一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)實現(xiàn)In Cell觸控功能的陣列基板像素開口率降低的問題。所述陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上依次形成有金屬遮擋層和實現(xiàn)觸控功能的第一電極層，所述金屬遮擋層和所述第一電極層之間設(shè)置有至少一個絕緣層；所述第一電極層包括多個觸控電極；所述金屬遮擋層包括多條彼此絕緣的輔助線，所述輔助線位于數(shù)據(jù)線或柵線的正下方；所述觸控電極通過所述輔助線實現(xiàn)自身內(nèi)部的電連接；或者，所述觸控電極通過所述輔助線電連接所述陣列基板上的外部接口電路。
【專利說明】
一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及觸控顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的快速發(fā)展，觸控顯示面板(Touch Screen Panel)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用。觸控顯示面板按照組成結(jié)構(gòu)可以分為:外掛式觸控顯示面板(Add on Mode TouchPanel)、覆蓋表面式觸控顯示面板(On Cell Touch Panel)、以及內(nèi)嵌式觸控顯示面板(InCell Touch Panel)。其中，外掛式觸控顯示面板是將觸控顯示面板與液晶顯示屏(LiquidCrystal Display，LCD)分開生產(chǎn)，然后貼合到一起成為具有觸摸功能的液晶顯示屏，外掛式觸控顯示面板存在制作成本較高、光透過率較低、模組較厚等缺點。而內(nèi)嵌式觸控顯示面板將觸控顯示面板的觸控電極內(nèi)嵌在液晶顯示屏內(nèi)部，可以減薄模組整體的厚度，又可以大大降低觸控顯示面板的制作成本，受到各大面板廠家青睞。
[0003]目前，現(xiàn)有的互容式內(nèi)嵌(InCell)觸控顯示面板是在現(xiàn)有的薄膜場效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列基板上另外增加觸控掃描線和觸控感應(yīng)線實現(xiàn)的，即在TFT陣列基板的表面制作兩層相互異面相交的條狀電極，這兩層電極分別作為觸控顯示面板的觸控驅(qū)動線和觸控感應(yīng)線，在兩條電極的異面相交處形成互電容。其工作過程為:在對作為觸控驅(qū)動線的電極加載觸控驅(qū)動信號時，檢測觸控感應(yīng)線通過互電容耦合出的電壓信號，在此過程中，有人體接觸觸控顯示面板時，人體電場就會作用在互電容上，使互電容的電容值發(fā)生變化，進而改變觸控感應(yīng)線耦合出的電壓信號，根據(jù)電壓信號的變化，就可以確定觸點位置。上述互容式內(nèi)嵌觸摸屏的結(jié)構(gòu)設(shè)計，需要在現(xiàn)有的TFT陣列基板上增加新的膜層，導(dǎo)致在制作TFT陣列基板時需要增加新的工藝，使生產(chǎn)成本增加，不利于提高生產(chǎn)效率。為了改善上述問題，現(xiàn)有技術(shù)將觸控掃描線和觸控感應(yīng)線設(shè)置于同一層，觸控掃描線和觸控感應(yīng)線之一為多段結(jié)構(gòu)，多段結(jié)構(gòu)通過設(shè)置于柵金屬層或源漏極金屬層的連接線連接，從而減少制備工藝和降低成本。
[0004]而現(xiàn)有的自容式觸控顯示面板，在TFT陣列基板增加一層觸控電極，再由柵金屬層或源漏極金屬層形成多條連接線，使觸控電極連接至觸控芯片，在有人體接觸觸控顯示面板時，觸控位置的觸控電極產(chǎn)生電信號，并通過連接線傳輸至觸控芯片。
[0005]但是，上述的互容式和自容式內(nèi)嵌觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)設(shè)計，需要在柵金屬層上設(shè)置與柵線不重合和不相交的連接線，或在源漏極金屬層上設(shè)置與數(shù)據(jù)線不重合和不相交的連接線，該連接線顯然會占用像素顯示的空間，使得像素開口率降低，影響顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)實現(xiàn)In Cell觸控功能的陣列基板像素開口率降低的問題。
