包括，測定每個(gè)確定目標(biāo)的尺寸。然后決定測量背景臺上有關(guān)多晶硅塊的尺寸參數(shù)，作為確定的目標(biāo)的求定尺寸的函數(shù)。
本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案是用于提拉生長工藝的、測量多晶硅塊尺寸的設(shè)備。該設(shè)備包括一種定位的測量背景臺，以支承一個(gè)或多個(gè)多晶硅塊。測量背景臺是這樣的，它在多晶硅塊和測量背景臺之間提供一種圖象對比。該設(shè)備還包括一種攝像機(jī)，用于在測量背景臺上產(chǎn)生多晶硅塊的圖象。攝像機(jī)產(chǎn)生的圖象有多個(gè)象素，每個(gè)象素有一個(gè)代表所產(chǎn)生圖象的光學(xué)特征的值。圖象處理器將產(chǎn)生的圖象處理成象素的函數(shù)，以便探測圖象中的邊緣。圖象處理器集合探測到的邊緣來確定相應(yīng)于多晶硅塊的圖象中的一個(gè)或多個(gè)目標(biāo)，然后決定每個(gè)檢測目標(biāo)的尺寸。圖象處理器還將測量背景臺上與多晶硅塊有關(guān)的尺寸參數(shù)，將它作為確定的目標(biāo)的測定尺寸的函數(shù)。
替代地，本發(fā)明可包括各種其他設(shè)備和方法。
其他目的和特點(diǎn)部分地清楚可見，部分地將在下文指出。


圖1是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案中測量多晶硅塊尺寸設(shè)備的正視圖。
圖2是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案中測量多晶硅塊尺寸設(shè)備的側(cè)視圖。
圖3示范性說明類型1硅塊的數(shù)碼圖象。
圖4示范性說明類型2硅塊的數(shù)碼圖象。
圖5示范性說明類型3硅塊的數(shù)碼圖象。
圖6示范性說明經(jīng)過圖1和2設(shè)備進(jìn)行分析后硅塊的數(shù)碼圖象。
圖7示范性說明通過圖1和2設(shè)備確定硅塊對硅塊陰影面積的尺寸分布。
圖8是零位錯單晶硅的份數(shù)對多晶硅塊批量示范性曲線。
圖9流程圖說明本發(fā)明測定多晶硅塊尺寸資料的方法。
全部附圖中相同數(shù)字代表相同部件。
優(yōu)選實(shí)施方案詳述參看附圖，圖1和2顯示用于提拉單晶生長工藝中的測量多晶硅塊尺寸的設(shè)備。按照一般生長工藝，將定量的多晶硅塊或多硅裝入坩堝。環(huán)繞坩堝的加熱器熔化裝料形成硅熔體，從硅熔體提拉單晶硅。US5588993和5814148-全部內(nèi)容本文結(jié)合引用-敘述了制備多晶硅裝料的適宜方法。一經(jīng)裝載，坩堝置于晶體生長裝置內(nèi)，裝置的加熱器熔化多硅，形成硅熔體。坐落在與坩堝驅(qū)動單元相連的可移動臺座上的一種承受器支承坩堝。臺座的定位要使坩堝底部靠近加熱器頂部，并且逐漸降低進(jìn)入加熱器內(nèi)部空間。坩堝驅(qū)動單元降低坩堝的速度以及其他因素(例如加熱功率，坩堝旋轉(zhuǎn)和設(shè)備壓力)都對多硅裝料的熔化起作用。
如上所述，多晶硅塊的尺寸分布在裝料的熔化行為中扮演重要角色，依次對最終毛坯中位錯和其他缺陷出現(xiàn)的可能性都起作用。尺寸分布影響噴濺邊緣氧化物、剝落、橋接和石英碎片、以及生長工藝期間造成結(jié)構(gòu)損害的其他因素。按照本發(fā)明，圖1和2的設(shè)備有助于實(shí)施測定多晶硅塊平均尺寸和尺寸分布的新方法。這種方法減少耗時(shí)并可容納比常規(guī)技術(shù)更詳細(xì)的數(shù)據(jù)分析。另外，可使用這種尺寸信息，以將用于提拉生長工藝多晶硅塊的選擇作最佳化。
