一種激光芯片p-i曲線扭折測(cè)試方法及裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種激光芯片P?I曲線扭折測(cè)試方法及裝置，包括：獲取激光芯片的多個(gè)輸出光功率，并根據(jù)Savitzky?Golay算法確定至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率，針對(duì)每個(gè)目標(biāo)輸出光功率，根據(jù)L個(gè)輸出光功率及一階微分卷積系數(shù)，確定目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，然后判斷激光芯片P?I曲線是否存在扭折。該方法通過一階微分卷積系數(shù)對(duì)L個(gè)輸出光功率進(jìn)行加權(quán)運(yùn)算得到目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，因而降低了部分輸出光功率的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤對(duì)斜率計(jì)算結(jié)果的正確性的影響，即實(shí)現(xiàn)了對(duì)輸出光功率的濾波，且該濾波處理與斜率計(jì)算同時(shí)完成，因此提高了判斷激光芯片P?I曲線是否存在扭折的效率和準(zhǔn)確性。
【專利說明】
一種激光芯片p-1曲線扭折測(cè)試方法及裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種激光芯片P-I曲線扭折測(cè)試方法及裝 置。
【背景技術(shù)】
[0002] 激光芯片扭折現(xiàn)象，是指伴隨著激光器輸入電流的增大，出現(xiàn)光功率跌落或者抖 動(dòng)造成的光功率(P)-電流(I)曲線的非線性變化，帶有扭折現(xiàn)象的激光芯片的P-I曲線如圖 1所示。從應(yīng)用角度來說，希望P-I曲線無扭折，因?yàn)檫@種扭折，會(huì)嚴(yán)重影響激光器與光纖的 耦合，因而在激光芯片P-I曲線扭折測(cè)試過程中能夠提前發(fā)現(xiàn)扭折現(xiàn)象，篩選不良芯片，有 利于提高后期激光器器件的成品率，減少物料浪費(fèi)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中，通過采樣多個(gè)輸出光功率及相對(duì)應(yīng)的輸入電流，計(jì)算每個(gè)輸出光功 率對(duì)應(yīng)的斜率以及所有采樣輸出光功率對(duì)應(yīng)的整體線性擬合直線斜率，然后判斷激光芯片 是否在至少一個(gè)輸出光功率處有扭折現(xiàn)象，若是，則確定激光芯片為具有扭折現(xiàn)象的芯片。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)存在的問題是:采樣到的多個(gè)輸出光功率及相對(duì)應(yīng)的輸入電流中有很多 噪聲數(shù)據(jù)，導(dǎo)致現(xiàn)有技術(shù)下的對(duì)激光芯片是否具有扭折現(xiàn)象的判斷不是很準(zhǔn)確。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明提供一種一種激光芯片P-I曲線扭折測(cè)試方法及裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù) 中存在的對(duì)激光芯片P-I曲線是否存在扭折現(xiàn)象的判斷不準(zhǔn)確的問題。
[0006 ] -方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種激光芯片P-1曲線扭折測(cè)試方法，包括：
[0007] 獲取激光芯片的多個(gè)輸出光功率；
[0008] 根據(jù)預(yù)設(shè)的Savitzky-Golay算法中的樣本數(shù)L，從所述多個(gè)輸出光功率中確定至 少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率；
[0009] 針對(duì)所述至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率中的每個(gè)目標(biāo)輸出光功率，確定所述多個(gè)輸出 光功率中與所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的L個(gè)輸出光功率;根據(jù)所述L個(gè)輸出光功率及預(yù)先選 定的所述Sav i tzky-Go lay算法中的一階微分卷積系數(shù)，確定所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜 率;其中，所述一階微分卷積系數(shù)包含L個(gè)分子系數(shù)。
[0010] 根據(jù)所述每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在 扭折。
[0011] 另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種激光芯片P-I曲線扭折測(cè)試裝置，包括：
[0012] 獲取單元，用于獲取激光芯片的多個(gè)輸出光功率；
[0013]目標(biāo)輸出光功率確定單元，用于根據(jù)預(yù)設(shè)的Savitzky-Golay算法中的樣本數(shù)L，從 所述多個(gè)輸出光功率中確定至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率；
[0014]斜率確定單元，用于針對(duì)所述至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率中的每個(gè)目標(biāo)輸出光功 率，確定所述多個(gè)輸出光功率中與所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的L個(gè)輸出光功率;根據(jù)所述L 個(gè)輸出光功率及預(yù)先選定的所述Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數(shù)，確定所述目 標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率;其中，所述一階微分卷積系數(shù)包含L個(gè)分子系數(shù)。