[0007]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
[0008]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上依次形成有金屬遮擋層和實現(xiàn)觸控功能的第一電極層，所述金屬遮擋層和所述第一電極層之間設(shè)置有至少一個絕緣層；
[0009]所述第一電極層包括多個觸控電極；
[0010]所述金屬遮擋層包括多條彼此絕緣的輔助線，所述輔助線位于數(shù)據(jù)線或柵線的正下方；
[0011]所述觸控電極通過所述輔助線實現(xiàn)自身內(nèi)部的電連接;或者，所述觸控電極通過所述輔助線電連接所述陣列基板上的外部接口電路。
[0012]本發(fā)明實施例中，通過使所述金屬遮擋層設(shè)置于所述襯底基板和所述第一電極層之間，并以所述金屬遮擋層上形成的所述輔助線使不同的所述觸控電極連接或者使所述觸控電極電連接外部接口電路，不需要單獨提供用于形成所述輔助線的導(dǎo)電層，所述輔助線位于所述數(shù)據(jù)線或所述柵線的正下方，因此不會影響影響像素開口率。
[0013]優(yōu)選的，所述輔助線還包括延伸部，所述延伸部的延伸方向與所述輔助線的延伸方向垂直；
[0014]所述輔助線的延伸部通過過孔與正上方的所述觸控電極電連接。本實施例中，通過所述延伸部與所述觸控電極電連接，減少過孔對所述數(shù)據(jù)線或所述柵線的影響。
[0015]優(yōu)選的，所述觸控電極包括交叉且彼此絕緣的驅(qū)動電極和感應(yīng)電極，所述驅(qū)動電極包括多段驅(qū)動子電極構(gòu)成；
[0016]屬于同一條所述驅(qū)動電極的各個所述驅(qū)動子電極通過所述驅(qū)動電極正下方的至少一條所述輔助線電連接。本實施例中，在互容式的觸控實現(xiàn)中，所述輔助線可以連接同一個所述驅(qū)動電極的各個所述驅(qū)動子電極，不影響像素開口率。
[0017]優(yōu)選的，所述驅(qū)動電極和所述感應(yīng)電極二者的延伸方向相互垂直。
[0018]優(yōu)選的，全部所述觸控電極呈陣列排布；
[0019]同一列或同一行的各個所述觸控電極分別通過位于該列或該行的全部所述觸控電極正下方的至少一條所述輔助線電連接所述外部接口電路。本實施例中，在自容式的觸控實現(xiàn)中，所述輔助線可以使所述觸控電極電連接所述外部接口電路，不影響像素開口率。
[0020]優(yōu)選的，各個所述觸控電極圖案相同且面積相等。本實施例中，圖案相同且面積相等的所述觸控電極，有利于提尚自容式觸控的檢測精度。
[0021]優(yōu)選的，所述第一電極層為公共電極層，每一個所述觸控電極在寬度方向上包括多個像素單元對應(yīng)的公共電極。
[0022]優(yōu)選的，所述陣列基板還包括位于所述第一電極層之上且直接接觸的第一金屬層，所述第一金屬層包括多個與所述觸控電極對應(yīng)的輔助圖形，所述輔助圖形包括位于所述觸控電極覆蓋范圍內(nèi)的所述數(shù)據(jù)線和所述柵線的正上方的多條金屬線。本實施例中，所述輔助圖形所包括的所述金屬線有利于減小所述觸控電極的電阻，且所述金屬線位于所述數(shù)據(jù)線和所述柵線的正上方，不會影響像素開口率。
[0023]本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，包括如上實施例提供的所述陣列基板。
[0024]本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括如上實施例提供的所述顯示面板。
[0025]本發(fā)明實施例有益效果如下:通過使所述金屬遮擋層設(shè)置于所述襯底基板和所述第一電極層之間，并以所述金屬遮擋層上形成的所述輔助線使不同的所述觸控電極連接或者使所述觸控電極電連接外部接口電路，不需要單獨提供用于形成所述輔助線的導(dǎo)電層，所述輔助線位于所述數(shù)據(jù)線或所述柵線的正下方，因此不會影響影響像素開口率。
