專利名稱：觸控感測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及觸控感測(cè)技術(shù)，特別是涉及一種適用于感測(cè)陣列之觸控感測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
圖I表示單一物體觸控感測(cè)陣列中一感測(cè)列之示意圖。參閱圖I,感測(cè)列10包括配置成一列之復(fù)數(shù)感測(cè)塊Cl-I C1-14。一般而言，對(duì)感測(cè)列10的一次觸控偵測(cè)會(huì)導(dǎo)致一系列的信號(hào)讀取。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)單一物體(例如一手指，即單一觸控點(diǎn))11觸控感測(cè)列10上鄰近感測(cè)塊C1-6與C1-7附近之位置時(shí)，自感測(cè)塊Cl-I C1-14讀出的復(fù)數(shù)感測(cè)資料信號(hào)之強(qiáng)度呈現(xiàn)一高斯曲線(Gaussian Curve)。另,在一些應(yīng)用中，感測(cè)列10可能被復(fù)數(shù)物體所觸控，參照?qǐng)D2表示兩物體觸控感測(cè)陣列中一感測(cè)列之示意圖，當(dāng)一物體20觸控感測(cè) 列10上鄰近感測(cè)塊C1-4附近之位置，而另一物體21觸控感測(cè)列10上鄰近感測(cè)塊C1-8附近之位置時(shí)，自感測(cè)塊Cl-I C1-14讀出的復(fù)數(shù)感測(cè)資料信號(hào)之強(qiáng)度呈現(xiàn)兩個(gè)高斯曲線。在習(xí)知技術(shù)中，根據(jù)高斯曲線可區(qū)別出真正表示觸控感測(cè)列10受到觸控之實(shí)際資料與干擾雜訊。一般而言，大多會(huì)設(shè)定一最小臨界值以判斷出實(shí)際資料。然而，假使感測(cè)列10上被觸控的面積相對(duì)小，那么此觸控所衍生的實(shí)際資料將會(huì)被視為干擾雜訊，因此在此情況下設(shè)定最小臨界值給高斯曲線之方式則不再適用。因此，期望提供一種觸控感測(cè)方法及觸控感測(cè)裝置，能精確地偵測(cè)出觸控感測(cè)陣列之物體位置等觸控狀況。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種觸控感測(cè)裝置，用以偵測(cè)一感測(cè)陣列。此感測(cè)陣列包括至少一感測(cè)列。此觸控感測(cè)裝置包括計(jì)算單元、判斷單元、以及偵測(cè)單元。計(jì)算單元根據(jù)自感測(cè)列擷取之復(fù)數(shù)感測(cè)資料信號(hào)獲得一感測(cè)曲線。判斷單元判斷此感測(cè)曲線之一曲線特征是否與復(fù)數(shù)預(yù)設(shè)曲線特征之一者相同。偵測(cè)單元根據(jù)關(guān)于測(cè)感測(cè)列之判斷結(jié)果來(lái)偵測(cè)感測(cè)陣列之觸控狀況。在一實(shí)施例中，該觸控裝置包括一計(jì)算單元，用以計(jì)算所述感測(cè)資料信號(hào)中每?jī)筛袦y(cè)資料信號(hào)之差以獲得復(fù)數(shù)差動(dòng)值，且根據(jù)所述差動(dòng)值來(lái)獲得所述感測(cè)曲線；一判斷單元，用以判斷所述感測(cè)曲線之一曲線特征是否與復(fù)數(shù)預(yù)設(shè)曲線特征之一者相同；以及一偵測(cè)單元，用以根據(jù)關(guān)于所述感測(cè)列之所述判斷結(jié)果來(lái)偵測(cè)所述感測(cè)列之觸控狀況。