[0015] 判斷單元，用于根據(jù)所述每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，判斷所述激光芯片P-I 曲線是否存在扭折。
[0016] 本發(fā)明實(shí)施例提供的方法，獲取激光芯片的多個(gè)輸出光功率，并根據(jù)Savitzky-Golay算法從所述多個(gè)輸出光功率中確定至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率，針對(duì)每個(gè)目標(biāo)輸出光 功率，根據(jù)L個(gè)輸出光功率及一階微分卷積系數(shù)，確定目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，根據(jù)每 個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，判斷激光芯片P-I曲線是否存在扭折。該方法通過一階微分 卷積系數(shù)對(duì)L個(gè)輸出光功率進(jìn)行加權(quán)運(yùn)算得到目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，降低了噪聲數(shù) 據(jù)對(duì)結(jié)果的影響，實(shí)現(xiàn)了對(duì)輸出光功率的濾波，且該濾波處理與斜率計(jì)算是同時(shí)完成的，即 增加的濾波處理沒有帶來計(jì)算量的增加，因此提高了判斷激光芯片P-I曲線是否存在扭折 的效率和準(zhǔn)確性。
【附圖說明】
[0017] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使 用的附圖作簡(jiǎn)要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其 他的附圖。
[0018] 圖1為【背景技術(shù)】中帶有扭折現(xiàn)象的激光芯片的P-I曲線示意圖；
[0019] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的激光芯片P-I曲線扭折測(cè)試方法流程圖；
[0020] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的激光芯片P-I曲線扭折測(cè)試方法詳細(xì)流程圖；
[0021] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的激光芯片P-I曲線扭折測(cè)試裝置示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn) 一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施 例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的 所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0023]下面結(jié)合說明書附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0024]如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的激光芯片P-I曲線扭折測(cè)試方法，包括：
[0025]步驟201、獲取激光芯片的多個(gè)輸出光功率；
[0026]步驟202、根據(jù)預(yù)設(shè)的Savitzky-Golay算法中的樣本數(shù)L，從所述多個(gè)輸出光功率 中確定至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率；
[0027]步驟203、針對(duì)所述至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率中的每個(gè)目標(biāo)輸出光功率，確定所述 多個(gè)輸出光功率中與所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的L個(gè)輸出光功率;根據(jù)所述L個(gè)輸出光功率 及預(yù)先選定的所述Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數(shù)，確定所述目標(biāo)輸出光功率 對(duì)應(yīng)的斜率;其中，所述一階微分卷積系數(shù)包含L個(gè)分子系數(shù)；
[0028]步驟204、根據(jù)所述每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線 是否存在扭折。
[0029] Savitzky-Golay算法是由Savitzky A和Go lay于1964年提出的一種在時(shí)域內(nèi)基于 多項(xiàng)式，通過移動(dòng)窗口利用最小二乘法進(jìn)行最佳擬合的方法實(shí)現(xiàn)的低通濾波算法。 [0030]為方便理解本
【發(fā)明內(nèi)容】
，下面對(duì)Savitzky-Golay算法的推導(dǎo)過程做簡(jiǎn)單描述：
[0031]假設(shè)連續(xù)2m+l個(gè)點(diǎn)，做最小二乘法的n階曲線擬合的多項(xiàng)式如下(n〈2m+l):
[OO33] 對(duì)多項(xiàng)式求微分：
[0037] i的取值范圍為(_m，+m)，當(dāng)i = 0時(shí)，
[0039] 從而有
[0043] 根據(jù)最小二乘法準(zhǔn)則，可以得到如下公式III

[0061] 假設(shè)n = 3,可以得到如下方程組：
[0062] S2b3i+S4b33=Fi
