集成電路的漏電測試的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種集成電路的漏電測試，其提供的是一種用于測試集成電路的受測裝置(DUT)的漏電流的測試配置，其包括電連接至該DUT的對數(shù)轉(zhuǎn)換器及電連接至該對數(shù)轉(zhuǎn)換器的伏特計(jì)。
【專利說明】
集成電路的漏電測試
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明大體上是涉及集成電路與半導(dǎo)體裝置的制造領(lǐng)域，尤其涉及測量所制造的集成電路與裝置中出現(xiàn)的漏電流。
【背景技術(shù)】
[0002]諸如CPU、儲(chǔ)存裝置、ASIC(特定應(yīng)用集成電路)及類似者等先進(jìn)集成電路在制作時(shí)，需要根據(jù)指定的電路布局，在給定芯片面積上形成大量的電路元件。在各式各樣的電子電路中，場效晶體管代表一種重要的電路元件的類型，其實(shí)質(zhì)決定集成電路的效能。大體上，目前實(shí)際用來形成場效晶體管的程序技術(shù)有多種，其中，對于許多類型的復(fù)雜電路系統(tǒng)，鑒于運(yùn)作速度及/或功率消耗及/或成本效益，MOS技術(shù)因特性優(yōu)越，是目前最有前途的方法其中一個(gè)。在使用例如MOS技術(shù)制作復(fù)雜集成電路期間，數(shù)百萬個(gè)晶體管，例如N溝道晶體管及/或P溝道晶體管，是在包括結(jié)晶半導(dǎo)體層的襯底上形成。
[0003]包含此類多樣化的復(fù)雜裝置的集成電路在可以出貨前，必須先測試運(yùn)作。事實(shí)上，IC是在整體制造程序的不同階段進(jìn)行測試及特性分析。測試及特性分析資料可用于IC的效能的分級(jí)，并可用于剔除無法符合制造商所設(shè)定的效能標(biāo)準(zhǔn)的1C。舉例而言，當(dāng)IC完全形成但尚未分切成個(gè)別芯片時(shí)，進(jìn)行一種測試類別。分析測試結(jié)果，然后在分切晶片時(shí)，丟棄無法符合所要求的效能標(biāo)準(zhǔn)的1C。
[0004]在IC從晶片切出且彼此分開后，并且在將晶片分類測試失敗的IC剔除完成后，將剩余的IC裝配到其封裝內(nèi)。此裝配程序可能涉及將接合線或焊塊附接至IC的I/O接合墊、將IC連接至襯底，以及將IC封入于保護(hù)封裝中。一旦裝配完成，便可進(jìn)行另一組的最終測試。在最終測試時(shí)，自動(dòng)化測試設(shè)備(ATE)測試完全裝配的IC的效能，而且，正如晶片分類測試，丟棄無法符合制造商所設(shè)定的效能標(biāo)準(zhǔn)的1C。輸入漏電流是IC出貨給客戶前所測試的一項(xiàng)常見參數(shù)。輸入漏電流是指在輸入處抽吸的靜態(tài)電流。正常來講，此測量是使用精密測量單元(PMU)來進(jìn)行。IC上若有任何的I/O顯示輸入漏電流超過制造商所設(shè)定的最大值，則丟棄此1C。
[0005]特別的是，在近來的低功率技術(shù)領(lǐng)域中，測試/監(jiān)測諸如裝置漏電及配線漏電等漏電流已變得日益重要。由于近來的IC中有大量的漏電路徑，漏電參數(shù)可能占有整體經(jīng)監(jiān)測電氣參數(shù)的約30%至40 %。
[0006]目前，漏電流參數(shù)的測量通常是通過施加定電壓并且在自動(dòng)量程模式(autorangemode)下測量電流來進(jìn)行。由于預(yù)期值的范圍可能非常廣，從pA級(jí)至μΑ級(jí)都有，因而需要自動(dòng)量程模式。因此，近來的儀器必須在測量期間變更其測量范圍，這樣會(huì)非常牦時(shí)。測量時(shí)間通常是在約200ms級(jí)的范圍內(nèi)。在典型的參數(shù)測量程序中，每片晶片的漏電流參數(shù)測量時(shí)間合計(jì)長達(dá)約20分鐘，這樣會(huì)太長而必須縮減。在資料評(píng)估期間，漏電流參數(shù)是以對數(shù)標(biāo)度(logarithmic scale)來評(píng)估。應(yīng)注意的是，精準(zhǔn)值(即值的尾數(shù))相比于量級(jí)(magnitude)較不重要。因此，漏電流參數(shù)的測量不需要非常精準(zhǔn)。