在另一實(shí)施例中，該觸控裝置包括一計(jì)算單元，用以根據(jù)自所述感測(cè)列擷取之復(fù)數(shù)感測(cè)資料信號(hào)獲得一感測(cè)曲線；一判斷單元，用以判斷所述感測(cè)曲線之一曲線輪廓是否與復(fù)數(shù)預(yù)設(shè)曲線輪廓之一者相同；以及一偵測(cè)單元，用以根據(jù)關(guān)于所述感測(cè)列之所述判斷結(jié)果來(lái)偵測(cè)所述感測(cè)列之觸控狀況。根據(jù)本實(shí)用新型之觸控感測(cè)裝置，關(guān)于待偵測(cè)感測(cè)列之感測(cè)曲線的特征可與預(yù)設(shè)的曲線特征進(jìn)行比對(duì)。藉由曲線特征的比對(duì)，可降低干擾雜訊對(duì)于感測(cè)陣列的偵測(cè)影響，并能提高偵測(cè)感測(cè)陣列觸控狀況的精確度。

下面結(jié)合具體實(shí)施方式
及附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。圖I為單一物體觸控感測(cè)陣列中一感測(cè)列之示意圖。圖2為兩物體觸控感測(cè)陣列中一感測(cè)列之示意圖。圖3為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例之觸控感測(cè)裝置的示意方塊圖。圖4為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例圖3之感測(cè)陣列。圖5A 5C為一感測(cè)列之觸控情況以及對(duì)應(yīng)之一系列差動(dòng)值與曲線輪廓。 圖6A 6B、7A 7B、8A 8B、9A 9B、10A 10B、以及IlA IlB為其他樣態(tài)之一系列差動(dòng)值以及對(duì)應(yīng)之曲線輪廓。圖12為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例之觸控感測(cè)方法的示意流程圖。圖13A-13C為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例，一感測(cè)列之觸控情況以及感測(cè)資料信號(hào)對(duì)應(yīng)之差動(dòng)值與曲線輪廓的一例子。圖14A-14C為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例，一感測(cè)列之觸控情況以及感測(cè)資料信號(hào)對(duì)應(yīng)之差動(dòng)值與曲線輪廓的另一例子。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型之上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。圖3表示根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例之觸控感測(cè)裝置的示意方塊圖。如圖3所示，觸控感測(cè)裝置3用來(lái)偵測(cè)施加在感測(cè)陣列4上的觸控狀況。圖4表示根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例圖3之感測(cè)陣列，如圖4所示，感測(cè)陣列4包括感測(cè)列4-1 4-N(N為正整數(shù))，每一感測(cè)列具有復(fù)數(shù)個(gè)感測(cè)塊。例如，感測(cè)列4-1包括感測(cè)塊C4-1 C4-M(M為正整數(shù))。觸控感測(cè)裝置3包括計(jì)算單元30、判斷單元31、以及偵測(cè)單元32。判斷單元31包括一記憶體310以及一曲線處理器311，其中，記憶體310用來(lái)儲(chǔ)存復(fù)數(shù)種預(yù)設(shè)曲線特征。在此實(shí)施例中，這些預(yù)設(shè)曲線特征是指曲線輪廓，而每一曲線輪廓是根據(jù)一系列不受干擾雜訊影響之復(fù)數(shù)差動(dòng)值而獲得的。請(qǐng)參閱圖5A 5C，表示一感測(cè)列之觸控情況以及對(duì)應(yīng)之一系列差動(dòng)值與曲線輪廓。