[0063] S4b3i+S6b33=F3
[0064] So
[0066] 假設(shè)m = 4,可以得到：
[0072]所以n = 3，m = 4的3階微分卷積系數(shù)中的分子系數(shù)為(_14,7,13,9,0，-9，-13，-7， 14)，分母系數(shù)為198,同理可以求出n = 3，m = 4的1階、2階微分的相關(guān)系數(shù)。并且Savitzky-Golay算法將推到出的卷積系數(shù)都存儲(chǔ)于卷積系數(shù)表中。
[0073] 上述過程，即為Savitzky-Golay算法對(duì)于卷積系數(shù)的推到過程，在實(shí)際使用中，當(dāng) 需要通過一個(gè)多項(xiàng)式來擬合一些樣本點(diǎn)時(shí)，只要確定了n，m的取值，就可以查找卷積系數(shù) 表，找到相應(yīng)的卷積系數(shù)，然后用查找到的卷積系數(shù)來計(jì)算多項(xiàng)式系數(shù)，從而確定了擬合多 項(xiàng)式。
[0074]舉例來說，假設(shè)有9個(gè)樣本點(diǎn)（即2m+l=9，m取值為4)，現(xiàn)在需要用一個(gè)3階多項(xiàng)式 來擬合這些樣本點(diǎn)（即n = 3)，并且這5個(gè)樣本點(diǎn)分別為（1，5)，（3,10)，（5,15)，（6，9)，（8， 20)，（10,25)，（12，15)，（16,9)，（20,6)，即使用下列公式來擬合上述5個(gè)樣本點(diǎn)：
[0075] fi = b3〇+b3ii+b32i2+b33i3
[0076] 現(xiàn)在只要求得其中的b3Q，b31，b32，b 33，即可確定該擬合多項(xiàng)式。
[0077]以確定系數(shù)b33為例，通過查找卷積系數(shù)表，得至Ijn = 3，m = 2時(shí)b33對(duì)應(yīng)的3階卷積系 數(shù)為:分子系數(shù)為(_14,7，13,9,0，-9，-13，-7，14)，分母系數(shù)為198，則可以通過下列公式確 定系數(shù)b33:
[0079] 因此，可以計(jì)算得到b33 = _0.62,同理，也可以通過查找b3〇，b3i，b32對(duì)應(yīng)的卷積系 數(shù)，來求得b30，b31，b32。
[0080] 下面通過步驟201~步驟204對(duì)本發(fā)明實(shí)施例確定激光芯片P-I曲線是否存在扭折 的方法做具體介紹。
[0081 ] 上述步驟201中，輸出光功率是通過激光芯片的LI V( 1 inerar increas ing volytage，線性增長(zhǎng)電壓)測(cè)試得到的，在本發(fā)明中，設(shè)定獲取的輸出光功率的數(shù)量為k，并 且k > 2m+l〇
[0082] 上述步驟202中，預(yù)設(shè)的Savitzky-Golay算法中的樣本數(shù)U卩為2m+l，假設(shè)樣本數(shù)L 取值為9，則2m+l為9，即m取值為4。
[0083 ]根據(jù)預(yù)設(shè)的Sa v i t z ky-Go 1 ay算法中的樣本數(shù)L，從所述多個(gè)輸出光功率中確定至 少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率，其中，所述目標(biāo)輸出光功率為所述多個(gè)輸出光功率中需要計(jì)算對(duì) 應(yīng)的斜率的輸出光功率。
[0084]由于獲取的輸出光功率的數(shù)量為1^(即輸出光功率為？1，？2，？3，一，？1〇,5&"以1^-Golay算法中的樣本數(shù)L(L = 2m+l)，因此確定的目標(biāo)輸出光功率為m+1，m+2，…，k-m，即確定 的目標(biāo)輸出光功率為中間的k_2m個(gè)輸出光功率。
[0085]下面舉例說明為什么中間的k-2m個(gè)輸出光功率是目標(biāo)輸出光功率。
[0086] 假設(shè)k取值為100，L取值為5 (即m= 2)，即k個(gè)輸出光功率分別為:PI，P2，P3，P4，P5， P6，P7，…，P93，P94，P95，P96，P97，P98，P99，P100。本發(fā)明實(shí)施例中，根據(jù)Savitzky-Golay算 法及PI，P2，P3，P4，P5，可擬合一個(gè)多項(xiàng)式，并且擬合的多項(xiàng)式的一階微分作為輸出光功率 P3對(duì)應(yīng)的斜率;根據(jù)Savitzky-Golay算法及P2，P3，P4，P5，P6，可擬合一個(gè)多項(xiàng)式，并且擬合 的多項(xiàng)式的一階微分作為輸出光功率P4對(duì)應(yīng)的斜率；以此類推，根據(jù)Savi tzky-Go 1 ay算法 及卩96，？97，？98，？99，？100，可擬合一個(gè)多項(xiàng)式，并且擬合的多項(xiàng)式的一階微分作為輸出光 功率P98對(duì)應(yīng)的斜率。從中可看出，當(dāng)k取值為100，L取值為5(即m = 2)，可確定目標(biāo)輸出光功 率為P 3，P 4，？5，？6，？7，~，？93，？94，？95，？96，？97，？98,8卩100個(gè)輸出光功率中間的96 (100-2*2)個(gè)為目標(biāo)輸出光功率。
[0087] 上述步驟203中，對(duì)步驟202中確定出的k-2m個(gè)目標(biāo)輸出光功率，分別計(jì)算對(duì)應(yīng)的 斜率。由于對(duì)于每一個(gè)目標(biāo)輸出光功率計(jì)算斜率的方法是一樣的，因此下面針對(duì)其中任一 個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率的計(jì)算步驟進(jìn)行說明。
[0088]步驟1:確定k個(gè)輸出光功率中與目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的L個(gè)輸出光功率。
