專(zhuān)利名稱(chēng)：調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種調(diào)制深度的控制電路，特別是一種調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路。
背景技術(shù)：
RFID技術(shù)是近幾年來(lái)新發(fā)展起來(lái)的一項(xiàng)新技術(shù)，其技術(shù)實(shí)現(xiàn)涉及射頻、基帶算法處理、微電子、控制等多個(gè)學(xué)科。按照UHF波段的ISO18000-6B空氣接口通信協(xié)議，要求射頻發(fā)射電路的調(diào)制深度為13％-17％或90％-99％。
對(duì)這種調(diào)制深度的調(diào)節(jié)，現(xiàn)有技術(shù)一般采用二種技術(shù)方案。一種是采用模擬射頻發(fā)射電路，存在器件多、電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜、功耗大且控制速度慢等缺陷。另一種方案是采用CPU的全數(shù)字調(diào)制信號(hào)電路，但為得到全模擬的電壓控制信號(hào)，需要另外使用D/A模塊，增加了電路的復(fù)雜程度，同時(shí)也帶來(lái)程序控制的不便。同時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)對(duì)高速信號(hào)的控制，還要選用高速的D/A模塊，不但增加了整個(gè)系統(tǒng)的開(kāi)銷(xiāo)，而且還會(huì)影響電路的實(shí)時(shí)處理速度。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的模擬射頻發(fā)射電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜、功耗大且控制速度慢和CPU全數(shù)字調(diào)制信號(hào)電路需要使用D/A模塊、增加電路復(fù)雜程度且影響實(shí)時(shí)處理速度的技術(shù)問(wèn)題，提供一種對(duì)調(diào)制深度進(jìn)行控制的全數(shù)字控制電路，不但簡(jiǎn)化了電路、降低了系統(tǒng)成本，而且便于控制，有效提高了整個(gè)電路的實(shí)時(shí)處理能力。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路，包括射頻功率放大器，所述射頻功率放大器的前級(jí)連接一用于控制深度調(diào)制的第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊，所述射頻功率放大器的后級(jí)連接一用于控制淺度調(diào)制的第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊，所述第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊和第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊均與一提供數(shù)字調(diào)制信號(hào)的中心控制電路連接。
在上述技術(shù)方案中，所述第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊包括第一射頻開(kāi)關(guān)和第一π形衰減器，所述第一射頻開(kāi)關(guān)的射頻一端與所述射頻功率放大器連接，射頻二端與所述第一π形衰減器連接，控制端與所述中心控制電路連接。所述第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊包括第二射頻開(kāi)關(guān)、第三射頻開(kāi)關(guān)和第二π形衰減器，所述第二射頻開(kāi)關(guān)的公共端與所述射頻功率放大器連接，第二射頻開(kāi)關(guān)和第三射頻開(kāi)關(guān)的射頻一端相互直接連接，射頻二端之間串接第二π形衰減器，第二射頻開(kāi)關(guān)和第三射頻開(kāi)關(guān)的控制端與所述中心控制電路連接。所述中心控制電路為提供高低電平隨時(shí)間變化的數(shù)字調(diào)制信號(hào)的中心控制電路。所述的深度調(diào)制是90％-99％的調(diào)制深度，淺度調(diào)制為13％-17％的調(diào)制深度。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型還提供了一種調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路，包括射頻功率放大器，其特征在于，所述射頻功率放大器的后級(jí)連接一用于控制淺度調(diào)制的第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊，所述第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊連接一提供數(shù)字調(diào)制信號(hào)的中心控制電路。
在上述技術(shù)方案中，所述第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊包括第二射頻開(kāi)關(guān)、第三射頻開(kāi)關(guān)和第二π形衰減器，所述第二射頻開(kāi)關(guān)的公共端與所述射頻功率放大器連接，第二射頻開(kāi)關(guān)和第三射頻開(kāi)關(guān)的射頻一端相互直接連接，射頻二端之間串接第二π形衰減器，第二射頻開(kāi)關(guān)和第三射頻開(kāi)關(guān)的控制端與所述中心控制電路連接。所述中心控制電路為提供高低電平隨時(shí)間變化的數(shù)字調(diào)制信號(hào)的中心控制電路，所述淺度調(diào)制為13％-17％的調(diào)制深度。