如圖5A所示，為一感測(cè)列5之觸控情況，假設(shè)一感測(cè)列5具有復(fù)數(shù)感測(cè)塊C5-1 C5-M。在不受干擾雜訊影響之下，當(dāng)單一物體(例如一手指，即單一觸控點(diǎn))50觸控感測(cè)列5上對(duì)應(yīng)感測(cè)塊C5-6之位置時(shí)，自感測(cè)塊C5-1 C5-M讀出的感測(cè)資料信號(hào)之強(qiáng)度呈現(xiàn)一高斯曲線(Gaussian Curve)G50o此時(shí)，根據(jù)感測(cè)資料信號(hào)中每?jī)筛袦y(cè)資料信號(hào)之差可獲得復(fù)數(shù)差動(dòng)值。圖5B所示的差動(dòng)值D5-1 D5-4是當(dāng)單一物體50觸控感測(cè)列5時(shí)的有意義差動(dòng)值，舉例來(lái)說(shuō)，差動(dòng)值D5-1是感測(cè)塊C5-5與C5-6之感測(cè)資料信號(hào)間的差值，差動(dòng)值D5-2是感測(cè)塊C5-6與C5-7之感測(cè)資料信號(hào)間的差值。根據(jù)差動(dòng)值D5-1 D5-4可獲得對(duì)應(yīng)之感測(cè)曲線P50，如圖5C所示。在此實(shí)施例中，曲線輪廓可由以下6個(gè)幾何符號(hào)來(lái)表示(I)正三角形贏表示一全范圍，其中對(duì)應(yīng)之復(fù)數(shù)差動(dòng)值皆為正值，且該復(fù)數(shù)差動(dòng)值從左至右依次先增大后減小。(2)倒正三角形▼:表示一全范圍，其中對(duì)應(yīng)之差動(dòng)值皆為負(fù)值，且該復(fù)數(shù)差動(dòng)值從左至右依次先減小后增大。(3)直角三角形表示一半范圍，其中對(duì)應(yīng)之差動(dòng)值皆為正值，且該復(fù)數(shù)差動(dòng)值從左至右依次減小。(4)倒直角三角形表示一半范圍，其中對(duì)應(yīng)之差動(dòng)值皆為負(fù)值，且該復(fù)數(shù)差動(dòng)值從左至右依次增大。(5)兩個(gè)正三角形▲▲:表示兩個(gè)全范圍峰值，其中對(duì)應(yīng)之差動(dòng)值皆為正值。
(6)兩個(gè)倒正三角形▼ ▼:表示兩個(gè)全范圍峰值，其中對(duì)應(yīng)之差動(dòng)值皆為負(fù)值。請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D5B 5C，在單一觸控點(diǎn)(即單一物體50之觸控)下產(chǎn)生兩個(gè)負(fù)差動(dòng)值D5-1 D5-2以及兩個(gè)正差動(dòng)值D5-3 D5-4，此時(shí)，差動(dòng)值D5-1 D5-4所形成之感測(cè)曲線P50的曲線輪廓以，‘來(lái)表示。請(qǐng)參閱圖6A 6B，為其他樣態(tài)之一系列差動(dòng)值以及對(duì)應(yīng)之曲線輪廓。在單一觸控點(diǎn)下產(chǎn)生兩個(gè)負(fù)差動(dòng)值D6-1 D6-2以及三個(gè)正差動(dòng)值D6-3 D6-5，此時(shí)，差動(dòng)值D6-1 D6-5所形成之感測(cè)曲線P60的曲線輪廓以，▲來(lái)表示。請(qǐng)參閱圖7A 7B，為其他樣態(tài)之一系列差動(dòng)值以及對(duì)應(yīng)之曲線輪廓。在單一觸控點(diǎn)下產(chǎn)生三個(gè)負(fù)差動(dòng)值D7-1 D7-3以及兩個(gè)正差動(dòng)值D7-4 D7-5，此時(shí)，差動(dòng)值D7-1 D7-5所形成之感測(cè)曲線P70的曲線輪廓以▼ ‘來(lái)表示。請(qǐng)參閱圖8A SB，為其他樣態(tài)之一系列差動(dòng)值以及對(duì)應(yīng)之曲線輪廓。