[0007]鑒于上述情形，本發(fā)明提供用于在電流強(qiáng)度的大(wide)量級(jí)范圍內(nèi)測定漏電流的技術(shù)，測量時(shí)間相比于【背景技術(shù)】得以縮減。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]以下介紹本發(fā)明的簡化概要，以便對本發(fā)明的一些方面有基本的了解。本概要并非本發(fā)明的詳盡概述。用意不在于鑒別本發(fā)明的重要或關(guān)鍵要素，或敘述本發(fā)明的范疇。目的僅在于以簡化形式介紹一些概念，作為下文更詳細(xì)說明的引言。
[0009]提供的是一種用于測試集成電路的受測裝置(DUT)的漏電流的測試配置(testconfigurat1n)，其包括對數(shù)轉(zhuǎn)換器(logarithmic transducer)及伏特計(jì)(voltmeter)。該對數(shù)轉(zhuǎn)換器電連接至該DUT，而該伏特計(jì)電連接至該對數(shù)轉(zhuǎn)換器。
[0010]此外，用于測試集成電路的受測裝置(DUT)的漏電流的例示性測試配置包括:電力節(jié)點(diǎn)，其通過該集成電路的第一探針墊(probe pad)供應(yīng)測量電壓至該DUT;對數(shù)轉(zhuǎn)換器，其電連接至該DUT;伏特計(jì)，其通過該集成電路的第二探針墊電連接至該對數(shù)轉(zhuǎn)換器；以及運(yùn)算放大器，其通過第三探針墊電連接至該DUT及該對數(shù)轉(zhuǎn)換器，并且電連接至該伏特計(jì)。
[0011]判定集成電路的受測裝置(DUT)的漏電流的說明性方法包括下列步驟:將該DUT電連接至對數(shù)轉(zhuǎn)換器;將該對數(shù)轉(zhuǎn)換器電連接至伏特計(jì)；以及通過該伏特計(jì)測量與該DUT的漏電流對應(yīng)的電壓。
[0012]多個(gè)DUT可連接至相同的對數(shù)轉(zhuǎn)換器。通過該伏特計(jì)，可以測量與該DUT的漏電流對應(yīng)的電壓。該電壓因?yàn)樵搶?shù)轉(zhuǎn)換器運(yùn)作的關(guān)系而落于一個(gè)單十進(jìn)位(decade)內(nèi)，該對數(shù)轉(zhuǎn)換器將可能由各種DUT所呈現(xiàn)的大量級(jí)范圍內(nèi)的漏電流值轉(zhuǎn)換成值落于一個(gè)單十進(jìn)位內(nèi)的電壓。特別的是，該對數(shù)轉(zhuǎn)換器可通過二極管轉(zhuǎn)換器/ 二極管來實(shí)現(xiàn)。
【附圖說明】
[0013]本發(fā)明可搭配附圖參照以下說明來了解，其中相似的參考元件符號(hào)表示相似的元件，并且其中:
[0014]圖1根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，繪示包含二極管轉(zhuǎn)換器的測試配置；
[0015]圖2根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，繪示包含二極管轉(zhuǎn)換器及運(yùn)算放大器的測試配置；
[0016]圖3根據(jù)本發(fā)明，顯示用于在測試配置中實(shí)施二極管轉(zhuǎn)換器的實(shí)施例；以及
[0017]圖4a及圖4b根據(jù)本發(fā)明，繪示可在測試配置中使用的P型二極管及N型二極管的布局。