本實(shí)用新型提出了一種調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路，在射頻功率放大器的前級(jí)連接一個(gè)由第一射頻開(kāi)關(guān)和第一π形衰減器組成的第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊，用來(lái)提供90％-99％的調(diào)制深度控制，在射頻功率放大器的后級(jí)連接一個(gè)由第二射頻開(kāi)關(guān)、第三射頻開(kāi)關(guān)和第二π形衰減器組成的第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊，用來(lái)提供13％-17％的調(diào)制深度控制。所述第一射頻開(kāi)關(guān)、第二射頻開(kāi)關(guān)和第三射頻開(kāi)關(guān)由中心控制電路提供的數(shù)字調(diào)制信號(hào)進(jìn)行控制。
本實(shí)用新型技術(shù)方案采用射頻開(kāi)關(guān)和模擬衰減器的不同組合，以全數(shù)字接口實(shí)現(xiàn)對(duì)發(fā)射信號(hào)調(diào)制深度的控制，每個(gè)射頻開(kāi)關(guān)只使用一根控制信號(hào)線來(lái)控制，控制信號(hào)采用TTL電平，由CPU輸出的控制信號(hào)通過(guò)程序直接控制，或使用簡(jiǎn)單處理器便都能夠提供該控制信號(hào)。因此本實(shí)用新型調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路使用器件少、電路結(jié)構(gòu)清晰、控制方式簡(jiǎn)單、易行，同時(shí)還具有控制速度快的特點(diǎn)，可達(dá)到10ns量級(jí)，能夠輕易完成對(duì)高速率發(fā)射信號(hào)的調(diào)制深度的控制。本實(shí)用新型用于UHF波段的RFID讀寫(xiě)器的發(fā)射電路中，在射頻識(shí)別數(shù)據(jù)的上行鏈路中實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)調(diào)制深度的控制，符合18000-6B協(xié)議的要求。
下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為本實(shí)用新型調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路第一方案結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路第一方案電路圖；圖3為本實(shí)用新型調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路第二方案結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路第二方案電路圖；圖5為本實(shí)用新型調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路第三方案結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本實(shí)用新型調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路第三方案電路圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明1-第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊； 2-第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊；3-中心控制電路； Q-射頻功率放大器；U1-第一射頻開(kāi)關(guān)； U2-第二射頻開(kāi)關(guān)；U3-第三射頻開(kāi)關(guān)； S1-第一π形衰減器；S2-第二π形衰減器。
具體實(shí)施方式
圖1為本實(shí)用新型調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路第一方案結(jié)構(gòu)示意圖，該方案包括第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1、第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2、中心控制電路3和射頻功率放大器Q，其中第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1、射頻功率放大器Q和第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2依次串接在載波信號(hào)的輸入端UI和輸出端UO之間，中心控制電路3分別與第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1和第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2連接。設(shè)置在射頻功率放大器Q前級(jí)的第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1根據(jù)中心控制電路3提供的數(shù)字調(diào)制信號(hào)A實(shí)現(xiàn)載波的深度調(diào)制，設(shè)置在射頻功率放大器Q后級(jí)的第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2根據(jù)中心控制電路3提供的數(shù)字調(diào)制信號(hào)B實(shí)現(xiàn)載波的淺度調(diào)制。