在單一觸控點(diǎn)下產(chǎn)生三個(gè)負(fù)差動(dòng)值D8-1 D8-3以及三個(gè)正差動(dòng)值D8-4 D8-6，此時(shí)，差動(dòng)值D8-1 D8-6所形成之感測(cè)曲線P80的曲線輪廓以▼▲來(lái)表示。請(qǐng)參閱圖9A 9B，為其他樣態(tài)之一系列差動(dòng)值以及對(duì)應(yīng)之曲線輪廓。在兩觸控點(diǎn)下產(chǎn)生五個(gè)負(fù)差動(dòng)值D9-1 D9-5以及五個(gè)正差動(dòng)值D9-6 D9-10，此時(shí)，差動(dòng)值D9-1 D9-10所形成之感測(cè)曲線P90的曲線輪廓以▼▲來(lái)表示。根據(jù)圖9B，在前半個(gè)曲線中具有兩個(gè)峰值，分別對(duì)應(yīng)差動(dòng)值D9-2以及D9-5。請(qǐng)參閱圖IOA 10B，為其他樣態(tài)之一系列差動(dòng)值以及對(duì)應(yīng)之曲線輪廓。在兩觸控點(diǎn)下產(chǎn)生五個(gè)負(fù)差動(dòng)值D10-1 D10-5以及五個(gè)正差動(dòng)值D10-6 D10-10，此時(shí)，差動(dòng)值D10-1 D10-10所形成之感測(cè)曲線PlO的曲線輪廓以▼▲▲來(lái)表示。根據(jù)圖10B，在后半個(gè)曲線中具有兩個(gè)峰值，分別對(duì)應(yīng)差動(dòng)值D10-6以及D10-8。請(qǐng)參閱圖IlA 11B，為其他樣態(tài)之一系列差動(dòng)值以及對(duì)應(yīng)之曲線輪廓。在兩觸控點(diǎn)下產(chǎn)生五個(gè)負(fù)差動(dòng)值Dll-I D11-5以及五個(gè)正差動(dòng)值D11-6 D11-10，此時(shí)，差動(dòng)值Dll-I D11-10所形成之感測(cè)曲線Pll的曲線輪廓以▼▼▲▲來(lái)表示。根據(jù)圖11B，在前半個(gè)曲線中具有兩個(gè)峰值，分別對(duì)應(yīng)差動(dòng)值D11-2以及D11-5 ;在后半個(gè)曲線中具有兩個(gè)峰值，分別對(duì)應(yīng)差動(dòng)值Dl 1-6以及Dl 1-9。判斷單元31之記憶體310至少預(yù)先儲(chǔ)存圖5B、圖6B、圖7B、圖8B、圖9B、圖10B、以及圖118中的感測(cè)曲線？50、？60、？70、？80、？90、？10、以及卩11的曲線輪廓作為預(yù)設(shè)曲線輪廓。圖12表示根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例之觸控感測(cè)方法的示意流程圖，適用于觸控感測(cè)裝置3。參閱圖3 4以及圖12，計(jì)算單元30耦接感測(cè)陣列4。計(jì)算單元30自復(fù)數(shù)感測(cè)列4-1 4-N中選擇一者作為待偵測(cè)感測(cè)列以進(jìn)行感測(cè)操作(步驟SlO)，例如選擇感測(cè)列4-1作為待偵測(cè)感測(cè)列。對(duì)感測(cè)列4-1之感測(cè)操作說(shuō)明如下。計(jì)算單元30由感測(cè)列4-1之感測(cè)塊C4-1 C4-M擷取復(fù)數(shù)感測(cè)資料信號(hào)S4-1 S4-M(步驟Sll)。其中，感測(cè)資料信號(hào)S4-1 S4-M分別表示與感測(cè)塊C4-1 C4-M相關(guān)之電容值，這些電容值會(huì)隨著一物體接近感測(cè)塊C4-1 C4-M而改變。計(jì)算單元30計(jì)算感測(cè)資料信號(hào)S4-1 S4-M中每?jī)筛袦y(cè)資料信號(hào)之差以獲得復(fù)數(shù)差動(dòng)值D4-1 D4-X(X為正整數(shù)，且I < X < M)(步驟S12)。