[0018]盡管本文中揭示的專利標(biāo)的易受各種修改及替代形式影響，其特定具體實(shí)施例仍已在圖式中舉例顯示，并且于本文中詳述。然而，應(yīng)了解的是，本文中特定具體實(shí)施例的說明用意不在于將本發(fā)明限制于所揭示的特定形式，相反地，如隨附的權(quán)利要求書所界定，用意在于涵蓋落于本發(fā)明的精神及范疇內(nèi)的所有修改、均等例、及替代方案。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面說明本發(fā)明的各項(xiàng)說明性具體實(shí)施例。為了澄清，實(shí)際實(shí)作方面不是所有特征都有在本說明書中說明。當(dāng)然，將領(lǐng)會(huì)的是，在開發(fā)任何此實(shí)際具體實(shí)施例時(shí)，必須做出許多實(shí)作方面-特定決策才能達(dá)到開發(fā)者的特定目的，例如符合系統(tǒng)有關(guān)及業(yè)務(wù)有關(guān)的限制條件，這些限制條件會(huì)隨實(shí)作方面不同而變。此外，將領(lǐng)會(huì)的是，此一開發(fā)努力可能復(fù)雜且耗時(shí)，但雖然如此，仍會(huì)是具有本發(fā)明的效益的所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者的例行工作。
[0020]本發(fā)明現(xiàn)將參照附圖來說明。各種結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)及裝置在圖式中只是為了闡釋而繪示，為的是不要因本領(lǐng)域技術(shù)人員眾所周知的細(xì)節(jié)而混淆本發(fā)明。雖然如此，仍將附圖包括進(jìn)來以說明并闡釋本發(fā)明的說明性實(shí)施例。本文中使用的字組及詞組應(yīng)了解并詮釋為與本領(lǐng)域技術(shù)人員了解的字組及詞組具有一致的意義。與本領(lǐng)域技術(shù)人員了解的通?；驊T用意義不同的詞匯或詞組(即定義)的特殊定義，用意不在于由本文的詞匯或詞組的一致性用法所暗示。就一詞匯或詞組用意在于具有特殊意義的方面來說，即有別于本領(lǐng)域技術(shù)人員了解的意義，此一特殊定義必須以為此詞匯或詞組直接且明確提供此特殊定義的定義方式，在本說明書中明確提出。
[0021]如本領(lǐng)域技術(shù)人員完整閱讀本申請書后將輕易了解的是，本方法適用于例如W0S、PM0S、CM0S等各種技術(shù)，并且輕易適用于集成電路中包含的各種裝置，包括但不限于邏輯電路、存儲(chǔ)裝置等。
[0022]本發(fā)明提供一種測量漏電流的方法，其中測量時(shí)間可從傳統(tǒng)需要的200ms向下縮減至約60ms。每片晶片的測量時(shí)間從而可縮減約14分鐘。本發(fā)明涉及整合型二極管轉(zhuǎn)換器，該整合型二極管轉(zhuǎn)換器在測量儀器之前便已先執(zhí)行對數(shù)比例換算。讓測量儀器可以在固定范圍內(nèi)測量單純的電壓，此節(jié)省大量的時(shí)間(需要的時(shí)間縮減約3倍)。
[0023]圖1顯示本文中所提供的測試配置10的說明性實(shí)施例。測試配置10包含測試結(jié)構(gòu)及測量電路。測試結(jié)構(gòu)可包含晶片上形成的集成電路(1C)。晶片可包含半導(dǎo)體襯底。半導(dǎo)體襯底可包含半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層進(jìn)而可包含任何適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體材料，例如:硅、硅/鍺、硅/碳、其它I1-VI族或II1-V族半導(dǎo)體化合物及類似者。半導(dǎo)體層可包含相當(dāng)大量的硅，因?yàn)楦呒擅芏鹊陌雽?dǎo)體裝置可基于硅而大量生產(chǎn)形成，原因在于可用性增強(qiáng)，并且數(shù)十年來已開發(fā)出建置良好的制造方法技術(shù)。然而，可使用任何其它適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體材料，例如，含有諸如鍺、碳及類似者等其它等電子部件(iso-electronic component)的娃基礎(chǔ)材料。另外，襯底與半導(dǎo)體層可界定SOI配置。半導(dǎo)體襯底可以是硅襯底，尤其是單晶硅襯底。可使用其它材料來形成半導(dǎo)體材料，舉例如鍺、硅鍺、磷酸鎵、砷化鎵等。
