上位機(jī)失效處理方法和裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種上位機(jī)失效處理方法，用于在半導(dǎo)體工藝期間上位機(jī)失效時對各半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行控制，該上位機(jī)失效處理方法由下位機(jī)執(zhí)行，其包括：從所述上位機(jī)獲取所述半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段；以及當(dāng)接收上位機(jī)失效信號時，根據(jù)當(dāng)前所述半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段對所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)進(jìn)行相應(yīng)控制。本發(fā)明還提供了一種上位機(jī)失效處理裝置，能夠在保證安全的前提下使設(shè)備正常完成工藝流程，避免因上位機(jī)失效導(dǎo)致產(chǎn)品損壞。
【專利說明】上位機(jī)失效處理方法和裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備控制【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種上位機(jī)失效的處理方法及處
理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]立式氧化爐設(shè)備在半導(dǎo)體生產(chǎn)行業(yè)不可或缺，無論國產(chǎn)還是進(jìn)口設(shè)備，對于設(shè)備控制方式，多數(shù)采用上位機(jī)和下位機(jī)相結(jié)合的控制方式，正常運行時由上位機(jī)為主要控制，通過上位機(jī)與下位機(jī)及上位機(jī)與設(shè)備及下位機(jī)與設(shè)備之間的通訊進(jìn)行控制，由于下位機(jī)的計算速度很難達(dá)到實時控制，所以當(dāng)設(shè)備在工藝過程中，上位機(jī)出現(xiàn)問題導(dǎo)致宕機(jī)的時候，多數(shù)情況下都會停止工藝，然后通過操作人員進(jìn)行排故處理。雖然設(shè)備和人員的安全性得以保證，但卻很有可能會造成產(chǎn)品報廢，造成較大的經(jīng)濟(jì)損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的主要目的旨在提供一種能夠在半導(dǎo)體工藝過程中上位機(jī)失效的情況下，繼續(xù)對設(shè)備進(jìn)行控制的方法，以最大限度地保護(hù)操作人員、設(shè)備以及產(chǎn)品的安全。
[0004]為達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種上位機(jī)失效處理方法，用于在半導(dǎo)體工藝期間上位機(jī)失效時對各半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行控制，所述上位機(jī)失效處理方法由下位機(jī)執(zhí)行，其包括以下步驟:從所述上位機(jī)獲取所述半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段；以及當(dāng)接收上位機(jī)失效信號時，根據(jù)當(dāng)前所述半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段對所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)進(jìn)行相應(yīng)控制。
[0005]優(yōu)選地，所述工藝階段包括工藝準(zhǔn)備階段，主工藝階段以及工藝結(jié)束階段。
[0006]優(yōu)選地，所述上位機(jī)失效處理方法還包括:存儲所述工藝結(jié)束階段所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)。
[0007]優(yōu)選地，若接收所述上位機(jī)失效信號時所述半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段為工藝準(zhǔn)備階段，則將所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)設(shè)為所述工藝結(jié)束階段的工藝參數(shù)。
[0008]優(yōu)選地，若接收所述上位機(jī)失效信號時所述半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段為主工藝階段，則維持當(dāng)前所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)，直至所述主工藝階段完成時將該些工藝參數(shù)設(shè)為所述工藝結(jié)束階段的工藝參數(shù)。