[0026]本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板的制備方法，包括:
[0027]提供一襯底基板，通過構(gòu)圖工藝在所述襯底基板上形成有金屬遮擋層，所述金屬遮擋層包括多條彼此絕緣的輔助線；
[0028]在所述金屬遮擋層之上依次形成包括柵線的柵金屬層和包括數(shù)據(jù)線的源漏極金屬層，以及所述金屬遮擋層與所述柵金屬層、所述柵金屬層和所述源漏極金屬層之間的至少一個絕緣層;其中，所述輔助線位于數(shù)據(jù)線或柵線的正下方；
[0029]在完成上述步驟的所述襯底基板上形成用于實現(xiàn)觸控功能的第一電極層，所述第一電極層包括多個觸控電極;其中，所述觸控電極通過所述輔助線實現(xiàn)自身內(nèi)部的電連接；或者，所述觸控電極通過所述輔助線電連接所述陣列基板上的外部接口電路。
[0030]優(yōu)選的，所述輔助線還包括延伸部，所述延伸部的延伸方向與所述輔助線的延伸方向垂直；
[0031]所述方法還包括:
[0032]在所述金屬遮擋層和所述第一電極層之間形成多個與延伸部位置正對的過孔，使所述輔助線的延伸部通過過孔與正上方的所述觸控電極電連接。
[0033]優(yōu)選的，所述觸控電極包括交叉且彼此絕緣的驅(qū)動電極和感應(yīng)電極，所述驅(qū)動電極包括多段驅(qū)動子電極構(gòu)成；
[0034]所述方法還包括:使屬于同一條所述驅(qū)動電極的各個所述驅(qū)動子電極通過所述驅(qū)動電極正下方的至少一條所述輔助線電連接。
[0035]優(yōu)選的，全部所述觸控電極呈陣列排布；
[0036]所述方法還包括:使同一列或同一行的各個所述觸控電極分別通過位于該列或該行的全部所述觸控電極正下方的至少一條所述輔助線電連接所述外部接口電路。
[0037]優(yōu)選的，方法還包括:
[0038]在所述第一電極層之上形成與所述第一電極層直接接觸的第一金屬層，所述第一金屬層包括多個與所述觸控電極對應(yīng)的輔助圖形，所述輔助圖形包括位于所述觸控電極覆蓋范圍內(nèi)的所述數(shù)據(jù)線和所述柵線的正上方的多條金屬線。
[0039]本發(fā)明實施例有益效果如下:通過使所述金屬遮擋層設(shè)置于所述襯底基板和所述第一電極層之間，并以所述金屬遮擋層上形成的所述輔助線使不同的所述觸控電極連接或者使所述觸控電極電連接外部接口電路，不需要單獨提供用于形成所述輔助線的導(dǎo)電層，所述輔助線位于所述數(shù)據(jù)線或所述柵線的正下方，因此不會影響影響像素開口率。
【附圖說明】
[0040]圖1為本發(fā)明實施例提供的實現(xiàn)互容式觸控的陣列基板的示意圖；
[0041 ]圖2為圖1所示陣列基板的階梯剖面示意圖；
[0042]圖3為圖1和圖2所示陣列基板的觸控電極的示意圖；
[0043]圖4為本發(fā)明實施例提供的實現(xiàn)自容式觸控的陣列基板的階梯剖面示意圖；
[0044]圖5為圖4所示陣列基板的觸控電極的示意圖；
[0045]圖6為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制備方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0046]下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明實施例的實現(xiàn)過程進行詳細說明。需要注意的是，自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0047]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的實現(xiàn)InCell觸控功能的陣列基板像素開口率降低的問題，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括:
[0048]襯底基板，襯底基板上依次形成有金屬遮擋層和實現(xiàn)觸控功能的第一電極層，金屬遮擋層和第一電極層之間設(shè)置有至少一個絕緣層；
[0049]第一電極層包括多個觸控電極；
[0050]金屬遮擋層包括多條彼此絕緣的輔助線，輔助線位于數(shù)據(jù)線或柵線的正下方；