[0024]特別的是，測試配置包含作為IC一部分的受測裝置(DUT)IAUTI可以是任何形成為IC一部分的裝置及/或配線(wiring)。在所示實(shí)施例中，DUT I可以是金屬梳齒(metalcomb) 包含可形成為如本領(lǐng)域已知的輸入/輸出探針墊的探針墊2、2’及2〃。根據(jù)圖1所示的說明性實(shí)施例，測試結(jié)構(gòu)也包含對數(shù)轉(zhuǎn)換器3。對數(shù)轉(zhuǎn)換器3可將DUT I的漏電流對數(shù)轉(zhuǎn)換成電壓。舉例而言，對數(shù)轉(zhuǎn)換器3包含二極管或通過二極管來實(shí)現(xiàn)。
[0025]原則上，可提供作為外部元件的對數(shù)轉(zhuǎn)換器，該外部元件需要測量設(shè)備變?yōu)閷Ｓ糜诳剂肯碌穆╇姕y量。然而，較佳者可能是在半導(dǎo)體制造程序期間產(chǎn)生對數(shù)轉(zhuǎn)換器3，并使該對數(shù)轉(zhuǎn)換器在受測的晶片中出現(xiàn)。
[0026]如圖1所示，測量電路通過探針墊2、2’及2〃連接至測試結(jié)構(gòu)。測量電路包含供應(yīng)界定良好的測量電壓的電力節(jié)點(diǎn)4，以及連接于探針墊2’與2"之間的伏特計(jì)5?；陔娏?jié)點(diǎn)4所供應(yīng)的測量電壓，DUT I的漏電流可通過伏特計(jì)5，在通過對數(shù)轉(zhuǎn)換器3的手段將該漏電流轉(zhuǎn)化成電壓之后來測得。多個(gè)DUT可連接至對數(shù)轉(zhuǎn)換器3。原則上，DUT的漏電流上升數(shù)個(gè)十倍數(shù)。舉例而言，一個(gè)連接至對數(shù)轉(zhuǎn)換器3的特定DUT可呈現(xiàn)nA級(jí)的漏電流，而另一連接至對數(shù)轉(zhuǎn)換器3的DUT則呈現(xiàn)pA級(jí)的漏電流。鑒于三個(gè)量級(jí)落于這些值之間，對數(shù)轉(zhuǎn)換器3的對數(shù)運(yùn)算產(chǎn)生與相同十進(jìn)位內(nèi)的漏電流值對應(yīng)的電壓。
[0027]因此，對數(shù)轉(zhuǎn)換器3所提供的對數(shù)電壓輸出容許伏特計(jì)5在固定范圍內(nèi)運(yùn)作。因此，不需要將測量裝置調(diào)整成所考量特定DUT的漏電壓的量級(jí)。所以，達(dá)到快速的漏電流測量。應(yīng)注意的是，IC的多個(gè)DUT可連接至相同的對數(shù)轉(zhuǎn)換器3。圖1所示的配置舉例而言，尤其適用于后段(BEOL)梳齒-梳齒(comb-comb)配置或BEOL梳齒-蜿蜓(comb-meander)配置的漏電測量，或設(shè)計(jì)規(guī)則漏電測量。
[0028]然而，由于墊2’與伏特計(jì)5之間的歐姆連接較高，跨對數(shù)轉(zhuǎn)換器3的負(fù)載電壓因而較高。因此，主動(dòng)電位控制可能較佳。圖2根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施例，顯示測試配置20。如圖1所示的實(shí)施例，提供的是包含DUT I (例如金屬梳齒)、探針墊2、2’與2"及對數(shù)轉(zhuǎn)換器3的測試結(jié)構(gòu)。此外，測量電路與測試結(jié)構(gòu)連接，其中測量電路包含電力節(jié)點(diǎn)4及伏特計(jì)5。
[0029]有別于圖1所示的配置，圖2所示的測試配置中包括運(yùn)算放大器6。運(yùn)算放大器6可連接于墊2 ’與伏特計(jì)5之間。再次地，多個(gè)DUT可與對數(shù)轉(zhuǎn)換器3連接。如參照圖1所述，對數(shù)轉(zhuǎn)換器3容許伏特計(jì)5在固定范圍內(nèi)運(yùn)作，并從而容許快速判定DUT(例如:DUT I)的漏電流。