本發(fā)明的設(shè)備包括帶可調(diào)節(jié)臂12的便攜式照光臺10，數(shù)碼攝像機(jī)14和視頻監(jiān)視器16。數(shù)碼攝像機(jī)14以水平方向X和垂直方向Y可調(diào)整的方式掛接在照光臺10的可調(diào)節(jié)臂12上。由于臂12可調(diào)節(jié)，操作者可在X和/或Y方向改變攝像機(jī)位置。如圖2所示，照光臺10包括被光源22輻照的上表面20，光源22也被稱作輻照光源。盡管圖2敘述了光源22向上照射上表面20，本發(fā)明的設(shè)備和方法仍能使用其他照射配置。在上表面20上放置高純聚乙烯板24。聚乙烯板24和上表面20構(gòu)成測量背景臺26。操作者穿戴高純手套后，將多晶硅塊碎片放在聚乙烯板24上。操作者優(yōu)選從單一批量、一般從一袋中選擇硅塊30，將硅塊以彼此鄰近不接觸的方式排列成單層。隨著照光臺10被照射，數(shù)碼攝像機(jī)14獲取位于測量背景臺26上硅塊30的圖象。
如圖2所示，在本發(fā)明實(shí)施方案中，攝像機(jī)14將其獲取的硅塊數(shù)碼圖象傳送到圖象處理器32進(jìn)行分析。圖象處理器32優(yōu)選包括能執(zhí)行圖象處理軟件的計(jì)算機(jī)34，例如Media Cybernetics的IMAGE-PRO軟件。還將所得硅塊圖象傳送到隔開的視頻監(jiān)視器，它可以連接或不連接圖象處理器。圖2所示實(shí)施方案表明，視頻監(jiān)視器16是隔開的并與圖象處理器32不同，但應(yīng)當(dāng)了解，圖象處理器32可進(jìn)一步包括視頻監(jiān)視器16(例如可在關(guān)聯(lián)計(jì)算機(jī)34的監(jiān)視器上顯示圖象)。圖2中，視頻監(jiān)視器16還連接視頻磁帶錄像機(jī)(VCR)18來記錄攝像機(jī)14獲取的圖象。
圖3-5示范性表示通過多晶硅塊的不同生產(chǎn)商提供的硅塊數(shù)碼圖象。如圖3-5所示，多晶硅塊在測量背景臺26上以沒有任一個(gè)硅塊30與其它硅塊接觸的方式排列。然后光源22(見圖2)照射測量背景臺26。產(chǎn)生的背光效應(yīng)從而造成多晶硅塊30針對測量背景臺26顯現(xiàn)出陰影40。
大為有益的是，從圖3-5可見到，每個(gè)硅塊陰影40的截面積提供一種硅塊的尺寸的近似值。另外，硅塊陰影40和測量背景臺26之間的差別產(chǎn)生的鮮明對比使圖象處理器32容易檢測出硅塊邊緣并計(jì)算每個(gè)陰影40的截面積。在一個(gè)實(shí)施方案中，圖象處理器32確定每個(gè)硅塊陰影40圈定的輪廓框。該輪廓框的尺寸接近硅塊30的面積。一旦圖象處理器32計(jì)算出每個(gè)硅塊陰影40的截面積，圖象處理器32(或另一個(gè)處理器或者軟件包)就能測定其他尺寸參數(shù)，例如硅塊平均尺寸，硅塊尺寸的標(biāo)準(zhǔn)偏差，作為硅塊尺寸函數(shù)的硅塊分布，以及測量用于提拉硅生長工藝裝料時(shí)其他尺寸或形狀參數(shù)。
應(yīng)當(dāng)了解，本發(fā)明方法和設(shè)備可用于其他技術(shù)中測量或評估硅塊尺寸。例如，使用自多個(gè)角度獲取的圖象來測定硅塊體積而不是截面積。還能夠使用單一圖象和圖象處理器，除了測定硅塊截面積之外或代之以測定截面積，還可為測定硅塊的體積或表面積得到的外形數(shù)據(jù)或其他信息進(jìn)行解譯。進(jìn)而還能夠用標(biāo)準(zhǔn)攝像機(jī)(非數(shù)碼的)獲取圖象，隨后數(shù)碼化并處理。