[0051]觸控電極通過輔助線實現(xiàn)自身內(nèi)部的電連接;或者，觸控電極通過輔助線電連接陣列基板上的外部接口電路。
[0052]本發(fā)明實施例中，通過使金屬遮擋層設(shè)置于襯底基板和第一電極層之間，并以金屬遮擋層上形成的輔助線使不同的觸控電極連接或者使觸控電極電連接外部接口電路，不需要單獨提供用于形成輔助線的導(dǎo)電層，輔助線位于數(shù)據(jù)線或柵線的正下方，因此不會影響影響像素開口率。
[0053]由于輔助線位于數(shù)據(jù)線或柵線的正下方，因此輔助線在與觸控電極過孔連接時可能會影響數(shù)據(jù)線或柵線，因此可以考慮使輔助線與觸控電極過孔連接的位置錯開數(shù)據(jù)線或柵線。優(yōu)選的，輔助線還包括延伸部，延伸部的延伸方向與輔助線的延伸方向垂直;輔助線的延伸部通過過孔與正上方的觸控電極電連接。本實施例中，通過延伸部與觸控電極電連接，減少過孔對數(shù)據(jù)線或柵線的影響。
[0054]第一電極層可以單獨制備一層，也可以為公共電極層，即觸控電極可以由規(guī)劃公共電極得到，分時實現(xiàn)顯示功能和進行觸控功能。優(yōu)選的，在第一電極層為公共電極層時，每一個觸控電極在寬度方向上包括多個像素單元對應(yīng)的公共電極。
[0055]同時，當(dāng)?shù)谝浑姌O層為公共電極層時，為了減小觸控電極的電阻，可以在觸控電極上增加導(dǎo)體。優(yōu)選的，陣列基板還包括位于第一電極層之上且直接接觸的第一金屬層，第一金屬層包括多個與觸控電極對應(yīng)的輔助圖形，輔助圖形包括位于觸控電極覆蓋范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)線和柵線的正上方的多條金屬線。本實施例中，輔助圖形所包括的金屬線有利于減小觸控電極的電阻，且金屬線位于數(shù)據(jù)線和柵線的正上方，不會影響像素開口率。
[0056]基于本發(fā)明的思想，可以提供實現(xiàn)互容式觸控的陣列基板，也可以提供實現(xiàn)自容式觸控的陣列基板，詳細舉例如下:
[0057]實施一
[0058]參考圖1，本發(fā)明實施例提供一種實現(xiàn)互容式觸控的陣列基板，該陣列基板包括:
[0059]襯底基板I，襯底基板I上依次形成有金屬遮擋層(未標(biāo)注)和實現(xiàn)觸控功能的第一電極層(未標(biāo)注)。結(jié)合圖2所示，圖2為圖1中AA^BB^CC/處的階梯剖面圖，其中，金屬遮擋層和第一電極層之間設(shè)置有至少一個絕緣層2;第一電極層包括多個觸控電極3;其中，金屬遮擋層包括多條彼此絕緣的輔助線4，輔助線4位于柵線5的正下方。該絕緣層2并非僅包括所標(biāo)注的層，實際上，金屬遮擋層和第一電極層的任一或全部具有絕緣功能的層都可以視為絕緣層2。
[0060]如圖3所示，觸控電極3包括交叉且彼此絕緣的驅(qū)動電極31和感應(yīng)電極3 2，驅(qū)動電極31包括多段驅(qū)動子電極311構(gòu)成。顯然，觸控電極3通過輔助線4實現(xiàn)自身內(nèi)部的電連接。例如，可選的，各驅(qū)動電極311通過輔助線4連接構(gòu)成驅(qū)動電極31，具體實現(xiàn)如下:屬于同一條驅(qū)動電極31的各個驅(qū)動子電極311通過驅(qū)動電極31正下方的至少一條輔助線4電連接。本實施例中，在互容式的觸控實現(xiàn)中，輔助線4可以連接同一個驅(qū)動電極31的各個驅(qū)動子電極311，不影響像素開口率。
[0061]優(yōu)選的，驅(qū)動電極31和感應(yīng)電極32二者的延伸方向相互垂直。
[0062]如圖所3所示，輔助線4還包括延伸部41，延伸部41的延伸方向與輔助線4的延伸方向垂直;輔助線4的延伸部41通過過孔與正上方的觸控電極3電連接。
[0063]第一電極層可以單獨制備一層，也可以為公共電極層，即觸控電極3可以由規(guī)劃公共電極層得到，如圖3所示的，將公共電極層規(guī)劃為驅(qū)動電極31和感應(yīng)電極32，分時實現(xiàn)顯示功能和進行觸控功能。優(yōu)選的，在第一電極層為公共電極層時，每一個觸控電極3(即驅(qū)動電極31和感應(yīng)電極32)在寬度方向上包括多個像素單元對應(yīng)的公共電極，在此不再贅述。