射頻開(kāi)關(guān)控制模塊由射頻開(kāi)關(guān)和π形衰減器組成，射頻開(kāi)關(guān)是一個(gè)可控的射頻通道切換器件，具有公共端RF、射頻一端RF1、射頻二端RF2和控制端C，控制端C與中心控制電路3連接，射頻二端RF2串接π形衰減器。從公共端RF輸入的載波信號(hào)經(jīng)射頻開(kāi)關(guān)的射頻一端RF1而不經(jīng)過(guò)π形衰減器構(gòu)成載波信號(hào)的直通通道，載波信號(hào)經(jīng)射頻開(kāi)關(guān)的射頻二端RF2和與之相連的π形衰減器構(gòu)成了載波信號(hào)的衰減通道，兩個(gè)通道之間的切換由中心控制電路3輸出的數(shù)字調(diào)制信號(hào)控制。當(dāng)控制信號(hào)為高電平時(shí)，射頻開(kāi)關(guān)就切換到衰減通道；當(dāng)控制信號(hào)為低電平時(shí)，射頻開(kāi)關(guān)就切換到直通通道。具體地說(shuō)，當(dāng)中心控制電路3向第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2輸出低電平信號(hào)BL、向第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1輸出隨時(shí)間變化的高低電平信號(hào)AV時(shí)，第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2保持直通狀態(tài)，而通過(guò)第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1的載波信號(hào)將隨高低電平信號(hào)AV的變化不斷在直通通道和衰減通道之間切換，使輸出端UO獲得深度調(diào)制的載波信號(hào)。當(dāng)中心控制電路3向第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1輸出低電平信號(hào)AL、向第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2輸出隨時(shí)間變化的高低電平控制信號(hào)BV時(shí)，第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1將保持直通狀態(tài)，而通過(guò)第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2的載波信號(hào)將隨高低電平控制信號(hào)BV的變化不斷在直通通道和衰減通道之間切換，使輸出端UO獲得淺度調(diào)制的載波信號(hào)。前述的深度調(diào)制是90％-99％，淺度調(diào)制為13％-17％。更進(jìn)一步地，數(shù)字調(diào)制信號(hào)為高低電平隨時(shí)間變化的TTL電平，由CPU通過(guò)程序直接控制或使用簡(jiǎn)單處理器提供。
圖2為本實(shí)用新型調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路第一方案電路圖。第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1包括第一射頻開(kāi)關(guān)U1和第一π形衰減器S1，第一射頻開(kāi)關(guān)U1的公共端RF接輸入端UI，射頻一端RF1接射頻功率放大器Q，射頻二端RF2接第一π形衰減器S1，控制端C接中心控制電路3，接收其輸出的數(shù)字調(diào)制信號(hào)A，第一π形衰減器S1由電阻R1、R2和R3組成。第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2包括第二射頻開(kāi)關(guān)U2、第三射頻開(kāi)關(guān)U3和第二π形衰減器S2，其中第二射頻開(kāi)關(guān)U2的公共端RF接射頻功率放大器Q，第三射頻開(kāi)關(guān)U3的公共端RF接輸出端UO，第二射頻開(kāi)關(guān)U2和第三射頻開(kāi)關(guān)U3的射頻一端RF1相互直接連接，射頻二端RF2之間串接第二π形衰減器S2，控制端C接中心控制電路3，接收其輸出的數(shù)字調(diào)制信號(hào)B，第二π形衰減器S2由電阻R4、R5和R6組成。
如圖2所示，當(dāng)中心控制電路3提供的數(shù)字調(diào)制信號(hào)B為低電平BL時(shí)，使得射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2保持直通狀態(tài)，同時(shí)在第一射頻開(kāi)關(guān)U1的控制端C輸入數(shù)字調(diào)制信號(hào)A為隨時(shí)間變化的高低電平控制信號(hào)AV，控制輸入的載波信號(hào)隨控制信號(hào)AV高低電平的變化在直通通道和衰減通道之間切換。具體地說(shuō)，當(dāng)控制信號(hào)AV為高電平時(shí)，載波信號(hào)被第一射頻開(kāi)關(guān)U1切到射頻二端RF2，進(jìn)入由R1、R2和R3組成的第一π形衰減器S1，經(jīng)衰減后進(jìn)入射頻功率放大器Q；當(dāng)控制信號(hào)AV為低電平時(shí)，載波信號(hào)在第一射頻開(kāi)關(guān)U1被切到射頻一端RF1，無(wú)衰減地直接進(jìn)入射頻功率放大器Q。經(jīng)射頻功率放大器Q的載波信號(hào)經(jīng)第二射頻開(kāi)關(guān)U2的公共端RF、射頻一端RF1和第三射頻開(kāi)關(guān)U3的射頻一端RF1、公共端RF直接輸出到輸出端UO。這樣就在輸出端UO得到幅度隨數(shù)字調(diào)制信號(hào)A變化的調(diào)制了的載波信號(hào)，調(diào)制深度為90％-99％，即深度調(diào)制。