圖6示范性說明圖象處理器32分析的數(shù)碼圖象。分析每個(gè)硅塊并數(shù)碼化。如上所述，圖象處理器32測定每個(gè)列舉硅塊的截面積以及將測量背景臺26上涉及所有硅塊的數(shù)據(jù)集合。
表1概括了圖3-5所示三種類型多晶硅塊每一種的平均面積，標(biāo)準(zhǔn)偏差和尺寸分布。表1所示實(shí)例中，規(guī)定尺寸分布是標(biāo)準(zhǔn)偏差除以平均面積。然而應(yīng)當(dāng)注意，尺寸分布可由其他的尺寸數(shù)據(jù)規(guī)定。認(rèn)為圖3所示硅塊代表類型1多晶硅塊；圖4所示硅塊代表類型2多晶硅塊；最后，圖5所示硅塊代表類型3多晶硅塊。
表1類型 平均面積(英寸) 標(biāo)準(zhǔn)偏差尺寸分布類型1 7.04 2.870.41類型2 2.73 1.520.54類型3 3.08 2.080.67在這個(gè)實(shí)例中，本發(fā)明硅塊測量設(shè)備測定硅塊平均尺寸，硅塊的標(biāo)準(zhǔn)偏差和硅塊的尺寸分布。如表1和圖3所示，類型1硅塊的平均尺寸比類型2或類型3的大許多。另外，如圖4和5以及表1所示，盡管類型2和類型3硅塊一般有可比的尺寸，但類型2硅塊比類型3硅塊的尺寸分布狹窄。
現(xiàn)參看圖7和8并結(jié)合上述說明認(rèn)識到，硅塊平均尺寸的一般知識和硅塊尺寸分布的具體知識，將有助于選擇用于提拉硅生長工藝裝料的硅塊。如圖7所述，將三種類型硅塊的尺寸分布與硅塊截面積繪制成函數(shù)圖。得自供料1-A的硅塊尺寸分布曲線72與得自供料1-B和供料2的硅塊尺寸分布曲線74和76相比要相對平坦一些。因此，得自供料1-A的硅塊類似于圖3和表1所示類型1的硅塊。另一方面，得自供料1-B的硅塊與得自供料1-A的硅塊平均要小一些，但與得自供料2的硅塊相比仍有相當(dāng)大的尺寸分布。得自供料1-B的硅塊類似于圖5和表1所示類型3硅塊。
圖7所示曲線的水平軸反映多晶硅塊的數(shù)目，它擬合成±一平方英寸奇數(shù)化尺寸種類，也被稱為二進(jìn)制或二進(jìn)制尺寸。例如，在零和二平方英寸之間有陰影面積的硅塊可被計(jì)算成二進(jìn)制的一平方英寸。與之類似，在二和四平方英寸之間有陰影面積的所有硅塊都可被計(jì)算成二進(jìn)制的三平方英寸。持續(xù)這種處理直至所有硅塊的面積都計(jì)算完畢。
然后將換算成每個(gè)二進(jìn)制奇數(shù)化尺寸的硅塊數(shù)目除以硅塊的總數(shù)，以便測定設(shè)定在任何給定二進(jìn)制的總值中占的分率。將該分率對每個(gè)二進(jìn)制奇數(shù)繪圖，然后擬合一條數(shù)據(jù)曲線，如圖7所示。例如，分布曲線74反映得自供料1-B多晶硅塊的尺寸分布。如曲線74所示，稍微低于20％(0.20)的得自供料1-B的所有硅塊計(jì)算為二進(jìn)制的五平方英寸。換言之，20％得自供料1-B的所有硅塊其測量陰影的面積在4和6平方英寸之間。