[0064]需要說明的是，還包括如圖1所示的數(shù)據(jù)線6、如圖2所示的薄膜晶體管7和像素電極8，在此不再贅述。
[0065]當(dāng)然，為了使觸控電極3的電阻更小，可以在觸控電極3之上制備金屬線構(gòu)成輔助圖形，輔助圖形與觸控電極3對應(yīng)，且金屬線應(yīng)該在數(shù)據(jù)線6和柵線5的正上方，以便于遮擋。
[0066]本發(fā)明實施例中，通過使金屬遮擋層設(shè)置于襯底基板I和第一電極層之間，并以金屬遮擋層上形成的輔助線4使不同的觸控電極3實現(xiàn)自身內(nèi)部的連接，不需要單獨提供用于形成輔助線4的導(dǎo)電層，輔助線4位于柵線5的正下方，因此輔助線4即實現(xiàn)遮擋功能又實現(xiàn)連接功能，不會影響影響像素開口率。
[0067]實施二
[0068]參見圖4，本發(fā)明實施例提供一種實現(xiàn)自容式觸控的陣列基板，該陣列基板包括:
[0069]襯底基板I，襯底基板I上依次形成有金屬遮擋層(未標(biāo)注)和實現(xiàn)觸控功能的第一電極層(未標(biāo)注)。金屬遮擋層和第一電極層之間設(shè)置有至少一個絕緣層2;第一電極層包括多個觸控電極3;其中，金屬遮擋層包括多條彼此絕緣的輔助線4，輔助線4位于數(shù)據(jù)線6的正下方。需要說明的是，圖4所示的階梯剖面圖是在輔助線4與觸控電極3的連接處、薄膜晶體管7與數(shù)據(jù)線6和像素電極8的連接處進行剖面的。
[0070]由于自容式觸控是基于手指對觸控電極3的影響造成的觸控電極3的寄生電容的變化而實現(xiàn)的，因此觸控電極3可以直接設(shè)計為多個塊狀且呈陣列排布，每一個觸控電極3通過至少一條輔助線4電連接到外部接口電路。優(yōu)選的，如圖5所示，同一列或同一行的各個觸控電極3分別通過位于該列或該行的全部觸控電極3正下方的至少一條輔助線4電連接外部接口電路。本實施例中，在自容式的觸控實現(xiàn)中，輔助線4可以使觸控電極3電連接外部接口電路，不影響像素開口率。
[0071]優(yōu)選的，各個觸控電極3圖案相同且面積相等。本實施例中，圖案相同且面積相等的觸控電極，有利于提尚自容式觸控的檢測精度。
[0072]與互容式觸控相似的，如圖5所示，輔助線4還包括延伸部41，延伸部41的延伸方向與輔助線4的延伸方向垂直;輔助線4的延伸部41通過過孔與正上方的觸控電極3電連接。
[0073]同時，第一電極層可以單獨制備一層，也可以為公共電極層，即觸控電極3可以由規(guī)劃公共電極層得到，如圖5所示的，將公共電極層規(guī)劃為塊狀的觸控電極3，分時實現(xiàn)顯示功能和進行觸控功能。優(yōu)選的，在第一電極層為公共電極層時，每一個觸控電極3在寬度方向上包括多個像素單元對應(yīng)的公共電極，在此不再贅述。
[0074]本發(fā)明實施例中，通過使金屬遮擋層設(shè)置于襯底基板I和第一電極層之間，并以金屬遮擋層上形成的輔助線4使不同的觸控電極3實現(xiàn)自身內(nèi)部的連接，不需要單獨提供用于形成輔助線4的導(dǎo)電層，輔助線4位于柵線5的正下方，因此輔助線4即實現(xiàn)遮擋功能又實現(xiàn)連接功能，不會影響影響像素開口率。
[0075]本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，包括如圖1或圖4所示的陣列基板。對于還可以包括顯示面板通常還包括與陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板或封裝基板，或者還包括液晶等，在此不再贅述。
[0076]本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括如上實施例提供的顯示面板。
[0077]本發(fā)明實施例有益效果如下:通過使金屬遮擋層設(shè)置于襯底基板和第一電極層之間，并以金屬遮擋層上形成的輔助線使不同的觸控電極連接或者使觸控電極電連接外部接口電路，不需要單獨提供用于形成輔助線的導(dǎo)電層，輔助線位于數(shù)據(jù)線或柵線的正下方，因此不會影響影響像素開口率。