[0089] 本發(fā)明實(shí)施例中，是將目標(biāo)輸出光功率之前的m個(gè)輸出光功率、之后的m個(gè)輸出光 功率以及目標(biāo)輸出光功率自身，作為目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的L個(gè)輸出光功率(其中，L = 2m+ 1)〇
[0090] 還是以k= 100，m = 2為例進(jìn)行說明，根據(jù)步驟202的描述可知，確定的目標(biāo)輸出光 功率為:？3，？4，？5，？6，？7，."，？93，？94，？95，？96，？97，？98，則在該步驟1中，可確定：
[0091]目標(biāo)輸出光功率P3對(duì)應(yīng)的輸出光功率為:PI，P2，P3，P4，P5;
[0092]目標(biāo)輸出光功率P4對(duì)應(yīng)的輸出光功率為:P2，P3，P4，P5，P6;
[0093]……
[0094] 目標(biāo)輸出光功率P98對(duì)應(yīng)的輸出光功率為:P96，P97，P98，P99，P100。
[0095]步驟2:根據(jù)所述L個(gè)輸出光功率及預(yù)先選定的Savitzky-Golay算法中的一階微分 卷積系數(shù)，確定目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率。其中，所述一階微分卷積系數(shù)包含L個(gè)分子系 數(shù)；
[0096]本發(fā)明實(shí)施例中，由于是需要確定每個(gè)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，即擬合多項(xiàng)式的 一階微分，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)于擬合多項(xiàng)式的階數(shù)n不做具體限定，但根據(jù)激光芯片的特點(diǎn)， 實(shí)際應(yīng)用中激光芯片的輸出光功率與輸入電流之間是接近二次多項(xiàng)式的關(guān)系，因此本發(fā)明 實(shí)施例中可選地，所述一階微分卷積系數(shù)對(duì)應(yīng)擬合多項(xiàng)式的階數(shù)等于2,即n取值為2。
[0097]預(yù)先選定的Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數(shù)是跟多項(xiàng)式的階數(shù)n和樣 本數(shù)L有關(guān)系的，例如n取值為2,L取值為5(8卩m = 2)時(shí)，通過查找Savitzky-Golay卷積系數(shù) 表，得出n = 2，m = 2時(shí)的一階微分卷積系數(shù)中的分子系數(shù)為(-2，-1，0，1，2)，分母系數(shù)為10。
[0098] 下面對(duì)確定所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率的方法做具體說明：
[0099] 可選地，所述根據(jù)所述L個(gè)輸出光功率及預(yù)先選定的所述Savitzky-Golay算法中 的一階微分卷積系數(shù)，確定所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，包括：
[0100] 根據(jù)所述L個(gè)輸出光功率及所述一階微分卷積系數(shù)中的L個(gè)分子系數(shù)，確定分子加 權(quán)和；
[0101] 將所述分子加權(quán)和與所述一階微分卷積系數(shù)中的分母系數(shù)的比值，作為所述目標(biāo) 輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率。
[0102] 上述方法，將目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的L個(gè)輸出光功率與一階微分卷積系數(shù)中的L個(gè) 分子系數(shù)分別相乘，得到分子加權(quán)和，然后將分子加權(quán)和與一階微分卷積系數(shù)中的分母系 數(shù)的比值，作為目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率。其中，之所以選擇一階微分卷積系數(shù)，是因?yàn)?本發(fā)明實(shí)施例中需要用到的是斜率，而斜率正好是擬合多項(xiàng)式的一階微分。
[0103] 該方法通過一階微分卷積系數(shù)對(duì)L個(gè)輸出光功率進(jìn)行加權(quán)運(yùn)算得到目標(biāo)輸出光功 率對(duì)應(yīng)的斜率，降低了噪聲數(shù)據(jù)對(duì)結(jié)果的影響，即當(dāng)L個(gè)輸出光功率中有某個(gè)輸出光功率數(shù) 據(jù)有錯(cuò)誤，也不會(huì)對(duì)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率的計(jì)算結(jié)果有很大的影響，即實(shí)現(xiàn)了對(duì)輸 出光功率的濾波，并且該濾波處理與斜率計(jì)算是同時(shí)完成的，因而增加的濾波處理沒有帶 來計(jì)算量的增加。
[0104] 另外，還可將上述方法用公式表示，因此可選地，根據(jù)下列公式確定每個(gè)目標(biāo)輸出 光功率對(duì)應(yīng)的斜率：
[0106] 其中，Si為第i個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，i=m+l，m+2，. ..，k-m，k為獲取的輸 出光功率的總數(shù)量且k2 2m+l，N〇rm為所述一階微分卷積系數(shù)中的分母系數(shù)，W」為所述一階 微分卷積系數(shù)中的第j個(gè)分子系數(shù)，j = l，2,. . .，L，Pj為第j個(gè)輸出光功率，L = 2m+1。
[0107] 下面給出一個(gè)具體的例子來說明計(jì)算每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率的方法，假 設(shè)采集的輸出光功率的數(shù)量為k=100,且n = 2，m=2(即L = 5)，貝ijSavitzky-Golay算法中的 一階微分卷積系數(shù)通過查表可知為:分子系數(shù)為(_2，_1，0，1，2)，分母系數(shù)為10,則：