圖8說明使用本發(fā)明測定硅塊尺寸數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)學(xué)效益。如上面所說明的，對生長出零位錯盡可能長的單晶硅一般是所希望的。圖8敘述了預(yù)期的晶體生長性能，它以作為批量多晶硅塊的函數(shù)的零位錯長度表示。首先參看圖8的水平軸，H-1到H-4是得自供料2的四批不同的多晶硅。M-A是來自供料1-A的一批，而M-B是來自供料1-B的一批。垂直軸反映有95％誤差條(error bars)的預(yù)期晶體生長性能。例如，從性能與H-1一批相同的多晶硅塊中生長大約90％(誤差條的中間值)的單晶硅毛坯將是零位錯生長。95％誤差條反映預(yù)期性能的統(tǒng)計(jì)學(xué)可靠性。
在眾多供料之間95％誤差條的實(shí)質(zhì)重疊從統(tǒng)計(jì)學(xué)上表示，在制造的最終單晶硅毛坯的零位錯長度方面沒有觀察到批量之間的差別?？梢詮亩鄠€(gè)批量和多批供料中收集數(shù)據(jù)，就能測定最佳多晶硅塊的尺寸資料。這個(gè)資料有助于消除至少兩類錯誤。首先，減少了丟棄一批可用多晶硅塊的可能性。其次，也是同等重要的，讓用戶丟棄可能制造質(zhì)量低劣的單晶硅的多晶硅塊批料。
測定多晶硅塊的尺寸和尺寸分布的本方法具有超過現(xiàn)有測量技術(shù)的明顯優(yōu)越性。本方法本身導(dǎo)致令使用的所有分析工具與圖象處理軟件(例如IMAGE-PRO軟件)對數(shù)據(jù)分析切實(shí)有效。大為有益的是，本發(fā)明提供了對許多參數(shù)的測量，它包括硅塊的平均直徑，周長尺寸，表面積，長寬比，和尺寸分布。
現(xiàn)結(jié)合圖1和2參看圖9，本發(fā)明包括一種用于提拉晶體生長工藝裝料中的測定多晶硅塊尺寸的方法。一個(gè)或多個(gè)多晶硅塊30排列在測量背景臺26上，以便在多晶硅塊30和測量背景臺26之間產(chǎn)生一種圖象對比。攝像機(jī)拍攝多晶硅塊30的圖象。拍攝的圖象由多個(gè)象素構(gòu)成；每個(gè)象素有一個(gè)值，代表拍攝的圖象的光學(xué)性能。例如，光學(xué)性能可以是灰度刻度值。圖象處理器32將產(chǎn)生的圖象處理成象素值的函數(shù)，以便探測圖象邊緣。圖象處理器32將探測的邊緣集合，以便將圖象中相應(yīng)的多晶硅塊確定為一個(gè)或多個(gè)目標(biāo)。然后，圖象處理器32測定每個(gè)確定的目標(biāo)的尺寸。最后，圖象處理器32將與多晶硅塊30有關(guān)的尺寸參數(shù)變?yōu)榇_定的目標(biāo)的測出尺寸的函數(shù)。
尺寸參數(shù)可反映關(guān)于測量背景臺26上排列的各個(gè)和/或全部多晶硅塊的尺寸信息。例如，被測量的尺寸參數(shù)可表征為多晶硅塊30的截面積，周長尺寸，長寬比或表面積。替代地，尺寸參數(shù)可表征為被分析的全部多晶硅塊30的平均直徑或尺寸分布的度量。
使用本發(fā)明對多晶硅塊供應(yīng)商以及單晶硅毛坯制造商大為有益。使用本發(fā)明，多晶硅供料商可為給定用戶制造具有最合所要求尺寸特性的多晶硅塊包。單晶硅毛坯制造商可使用本發(fā)明，通過將具有理想的或近乎理想的尺寸特性多晶硅塊用作提拉硅生長工藝的裝料而使晶體生長工藝最佳化。
綜上所述，可見已實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的多個(gè)目的和應(yīng)達(dá)到的有益效果。
在上述構(gòu)思和方法中能作各種改變而并不背離本發(fā)明精神范圍，上面詳述或附圖所示全部事件僅供說明，絕非限制。
權(quán)利要求