計(jì)算單元30根據(jù)這些差動(dòng)值D4-1 D4-X來(lái)獲得對(duì)應(yīng)感測(cè)列4-1之一感測(cè)曲線P40 (步驟S13)。舉例來(lái)說(shuō)，請(qǐng)參閱圖13A-13C，是表示根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例，即一感測(cè)列之觸控情況以及感測(cè)資料信號(hào)對(duì)應(yīng)之差動(dòng)值與曲線輪廓的一例子。當(dāng)單一物體(例如一手指，即單一觸控點(diǎn))130觸控感測(cè)列4-1上鄰近感測(cè)塊C4-6與C4-7之位置時(shí)，自感測(cè)塊C4-1 C4-M讀出的感測(cè)資料信號(hào)S4-1 S4-M之強(qiáng)度呈現(xiàn)一高斯曲線(Gaussian Curve) G130o計(jì)算單元30由感測(cè)列4-1之感測(cè)塊C4-1 C4-M擷取感測(cè)資料信號(hào)S4-1 S4-M (步驟Sll)，且計(jì)算感測(cè)資料信號(hào)S4-1 S4-M中每?jī)筛袦y(cè)資料信號(hào)之差以獲得復(fù)數(shù)差動(dòng)值D4-1 D4-X(步驟S12)。圖13B所示的差動(dòng)值D4-1 D4-5是當(dāng)單一物體130觸控感測(cè)列4_1時(shí)的有意義差動(dòng)值，舉例來(lái)說(shuō)，差動(dòng)值D4-1是感測(cè)塊C4-5與C4-6之感測(cè)資料信號(hào)S4-5與·S4-6間的差值，差動(dòng)值D4-2是感測(cè)塊C4-6與C4-7之感測(cè)資料信號(hào)S4-6與S4-7間的差值差動(dòng)值。計(jì)算單元30根據(jù)差動(dòng)值D4-1 D4-5來(lái)獲得對(duì)應(yīng)感測(cè)列4-1之感測(cè)曲線P40 (步驟S13)，如圖13C所示，在此情況下的感測(cè)曲線P40的曲線輪廓為，贏。在一些應(yīng)用中，感測(cè)列4-1可能被復(fù)數(shù)物體所觸控，舉例來(lái)說(shuō)，請(qǐng)參閱圖14A-14C，表示根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例，即一感測(cè)列之觸控情況以及感測(cè)資料信號(hào)對(duì)應(yīng)之差動(dòng)值與曲線輪廓的另一例子。當(dāng)一物體(例如一手指)140觸控感測(cè)列4-1上鄰近感測(cè)塊C4-4之位置且另一物體(例如一手指)141觸控感測(cè)列4-1上鄰近感測(cè)塊C4-8之位置時(shí)，自感測(cè)塊C4-1 C4-M讀出的感測(cè)資料信號(hào)S4-1 S4-M之強(qiáng)度呈現(xiàn)兩個(gè)高斯曲線G140及141。計(jì)算單元30由感測(cè)列4-1之感測(cè)塊C4-1 C4-M擷取感測(cè)資料信號(hào)S4-1 S4-M (步驟Sll)，且計(jì)算感測(cè)資料信號(hào)S4-1 S4-M中每?jī)筛袦y(cè)資料信號(hào)之差以獲得復(fù)數(shù)差動(dòng)值D4-1 D4-X(步驟S12)。圖14B所示的差動(dòng)值D4-1 D4-10是當(dāng)兩物體140及141觸控感測(cè)列4-1時(shí)的有意義差動(dòng)值，舉例來(lái)說(shuō)，差動(dòng)值D4-1是感測(cè)塊C4-1與C4-2之感測(cè)資料信號(hào)S4-1與S4-2間的差值。計(jì)算單元30根據(jù)差動(dòng)值D4-1 D4-10來(lái)獲得對(duì)應(yīng)感測(cè)列4_1之感測(cè)曲線P40(步驟S13)，如圖14C所示，在此情況下的感測(cè)曲線P40的曲線輪廓為