[0009]優(yōu)選地，根據(jù)所述半導(dǎo)體工藝進(jìn)入所述主工藝階段的時刻、接收所述上位機(jī)失效信號的時刻以及所述主工藝階段所需的時間，獲得所述上位機(jī)失效時所述主工藝階段的剩余時間，并根據(jù)該剩余時間計時計算以判斷所述主工藝級階段是否完成。
[0010]優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體設(shè)備為立式擴(kuò)散/氧化爐，所述半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)包括爐絲溫度、閥體的開關(guān)狀態(tài)、氣體的流量、運動部件的狀態(tài)。
[0011]本發(fā)明還提供了一種上位機(jī)失效處理裝置，用于在半導(dǎo)體工藝期間上位機(jī)失效時對各半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行控制。所述上位機(jī)失效處理裝置包括第一接收模塊、第二接收模塊以及控制模塊。其中，第一接收模塊用于從所述上位機(jī)獲取所述半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段；第二接收模塊用于接收上位機(jī)失效信號；控制模塊與所述第一接收模塊和第二接收模塊相連，用于根據(jù)接收該上位機(jī)失效信號時所述半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段對所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)進(jìn)行相應(yīng)控制。
[0012]優(yōu)選地，所述工藝階段包括工藝準(zhǔn)備階段，主工藝階段以及工藝結(jié)束階段。
[0013]優(yōu)選地，所述控制模塊包括存儲子模塊，用于存儲所述工藝結(jié)束階段所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)。
[0014]優(yōu)選地，若所述第二接收模塊接收所述上位機(jī)失效信號時所述第一接收模塊獲取的所述工藝階段為工藝準(zhǔn)備階段，則所述控制模塊將所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)設(shè)為所述工藝結(jié)束階段的工藝參數(shù)。
[0015]優(yōu)選地，若所述第二接收模塊接收所述上位機(jī)失效信號時所述第一接收模塊獲取的所述工藝階段為主工藝階段，則所述控制模塊維持當(dāng)前所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)，直至所述主工藝階段完成時將該些工藝參數(shù)設(shè)為所述工藝結(jié)束階段的工藝參數(shù)。
[0016]優(yōu)選地，所述控制模塊包括計時子模塊，其中設(shè)有所述主工藝階段所需的時間，所述計時子模塊根據(jù)所述第一接收模塊獲取所述半導(dǎo)體工藝進(jìn)入所述主工藝階段的時刻、所述第二接收模塊接收所述上位機(jī)失效信號的時刻以及所述主工藝階段所需的時間，獲得所述上位機(jī)失效時所述主工藝階段的剩余時間，并根據(jù)該剩余時間計時計算以判斷所述主工藝級階段是否完成。
[0017]優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體設(shè)備為立式擴(kuò)散/氧化爐，所述半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)包括爐絲溫度、閥體的開關(guān)狀態(tài)、氣體的流量、運動部件的狀態(tài)。
[0018]本發(fā)明所提出的上位機(jī)失效處理方法和裝置，能夠在上位機(jī)失效時，由下位機(jī)根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體設(shè)備所處的工藝階段對各半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行控制，能夠在保證安全的前提下使設(shè)備正常完成工藝流程。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為本發(fā)明上位機(jī)失效處理裝置的方塊圖；
[0020]圖2為本發(fā)明上位機(jī)失效處理方法的流程圖；