[0030]在圖2所示的配置中，運(yùn)算放大器6可經(jīng)運(yùn)作以補(bǔ)償跨對數(shù)轉(zhuǎn)換器3的負(fù)載電壓。因此，電壓測量的準(zhǔn)確度可顯著提升。包含經(jīng)配置用于主動(dòng)補(bǔ)償跨對數(shù)轉(zhuǎn)換器3的負(fù)載電壓的運(yùn)算放大器6的測試配置，尤其適用于測定如晶體管(例如:N溝道及P溝道TFTS)的主動(dòng)裝置的漏電流，以及井體(well)的漏電特性及擴(kuò)散與隔離漏電測量的測定。
[0031]圖3顯示圖1及圖2所示對數(shù)轉(zhuǎn)換器3的例示性實(shí)作方面。在圖3所示的實(shí)施例中，形式為二極管轉(zhuǎn)換器的對數(shù)轉(zhuǎn)換器3是連接于第一探針墊12與第二探針墊12’之間。第二探針墊12 ’與DUT I共組所示實(shí)施例的梳齒-梳齒結(jié)構(gòu)的形式。通過將對數(shù)轉(zhuǎn)換器(二極管轉(zhuǎn)換器)3及DUT I以這種方式電連接至探針墊12及12’，原則上，兩者現(xiàn)有的漏電測量及利用對數(shù)轉(zhuǎn)換器(二極管轉(zhuǎn)換器)3的漏電測量都可實(shí)現(xiàn)。此外，所示配置容許對二極管進(jìn)行預(yù)特性分析，由此可輕易測定種植體波動(dòng)(implant fluctuat1n) oDUT I是于與第二探針墊12’的連接側(cè)對立的側(cè)連接至第三探針墊12〃(對照圖1及圖2的探針墊2)。
[0032]圖4a及圖4b詳細(xì)顯示適用于將不同量級(jí)的漏電流轉(zhuǎn)換/轉(zhuǎn)化成可由伏特計(jì)測量的單十進(jìn)位電壓的二極管轉(zhuǎn)換器3，但測量范圍不需要切換，從而降低晶片的漏電測試的整體測量時(shí)間。圖4a顯示N型二極管3，而圖4b顯示P型二極管3，兩者都具有配線7、7’及7〃。
[0033]圖4a的N型二極管3舉例而言，可包含N+摻雜陰極8，以及可通過淺溝槽隔離層(shallow trench isolator)與該陰極分離的P+摻雜陽極9。圖4b的P型二極管3舉例而言，可包含P+摻雜陽極9，以及可通過淺溝槽隔離層與該陽極分離的N+摻雜陰極8。圖4a的N型二極管3的陽極9是連接至金屬配線7及7’，而圖4b的P型二極管的陰極8是連接至金屬配線7及7’。圖4a的N型二極管3的陰極8是連接至金屬配線7〃，而圖4b的P型二極管的陽極9是連接至金屬配線7〃。典型尺寸(如圖4a及圖4b所示)的給定單位為nm。
[0034]應(yīng)注意的是，整片受測的晶片的溫度在漏電測試期間通常有受到控制，因此，二極管轉(zhuǎn)換器3本身的溫度受到控制，從而增進(jìn)漏電測量的準(zhǔn)確度。為了抑制寄生阻抗，配線7、7 ’及7"應(yīng)該以高度導(dǎo)電材料來提供。
[0035]結(jié)果是，本發(fā)明提供用于晶片/IC的漏電測量的技術(shù)，其中運(yùn)用到對數(shù)轉(zhuǎn)換器(例如:二極管)以便對漏電流值進(jìn)行對數(shù)運(yùn)算。對數(shù)運(yùn)算產(chǎn)生與漏電流對應(yīng)，值范圍在一個(gè)十進(jìn)位內(nèi)的電壓。所以，在一個(gè)特定電壓十進(jìn)位中運(yùn)作的伏特計(jì)僅可用于測量與DUT的漏電流對應(yīng)的電壓。相比于本技術(shù)領(lǐng)域，由于測量范圍不需要從一個(gè)十進(jìn)位切換到另一個(gè)十進(jìn)位，晶片/IC的總體漏電測量因而得以加速。
[0036]以上所揭示的特定具體實(shí)施例僅具有說明性，因?yàn)楸景l(fā)明可采用對受益于本文教示的本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的不同但均等方式來修改并且實(shí)踐。舉例而言，以上所提出的程序步驟可按照不同的順序來進(jìn)行。另外，除了如權(quán)利要求書中所述以外，未意圖限制于本文所示構(gòu)造或設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)。因此，證實(shí)可改變或修改以上揭示的特定具體實(shí)施例，而且所有此類變例全都視為在本發(fā)明的范疇及精神內(nèi)。