[0078]參見圖6，本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板的制備方法，包括:
[0079]601、提供一襯底基板，通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成有金屬遮擋層，金屬遮擋層包括多條彼此絕緣的輔助線。
[0080]602、在金屬遮擋層之上依次形成包括柵線的柵金屬層和包括數(shù)據(jù)線的源漏極金屬層，以及金屬遮擋層與柵金屬層、柵金屬層和源漏極金屬層之間的至少一個絕緣層；其中，輔助線位于數(shù)據(jù)線或柵線的正下方。
[0081]603、在完成上述步驟的襯底基板上形成用于實現(xiàn)觸控功能的第一電極層，第一電極層包括多個觸控電極;其中，觸控電極通過輔助線實現(xiàn)自身內(nèi)部的電連接;或者，觸控電極通過輔助線電連接陣列基板上的外部接口電路。
[0082]優(yōu)選的，輔助線還包括延伸部，延伸部的延伸方向與輔助線的延伸方向垂直；
[0083]603之前還包括:
[0084]在金屬遮擋層和第一電極層之間形成多個與延伸部位置正對的過孔，使輔助線的延伸部通過過孔與正上方的觸控電極電連接。
[0085]需要說明的是，由于自容式觸控和互容式觸控在實施時，觸控電極有所區(qū)別，因此可以根據(jù)具體的實施對象，根據(jù)本發(fā)明思想進行靈活的設(shè)計。例如，觸控電極包括交叉且彼此絕緣的驅(qū)動電極和感應(yīng)電極，驅(qū)動電極包括多段驅(qū)動子電極構(gòu)成時，方法還包括:使屬于同一條驅(qū)動電極的各個驅(qū)動子電極通過驅(qū)動電極正下方的至少一條輔助線電連接，從而實現(xiàn)互容式觸控所需要的驅(qū)動電極。
[0086]又例如，全部觸控電極呈陣列排布，方法還包括:使同一列或同一行的各個觸控電極分別通過位于該列或該行的全部觸控電極正下方的至少一條輔助線電連接外部接口電路，從而使自容式觸控的各個觸控電極由輔助線引出。
[0087]基于減小觸控電極電阻的考慮，方法還可以包括:
[0088]在第一電極層之上形成與第一電極層直接接觸的第一金屬層，第一金屬層包括多個與觸控電極對應(yīng)的輔助圖形，輔助圖形包括位于觸控電極覆蓋范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)線和柵線的正上方的多條金屬線。
[0089]本發(fā)明實施例有益效果如下:通過使金屬遮擋層設(shè)置于襯底基板和第一電極層之間，并以金屬遮擋層上形成的輔助線使不同的觸控電極連接或者使觸控電極電連接外部接口電路，不需要單獨提供用于形成輔助線的導(dǎo)電層，輔助線位于數(shù)據(jù)線或柵線的正下方，因此不會影響影響像素開口率。
[0090]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上依次形成有金屬遮擋層和實現(xiàn)觸控功能的第一電極層，所述金屬遮擋層和所述第一電極層之間設(shè)置有至少一個絕緣層;其特征在于: 所述第一電極層包括多個觸控電極； 所述金屬遮擋層包括多條彼此絕緣的輔助線，所述輔助線位于數(shù)據(jù)線或柵線的正下方； 所述觸控電極通過所述輔助線實現(xiàn)自身內(nèi)部的電連接;或者，所述觸控電極通過所述輔助線電連接所述陣列基板上的外部接口電路。2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述輔助線還包括延伸部，所述延伸部的延伸方向與所述輔助線的延伸方向垂直； 所述輔助線的延伸部通過過孔與正上方的所述觸控電極電連接。3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述觸控電極包括交叉且彼此絕緣的驅(qū)動電極和感應(yīng)電極，所述驅(qū)動電極包括多段驅(qū)動子電極構(gòu)成； 屬于同一條所述驅(qū)動電極的各個所述驅(qū)動子電極通過所述驅(qū)動電極正下方的至少一條所述輔助線電連接。4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述驅(qū)動電極和所述感應(yīng)電極二者的延伸方向相互垂直。