根第圖14C可得知，在本案實(shí)施例中，當(dāng)兩物體140及141 (即兩觸控點(diǎn))觸控感測(cè)列4-1時(shí)，在兩個(gè)一半的曲線中，都會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)峰值。舉例來(lái)說(shuō)，在前半個(gè)曲線中出現(xiàn)兩個(gè)峰值，分別對(duì)應(yīng)差動(dòng)值D4-2以及D4-5 ;而在后半個(gè)曲線中出現(xiàn)兩個(gè)峰值，分別對(duì)應(yīng)差動(dòng)值D4-7以及D4-9。然而，在其他兩觸控點(diǎn)的情況下，可能只在一個(gè)一半的曲線范圍(前半個(gè)曲線或后半個(gè)曲線)中出現(xiàn)兩個(gè)峰值。在獲得對(duì)應(yīng)感測(cè)列4-1之感測(cè)曲線后，判斷單元31之曲線處理器311可對(duì)此感測(cè)曲線執(zhí)行優(yōu)化處理(步驟S14)。所謂曲線優(yōu)化處理，可為但不限定于傳統(tǒng)的曲線優(yōu)化方式，乃用來(lái)剔除感測(cè)曲線中較明顯的噪點(diǎn)。在此實(shí)施例中，曲線處理器311可不必對(duì)每一感測(cè)曲線執(zhí)行優(yōu)化處理，即步驟S14可略過(guò)。接著，判斷單元31判斷此感測(cè)曲線P40之曲線輪廓(，▲ / ▼)是否與記憶體310中所預(yù)先儲(chǔ)存之感測(cè)曲線P50、P60、P70、P80、
P90、P10、以及Pll之曲線輪廓中之一者相同(步驟S15)。假使判斷單元31判斷出對(duì)應(yīng)感測(cè)列4-1之感測(cè)曲線P40與記憶體310中所預(yù)先儲(chǔ)存之感測(cè)曲線P50、P60、P70、P80、P90、P10、以及Pll之曲線輪廓中之一者相同時(shí)，則將判斷結(jié)果通知偵測(cè)單元32，其中，該判斷結(jié)果包括對(duì)應(yīng)感測(cè)列4-1之感測(cè)曲線與哪一預(yù)設(shè)曲線輪廓相同。偵測(cè)單元32則可根據(jù)關(guān)于感測(cè)列4-1之判斷結(jié)果來(lái)偵測(cè)感測(cè)列4-1之觸控狀況(步驟S16)，包括感測(cè)列4-1是否被至少一物體觸控、觸控感測(cè)列4 -1之物體數(shù)量、觸控感測(cè)列4-1之至少一物體在感測(cè)列4-1上之位置、以及/或觸控感測(cè)列4-1之一至少物體在感測(cè)列4-1上之觸控面積。之后，觸控感測(cè)裝置3結(jié)束感測(cè)操作。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)判斷單元31判斷出對(duì)應(yīng)感測(cè)列4-1之感測(cè)曲線P40之曲線輪廓與記憶體310中所預(yù)先儲(chǔ)存之感測(cè)曲線P60之曲線輪廓I▲相同時(shí)，偵測(cè)單元32則可根據(jù)此判斷結(jié)果來(lái)偵測(cè)出感測(cè)列4-1被單一物體觸控，如同圖13A中物體30觸控感測(cè)列4-1上鄰近感測(cè)塊C4-6與C4-7之位置。由于感測(cè)曲線P13是根據(jù)有意義差動(dòng)值D4-1 D4-5而獲得，因此偵測(cè)單元32可根據(jù)差動(dòng)值D4-1 D4-5來(lái)得知此單一物體在感測(cè)列4_1上觸控位置與面積?；蛘?，當(dāng)判斷單元31判斷出對(duì)應(yīng)感測(cè)列4-1之感測(cè)曲線P40之曲線輪廓與記憶體310中所預(yù)先儲(chǔ)存之感測(cè)曲線Pll之曲線輪廓T ▼▲▲相同時(shí)，偵測(cè)單元32則可根據(jù)此判斷結(jié)果來(lái)偵測(cè)出感測(cè)列4-1被兩物體觸控，如同圖14A中，一物體140觸控感測(cè)列4-1上鄰近感測(cè)塊C4-4之位置且另一物體141觸控感測(cè)列4-1上鄰近感測(cè)塊C4-8之位置。