1．一種用于提拉硅生長工藝裝料中的測量多晶硅塊尺寸的方法，包括步驟在測量背景臺上排列一個(gè)或多個(gè)硅塊，所述測量背景臺在多晶硅塊和測量背景臺之間提供一種圖象對比；用攝像機(jī)在測量背景臺上產(chǎn)生多晶硅塊的圖象，所述圖象有多個(gè)象素，每個(gè)象素有一個(gè)代表產(chǎn)生的圖象的光學(xué)特征的值；將圖象處理成象素值的一種函數(shù)，以探測圖象邊緣；集合所探測的邊緣，來確定圖象中相應(yīng)于多晶硅塊的一個(gè)或多個(gè)目標(biāo)；測定每個(gè)確定了的目標(biāo)的尺寸；和將測量背景臺上有關(guān)多晶硅塊的尺寸參數(shù)求定為確定了的目標(biāo)的測定尺寸的函數(shù)。
2．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中尺寸參數(shù)是表征以下至少一個(gè)度量多晶硅塊的平均直徑；每個(gè)多晶硅塊的周邊尺寸；每個(gè)多晶硅塊的表面積；每個(gè)多晶硅塊的長寬比；每個(gè)多晶硅塊的截面積；或多晶硅塊的尺寸分布。
3．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中測量背景臺是透明的，并進(jìn)一步包括照射測量背景臺的步驟，以便在多晶硅塊和測量背景臺之間提供一種增強(qiáng)的圖象對比。
4．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中排列步驟進(jìn)一步包括，將多晶硅塊這樣置于測量背景臺，使得沒有一個(gè)硅塊接觸鄰近硅塊。
5．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中攝像機(jī)是數(shù)碼攝像機(jī)，且產(chǎn)生的圖象是數(shù)碼圖象。
6．用于提拉硅生長工藝中測量多晶硅塊尺寸的設(shè)備，所述設(shè)備包括一種定位的測量背景臺，以支承一個(gè)或多個(gè)多晶硅塊，所述測量背景臺在多晶硅塊和測量背景臺之間提供一種圖象對比；一種攝像機(jī)，在測量背景臺上產(chǎn)生多晶硅塊的圖象，所述圖象有多個(gè)象素，每個(gè)象素有一個(gè)代表所產(chǎn)生圖象的光學(xué)特征的值；一種處理產(chǎn)生圖象的圖象處理器，所述圖象處理器將產(chǎn)生的圖象處理成象素的函數(shù)，以便探測圖象中的邊緣；集合探測的邊緣來確定圖象中相應(yīng)于多晶硅塊的一個(gè)或多個(gè)目標(biāo)；決定每個(gè)檢測目標(biāo)的尺寸；將測量背景臺上有關(guān)多晶硅塊的尺寸參數(shù)定為測定目標(biāo)的求定尺寸的函數(shù)。
7．根據(jù)權(quán)利要求6的設(shè)備，其中測量背景臺包括照光臺。
8．根據(jù)權(quán)利要求6的設(shè)備，其中照光臺包括置于其上表面上的高純聚乙烯板。
9．根據(jù)權(quán)利要求6的設(shè)備，進(jìn)一步包括在測量背景臺之上一個(gè)位置支承攝像機(jī)的一種臂部件，所述臂部件是可以調(diào)節(jié)的，以改變攝像機(jī)相對測量背景臺的位置。
全文摘要
用于提拉硅生長工藝中一種測量多晶硅塊的方法和設(shè)備。多晶硅塊排列在測量背景臺上。攝像機(jī)拍攝硅塊圖象。圖象處理器測量圖象并基于拍攝的圖象測量硅塊尺寸。測定涉及硅塊的尺寸參數(shù)。
文檔編號G01N15/02GK1324414SQ99812742
公開日2001年11月28日 申請日期1999年10月22日 優(yōu)先權(quán)日1998年11月3日
發(fā)明者J·D·赫德爾, S·M·卓斯林, H·斯瑞德哈拉姆斯, J·拉蒙 申請人:Memc電子材料有限公司