5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，全部所述觸控電極呈陣列排布； 同一列或同一行的各個所述觸控電極分別通過位于該列或該行的全部所述觸控電極正下方的至少一條所述輔助線電連接所述外部接口電路。6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，各個所述觸控電極圖案相同且面積相等。7.如權(quán)利要求1至7任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極層為公共電極層，每一個所述觸控電極在寬度方向上包括多個像素單元對應(yīng)的公共電極。8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括位于所述第一電極層之上且直接接觸的第一金屬層，所述第一金屬層包括多個與所述觸控電極對應(yīng)的輔助圖形，所述輔助圖形包括位于所述觸控電極覆蓋范圍內(nèi)的所述數(shù)據(jù)線和所述柵線的正上方的多條金屬線。9.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至8任意一項所述的陣列基板。10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的顯示面板。11.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括: 提供一襯底基板，通過構(gòu)圖工藝在所述襯底基板上形成有金屬遮擋層，所述金屬遮擋層包括多條彼此絕緣的輔助線； 在所述金屬遮擋層之上依次形成包括柵線的柵金屬層和包括數(shù)據(jù)線的源漏極金屬層，以及所述金屬遮擋層與所述柵金屬層、所述柵金屬層和所述源漏極金屬層之間的至少一個絕緣層;其中，所述輔助線位于數(shù)據(jù)線或柵線的正下方； 在完成上述步驟的所述襯底基板上形成用于實現(xiàn)觸控功能的第一電極層，所述第一電極層包括多個觸控電極；其中，所述觸控電極通過所述輔助線實現(xiàn)自身內(nèi)部的電連接;或者，所述觸控電極通過所述輔助線電連接所述陣列基板上的外部接口電路。12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述輔助線還包括延伸部，所述延伸部的延伸方向與所述輔助線的延伸方向垂直； 所述方法還包括: 在所述金屬遮擋層和所述第一電極層之間形成多個與延伸部位置正對的過孔，使所述輔助線的延伸部通過過孔與正上方的所述觸控電極電連接。13.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述觸控電極包括交叉且彼此絕緣的驅(qū)動電極和感應(yīng)電極，所述驅(qū)動電極包括多段驅(qū)動子電極構(gòu)成； 所述方法還包括:使屬于同一條所述驅(qū)動電極的各個所述驅(qū)動子電極通過所述驅(qū)動電極正下方的至少一條所述輔助線電連接。14.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，全部所述觸控電極呈陣列排布； 所述方法還包括:使同一列或同一行的各個所述觸控電極分別通過位于該列或該行的全部所述觸控電極正下方的至少一條所述輔助線電連接所述外部接口電路。15.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，該方法還包括: 在所述第一電極層之上形成與所述第一電極層直接接觸的第一金屬層，所述第一金屬層包括多個與所述觸控電極對應(yīng)的輔助圖形，所述輔助圖形包括位于所述觸控電極覆蓋范圍內(nèi)的所述數(shù)據(jù)線和所述柵線的正上方的多條金屬線。
【文檔編號】G06F3/044GK106055160SQ201610471698
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年6月24日
【發(fā)明人】秦文文, 孫建
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司