，其中i = 3,4, ? ? ? ,98。
[0109]由于采集到的光功率匕，」=1，2，...，100都是已知的，因而可以確定每個(gè)目標(biāo)輸 出光功率對(duì)應(yīng)的斜率Si，其中i = 3,4,. . .，98。
[0110]上述步驟204中，根據(jù)所述每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折。
[0111] 可選地，所述根據(jù)所述每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，判斷所述激光芯片P-I曲 線是否存在扭折，包括：
[0112] 獲取與所述多個(gè)輸出光功率 對(duì)應(yīng)的多個(gè)輸入電流；
[0113] 根據(jù)所述多個(gè)輸入電流及所述多個(gè)輸出光功率，確定整體線性擬合直線斜率；
[0114] 根據(jù)所述每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率及所述整體線性擬合直線斜率，判斷所 述激光芯片P-I曲線是否存在扭折。
[0115] 上述方法，首先獲取與多個(gè)輸出光功率一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)輸入電流，假設(shè)獲取了k個(gè) 輸出光功率，則獲取的輸入電流的數(shù)量也為k，且與k個(gè)輸出光功率一一對(duì)應(yīng)。然后根據(jù)獲取 的k個(gè)輸入電流及k個(gè)輸出光功率，確定一條整體線性擬合直線，同時(shí)確定該整體線性擬合 直線的斜率。具體地，參照?qǐng)D1，將輸入電流作為橫坐標(biāo)軸，輸出光功率作為縱坐標(biāo)軸，則k個(gè) 輸入電流及k個(gè)輸出光功率可以組成k個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)，假設(shè)獲取的k個(gè)輸出光功率為Pj，j = l， 2，. . .，k，獲取的k個(gè)輸入電流為Cj，j = 1，2，. . .，k，則組成的k個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)為(Cj，Pj)，j = 1， 2, ...，k，通過這k個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)來擬合一條整體線性擬合直線的方式有很多，且為現(xiàn)有技術(shù)，在 此不做贅述，假設(shè)確定的整體線性擬合直線斜率為Slope，然后根據(jù)每個(gè)目標(biāo)輸出光功率?： 對(duì)應(yīng)的斜率Si，i =m+l，m+2，. . .，k-m及所述整體線性擬合直線斜率Slope，判斷激光芯片P-I曲線是否存在扭折。
[0116] 可選地，所述根據(jù)所述每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率及所述整體線性擬合直線 斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折，包括：
[0117]針對(duì)每個(gè)目標(biāo)輸出光功率，根據(jù)所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率及所述整體線性 擬合直線斜率，確定所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率誤差率；
[0118] 若存在至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率誤差率不小于扭折閾值，則確定所述 激光芯片有扭折。
[0119] 上述方法中，假設(shè)扭折閾值為KinkThreshold，目標(biāo)輸出光功率Pi對(duì)應(yīng)的斜率誤差 率為KinkValuei，則
，.i =m+l，m+2，? ? ?，k_m。
[0120] 當(dāng)上述k-2m個(gè)斜率誤差率KinkValuei都不大于扭折閾值KinkThreshold時(shí)，則認(rèn) 為該激光芯片無扭折；當(dāng)上述k-2m個(gè)斜率誤差率KinkValuei中存在至少一個(gè)斜率誤差率大 于扭折閾值KinkThreshold時(shí)，則認(rèn)為該激光芯片有扭折。
[0121] 本發(fā)明實(shí)施例提供的方法，獲取激光芯片的多個(gè)輸出光功率，并根據(jù)Savitzky-Golay算法從所述多個(gè)輸出光功率中確定至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率，針對(duì)每個(gè)目標(biāo)輸出光 功率，根據(jù)L個(gè)輸出光功率及一階微分卷積系數(shù)，確定目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，根據(jù)每 個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，判斷激光芯片P-I曲線是否存在扭折。該方法通過一階微分 卷積系數(shù)對(duì)L個(gè)輸出光功率進(jìn)行加權(quán)運(yùn)算得到目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，降低了噪聲數(shù) 據(jù)對(duì)結(jié)果的影響，實(shí)現(xiàn)了對(duì)輸出光功率的濾波，且該濾波處理與斜率計(jì)算是同時(shí)完成的，即 增加的濾波處理沒有帶來計(jì)算量的增加，因此提高了判斷激光芯片P-I曲線是否存在扭折 的效率和準(zhǔn)確性。
[0122] 下面對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的激光芯片P-I曲線扭折測(cè)試方法做詳細(xì)描述，如圖3所 示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的激光芯片P-I曲線扭折測(cè)試方法詳細(xì)流程圖，包括：