由于感測(cè)曲線P14是根據(jù)有意義差動(dòng)值D4-1 D4-10而獲得，因此偵測(cè)單元32可根據(jù)差動(dòng)值D4-1 D4-10來(lái)得知該此兩物體在感測(cè)列4-1上觸控位置與面積。假使判斷單元31判斷出對(duì)應(yīng)感測(cè)列4-1之感測(cè)曲線不與記憶體310中所預(yù)先儲(chǔ)存之預(yù)設(shè)曲線輪廓中任一者相同時(shí)，則結(jié)束對(duì)感測(cè)列4-1之感測(cè)操作。根據(jù)上述實(shí)施例，在判斷單元31判斷出對(duì)應(yīng)感測(cè)列4-1之感測(cè)曲線不與記憶體310中所預(yù)先儲(chǔ)存之一預(yù)設(shè)曲線輪廓相同之步驟S15后以及在對(duì)于感測(cè)列4-1之偵測(cè)步驟S16后，結(jié)束感測(cè)操作。而在一些實(shí)施例中，在判斷單元31判斷出對(duì)應(yīng)感測(cè)列4-1之感測(cè)曲線不與記憶體310中所預(yù)先儲(chǔ)存之一預(yù)設(shè)曲線輪廓者相同之步驟S15后以及在對(duì)于感測(cè)列
4-1之偵測(cè)步驟S16后，可回到步驟S10，計(jì)算單元30可繼續(xù)自復(fù)數(shù)感測(cè)列4-2 4N中選擇另一者作為待偵測(cè)感測(cè)列以進(jìn)行相同之感測(cè)操作，例如選擇感測(cè)列4-1之下一感測(cè)列4-2，作為待偵測(cè)感測(cè)列。計(jì)算單元30、判斷單元31、以及偵測(cè)單元32則執(zhí)行與上述步驟Sll S16相同之操作。當(dāng)偵測(cè)單元32得知關(guān)于感測(cè)列4-1 4N中至少兩感測(cè)列、一部分感測(cè)列、或者是全部感測(cè)列之判斷結(jié)果時(shí)，偵測(cè)單元32則可根據(jù)這些判斷結(jié)果來(lái)偵測(cè)感測(cè)陣列4之觸控狀況，包括感測(cè)陣列4是否被至少一物體觸控、觸控感測(cè)陣列4之物體數(shù)量、觸控感測(cè)陣列4之至一物體在感測(cè)陣列4上之座標(biāo)、以及/或觸控感測(cè)陣列4之至一物體在感測(cè)陣列4上之觸控面積。根據(jù)上述，本實(shí)用新型實(shí)施例之觸控感測(cè)裝置3預(yù)先儲(chǔ)存了多種樣態(tài)曲線輪廓以供待偵測(cè)感測(cè)列之感測(cè)曲線進(jìn)行比對(duì)。藉由曲線輪廓的比對(duì)可排除干擾雜訊的影響。此外，本實(shí)用新型實(shí)施例之觸控感測(cè)裝置3不需設(shè)定最小臨界值，因此，即使感測(cè)陣列4被觸控的面積相對(duì)小，也能精確地偵測(cè)出感測(cè)陣列4之觸控狀況。[0046]此外，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例，假使觸控感測(cè)陣列4之物體的尺寸越大(該物體之尺寸正比于觸控面積)且在一感測(cè)列上每?jī)筛袦y(cè)塊之間距離越小，判斷單元31所獲得之感測(cè)曲線能更符合物體對(duì)感測(cè)塊觸控之實(shí)際觸控，使得根據(jù)感測(cè)曲線而偵測(cè)之感測(cè)陣列4之觸控狀況能更加精確。