如圖2所示，當(dāng)中心控制電路3提供的數(shù)字調(diào)制信號(hào)A為低電平AL時(shí)，第一射頻開(kāi)關(guān)U1保持直通狀態(tài)，同時(shí)在第二、第三射頻開(kāi)關(guān)U2、U3輸入的數(shù)字調(diào)制信號(hào)B為隨時(shí)間變化的高低電平控制信號(hào)BV，則經(jīng)射頻功率放大器Q的載波信號(hào)被第二、第三射頻開(kāi)關(guān)U2、U3在直通通道和衰減通道之間切換。具體地說(shuō)，當(dāng)控制信號(hào)BV為高電平時(shí)，載波信號(hào)被第二射頻開(kāi)關(guān)U2切到其射頻二端RF2，被切入由R4、R5和R6組成的第二π形衰減器S2，衰減后的載波信號(hào)經(jīng)第三射頻開(kāi)關(guān)U3的射頻二端RF2、公共端RF輸出到輸出端UO。當(dāng)控制信號(hào)BV為低電平時(shí)，載波信號(hào)被第二射頻開(kāi)關(guān)U2切到其射頻一端RF1，經(jīng)第三射頻開(kāi)關(guān)U3的射頻一端RF1、公共端RF無(wú)衰減地直接輸出到輸出端UO。這樣就在輸出端UO得到幅度隨數(shù)字調(diào)制信號(hào)B變化的調(diào)制了的載波信號(hào)，調(diào)制深度為13％-17％，即淺度調(diào)制。
在上述技術(shù)方案中，控制信號(hào)AV、BV是高低電平變化的串行碼，這個(gè)串行碼的碼速率可以很高(甚至是10ns量級(jí))。控制信號(hào)A保持低電平AL、控制信號(hào)B為串行碼BV時(shí)，得到淺度調(diào)制的載波?？刂菩盘?hào)B保持低電平BL、控制信號(hào)A為串行碼AV時(shí)，得到深度調(diào)制的載波。
圖3為本實(shí)用新型調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路第二方案結(jié)構(gòu)示意圖，該方案包括第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2、中心控制電路3和射頻功率放大器Q，其中射頻功率放大器Q和第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2串接在載波信號(hào)的輸入端UI和輸出端UO之間，中心控制電路3與第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2連接。設(shè)置在射頻功率放大器Q后級(jí)的第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2根據(jù)中心控制電路3輸入的數(shù)字調(diào)制信號(hào)B對(duì)載波進(jìn)行淺度調(diào)制。具體地說(shuō)，當(dāng)中心控制電路3向第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2輸出隨時(shí)間變化的高低電平控制信號(hào)BV時(shí)，通過(guò)第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2的載波信號(hào)將隨高低電平控制信號(hào)BV的變化不斷在直通通道和衰減通道之間切換，使輸出端UO獲得淺度調(diào)制的載波信號(hào)。所述淺度調(diào)制為13％-17的調(diào)制深度。更進(jìn)一步地，數(shù)字調(diào)制信號(hào)為高低電平隨時(shí)間變化的TTL電平，可以由CPU通過(guò)程序直接控制或使用簡(jiǎn)單處理器提供。
圖4為本實(shí)用新型調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路第二方案電路圖。第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊2包括第二、第三射頻開(kāi)關(guān)U2、U3和第二π形衰減器S2，其中第二射頻開(kāi)關(guān)U2的公共端RF接射頻功率放大器Q，第三射頻開(kāi)關(guān)U3的公共端RF接輸出端UO，第二、第三射頻開(kāi)關(guān)U2、U3的射頻一端RF1相互直接連接，射頻二端RF2之間串接第二π形衰減器S2，控制端C接中心控制電路3，接收其輸出的數(shù)字調(diào)制信號(hào)B，第二π形衰減器S2由電阻R4、R5和R6組成。
如圖4所示，當(dāng)中心控制電路3提供的數(shù)字調(diào)制信號(hào)B為隨時(shí)間變化的高低電平控制信號(hào)BV時(shí)，使得經(jīng)射頻功率放大器Q輸出的載波信號(hào)隨此控制信號(hào)BV在直通通道和衰減通道之間切換。具體地說(shuō)，當(dāng)控制信號(hào)BV為高電平時(shí)，載波信號(hào)被第二射頻開(kāi)關(guān)U2切到其射頻二端RF2，被切入由R4、R5和R6組成的第二π形衰減器S2，衰減后的載波信號(hào)經(jīng)第三射頻開(kāi)關(guān)U3的射頻二端RF2、公共端RF輸出到輸出端UO。當(dāng)控制信號(hào)BV為低電平時(shí)，載波信號(hào)被第二射頻開(kāi)關(guān)U2切到其射頻一端RF1，經(jīng)第三射頻開(kāi)關(guān)U3的射頻一端RF1、公共端RF無(wú)衰減地直接輸出到輸出端UO。這樣就在輸出端UO得到幅度隨數(shù)字調(diào)制信號(hào)B變化的調(diào)制了的載波信號(hào)，調(diào)制深度為13％-17％，即淺度調(diào)制。