[0123] 步驟301、獲取激光芯片的多個(gè)輸出光功率及與所述多個(gè)輸出光功率一一對(duì)應(yīng)的 多個(gè)輸入電流；
[0124] 步驟302、根據(jù)預(yù)設(shè)的Savitzky-Golay算法中的樣本數(shù)L，從所述多個(gè)輸出光功率 中確定至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率；
[0125] 步驟303、針對(duì)所述至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率中的每個(gè)目標(biāo)輸出光功率，確定所述 多個(gè)輸出光功率中與所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的L個(gè)輸出光功率;根據(jù)所述L個(gè)輸出光功率 及預(yù)先選定的一階微分卷積系數(shù)中的L個(gè)分子系數(shù)，確定分子加權(quán)和;將所述分子加權(quán)和與 所述一階微分卷積系數(shù)中的分母系數(shù)的比值，作為所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率；
[0126] 步驟304、根據(jù)所述多個(gè)輸入電流及所述多個(gè)輸出光功率，確定整體線性擬合直線 斜率；
[0127] 步驟305、針對(duì)每個(gè)目標(biāo)輸出光功率，根據(jù)所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率及所述 整體線性擬合直線斜率，確定所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率誤差率；
[0128] 步驟306、若存在至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率誤差率不小于扭折閾值，則 確定所述激光芯片有扭折。
[0129] 基于相同的技術(shù)構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種激光芯片P-I曲線扭折測(cè)試裝置。 本發(fā)明實(shí)施例提供的激光芯片P-I曲線扭折測(cè)試裝置如圖4所示，包括：
[0130] 獲取單元401，用于獲取激光芯片的多個(gè)輸出光功率；
[0131]目標(biāo)輸出光功率確定單元402,用于根據(jù)預(yù)設(shè)的Savitzky-Golay算法中的樣本數(shù) L，從所述多個(gè)輸出光功率中確定至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率;所述目標(biāo)輸出光功率為所述多 個(gè)輸出光功率中需要計(jì)算對(duì)應(yīng)的斜率的輸出光功率；
[0132] 斜率確定單元403,用于針對(duì)所述至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率中的每個(gè)目標(biāo)輸出光 功率，確定所述多個(gè)輸出光功率中與所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的L個(gè)輸出光功率;根據(jù)所述 L個(gè)輸出光功率及預(yù)先選定的所述Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數(shù)，確定所述 目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率;其中，所述一階微分卷積系數(shù)包含L個(gè)分子系數(shù)。
[0133] 判斷單元404,用于根據(jù)所述每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，判斷所述激光芯片 P-I曲線是否存在扭折。
[0134] 可選地，所述斜率確定單元403,具體用于：
[0135] 根據(jù)所述L個(gè)輸出光功率及所述一階微分卷積系數(shù)中的L個(gè)分子系數(shù)，確定分子加 權(quán)和；
[0136] 將所述分子加權(quán)和與所述一階微分卷積系數(shù)中的分母系數(shù)的比值，作為所述目標(biāo) 輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率。
[0137] 可選地，所述判斷單元404,具體用于：
[0138] 獲取與所述多個(gè)輸出光功率 對(duì)應(yīng)的多個(gè)輸入電流；
[0139] 根據(jù)所述多個(gè)輸入電流及所述多個(gè)輸出光功率，確定整體線性擬合直線斜率；
[0140] 根據(jù)所述每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率及所述整體線性擬合直線斜率，判斷所 述激光芯片P-I曲線是否存在扭折。
[0141] 可選地，所述判斷單元404,具體用于：
[0142] 針對(duì)每個(gè)目標(biāo)輸出光功率，根據(jù)所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率及所述整體線性 擬合直線斜率，確定所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率誤差率；
[0143] 若存在至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率誤差率不小于扭折閾值，則確定所述 激光芯片有扭折。
[0144] 可選地，所述斜率確定單元403,具體用于根據(jù)下列公式確定每個(gè)目標(biāo)輸出光功率 對(duì)應(yīng)的斜率：