[0021]圖3為本發(fā)明一實施例上位機(jī)失效處理方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0022]為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0023]圖1為本發(fā)明上位機(jī)失效處理裝置的方塊圖；圖2為本發(fā)明上位機(jī)失效處理方法的流程圖，以下將結(jié)合圖1和圖2對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0024]本發(fā)明的上位機(jī)失效處理裝置位于下位機(jī)10中，用于在半導(dǎo)體工藝期間上位機(jī)20失效時對各半導(dǎo)體設(shè)備30進(jìn)行控制。上位機(jī)失效處理裝置包括第一接收模塊11，第二接收模塊12和控制模塊13。其中，第一接收模塊11用于執(zhí)行步驟SI，從上位機(jī)獲取半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段。具體來說，半導(dǎo)體工藝的工藝階段可分為工藝準(zhǔn)備階段、主工藝階段和工藝結(jié)束階段。從半導(dǎo)體工藝開始，第一接收模塊11通過與上位機(jī)20建立通訊，從上位機(jī)20獲得半導(dǎo)體工藝的工藝階段是處于工藝準(zhǔn)備階段，主工藝階段還是工藝結(jié)束階段。第二接收模塊12和控制模塊13用于執(zhí)行步驟S2，具體來說第二接收模塊12用于接收上位機(jī)失效信號，當(dāng)上位機(jī)發(fā)生宕機(jī)等失效情況時，將即時發(fā)送失效信號至第二接收模塊12 ；控制模塊13與第一接收模塊11和第二接收模塊12相連，用于根據(jù)第二接收模塊12接收上位機(jī)失效信號時，半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段來對各半導(dǎo)體設(shè)備30的工藝參數(shù)進(jìn)行相應(yīng)控制。具體來說，當(dāng)上位機(jī)在主工藝階段發(fā)生失效情況，如果此時停止工藝會造成產(chǎn)品的損壞，造成很大的經(jīng)濟(jì)損失，因此控制模塊13將控制半導(dǎo)體設(shè)備30的各工藝參數(shù)維持原來的參數(shù)，直到主工藝階段完成。其中，主工藝階段的完成判定可通過控制模塊13的計時子模塊來完成，下文將進(jìn)一步闡述。當(dāng)判斷主工藝階段完成后，控制模塊再控制將半導(dǎo)體設(shè)備30的工藝參數(shù)設(shè)定為工藝結(jié)束階段所適用的工藝參數(shù)。如果上位機(jī)在工藝準(zhǔn)備階段發(fā)生失效情況，由于主工藝階段尚未開始，控制模塊13可以停止工藝，直接將半導(dǎo)體設(shè)備30的工藝參數(shù)設(shè)定為工藝結(jié)束階段所適用的工藝參數(shù)；如果失效情況發(fā)生在工藝結(jié)束階段，由于主工藝階段已經(jīng)完成，控制模塊13繼續(xù)維持該工藝結(jié)束階段所適用的工藝參數(shù)。因此，較佳的控制模塊13具有存儲工藝結(jié)束階段各半導(dǎo)體設(shè)備所適用的工藝參數(shù)的存儲子模塊，可根據(jù)需要直接調(diào)取該工藝參數(shù)來控制各半導(dǎo)體設(shè)備。
[0025]圖3所示為本發(fā)明一具體實施例的上位機(jī)失效處理方法的流程示意圖。在本實施例中，半導(dǎo)體設(shè)備為立式擴(kuò)散/氧化爐，半導(dǎo)體工藝為通過立式擴(kuò)散/氧化爐進(jìn)行的晶片熱處理工藝。該晶片熱處理工藝同樣分為工藝準(zhǔn)備階段、主工藝階段和工藝結(jié)束階段三個過程。從工藝開始，第一接收模塊11與上位機(jī)建立通訊，從上位機(jī)獲取當(dāng)前所處的熱處理工藝的工藝階段。上位機(jī)檢測其是否出現(xiàn)問題導(dǎo)致宕機(jī)，一旦出現(xiàn)宕機(jī)，上位機(jī)將即時發(fā)送失效信號至第二接收模塊12。此時，控制模塊13將根據(jù)第一接收模塊11所接收的工藝階段和第二接收模塊12接收的失效信號，判斷上位機(jī)發(fā)生宕機(jī)時熱處理工藝是處于工藝準(zhǔn)備階段，主工藝階段還是工藝結(jié)束階段。
[0026]若上位機(jī)發(fā)生宕機(jī)時熱處理工藝仍處于工藝準(zhǔn)備階段，由于主工藝階段尚未開始，工藝準(zhǔn)備階段過程中只會在立式擴(kuò)散/氧化爐中通入小流量的氧氣，只要停止工藝將硅片取出進(jìn)行清洗處理，就完全可以滿足再次進(jìn)行工藝的要求。因此，控制模塊13將調(diào)用存儲子模塊中工藝結(jié)束階段立式擴(kuò)散/氧化爐所適用的工藝參數(shù)，這些工藝參數(shù)包括爐絲溫度、閥體的開關(guān)狀態(tài)、氣體的流量、運動部件的狀態(tài)等。如將爐絲目標(biāo)溫度控制為600°C這一設(shè)備出舟溫度，將工藝氣體MFC流量計的流量值設(shè)為O、關(guān)閉所有工藝氣體閥體同時開啟氮氣氣路的閥體，及給爐管通入氮氣。保持當(dāng)前狀態(tài)，等爐絲溫度降到出舟溫度后，后續(xù)工作由現(xiàn)場操作人員完成。