圖5為本實(shí)用新型調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路第三方案結(jié)構(gòu)示意圖，該方案包括第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1、中心控制電路3和射頻功率放大器Q，其中，第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1和射頻功率放大器Q串接在載波信號(hào)的輸入端UI和輸出端UO之間，中心控制電路3與第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1連接。設(shè)置在射頻功率放大器Q前級(jí)的第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1根據(jù)中心控制電路3提供的數(shù)字調(diào)制信號(hào)A對(duì)載波進(jìn)行深度調(diào)制。具體地說(shuō)，當(dāng)中心控制電路3向第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1輸出隨時(shí)間變化的高低電平信號(hào)AV時(shí)，通過(guò)第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1的載波信號(hào)將隨高低電平信號(hào)AV的變化不斷在直通通道和衰減通道之間切換，使輸出端UO獲得深度調(diào)制的載波信號(hào)。所述深度調(diào)制為90％-99％。更進(jìn)一步地，數(shù)字調(diào)制信號(hào)為高低電平隨時(shí)間變化的TTL電平，可以由CPU通過(guò)程序直接控制或使用簡(jiǎn)單處理器提供。
圖6為本實(shí)用新型調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路第三方案電路圖。第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊1包括第一射頻開(kāi)關(guān)U1和第一π形衰減器S1，第一射頻開(kāi)關(guān)U1的公共端RF接輸入端UI，射頻一端RF1接射頻功率放大器Q，射頻二端RF2接第一π形衰減器S1，控制端C接中心控制電路3，接收其輸出的數(shù)字調(diào)制信號(hào)A，第一π形衰減器S1由電阻R1、R2和R3組成。
如圖6所示，當(dāng)中心控制電路3向第一射頻開(kāi)關(guān)U1輸入的數(shù)字調(diào)制信號(hào)A為隨時(shí)間變化的高低電平控制信號(hào)AV時(shí)，使得載波信號(hào)隨控制信號(hào)AV在直通通道和衰減通道之間切換。具體地說(shuō)，當(dāng)控制信號(hào)AV為高電平時(shí)，載波信號(hào)被第一射頻開(kāi)關(guān)U1切到射頻二端RF2，被切入由R1、R2和R3組成的第一π形衰減器S1，經(jīng)衰減后進(jìn)入射頻功率放大器Q；當(dāng)控制信號(hào)AV為低電平時(shí)，載波信號(hào)被第一射頻開(kāi)關(guān)U1切到射頻一端RF1，載波信號(hào)無(wú)衰減地直接進(jìn)入射頻功率放大器Q。這樣就在輸出端UO得到幅度隨數(shù)字調(diào)制信號(hào)A變化的調(diào)制了的載波信號(hào)，調(diào)制深度為90％-99％，即深度調(diào)制。
綜上所述，本實(shí)用新型調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路采用射頻開(kāi)關(guān)和模擬衰減器的不同組合，以全數(shù)字接口實(shí)現(xiàn)對(duì)發(fā)射信號(hào)調(diào)制深度的控制。整個(gè)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、清晰，控制方式靈活、控制速度快，可達(dá)到10ns量級(jí)，用于UHF波段的RFID讀寫(xiě)器的發(fā)射電路中，在射頻識(shí)別數(shù)據(jù)的上行鏈路中實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)調(diào)制深度的控制，符合18000-6B協(xié)議的要求。
最后所應(yīng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求1.一種調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路，包括射頻功率放大器，其特征在于，所述射頻功率放大器的前級(jí)連接一用于控制深度調(diào)制的第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊，所述射頻功率放大器的后級(jí)連接一用于控制淺度調(diào)制的第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊，所述第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊和第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊均與一提供數(shù)字調(diào)制信號(hào)的中心控制電路連接。
2.如權(quán)利要求1所述的調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路，其特征在于，所述第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊包括第一射頻開(kāi)關(guān)和第一π形衰減器，所述第一射頻開(kāi)關(guān)的射頻一端與所述射頻功率放大器連接，射頻二端與所述第一π形衰減器連接，控制端與所述中心控制電路連接。