因此，本文尋求的保護(hù)乃如權(quán)利要求書中所提。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于測試集成電路的受測裝置(DUT)的漏電流的測試配置，其包含: 對數(shù)轉(zhuǎn)換器，其電連接至該DUT;以及 伏特計(jì)，其電連接至該對數(shù)轉(zhuǎn)換器。2.如權(quán)利要求1所述的測試配置，其中，該對數(shù)轉(zhuǎn)換器是在包含該集成電路的晶片上形成。3.如權(quán)利要求1所述的測試配置，其中，該對數(shù)轉(zhuǎn)換器包含二極管。4.如權(quán)利要求3所述的測試配置，其中，該二極管是P型或N型二極管。5.如權(quán)利要求1所述的測試配置，更包含電力節(jié)點(diǎn)，其供應(yīng)測量電壓至該DUT，并且其中，該電力節(jié)點(diǎn)通過第一探針墊電連接至該DUT，以及該對數(shù)轉(zhuǎn)換器通過第二探針墊連接至該伏特計(jì)。6.如權(quán)利要求1所述的測試配置，更包含運(yùn)算放大器，其通過探針墊電連接至該DUT及該對數(shù)轉(zhuǎn)換器，并且電連接至供應(yīng)測量電壓至該DUT及該伏特計(jì)的電力節(jié)點(diǎn)。7.如權(quán)利要求1所述的測試配置，其中，多個(gè)DUT電連接至該DUT。8.—種用于測試集成電路的受測裝置(DUT)的漏電流的測試配置，其包含: 電力節(jié)點(diǎn)，其通過該集成電路的第一探針墊供應(yīng)測量電壓至該DUT; 對數(shù)轉(zhuǎn)換器，其電連接至該DUT; 伏特計(jì)，其通過該集成電路的第二探針墊電連接至該對數(shù)轉(zhuǎn)換器；以及 運(yùn)算放大器，其通過第三探針墊電連接至該DUT及該對數(shù)轉(zhuǎn)換器并電連接至該伏特計(jì)。9.如權(quán)利要求8所述的測試配置，其中，該對數(shù)轉(zhuǎn)換器是在包含該集成電路的晶片上形成。10.如權(quán)利要求8所述的測試配置，其中，該對數(shù)轉(zhuǎn)換器包含二極管。11.如權(quán)利要求10所述的測試配置，其中，該二極管是P型或N型二極管。12.如權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)測試配置，其中，該DUT是選自于由金屬梳齒、梳齒-梳齒結(jié)構(gòu)、梳齒-蜿蜓結(jié)構(gòu)、井體及晶體管所組成的群組。13.—種測定集成電路的受測裝置(DUT)的漏電流的方法，其包含下列步驟: 電連接該DUT至對數(shù)轉(zhuǎn)換器； 電連接該對數(shù)轉(zhuǎn)換器至伏特計(jì)；以及 通過該伏特計(jì)測量與該DUT的漏電流對應(yīng)的電壓。14.如權(quán)利要求13所述的方法，更包含在形成有該集成電路于其上的相同晶片上形成該對數(shù)轉(zhuǎn)換器。15.如權(quán)利要求13所述的方法，更包含通過該對數(shù)轉(zhuǎn)換器將該DUT的漏電流轉(zhuǎn)換成該伏特計(jì)所測量的電壓。16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，該對數(shù)轉(zhuǎn)換器包含二極管。17.如權(quán)利要求13所述的方法，更包含通過運(yùn)算放大器的手段控制跨該對數(shù)轉(zhuǎn)換器的負(fù)載電壓。18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，該伏特計(jì)僅運(yùn)作于特定十進(jìn)位的固定測量范圍內(nèi)。
【文檔編號(hào)】G01R19/00GK105974296SQ201610140288
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年3月11日
【發(fā)明人】R·P·米卡洛
【申請人】格羅方德半導(dǎo)體公司