[0027]若上位機(jī)發(fā)生宕機(jī)時熱處理工藝處于主工藝階段，如果停止工藝會造成產(chǎn)品的損壞，造成很大的經(jīng)濟(jì)損失，因此控制模塊13將維持當(dāng)前立式擴(kuò)散/氧化爐的工藝參數(shù)，包括爐絲的溫度，工藝氣體的流量，各閥體的狀態(tài)，運動部件的狀態(tài)等，直到主工藝階段完成。具體的，控制模塊13包括一計時子模塊，該計時子模塊中設(shè)有主工藝階段所需要的總體時間。計時子模塊根據(jù)第一接收模塊所獲取的熱處理工藝進(jìn)入主工藝階段的時刻、第二接收模塊接收上位機(jī)失效信號的時刻以及該主工藝階段所需時間，就能夠獲得上位機(jī)宕機(jī)時主工藝階段距離其完成的剩余時間。計時模塊并根據(jù)該剩余時間進(jìn)行計時計算，以判斷主工藝級階段是否完成。當(dāng)主工藝階段完成后，控制模塊13將調(diào)用存儲子模塊中工藝結(jié)束階段立式擴(kuò)散/氧化爐所適用的工藝參數(shù)，如將爐絲溫度控制在設(shè)備出舟溫度600°C，所有工藝氣體MFC流量設(shè)置為O，閥體根據(jù)需要進(jìn)行關(guān)閉及打開，并通氮氣，因為此時主工藝階段已經(jīng)完成且上位機(jī)也處于宕機(jī)狀態(tài)，出舟溫度控制可以不需要太過精確，保持當(dāng)前狀態(tài)等爐絲溫度降到出舟溫度后，后續(xù)工作由現(xiàn)場操作人員完成。
[0028]若上位機(jī)發(fā)生宕機(jī)時，熱處理工藝不處于工藝準(zhǔn)備階段或主工藝階段，則說明熱處理工藝已經(jīng)處于工藝結(jié)束階段，硅片的熱處理完成，只需安全取出即可。因此，控制模塊13將保持當(dāng)前的設(shè)備的工藝參數(shù)，等爐絲溫度降到出舟溫度后，后續(xù)工作由現(xiàn)場操作人員完成。
[0029]綜上所述，本發(fā)明的上位機(jī)失效處理方法和裝置，能夠在上位機(jī)失效時，由下位機(jī)根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體設(shè)備所處的工藝階段對各半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行控制，能夠在保證安全的前提下使設(shè)備正常完成工藝流程，避免因設(shè)備失去控制導(dǎo)致產(chǎn)品損壞。
[0030]雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然所述諸多實施例僅為了便于說明而舉例而已，并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若干的更動與潤飾，本發(fā)明所主張的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所述為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種上位機(jī)失效處理方法，用于在半導(dǎo)體工藝期間上位機(jī)失效時對各半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行控制，其特征在于，所述上位機(jī)失效處理方法由下位機(jī)執(zhí)行，其包括以下步驟: 從所述上位機(jī)獲取所述半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段；以及 當(dāng)接收上位機(jī)失效信號時，根據(jù)當(dāng)前所述半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段對所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)進(jìn)行相應(yīng)控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上位機(jī)失效處理方法，其特征在于，所述工藝階段包括工藝準(zhǔn)備階段，主工藝階段以及工藝結(jié)束階段。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的上位機(jī)失效處理方法，其特征在于，還包括:存儲所述工藝結(jié)束階段所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的上位機(jī)失效處理方法，其特征在于，若接收所述上位機(jī)失效信號時，所述半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段為工藝準(zhǔn)備階段，則將所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)設(shè)為所述工藝結(jié)束階段的工藝參數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上位機(jī)失效處理方法，其特征在于，若接收所述上位機(jī)失效信號時，所述半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段為主工藝階段，則維持當(dāng)前所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)，直至所述主工藝階段完成時將該些工