3.如權(quán)利要求1所述的調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路，其特征在于，所述第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊包括第二射頻開(kāi)關(guān)、第三射頻開(kāi)關(guān)和第二π形衰減器，所述第二射頻開(kāi)關(guān)的公共端與所述射頻功率放大器連接，第二射頻開(kāi)關(guān)和第三射頻開(kāi)關(guān)的射頻一端相互直接連接，射頻二端之間串接第二π形衰減器，第二射頻開(kāi)關(guān)和第三射頻開(kāi)關(guān)的控制端與所述中心控制電路連接。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路，其特征在于，所述中心控制電路為提供高低電平隨時(shí)間變化的數(shù)字調(diào)制信號(hào)的中心控制電路。
5.如權(quán)利要求1所述的調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路，其特征在于，所述第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊是控制90％-99％調(diào)制深度的射頻開(kāi)關(guān)控制模塊，所述第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊是控制13％-17％調(diào)制深度的射頻開(kāi)關(guān)控制模塊。
6.一種調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路，包括射頻功率放大器，其特征在于，所述射頻功率放大器的后級(jí)連接一用于控制淺度調(diào)制的第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊，所述第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊連接一提供數(shù)字調(diào)制信號(hào)的中心控制電路。
7.如權(quán)利要求6所述的調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路，其特征在于，所述第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊包括第二射頻開(kāi)關(guān)、第三射頻開(kāi)關(guān)和第二π形衰減器，所述第二射頻開(kāi)關(guān)的公共端與所述射頻功率放大器連接，第二射頻開(kāi)關(guān)和第三射頻開(kāi)關(guān)的射頻一端相互直接連接，射頻二端之間串接第二π形衰減器，第二射頻開(kāi)關(guān)和第三射頻開(kāi)關(guān)的控制端與所述中心控制電路連接。
8.如權(quán)利要求6或7所述的調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路，其特征在于，所述中心控制電路為提供高低電平隨時(shí)間變化的數(shù)字調(diào)制信號(hào)的中心控制電路。
9.如權(quán)利要求6所述的調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路，其特征在于，所述第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊是控制13％-17％調(diào)制深度的射頻開(kāi)關(guān)控制模塊。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種調(diào)制深度的全數(shù)字控制電路，包括射頻功率放大器，所述射頻功率放大器的前級(jí)連接一用于控制深度調(diào)制的第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊，其后級(jí)連接一用于控制淺度調(diào)制的第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊，所述第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊和第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊均與一提供數(shù)字調(diào)制信號(hào)的中心控制電路連接。第一射頻開(kāi)關(guān)控制模塊包括第一射頻開(kāi)關(guān)和第一π形衰減器，第二射頻開(kāi)關(guān)控制模塊包括第二射頻開(kāi)關(guān)、第三射頻開(kāi)關(guān)和第二π形衰減器。本實(shí)用新型整個(gè)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、清晰，控制方式靈活、控制速度快，可達(dá)到10ns量級(jí)，用于UHF波段的RFID讀寫(xiě)器的發(fā)射電路中，在射頻識(shí)別數(shù)據(jù)的上行鏈路中實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)調(diào)制深度的控制，符合18000－6B協(xié)議的要求。
文檔編號(hào)G06K19/00GK2852263SQ20052003792
公開(kāi)日2006年12月27日 申請(qǐng)日期2005年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月29日
發(fā)明者劉煜, 邸金山, 張其善, 鄭銘, 劉紅, 濮劍鋒 申請(qǐng)人:張其善, 鄭銘, 吳鑫山, 王力軍