[0146] 其中，Si為第i個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，i=m+l，m+2，. ..，k-m，k為獲取的輸 出光功率的總數(shù)量且k2 2m+l，N〇rm為所述一階微分卷積系數(shù)中的分母系數(shù)，W」為所述一階 微分卷積系數(shù)中的第j個(gè)分子系數(shù)，j = l，2,. . .，L，Pj為第j個(gè)輸出光功率，L = 2m+1。
[0147] 可選地，所述一階微分卷積系數(shù)對(duì)應(yīng)擬合多項(xiàng)式的階數(shù)等于2。
[0148] 本發(fā)明是參照根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法、設(shè)備（系統(tǒng)）、和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程 圖和/或方框圖來描述的。應(yīng)理解可由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流 程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合?？商峁┻@些計(jì)算機(jī)程序 指令到通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)、嵌入式處理機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器以產(chǎn) 生一個(gè)機(jī)器，使得通過計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實(shí) 現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的裝置。
[0149] 這些計(jì)算機(jī)程序指令也可存儲(chǔ)在能引導(dǎo)計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備以特 定方式工作的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中，使得存儲(chǔ)在該計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中的指令產(chǎn)生包括指 令裝置的制造品，該指令裝置實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或 多個(gè)方框中指定的功能。
[0150] 這些計(jì)算機(jī)程序指令也可裝載到計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備上，使得在計(jì) 算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的處理，從而在計(jì)算機(jī)或 其他可編程設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一 個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的步驟。
[0151] 盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造 性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu) 選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0152]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種激光芯片P-I曲線扭折測(cè)試方法，其特征在于，包括： 獲取激光芯片的多個(gè)輸出光功率； 根據(jù)預(yù)設(shè)的Savitzky-Go lay算法中的樣本數(shù)L，從所述多個(gè)輸出光功率中確定至少一 個(gè)目標(biāo)輸出光功率； 針對(duì)所述至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率中的每個(gè)目標(biāo)輸出光功率，確定所述多個(gè)輸出光功 率中與所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的L個(gè)輸出光功率;根據(jù)所述L個(gè)輸出光功率及預(yù)先選定的 所述Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數(shù)，確定所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率； 其中，所述一階微分卷積系數(shù)包含L個(gè)分子系數(shù)； 根據(jù)所述每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折。2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述L個(gè)輸出光功率及預(yù)先選定的 所述Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數(shù)，確定所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率， 包括： 根據(jù)所述L個(gè)輸出光功率及所述一階微分卷積系數(shù)中的L個(gè)分子系數(shù)，確定分子加權(quán) 和； 將所述分子加權(quán)和與所述一階微分卷積系數(shù)中的分母系數(shù)的比值，作為所述目標(biāo)輸出 光功率對(duì)應(yīng)的斜率。3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜 率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折，包括： 獲取與所述多個(gè)輸出光功率 對(duì)應(yīng)的多個(gè)輸入電流； 根據(jù)所述多個(gè)輸入電流及所述多個(gè)輸出光功率，確定整體線性擬合直線斜率； 根據(jù)所述每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率及所述整體線性擬合直線斜率，判斷所述激 光芯片P-I曲線是否存在扭折。