以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例而已，故不能以此限定本實(shí)用新型的范圍，即依本實(shí)用新型申請(qǐng)專利范圍及說(shuō)明書內(nèi)容所作的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型專利涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種觸控感測(cè)裝置，用于偵測(cè)一感測(cè)陣列，所述感測(cè)陣列包括至少一感測(cè)列，包括 一計(jì)算單元，用以根據(jù)自所述感測(cè)列擷取之復(fù)數(shù)感測(cè)資料信號(hào)獲得一感測(cè)曲線； 一判斷單元，用以判斷所述感測(cè)曲線之一曲線特征是否與復(fù)數(shù)預(yù)設(shè)曲線特征之一者相同；以及 一偵測(cè)單元，用以根據(jù)關(guān)于所述感測(cè)列之所述判斷結(jié)果來(lái)偵測(cè)所述感測(cè)列之觸控狀況。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控感測(cè)裝置，其特征在于，所述判斷單元包括一曲線處理器，用以對(duì)所述待偵測(cè)感測(cè)列執(zhí)行優(yōu)化處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的觸控感測(cè)裝置，其特征在于，每一所述感測(cè)列包括復(fù)數(shù)感測(cè) 塊，且所述計(jì)算單元分別自所述感測(cè)塊擷取所述感測(cè)資料信號(hào)。
4.一種觸控感測(cè)裝置，用于偵測(cè)一感測(cè)陣列，所述感測(cè)陣列包括至少一感測(cè)列，包括 一計(jì)算單元，用以計(jì)算所述感測(cè)資料信號(hào)中每?jī)筛袦y(cè)資料信號(hào)之差以獲得復(fù)數(shù)差動(dòng)值，且根據(jù)所述差動(dòng)值來(lái)獲得所述感測(cè)曲線； 一判斷單元，用以判斷所述感測(cè)曲線之一曲線特征是否與復(fù)數(shù)預(yù)設(shè)曲線特征之一者相同；以及 一偵測(cè)單元，用以根據(jù)關(guān)于所述感測(cè)列之所述判斷結(jié)果來(lái)偵測(cè)所述感測(cè)列之觸控狀況。
5.一種觸控感測(cè)裝置，用于偵測(cè)一感測(cè)陣列，所述感測(cè)陣列包括至少一感測(cè)列，包括 一計(jì)算單元，用以根據(jù)自所述感測(cè)列擷取之復(fù)數(shù)感測(cè)資料信號(hào)獲得一感測(cè)曲線； 一判斷單元，用以判斷所述感測(cè)曲線之一曲線輪廓是否與復(fù)數(shù)預(yù)設(shè)曲線輪廓之一者相同；以及 一偵測(cè)單元，用以根據(jù)關(guān)于所述感測(cè)列之所述判斷結(jié)果來(lái)偵測(cè)所述感測(cè)列之觸控狀況。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種觸控感測(cè)裝置，用于偵測(cè)一感測(cè)陣列，所述感測(cè)陣列包括至少一感測(cè)列，該觸控感測(cè)裝置包括一計(jì)算單元，用以根據(jù)自所述感測(cè)列擷取之復(fù)數(shù)感測(cè)資料信號(hào)獲得一感測(cè)曲線；一判斷單元，用以判斷所述感測(cè)曲線之一曲線特征是否與復(fù)數(shù)預(yù)設(shè)曲線特征之一者相同；以及一偵測(cè)單元，用以根據(jù)關(guān)于所述感測(cè)列之所述判斷結(jié)果來(lái)偵測(cè)所述感測(cè)列之觸控狀況。本實(shí)用新型可降低干擾雜訊對(duì)于感測(cè)陣列的偵測(cè)影響，并能提高偵測(cè)感測(cè)陣列觸控狀況的精確度。
文檔編號(hào)G06F3/041GK202533902SQ201120310449
公開日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2011年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月21日
發(fā)明者楚丁, 王萬(wàn)秋 申請(qǐng)人:宸鴻科技(廈門)有限公司