藝參數(shù)設(shè)為所述工藝結(jié)束階段的工藝參數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的上位機(jī)失效處理方法，其特征在于，根據(jù)所述半導(dǎo)體工藝進(jìn)入所述主工藝階段的時刻、接收所述上位機(jī)失效信號的時刻以及所述主工藝階段所需的時間，獲得所述上位機(jī)失效時所述主工藝階段的剩余時間，并根據(jù)該剩余時間計時計算以判斷所述主工藝級階段是否完成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上位機(jī)失效處理方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體設(shè)備為立式擴(kuò)散/氧化爐，所述半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)包括爐絲溫度、閥體的開關(guān)狀態(tài)、氣體的流量、運動部件的狀態(tài)。
8.—種上位機(jī)失效處理裝置，用于在半導(dǎo)體工藝期間上位機(jī)失效時對各半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行控制，其特征在于，所述失效處理裝置包含于下位機(jī)中，其包括: 第一接收模塊，用于從所述上位機(jī)獲取所述半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段； 第二接收模塊，用于接收上位機(jī)失效信號；以及 控制模塊，與所述第一接收模塊和第二接收模塊相連，用于根據(jù)接收該上位機(jī)失效信號時所述半導(dǎo)體工藝所處的工藝階段對所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)進(jìn)行相應(yīng)控制。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的上位機(jī)失效處理裝置，其特征在于，所述工藝階段包括工藝準(zhǔn)備階段，主工藝階段以及工藝結(jié)束階段。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的上位機(jī)失效處理裝置，其特征在于，所述控制模塊包括存儲子模塊，用于存儲所述工藝結(jié)束 階段所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的上位機(jī)失效處理裝置，其特征在于，若所述第二接收模塊接收所述上位機(jī)失效信號時，所述第一接收模塊獲取的所述工藝階段為工藝準(zhǔn)備階段，則所述控制模塊將所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)設(shè)為所述工藝結(jié)束階段的工藝參數(shù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的上位機(jī)失效處理裝置，其特征在于，若所述第二接收模塊接收所述上位機(jī)失效信號時，所述第一接收模塊獲取的所述工藝階段為主工藝階段，則所述控制模塊維持當(dāng)前所述各半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)，直至所述主工藝階段完成時將該些工藝參數(shù)設(shè)為所述工藝結(jié)束階段的工藝參數(shù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的上位機(jī)失效處理裝置，其特征在于，所述控制模塊包括計時子模塊，其中設(shè)有所述主工藝階段所需的時間，所述計時子模塊根據(jù)所述第一接收模塊獲取所述半導(dǎo)體工藝進(jìn)入所述主工藝階段的時刻、所述第二接收模塊接收所述上位機(jī)失效信號的時刻以及所述主工藝階段所需的時間，獲得所述上位機(jī)失效時所述主工藝階段的剩余時間，并根據(jù)該剩余時間計時計算以判斷所述主工藝級階段是否完成。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的上位機(jī)失效處理裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體設(shè)備為立式擴(kuò)散/氧化爐，所述半導(dǎo)體設(shè)備的工藝參數(shù)包括爐絲溫度、閥體的開關(guān)狀態(tài)、氣體的流量、運動部件的 狀態(tài)。
【文檔編號】G05B19/418GK103809576SQ201410072416
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2014年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月28日
【發(fā)明者】付運濤, 張海輪 申請人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司