4. 如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜 率及所述整體線性擬合直線斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折，包括： 針對(duì)每個(gè)目標(biāo)輸出光功率，根據(jù)所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率及所述整體線性擬合 直線斜率，確定所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率誤差率； 若存在至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率誤差率不小于扭折閾值，則確定所述激光 芯片有扭折。5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，根據(jù)下列公式確定每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng) 的斜率：其中，Si為第i個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，i=m+l，m+2, . . .，k-m，k為獲取的輸出光 功率的總數(shù)量且k2 2m+l，N〇rm為所述一階微分卷積系數(shù)中的分母系數(shù)，Wj為所述一階微分 卷積系數(shù)中的第j個(gè)分子系數(shù)，j = l，2,. . .，L，Pj為第j個(gè)輸出光功率，L = 2m+1。6. -種激光芯片P-I曲線扭折測(cè)試裝置，其特征在于，包括： 獲取單元，用于獲取激光芯片的多個(gè)輸出光功率； 目標(biāo)輸出光功率確定單元，用于根據(jù)預(yù)設(shè)的Savi tzky-Go lay算法中的樣本數(shù)L，從所述 多個(gè)輸出光功率中確定至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率； 斜率確定單元，用于針對(duì)所述至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率中的每個(gè)目標(biāo)輸出光功率，確 定所述多個(gè)輸出光功率中與所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的L個(gè)輸出光功率;根據(jù)所述L個(gè)輸出 光功率及預(yù)先選定的所述Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數(shù)，確定所述目標(biāo)輸出 光功率對(duì)應(yīng)的斜率;其中，所述一階微分卷積系數(shù)包含L個(gè)分子系數(shù)； 判斷單元，用于根據(jù)所述每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線 是否存在扭折。7. 如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述斜率確定單元，具體用于： 根據(jù)所述L個(gè)輸出光功率及所述一階微分卷積系數(shù)中的L個(gè)分子系數(shù)，確定分子加權(quán) 和； 將所述分子加權(quán)和與所述一階微分卷積系數(shù)中的分母系數(shù)的比值，作為所述目標(biāo)輸出 光功率對(duì)應(yīng)的斜率。8. 如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述判斷單元，具體用于： 獲取與所述多個(gè)輸出光功率 對(duì)應(yīng)的多個(gè)輸入電流； 根據(jù)所述多個(gè)輸入電流及所述多個(gè)輸出光功率，確定整體線性擬合直線斜率； 根據(jù)所述每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率及所述整體線性擬合直線斜率，判斷所述激 光芯片P-I曲線是否存在扭折。9. 如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述判斷單元，具體用于： 針對(duì)每個(gè)目標(biāo)輸出光功率，根據(jù)所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率及所述整體線性擬合 直線斜率，確定所述目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率誤差率； 若存在至少一個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率誤差率不小于扭折閾值，則確定所述激光 芯片有扭折。10. 如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述斜率確定單元，具體用于根據(jù)下列公式 確定每個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率：其中，Si為第i個(gè)目標(biāo)輸出光功率對(duì)應(yīng)的斜率，i=m+l，m+2,…，k-m，k為獲取的輸出光 功率的總數(shù)量且k2 2m+l，N〇rm為所述一階微分卷積系數(shù)中的分母系數(shù)，Wj為所述一階微分 卷積系數(shù)中的第j個(gè)分子系數(shù)，j = l，2,. . .，L，Pj為第j個(gè)輸出光功率，L = 2m+1。
【文檔編號(hào)】G01R31/26GK105891692SQ201610099195
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年2月23日
【發(fā)明人】馬軍濤
【申請(qǐng)人】青島海信寬帶多媒體技術(shù)有限公司